顯示面板制造方法、顯示面板的制造設備和顯示面板與流程

本發明涉及顯示技術領域，特別涉及一種顯示面板制造方法、顯示面板的制造設備和顯示面板。

背景技術：

顯示面板中通常包括有多個薄膜晶體管(英文：thinfilmtransistor；簡稱：tft)，根據顯示面板種類的不同，這些tft可以對顯示面板進行不同的控制。tft通常包括柵極、有源層和源漏極(源漏極包括源極和漏極)。

相關技術中在制造顯示面板時，首先在襯底基板上形成柵導電圖形和柵絕緣層，然后在形成有柵絕緣層的襯底基板上通過掩膜工藝形成有源層圖案，之后在形成有有源層圖案的襯底基板上形成其它結構。

在實現本發明的過程中，發明人發現現有技術至少存在以下問題：由于光刻膠可能污染有機半導體材料，因而無法用傳統的光刻工藝形成由有機半導體材料構成的半導體層圖案。

技術實現要素：

為了解決現有技術中由于光刻膠可能污染有機半導體材料，因而無法用傳統的光刻工藝形成由有機半導體材料構成的半導體層圖案的問題，本發明實施例提供了一種顯示面板制造方法、顯示面板的制造設備和顯示面板。所述技術方案如下：

根據本發明的第一方面，提供了一種顯示面板制造方法，所述方法包括：

通過微流控技術在襯底基板上形成多個半導體材料液滴；

對所述多個半導體材料液滴進行固化處理，固化處理后的所述多個半導體材料液滴形成半導體層圖案。

可選的，所述通過微流控技術在襯底基板上形成多個半導體材料液滴之前，所述方法還包括：

在所述襯底基板上依次形成柵導電圖形和柵絕緣層，所述柵導電圖形包括多條柵線，所述多條柵線中的每條柵線上均包括有多個柵極，所述半導體材料溶液池設置有多個通道，任一所述通道的一端與所述半導體材料溶液池的內部連通，另一端設置在所述多條柵線中的指定柵線上的一個柵極的流動區域，所述多條柵線中的任一柵極的流動區域為所述任一柵極在所述柵絕緣層上的正投影區域；

所述通過微流控技術在襯底基板上形成多個半導體材料液滴，包括：

以所述多條柵線中的柵極作為第一電潤濕電極，控制所述半導體材料溶液池中的半導體材料溶液流向形成有所述柵絕緣層的襯底基板，并在形成有所述柵絕緣層的襯底基板上形成所述多個半導體材料液滴。

可選的，所述多條柵線的柵極在所述襯底基板上成行列排布，

所述以所述多條柵線中的柵極作為第一電潤濕電極，控制所述半導體材料溶液池中的半導體材料溶液流向形成有所述柵絕緣層的襯底基板，并在形成有所述柵絕緣層的襯底基板上形成所述多個半導體材料液滴，包括：

向所述指定柵線施加電壓，使所述半導體材料溶液池中的半導體材料溶液流向所述指定柵線中柵極的多個流動區域中，并在所述多個流動區域中形成半導體材料液滴組，所述多個流動區域中的流動區域與所述半導體材料液滴組中的半導體材料液滴一一對應；

以所述多條柵線中的柵極作為所述第一電潤濕電極，控制所述半導體材料液滴組移動到目標柵線的柵極的多個流動區域，所述目標柵線為當前距離所述指定柵線最遠且在柵極的流動區域中未設置有半導體材料液滴的柵線。

可選的，所述以所述多條柵線中的柵極作為所述第一電潤濕電極，控制所述半導體材料液滴組移動到目標柵線的柵極的多個流動區域，包括：

在所述指定柵線中柵極的多個流動區域中的半導體材料液滴組移動出所述指定柵線中柵極的多個流動區域時，向所述指定柵線施加電壓，控制所述半導體材料溶液池中的半導體材料溶液流向所述指定柵線中柵極的多個流動區域。

可選的，所述多條柵線在所述襯底基板上沿預設方向排布，

所述指定柵線為所述預設方向上位于所述多條柵線兩端的兩條柵線中的任意一條柵線。

可選的，所述多條柵線中任意相鄰的兩條柵線之間設置有第二電潤濕電極圖案，所述第二電潤濕電極圖案用于控制所述半導體材料液滴移動。

可選的，所述第二電潤濕電極圖案為線柵偏振結構，所述第二電潤濕電極圖案起到偏光片的效果。

可選的，所述多條柵線中，任一柵線的任一柵極的面積大于預設柵線的面積，所述預設柵線為位于所述任一柵極在所述任一柵線上的正投影中的柵線。

可選的，所述使所述多個半導體材料液滴固化，固化后的所述多個半導體材料液滴為半導體層圖案之后，所述方法還包括：

在形成有所述半導體層圖案的襯底基板上形成絕緣層；

在形成有所述絕緣層的襯底基板上形成公共電極圖案，所述公共電極圖案與所述第二電潤濕電極構成觸控電極。

可選的，所述對所述多個半導體材料液滴進行固化處理，包括：

加熱形成有所述多個半導體材料液滴的襯底基板，使所述多個半導體材料液滴固化。

可選的，所述半導體材料液滴的材料包括有機半導體材料，或所述有機半導體材料和聚合物高分子材料的混合物，所述有機半導體材料包括小分子半導體材料和高分子半導體材料。

根據本發明的第二方面，提供一種顯示面板的制造設備，用于使用第一方面提供的方法制造顯示面板，所述顯示面板的制造設備包括：

半導體材料溶液池和控制電路，所述控制電路與所述半導體材料溶液池電連接；

所述控制電路用于通過微流控技術控制所述半導體材料溶液池中的半導體材料溶液在所述顯示面板的襯底基板上形成多個半導體材料液滴，固化處理后的所述多個半導體材料液滴為半導體層圖案。

可選的，所述襯底基板上依次設置有柵導電圖形和柵絕緣層，所述多個半導體材料液滴設置在設置有所述柵絕緣層的襯底基板上，所述柵導電圖形包括多條柵線，

所述控制電路分別與所述多條柵線連接。

可選的，所述顯示面板上設置有陣列基板行驅動電路，

所述控制電路設置在所述陣列基板行驅動電路中。

根據本發明的第二方面，提供一種顯示面板，所述顯示面板包括第一方面提供的方法制造的顯示面板。

本發明實施例提供的技術方案帶來的有益效果是：

通過微流控技術在襯底基板上形成半導體層圖案，無需使用光刻膠。解決了相關技術中由于光刻膠可能污染有機半導體材料，因而無法用傳統的光刻工藝形成由有機半導體材料構成的半導體層圖案的問題。達到了可以使用各種半導體材料來形成半導體層圖案的效果。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發明實施例中電潤濕原理示意圖；

圖2是本發明實施例示出的一種顯示面板制造方法的流程圖；

圖3-1是本發明實施例示出的另一種顯示面板制造方法的流程圖；

圖3-2是圖3-1所示實施例中一種襯底基板的結構示意圖；

圖3-3是圖3-1所示實施例中另一種襯底基板的結構示意圖；

圖3-4是圖3-1所示實施例中另一種襯底基板的結構示意圖；

圖3-5是本發明實施例中一種形成多個半導體材料液滴的流程圖；

圖3-6是圖3-1所示實施例中另一種襯底基板的結構示意圖；

圖3-7是圖3-1所示實施例中一種半導體層材料液滴移動的示意圖；

圖3-8是本發明實施例中一種控制半導體材料液滴的流程圖；

圖3-9是本發明實施例中一種電潤濕電極上的電壓示意圖；

圖3-10是圖3-1所示實施例中另一種襯底基板的結構示意圖；

圖3-11是圖3-1所示實施例中另一種襯底基板的結構示意圖；

圖4是本發明實施例提供的一種顯示面板的制造設備的結構示意圖。

通過上述附圖，已示出本發明明確的實施例，后文中將有更詳細的描述。這些附圖和文字描述并不是為了通過任何方式限制本發明構思的范圍，而是通過參考特定實施例為本領域技術人員說明本發明的概念。

具體實施方式

為使本發明的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合附圖對本發明實施方式作進一步地詳細描述。

如圖1所示，其為本發明實施例中通過電潤濕(英文：electrowetting)原理控制半導體材料液滴移動的原理示意圖。其中，襯底層01上依次形成有電潤濕電極02和絕緣層03，電潤濕電極02包括電極021、電極022和電極023。絕緣層03上可以設置有液滴04。

在向電極022施加電壓而不向電極021施加電壓時，電極022上的電壓比電極021上的電壓大，且電極022和電極021之間存在一個經過液滴04的電場，該電場使電極022上方的部分液滴與絕緣層03的接觸角(英文：contactangle)05變小，而電極021上方的部分液滴與絕緣層03的接觸角無變化，液滴04內部將產生水平方向的壓強差，驅動液滴04移動向電極022的方向。之后可以交替變換相鄰的兩個電極的電壓就能驅動液滴04不斷的移動。

圖1中的電極可以相當于本申請中的柵極，液滴可以相當于本申請中的半導體材料液滴。

圖2是本發明實施例示出的一種顯示面板制造方法的流程圖，本實施例以該顯示面板制造方法應用于制造顯示面板來舉例說明。該顯示面板制造方法可以包括如下幾個步驟：

步驟201、通過微流控技術在襯底基板上形成多個半導體材料液滴。

步驟202、對多個半導體材料液滴進行固化處理，固化處理后的多個半導體材料液滴形成半導體層圖案。

此外，本發明實施例提供的顯示面板制造方法還可以包括用于制造顯示面板其他結構的步驟，這些步驟可以參考相關技術，本發明實施例不作出限制。

綜上所述，本發明實施例提供的顯示面板制造方法，通過微流控技術在襯底基板上形成半導體層圖案，無需使用光刻膠。解決了相關技術中由于光刻膠可能污染有機半導體材料，因而無法用傳統的光刻工藝形成由有機半導體材料構成的半導體層圖案的問題。達到了可以使用各種半導體材料來形成半導體層圖案的效果。

圖3-1是本發明實施例示出的另一種顯示面板制造方法的流程圖，本實施例以該顯示面板制造方法應用于制造顯示面板來舉例說明。該顯示面板制造方法可以包括如下幾個步驟：

步驟301、在襯底基板上依次形成柵導電圖形和柵絕緣層。

在使用本發明實施例提供的顯示面板制造方法時，首先可以在襯底基板上依次形成柵導電圖形和柵絕緣層。其中，柵導電圖形可以包括多條柵線，多條柵線中的每條柵線上均包括有多個柵極，半導體材料溶液池可以設置有多個通道，這多個通道中的任一通道的一端與半導體材料溶液池的內部連通，另一端設置在多條柵線中的指定柵線上的一個柵極的流動區域(英文：fluidplace)，多條柵線中的任一柵極的流動區域為任一柵極在柵絕緣層上的正投影區域。其中，指定柵線可以是多條柵線中的任意一條柵線。

可選的，多條柵線在襯底基板上沿預設方向排布，指定柵線為預設方向上位于多條柵線兩端的兩條柵線中的任意一條柵線。指定柵線位于兩端時，能夠較為容易的將通道的另一端設置在指定柵線上的流動區域中，減小了工藝難度。

可選的，多條柵線中，任一柵線的任一柵極的面積大于預設柵線的面積，預設柵線為位于任一柵極在任一柵線上的正投影中的柵線。

本步驟結束時，襯底基板的結構可以如圖3-2所示，襯底基板11上依次形成有柵導電圖形12和柵絕緣層13(為了便于說明，柵絕緣層13在圖3-2中以透明狀態示出，但這并非是對柵絕緣層13的限制)，柵導電圖形中的多條柵線121、122和123沿預設方向a排布，指定柵線可以為預設方向a上位于多條柵線兩端的兩條柵線中的柵線121或柵線123。這樣半導體材料溶液池20就更容易將通道21的一端設置在指定柵線的柵極的流動區域中。在圖3-2中，可以將柵極g所在的區域作為柵極的流動區域。半導體材料溶液池20可以將通道21的一端設置在半導體材料溶液池20中，另一端設置在柵極g的流動區域中。多條柵線的柵極在襯底基板上成行列排布。半導體材料溶液池20上還可以設置有引線22，引線22用于與控制電路連接。

圖3-2中任一柵線(121、122或123)的任一柵極g的面積大于預設柵線121a的面積，預設柵線121a為位于任一柵極在該任一柵線上的正投影中的柵線(圖3-2中示出的預設柵線121a為柵線121最左側的第一個柵極g在柵線121上的投影中的一段柵線)。即將柵極的尺寸設置的比柵線大，以加強柵極對于半導體材料液滴的控制，避免半導體材料液滴不受控制的流動。多條柵線的柵極在襯底基板上成行列排布。

可選的，柵導電圖案中還可以包括第二電潤濕電極圖案，第二電潤濕電極圖案可以包括多個第二電潤濕電極，多條柵線中任意相鄰的兩條柵線之間設置有第二電潤濕電極，由于兩條柵線之間的距離可能較遠，在任意相鄰的兩條柵線之間設置第二電潤濕電極能夠避免半導體材料液滴不受控制的流動。

如圖3-3所示，其為本發明實施例提供的一種設置有第二電潤濕電極圖案124的襯底基板的結構示意圖，第二電潤濕電極圖案124包括第二電潤濕電極1241和1242。由圖3-3可以看出，設置在柵線121和122之間的第二電潤濕電極1241，以及設置在柵線122和123之間的第二電潤濕電極1242，增加了方向a上用于控制半導體材料液滴的電極的密度，使得對于半導體材料液滴的控制更加穩定。第二電潤濕電極在絕緣層上的正投影區域可以為該第二電潤濕電極的流動區域。圖3-3中其他標記的含義可以參考圖3-2，在此不再贅述。

需要說明的是，圖3-3示出的襯底基板中，任意兩條相鄰的柵線之間設置的第二電潤濕電極還可以有多個，本發明實施例不作出限制。

可選的，第二電潤濕電極圖案為線柵偏振結構，第二電潤濕電極圖案可以起到偏光片的效果。本發明實施例中，第二電潤濕電極圖案可以作為相關技術中位于出光側的偏光片，這樣可以節省偏光片的使用，降低顯示面板的成本。

如圖3-4所示，其為本發明實施例提供的另一種設置有第二電潤濕電極圖案124的襯底基板的結構示意圖，其中，第二電潤濕電極圖案124為線柵偏振結構，該線柵偏振結構的具體參數可以參考相關技術中的偏光片。示例性的，在顯示面板的像素密度(英文：pixelsperinch；簡稱：ppi)為300，則相鄰的兩條柵線之間的距離大約為80微米，則流動區域的尺寸可以為4微米×5微米，線柵偏振結構中一條“線”的寬度為250納米，“線”與“線”之間的距離也為250納米，則相鄰的兩條柵線之間可以設置160條線。并且相鄰的8條線上可制備一個與柵極尺寸大小相等的電極，用于控制半導體材料液滴流動。圖3-4中其他標記的含義可以參考圖3-3，在此不再贅述,

步驟302、以多條柵線中的柵極作為第一電潤濕電極，控制半導體材料溶液池中的半導體材料溶液流向形成有柵絕緣層的襯底基板，并在形成有柵絕緣層的襯底基板上形成多個半導體材料液滴。

由于本發明實施例通過微流控技術來形成半導體層圖案，可以不使用光刻膠，因而半導體材料可以為有機半導體材料，這避免了相關技術中使用光刻工藝形成半導體層圖案時，光刻膠可能污染有機材料構成的半導體層圖案的問題，同時也避免了使用噴墨打印技術形成半導體層圖案的成本較高的問題。其中，半導體材料液滴的材料可以包括有機半導體材料，或有機半導體材料和聚合物高分子材料的混合物，其中有機半導體材料包括小分子半導體材料和高分子半導體材料；聚合物高分子材料可以包括聚甲基丙烯酸甲酯(英文：pmma)和聚苯乙烯(英文:polystyrene；簡稱：ps)。小分子半導體材料可以包括：并五苯、pbttt(英文：poly(2,5-bis(3-alkylthiophene-2-yl)thieno[3,2-b]thiophene))、btbt(英文：2,7-dioctyl[1]benzothieno[3,2-b][1]benzothiophene)、dnnt(英文：dinaphtho[2,3-b:2′,3′-f]thieno[3,2-b]thiophene)和tes-adt(英文：5,11-bis(triethylsilylethynyl)anthradithiophene)。高分子半導體材料可以包括：3-己基噻吩的聚合物和pbttt(英文：poly(2,5-bis(3-hexadecyllthiophen-2-yl)thieno[3,2-b]thiophene))。

而為了避免半導體材料液滴過早的固化，半導體材料溶液的溶劑可以選用沸點較高的溶劑，比如二氯苯和三氯苯等。

如圖3-5所示，本步驟可以包括下面兩個子步驟：

子步驟3021、向指定柵線施加電壓，使半導體材料溶液池中的半導體材料溶液流向指定柵線中柵極的多個流動區域中，并在多個流動區域中形成半導體材料液滴組。

半導體材料溶液池相當于一個電潤濕電極，在向指定柵線施加電壓后，半導體材料溶液池中的半導體材料溶液會流向指定柵線中柵極的多個流動區域中。其中，多個流動區域中的流動區域與半導體材料液滴組中的半導體材料液滴一一對應。

本步驟結束時，襯底基板的結構可以如圖3-6所示，多個半導體材料液滴y位于多個柵極g的流動區域中，且流動區域與半導體材料液滴y一一對應。圖3-6是以指定柵線為柵線121為例進行說明。圖3-6中其他標記的含義可以參考圖3-3，在此不再贅述。

子步驟3022、以第一電潤濕電極和第二電潤濕電極控制半導體材料液滴組移動到目標柵線的柵極的多個流動區域。

在本發明實施例中，柵線和第二電潤濕電極可以共同作為電潤濕電極控制半導體材料液滴移動。其中多條柵線中的柵極為第一電潤濕電極，半導體材料液滴在襯底基板上移動的方向和柵線在襯底基板上的排布方向是一致的，即某個電潤濕電極(電潤濕電極可以包括第一電潤濕電極和第二電潤濕電極)的流動區域中的半導體材料液滴會沿著柵線在襯底基板上的排布方向向相鄰的電潤濕電極的流動區域中移動。

目標柵線為當前距離指定柵線最遠且在柵極的流動區域中未設置有半導體材料液滴的柵線，這樣可以避免半導體材料液滴相互阻擋。

本發明實施例是通過微流控(英文：microfluidics)技術來對半導體材料液滴進行控制的，微流控技術指的是使用微管道(尺寸為數十到數百微米)處理或操縱微小流體(體積為納升到阿升)的技術，本發明中，多條柵線的陣列排布的柵極中，平行于多條柵線的排布方向的一列電潤濕電極即可以認為是微管道。

如圖3-7所示，其為半導體材料液滴移動到目標柵線的多個流動區域的示意圖，其為控制如圖3-6所示的襯底基板上的半導體材料液滴的示意圖，在圖3-6中，指定柵線為121，半導體材料液滴y位于柵線121的柵極的流動區域中，距離指定柵線121最遠的柵線且在柵極的流動區域中未設置有半導體材料液滴的目標柵線為柵線123，如圖3-7所示，此時可以控制半導體材料液滴y沿著軌跡s移動到柵線123的柵極的流動區域中。每個柵線(121、122或123)和第二電潤濕電極(1241和1242)均可以在襯底基板的邊緣設置單獨的接口，該接口用于與控制電路30連接，控制電路30可以由邏輯電路構成，用于向柵線(121、122或123)和第二電潤濕電極(1241和1242)施加電壓，以控制半導體材料液滴的移動。控制電路30還可以通過引線22與半導體材料溶液池20電連接。

此外，柵線連接的控制電路可以為陣列基板行驅動(英文：gatedriveronarray；簡稱：goa)電路，第二電潤濕電極連接的控制電路也可以是goa電路。md可以為微管道。

圖3-7中其他標記的含義可以參考圖3-6，在此不再贅述。

如圖3-8所示，本步驟可以包括下面一個子步驟：

子步驟30221、在指定柵線中柵極的多個流動區域中的半導體材料液滴組移動出指定柵線中柵極的多個流動區域時，向指定柵線施加電壓，控制半導體材料溶液池中的半導體材料溶液流向指定柵線中柵極的多個流動區域。

這樣能夠連續不斷的移動半導體材料液滴至目標柵線的柵極的流動區域，加快半導體圖案的形成速度。

以圖3-6所示的襯底基板為例，在本步驟中，電潤濕電極上所施加的電壓與時間的關系圖可以如圖3-9所示，其示出了半導體材料溶液池20、柵線121、柵線122和第二電潤濕電極1241的電壓示意圖，橫向從左到右代表時間的增長，矩形凸起代表處于較高電位，未凸起時間段代表處于較低電位(半導體材料溶液池20始終處于較低的電位)。通過這種控制方式，能夠源源不斷的將半導體材料溶液池中的半導體材料液滴移動到目的柵線的柵極的流動區域。

步驟302結束時，襯底基板的結構示意圖可以如圖3-10所示，每個柵線的柵極的流動區域均形成有半導體材料液滴。圖3-10中其他標記的含義可以參考圖3-6，在此不再贅述。

步驟302結束后，可以將半導體材料溶液池與襯底基板分離。

步驟303、加熱形成有多個半導體材料液滴的襯底基板，使多個半導體材料液滴固化。

加熱溫度可以為80攝氏度，加熱時間可以為30分鐘。固化后的所述多個半導體材料液滴形成半導體層圖案。

步驟304、在形成有半導體層圖案的襯底基板上形成絕緣層。

步驟305、在形成有絕緣層的襯底基板上形成公共電極圖案，公共電極圖案與第二電潤濕電極構成觸控電極。

本步驟結束時，襯底基板的結構可以如圖3-11所示，其中，公共電極c形成于襯底基板11上，公共電極c由透明導電材料制成，該透明導電材料可以為氧化銦錫(英文：indiumtinoxide；簡稱：ito)。圖3-11中其他標記的含義可以參考圖3-6，在此不再贅述。公共電極c可以和第二電潤濕電極(1241和1242)構成互容式的觸控電極，以實現觸控功能。觸控功能的實現可以參考相關技術，在此不再贅述。

綜上所述，本發明實施例提供的顯示面板制造方法，通過微流控技術在襯底基板上形成半導體層圖案，無需使用光刻膠。解決了相關技術中由于光刻膠可能污染有機半導體材料，因而無法用傳統的光刻工藝形成由有機半導體材料構成的半導體層圖案的問題。達到了可以使用各種半導體材料來形成半導體層圖案的效果。

下述為本公開裝置實施例，可以用于執行本公開方法實施例。對于本公開裝置實施例中未披露的細節，請參照本公開方法實施例。

圖4是本發明實施例提供的一種顯示面板的制造設備的結構示意圖，該顯示面板的制造設備用于使用圖2所示的方法或圖3-1所示的方法制造顯示面板，該顯示面板的制造設備包括：

半導體材料溶液池20和控制電路30，控制電路30與半導體材料溶液池20電連接。

控制電路30用于通過微流控技術控制半導體材料溶液池20中的半導體材料溶液在襯底基板11(襯底基板11可以不包括在本發明實施例提供的顯示面板的制造設備中)上形成多個半導體材料液滴，固化處理后的多個半導體材料液滴為半導體層圖案。

可選的，襯底基板11上依次設置有柵導電圖形和柵絕緣層，多個半導體材料液滴設置在設置有柵絕緣層的襯底基板上，柵導電圖形包括多條柵線。

控制電路分別與多條柵線連接。

可選的，顯示面板上設置有陣列基板行驅動電路50，控制電路30可以設置在陣列基板行驅動電路50中，即在形成陣列基板行驅動電路50時，可以將控制電路30直接形成于陣列基板行驅動電路50中，該控制電路30可以在形成半導體層圖案時控制柵線的電壓以移動半導體材料液滴。

此外，控制電路30也可以一部分設置在陣列基板行驅動電路50中，另一部分設置在外部電路板中，示例性的，控制電路30中用于控制第一電潤濕電極的控制電路可以設置在陣列基板行驅動電路50中，而用于控制第二電潤濕電極的控制電路可以設置在外部電路板中。

可選的，該顯示面板的制造設備還包括卡槽40，該卡槽40用于設置襯底基板11。

圖4中其他標記的含義可以參考圖3-7，在此不再贅述。

綜上所述，本發明實施例提供的顯示面板制造設備，通過微流控技術在襯底基板上形成半導體層圖案，無需使用光刻膠。解決了相關技術中由于光刻膠可能污染有機半導體材料，因而無法用傳統的光刻工藝形成由有機半導體材料構成的半導體層圖案的問題。達到了可以使用各種半導體材料來形成半導體層圖案的效果。

此外。本發明實施例還提供一種顯示面板，顯示面板包括圖2所示的方法或圖3-1所示的方法制造的顯示面板。

本領域普通技術人員可以理解實現上述實施例的全部或部分步驟可以通過硬件來完成，也可以通過程序來指令相關的硬件完成，所述的程序可以存儲于一種計算機可讀存儲介質中，上述提到的存儲介質可以是只讀存儲器，磁盤或光盤等。

以上所述僅為本發明的較佳實施例，并不用以限制本發明，凡在本發明的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發明的保護范圍之內。