金屬輔助電極及使用其的顯示器件的制造方法與流程

本公開涉及顯示技術領域，具體而言，涉及一種金屬輔助電極及使用其的顯示器件的制造方法。

背景技術：

oled(organiclight-emittingdiode,有機發光二極管)是近年來逐漸發展起來的顯示照明技術，尤其在顯示行業，由于其具有高響應、高對比度、可柔性化等優點，被視為擁有廣泛的應用前景。尤其是頂發射oled器件，由于具有更高的開口率，和利用微腔效應實現光取出優化等優點，成為研究的主要方向。由于采用的是頂發射結構，因此要求作為出光面oled的頂電極必須具備良好的光透過率。目前，頂發射透明電極使用的多為薄金屬、ito、izo等材料，其中金屬由于透過率較差，薄化后作為大面積電極使用容易造成電阻增大，不利于大尺寸器件的開發。ito、izo等透明度高的材料，本身的導電性能弱于金屬，因此現有技術中，將金屬作為輔助電極，采用光刻的方法制作在非發光區域，提高頂電極的整體導電性，達到降低電阻的作用。但是這種光刻技術需要復雜的工藝，涉及多道掩膜板和曝光工序，而且由于其需要高溫、光刻膠沖刷等工藝特點須避免對oled器件發光層的損害，不適合作為量產手段。

轉印技術由于可以做到精確圖案印刷，方法簡單，作為一種新型的技術收到業界的青睞，金屬電路的制作可采用轉印技術，通常方法是將金屬膜制作在平面脫膜層上，再將涂布電路分布圖案的粘性膠材的電路板與金屬層對合，分離后使金屬從脫膜層上剝離，以電路圖案的形狀粘結在電路板上，達到轉印金屬電路的效果，但是此種方案容易發生金屬膜的片狀剝離，造成多余的金屬粘連，也是急需解決的技術問題。

此外，還需考慮接觸電阻的問題。由于透明電極多為銦鋅、銦錫的氧化物，其成膜過程中會產生氧或添加氧輔助成膜，使輔助電極表面產生氧化物絕緣層，導致導體接觸的不連續性，會產生一個附加電阻，即接觸電阻。接觸電阻越高，造成的壓降越大，釋放的能量越多，會造成器件變暗，溫度上升至一定極限，甚至會出現接觸點損壞。減少接觸電阻的主要方法有改善接觸面材料和增大接觸面積，其中，改善接觸面材料往往引入更貴重材料，增加成本。因此，增大頂電極與輔助電極的接觸面積應是主要考慮的對象。

因此，設計一種新的金屬輔助電極的制作方法是目前亟待解決的技術問題。

技術實現要素：

本公開的目的在于提供一種金屬輔助電極及使用其的顯示器件的制造方法，進而至少在一定程度上克服由于相關技術的限制和缺陷而導致的一個或者多個問題。

本公開的其他特性和優點將通過下面的詳細描述變得清晰，或者部分地通過本公開的實踐而習得。

根據本公開的第一方面，提供一種顯示器件的金屬輔助電極的制造方法，包括：

在顯示器件的像素界定層的頂部形成至少一個凹槽；以及

通過轉印的方法在所述像素界定層的頂部形成金屬輔助電極。

在本公開的一種示例性實施例中，所述凹槽形狀為矩形、倒梯形或半圓形。

在本公開的一種示例性實施例中，所述凹槽的深度為所述像素界定層高度的20％-50％。

在本公開的一種示例性實施例中，所述凹槽為兩個。

在本公開的一種示例性實施例中，所述通過轉印的方法在所述像素界定層的頂部形成金屬輔助電極包括：

在第一平面載臺上涂布膠黏劑，將所述像素界定層的頂部放置在第一平面載臺上，使所述像素界定層的頂部粘有膠黏劑；

在第二平面載臺上制作脫膜層，在脫膜層上制作薄金屬層，將粘有膠黏劑的所述像素界定層的頂部與薄金屬層對合，并施加壓力，使薄金屬層粘結在所述像素界定層的頂部；以及

使薄金屬層與脫膜層分離。

根據本公開的第二方面，提供一種顯示器件的制造方法，包括：

在基板上形成tft和像素界定層；

在所述像素界定層的頂部形成至少一個凹槽；

在所述tft上形成發光層；

通過轉印的方法在所述像素界定層的頂部形成金屬輔助電極；以及

在所述顯示器件表面上形成頂電極。

在本公開的一種示例性實施例中，所述通過轉印的方法在所述像素界定層的頂部形成金屬輔助電極包括：

在第一平面載臺上涂布膠黏劑，將所述像素界定層的頂部放置在第一平面載臺上，使所述像素界定層的頂部粘有膠黏劑；

在第二平面載臺上制作脫膜層，在脫膜層上制作薄金屬層，將粘有膠黏劑的所述像素界定層的頂部與薄金屬層對合，并施加壓力，使薄金屬層粘結在所述像素界定層的頂部；以及

使薄金屬層與脫膜層分離。

根據本公開的第三方面，提供一種顯示器件的制造方法，包括：

在基板上形成tft和像素界定層；

在所述像素界定層的頂部形成至少一個凹槽；

通過轉印的方法在所述像素界定層的頂部形成金屬輔助電極；

在所述tft上形成發光層；以及

在所述顯示器件表面上形成頂電極。

在本公開的一種示例性實施例中，在所述形成金屬輔助電極之后、所述形成發光層之前，使用激光照射所述金屬輔助電極。

在本公開的一種示例性實施例中，所述顯示器件為有機電致發光顯示器件。

根據本公開的一些實施方式，在金屬輔助電極的制造中通過凹槽結構可以有效的增大金屬輔助電極與頂電極接觸面積，減小接觸電阻，提高電極導電性能。

根據本公開的一些實施方式，通過轉印的方法形成金屬輔助電極可以簡化工藝流程，減少生產成本，并保證了實施效果。

根據本公開的一些實施方式，在使用金屬輔助電極的顯示器件的制造中，通過在所述形成金屬輔助電極之后、所述形成發光層之前，使用激光照射所述金屬輔助電極，可以去除金屬表面的有機物，并可使金屬熔化流平，去除翹曲，以固定在凹槽內。

應當理解的是，以上的一般描述和后文的細節描述僅是示例性和解釋性的，并不能限制本公開。

附圖說明

通過參照附圖詳細描述其示例實施例，本發明的上述和其它目標、特征及優點將變得更加顯而易見。

此處的附圖被并入說明書中并構成本說明書的一部分，示出了符合本公開的實施例，并與說明書一起用于解釋本公開的原理。顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本公開的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1示出根據本公開一示例實施方式的顯示器件的金屬輔助電極的制造方法的流程圖。

圖2示出根據本公開一示例實施方式的金屬輔助電極及使用其的顯示器件的制造方法的工藝流程示意圖。

圖3示出根據本公開另一示例實施方式的雙凹槽結構示意圖。

圖4示出根據本公開一示例實施方式的顯示器件的制造方法的流程圖。

圖5示出根據本公開另一示例實施方式的顯示器件的制造方法的流程圖。

具體實施方式

現在將參考附圖更全面地描述示例實施方式。然而，示例實施方式能夠以多種形式實施，且不應被理解為限于在此闡述的范例；所描述的特征、結構或特性可以以任何合適的方式結合在一個或更多實施方式中。在下面的描述中，提供許多具體細節從而給出對本公開的實施方式的充分理解。然而，本領域技術人員將意識到，可以實踐本公開的技術方案而省略所述特定細節中的一個或更多，或者可以采用其它的方法、組元、裝置、步驟等。

需要指出的是，在附圖中，為了圖示的清晰可能會夸大層和區域的尺寸。而且可以理解，當元件或層被稱為在另一元件或層“上”時，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中間的層。另外，可以理解，當元件或層被稱為在另一元件或層“下”時，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一個以上的中間的層或元件。另外，還可以理解，當層或元件被稱為在兩層或兩個元件“之間”時，它可以為兩層或兩個元件之間唯一的層，或還可以存在一個以上的中間層或元件。通篇相似的參考標記指示相似的元件。

本公開提供一種金屬輔助電極及使用其的顯示器件的制造方法。顯示器件的金屬輔助電極的制造方法包括：在顯示器件的像素界定層的頂部形成至少一個凹槽；以及通過轉印的方法在所述像素界定層的頂部形成金屬輔助電極。顯示器件的制造方法，包括：在基板上形成tft和像素界定層；在所述像素界定層的頂部形成至少一個凹槽；在所述tft上形成發光層；通過轉印的方法在所述像素界定層的頂部形成金屬輔助電極；以及在所述顯示器件表面上形成頂電極。在金屬輔助電極的制造中通過凹槽結構可以有效的增大金屬輔助電極與頂電極接觸面積，減小接觸電阻，提高電極導電性能；通過轉印的方法形成金屬輔助電極可以簡化工藝流程；此外，通過在所述形成金屬輔助電極之后、所述形成發光層之前，使用激光照射所述金屬輔助電極，可以去除金屬表面的有機物，并可使金屬熔化流平，去除翹曲，以固定在凹槽內。

下面結合附圖對本公開的金屬輔助電極及使用其的顯示器件的制造方法進行具體說明，其中，圖1示出根據本公開一示例實施方式的顯示器件的金屬輔助電極的制造方法的流程圖；圖2示出根據本公開一示例實施方式的金屬輔助電極及使用其的顯示器件的制造方法的工藝流程示意圖；圖3示出根據本公開另一示例實施方式的雙凹槽結構示意圖；圖4示出根據本公開一示例實施方式的顯示器件的制造方法的流程圖；圖5示出根據本公開另一示例實施方式的顯示器件的制造方法的流程圖。

首先結合圖1-2就顯示器件的金屬輔助電極的制造方法的進行詳細說明。

圖1示出根據本公開一示例實施方式的顯示器件的金屬輔助電極的制造方法的流程圖；圖2示出根據本公開一示例實施方式的金屬輔助電極及使用其的顯示器件的制造方法的工藝流程示意圖。其中所述金屬輔助電極的制造方法可應用于頂發射的顯示器件的制造以保證在頂電極具備良好的光透過率的同時也具有很好的導電性能，但本發明不限于此，也可以應用于其他光出射方式如底發射的顯示器件的制造；所述顯示器件可為有機電致發光顯示器件即oled器件，但本發明不限于此，也可以為其他類型的顯示器件。

在s102，在顯示器件的像素界定層的頂部形成至少一個凹槽。

其中，顯示器件的像素界定層通常采用常用光阻膠材料，通過曝光顯影等工藝形成，但本發明不限于此，也可以采用其他不透光的有機或無機材料形成；所述在像素界定層的頂部所開至少一個凹槽，可通過光刻和激光照射的方式形成，凹槽形狀可為矩形、倒梯形、半圓形等，凹槽深度可為像素界定層高度的20％-50％，但本發明不限于此，也可以根據增大接觸面積的需要選擇合適的深度。

在s104，通過轉印的方法在所述像素界定層的頂部形成金屬輔助電極。

通過轉印形成金屬輔助電極的具體方法結合圖2如下所示：在第一平面載臺上涂布膠黏劑，將像素界定層頂部放置在第一平面載臺上，使像素界定層頂部粘有膠黏劑；在第二平面載臺上制作脫膜層，在脫膜層上制作薄金屬層，將粘有膠黏劑的像素界定層與薄金屬層對合，并施加壓力，使薄金屬層粘結在像素界定層頂部，之后與脫膜層分離，完成輔助金屬電極轉印。

其中，所述膠黏劑，材料可為含有丙烯酸樹脂或蜜胺樹脂等成分的環氧系材料接著劑；通過滾輪或刮涂的方式均勻的涂布在第一平面載臺上，膠黏劑厚度應與像素界定層的凹槽深度相同；所述脫膜層，可為氟樹脂、烯烴樹脂、聚乙烯醇樹脂等與金屬接著性較差的材料，通過噴涂等方式制作在第二平面載臺上；所述第一平面載臺和第二平面載臺，材料可為玻璃、金屬、陶瓷、塑料等；要求表面光滑，水平高度均一性在0.5％以內；所述第一平面載臺表面應做疏水性處理，所述第二平面載臺表面應做親水性處理，以保證膠黏劑和脫模層的附著；所述薄金屬層，材料可為al、mg、ag等常用金屬電極材料，通過蒸鍍或濺鍍的方式，在脫膜層上形成50nm-200nm的薄膜。

在本示例實施方式中，通過轉印的方法在形成有至少一個凹槽的像素界定層的頂部形成金屬輔助電極，可以有效的增大金屬輔助電極與頂電極接觸面積，減小接觸電阻，提高電極導電性能；同時還可以簡化工藝流程，減少生產成本，并保證了實施效果；此外，還可以避免現有的轉印金屬電路的技術方案中容易發生的金屬膜的片狀剝離，造成多余的金屬粘連的技術問題。

據本公開的一實施方式，所述凹槽可為兩個或兩個以上，以進一步增大金屬輔助電極與頂電極接觸的面積，減小接觸電阻，提高電極導電性能。圖3示出了頂部具有雙凹槽結構的顯示器件的像素界定層的示意圖。

下面結合圖2、4就采用前述的金屬輔助電極的制造方法來制造顯示器件進行詳細說明。

圖4示出根據本公開一示例實施方式的顯示器件的制造方法的流程圖。其中所述顯示器件的制造方法可應用于頂發射的顯示器件的制造以保證在頂電極具備良好的光透過率的同時也具有很好的導電性能，但本發明不限于此，也可以應用于其他光出射方式如底發射的顯示器件的制造；所述顯示器件可為有機電致發光顯示器件即oled器件，但本發明不限于此，也可以為其他類型的顯示器件。

在s402，在基板上形成tft和像素界定層。其中，在顯示器件的基板上以傳統方式形成tft即薄膜晶體管各層結構；而顯示器件的像素界定層通常采用常用光阻膠材料，通過曝光顯影等工藝形成，但本發明不限于此，也可以采用其他不透光的有機或無機材料形成。

在s404，在顯示器件的像素界定層的頂部形成至少一個凹槽。

其中，所述在顯示器件的像素界定層的頂部所開至少一個凹槽，可通過光刻和激光照射的方式形成，凹槽形狀可為矩形、倒梯形、半圓形等，凹槽深度可為像素界定層高度的20％-50％，但本發明不限于此，也可以根據增大接觸面積的需要選擇合適的深度。所述凹槽可為兩個(如圖3所示)或兩個以上，以進一步增大金屬輔助電極與頂電極接觸的面積，減小接觸電阻，提高電極導電性能。

在s406，在所述tft上形成發光層。發光層通常包括多個發光功能層，各發光功能層的形成方式以有機電致發光顯示器件即oled器件的發光功能層為例，可通過蒸鍍、噴墨打印等方式形成。

在s408，通過轉印的方法在所述像素界定層的頂部形成金屬輔助電極。

其中，通過轉印形成金屬輔助電極的具體方法結合圖2如下所示：在第一平面載臺上涂布膠黏劑，將像素界定層頂部放置在第一平面載臺上，使像素界定層頂部粘有膠黏劑；在第二平面載臺上制作脫膜層，在脫膜層上制作薄金屬層，將粘有膠黏劑的像素界定層與薄金屬層對合，并施加壓力，使薄金屬層粘結在像素界定層頂部，之后與脫膜層分離，完成輔助金屬電極轉印。

在本示例實施方式中，通過轉印的方法在形成有至少一個凹槽的像素界定層的頂部形成金屬輔助電極，可以有效的增大金屬輔助電極與頂電極接觸面積，減小接觸電阻，提高電極導電性能；同時還可以簡化工藝流程，減少生產成本，并保證了實施效果；此外，還可以避免現有的轉印金屬電路的技術方案中容易發生的金屬膜的片狀剝離，造成多余的金屬粘連的技術問題。

在s410，在所述顯示器件表面上形成頂電極，完成器件結構。所述頂電極可為透明頂電極，材料可為ito(氧化銦錫)、izo(氧化銦鋅)等材料，通過物理氣相沉積(pvd)的方式制作在顯示器件表面。

圖5示出根據本公開另一示例實施方式的顯示器件的制造方法的流程圖。

在本公開前述的示例實施方式的顯示器件的制造方法中金屬輔助電極轉印過程是在發光功能層制作之后完成的；但是同樣的，在本公開另一示例實施方式中，金屬輔助電極轉印過程也可在發光功能層制作之前完成，再使用激光照射去除金屬表面的有機物，并可使金屬熔化流平，去除翹曲，以固定在凹槽內。下面結合圖5進行詳細說明。

在s502，在基板上形成tft和像素界定層。其中，在顯示器件的基板上以傳統方式形成tft即薄膜晶體管各層結構；而顯示器件的像素界定層通常采用常用光阻膠材料，通過曝光顯影等工藝形成，但本發明不限于此，也可以采用其他不透光的有機或無機材料形成。

在s504，在顯示器件的像素界定層的頂部形成至少一個凹槽。

其中，所述在顯示器件的像素界定層的頂部所開至少一個凹槽，可通過光刻和激光照射的方式形成，凹槽形狀可為矩形、倒梯形、半圓形等，凹槽深度可為像素界定層高度的20％-50％，但本發明不限于此，也可以根據增大接觸面積的需要選擇合適的深度。所述凹槽可為兩個(如圖3所示)或兩個以上，以進一步增大金屬輔助電極與頂電極接觸的面積，減小接觸電阻，提高電極導電性能。

在s506，通過轉印的方法在所述像素界定層的頂部形成金屬輔助電極。

其中，通過轉印形成金屬輔助電極的具體方法結合圖2如下所示：在第一平面載臺上涂布膠黏劑，將像素界定層頂部放置在第一平面載臺上，使像素界定層頂部粘有膠黏劑；在第二平面載臺上制作脫膜層，在脫膜層上制作薄金屬層，將粘有膠黏劑的像素界定層與薄金屬層對合，并施加壓力，使薄金屬層粘結在像素界定層頂部，之后與脫膜層分離，完成輔助金屬電極轉印。

在此需要特別說明的是，在本示例實施方式中，金屬輔助電極轉印過程是在發光功能層制作之前完成的，因此需要使用激光照射去除金屬表面的有機物，并且使用激光照射還可使金屬熔化流平，去除翹曲，以更好地固定在凹槽內。

在s508，在所述tft上形成發光層。發光層通常包括多個發光功能層，各發光功能層的形成方式以有機電致發光顯示器件即oled器件的發光功能層為例，可通過蒸鍍、噴墨打印等方式形成。

在s510，在所述顯示器件表面上形成頂電極，完成器件結構。所述頂電極可為透明頂電極，材料可為ito(氧化銦錫)、izo(氧化銦鋅)等材料，通過物理氣相沉積(pvd)的方式制作在顯示器件表面。

綜上所述，根據本公開的一些實施方式，在金屬輔助電極的制造中通過凹槽結構可以有效的增大金屬輔助電極與頂電極接觸面積，減小接觸電阻，提高電極導電性能。

根據本公開的一些實施方式，通過轉印的方法形成金屬輔助電極可以簡化工藝流程，減少生產成本，并保證了實施效果。

根據本公開的一些實施方式，在使用金屬輔助電極的顯示器件的制造中，通過在所述形成金屬輔助電極之后、所述形成發光層之前，使用激光照射所述金屬輔助電極，可以去除金屬表面的有機物，并可使金屬熔化流平，去除翹曲，以固定在凹槽內。

本領域技術人員在考慮說明書及實踐這里公開的發明后，將容易想到本發明的其它實施方案。本申請旨在涵蓋本發明的任何變型、用途或者適應性變化，這些變型、用途或者適應性變化遵循本發明的一般性原理并包括本發明未公開的本技術領域中的公知常識或慣用技術手段。說明書和實施例僅被視為示例性的，本發明的真正范圍和精神由下面的權利要求指出。

應當理解的是，本發明并不局限于上面已經描述并在附圖中示出的精確結構，并且可以在不脫離其范圍進行各種修改和改變。本發明的范圍僅由所附的權利要求來限制。