金屬化薄膜電容器及其制造方法以及金屬化薄膜層疊體與流程

本發明涉及金屬化薄膜電容器、金屬化薄膜電容器的制造方法、以及適用于該金屬化薄膜電容器的金屬化薄膜層疊體。

背景技術：

例如車輛用的逆變電路等中應用耐電壓高、溫度特性和頻率特性優異的金屬化薄膜電容器。金屬化薄膜電容器通常是將金屬化薄膜卷繞而成的卷繞型的電容器。而且，也正在開發具備能消除電容器的絕緣擊穿狀態的自恢復功能的金屬化薄膜電容器。參照圖7、8對其構成進行說明。

圖7示出兩種金屬化薄膜c1、c2。金屬化薄膜c1由介電薄膜a1和金屬蒸鍍膜b1構成，所述金屬蒸鍍膜b1具備非蒸鍍狹縫s和絕緣留邊mg。另一金屬化薄膜c2也同樣地由介電薄膜a2和金屬蒸鍍膜b2構成，所述金屬蒸鍍膜b2具備非蒸鍍狹縫s和絕緣留邊mg。金屬化薄膜c1、c2在相互相反側具備絕緣留邊mg。

在構成金屬化薄膜c1、c2的金屬蒸鍍膜b1、b2中，留有間隔地形成有多個非蒸鍍狹縫s，在非蒸鍍狹縫s的端部之間形成有寬度窄的熔斷部fs，從而金屬蒸鍍膜b1、b2被分割成由各非蒸鍍狹縫s包圍的多個區段(segments)sg。

將金屬化薄膜c1、c2以兩者的絕緣留邊mg在層疊方向上不一致的方式層疊從而形成兩片一對的金屬化薄膜d，將該兩片一對的金屬化薄膜d如圖8所示那樣卷繞，由此形成金屬化薄膜柱體k。進而，在金屬化薄膜柱體k的兩端的兩個電極取出面形成金屬熱噴涂部e(金屬噴鍍電極)，將外部引出端子f(匯流條)經由焊料層g與該金屬熱噴射部e連接，由此形成金屬化薄膜電容器c。

再者，日本特開2004-200588中公開了一種金屬化薄膜電容器，所述金屬化薄膜電容器如圖7所示，是通過將由具備非蒸鍍狹縫和絕緣留邊的金屬蒸鍍膜以及介電薄膜構成的金屬化薄膜、與由僅具備絕緣留邊的金屬蒸鍍膜以及介電薄膜構成的金屬化薄膜層疊而構成兩片一對的金屬化薄膜，并將該兩片一對的金屬化薄膜層疊或卷繞而形成的。

另外，如圖8所示，在金屬化薄膜c1、c2中，金屬蒸鍍膜b1、b2之中的、與絕緣留邊mg相反側的端部與金屬熱噴涂部e接觸。另一方面，在介電薄膜上沒有設置金屬蒸鍍膜的部分即絕緣留邊mg所在的端部，被該絕緣留邊mg阻斷與金屬熱噴涂部e的接觸。另外，在金屬蒸鍍膜b1、b2之中，與金屬熱噴涂部e密合的端部，為了保證電極接觸而成為比其他部位厚的所謂的厚邊緣(heavyedges)。例如，在金屬蒸鍍膜的一般部分的厚度為幾十nm左右的情況下，厚邊緣的厚度被調整為其兩倍左右。再者，通常形成為下述結構，即，金屬化薄膜電容器c進而被收納于未圖示的殼體內，并由形成于殼體內的未圖示的模塑樹脂體密封。

在構成金屬化薄膜c1、c2的金屬蒸鍍膜b1、b2中，雖然金屬蒸鍍膜b1、b2被分割成由多個非蒸鍍狹縫s包圍的多個區段sg，但是通過在非蒸鍍狹縫s之間存在熔斷部fs(該部分為蒸鍍部分)，經由熔斷部fs而鄰接的區段sg成為彼此能夠電導通的狀態。

熔斷部fs具備下述功能：在某個區段sg成為絕緣擊穿狀態時將該區段sg和鄰接的區段sg的導通切斷。所謂絕緣擊穿是由于某個區段sg中的電介質缺損等而引起的，如果發生絕緣擊穿，則會與下層的區段sg導通。即，如果發生絕緣擊穿，則經由熔斷部fs向絕緣擊穿狀態的區段sg流入的電流量增加。

由于在熔斷部fs中流動的電流量增加，熔斷部fs的溫度會上升，熔斷部fs的金屬蒸鍍膜蒸發擴散，其結果，絕緣擊穿狀態的區段sg與鄰接的區段sg隔離。這樣地將處于絕緣擊穿狀態的區段sg與鄰接的區段sg隔離，從而解除薄膜電容器的絕緣擊穿狀態的功能為自恢復功能。

技術實現要素：

在保證上述自恢復功能的過程中，確保金屬化薄膜之間的氣體排出性變得很重要。在此，所謂金屬化薄膜之間的“氣體”意味著通過絕緣擊穿部的介電薄膜和金屬蒸鍍膜蒸發而產生的高溫的氣體。如果上下的薄膜彼此接觸，并在密合度高的狀態下產生氣體，則氣體沒有充分排出而滯留。滯留的氣體會導致局部進一步高溫化，薄膜熔融而發生短路。

在此，參照圖9來說明在絕緣擊穿時產生的氣體沒有充分排出而滯留的情況。如該圖所示，在絕緣擊穿部zh中，熔斷部熔斷時產生的氣體ga向側方的排出被絕緣擊穿部zh的側方的介電薄膜與金屬蒸鍍膜的密合部m阻隔，從而在絕緣擊穿部zh附近滯留。由于該氣體的滯留，滯留氣體會局部地進一步高溫化，會使層疊著的多個薄膜連續地熔融(所謂的多層熔融)。

然而，在該技術領域中，金屬化薄膜電容器的小型化成為重要的解決課題，要謀求金屬化薄膜電容器的小型化的話，金屬化薄膜的高介電常數化是有效的。作為用于金屬化薄膜電容器小型化的對策，有下述對策：應用由在聚偏二氟乙烯(pvdf)中含有例如高介電常數的填料的材料構成的介電薄膜。

但是，由于聚偏二氟乙烯(pvdf)制的介電薄膜的摩擦系數低，因此在上述的絕緣擊穿時產生的氣體難以充分排出。有時聚偏二氟乙烯制的介電薄膜因該氣體而膨脹，從而氣體滯留在該膨脹了的空間內。因此，存在有可能不能夠充分發揮自恢復功能這樣的課題。

另外，聚偏二氟乙烯(pvdf)制的介電薄膜的摩擦系數低，容易滑動，因此難以形成金屬化薄膜電容器。

更具體而言，在想要將金屬化薄膜卷繞而形成金屬化薄膜柱體時，摩擦系數低的介電薄膜容易在該介電薄膜的寬度方向(與卷繞方向垂直的方向)上滑動，從而金屬化薄膜的卷繞加工變得困難。

本發明提供自恢復功能高的金屬化薄膜電容器及其制造方法、和卷繞加工性優異的金屬化薄膜層疊體。

為達到上述目的，本發明的金屬化薄膜電容器，包含金屬化薄膜柱體、金屬熱噴涂部和外部引出端子，所述金屬化薄膜柱體是將兩個金屬化薄膜重疊并卷繞而形成的，所述兩個金屬化薄膜分別包含金屬蒸鍍膜和聚偏二氟乙烯(pvdf)制的介電薄膜，所述金屬蒸鍍膜具備多個非蒸鍍狹縫和介于非蒸鍍狹縫之間的熔斷部，所述金屬熱噴涂部形成于所述金屬化薄膜柱體的兩個電極取出面上，所述外部引出端子與各個所述金屬熱噴涂部接合，所述金屬化薄膜，與卷繞方向垂直的截面形狀具有傾斜的山部和谷部連續的形狀，并以多個的所述金屬化薄膜的山部彼此對應、谷部彼此對應的方式層疊。

本發明的金屬化薄膜電容器，將金屬化薄膜的與卷繞方向(長度方向)垂直的截面形狀設為傾斜的山部和谷部連續的形狀。另外，使多個金屬化薄膜的山部彼此對應、谷部彼此對應地進行層疊。通過具有上述形狀，本發明的金屬化薄膜盡管以聚偏二氟乙烯(pvdf)制的介電薄膜為構成要素，但是在絕緣擊穿時產生的氣體所引起的氣壓作用于金屬化薄膜時，金屬化薄膜難以膨脹。進而，氣體在金屬化薄膜內的滯留被抑制的結果是本發明的金屬化薄膜的自恢復功能增高。

另外，本發明的金屬化薄膜，利用由山部和谷部構成的截面來抑制在金屬化薄膜卷繞時介電薄膜在其寬度方向上滑動。

由于金屬化薄膜的截面形狀為山部和谷部連續的形狀，因此被層疊的金屬化薄膜彼此難以在其寬度方向上錯位。另外，在山部的與水平線構成的傾斜角度為θ的情況下，試圖使金屬化薄膜在其寬度方向上滑動的力(試圖使其錯位的力)變為水平方向的力的cosθ倍，因此試圖使金屬化薄膜在寬度方向滑動的力被降低。其結果，由于金屬化薄膜的上述截面形狀而使得金屬化薄膜難以滑動。

而且，通過這樣地金屬化薄膜難以滑動，金屬化薄膜的卷繞加工性變得良好。再者，補充地說明一下，由于是卷繞型的金屬化薄膜電容器的緣故，多個金屬化薄膜在卷繞方向(長度方向)上難以錯位，因此如果金屬化薄膜在寬度方向(short-sidedirection)上難以錯位，則能夠確保其良好的卷繞加工性。

在此，介電薄膜除了可以是僅由聚偏二氟乙烯(pvdf)構成的介電薄膜以外，也可以是由在聚偏二氟乙烯(pvdf)中含有作為強電介質(鐵電體：ferroelectric)的鈦酸鋇(bto：batio)等填料的材料形成的介電薄膜。

所述山部的每一個可以具有使所述介電薄膜受到的阻力達到所述介電薄膜的摩擦系數的2倍以上的形狀。

所述山部的每一個可以具有使所述介電薄膜受到的阻力與靜摩擦系數0.8以上相當的形狀。

根據本發明，為了金屬化薄膜具有良好的卷繞加工性，并且金屬化薄膜電容器具有良好的自恢復性，更優選將金屬化薄膜的靜摩擦系數設為0.8以上。

聚偏二氟乙烯(pvdf)制的介電薄膜的靜摩擦系數為0.4左右。因此，如果介電薄膜的移動所受到的阻力(滑動難度)變為2倍，則實質上相當于靜摩擦系數0.8的滑動難度。也就是說，金屬化薄膜的靜摩擦系數和山部限制金屬化薄膜的移動所引起的阻力合起來相當于靜摩擦系數0.8或比之更大的阻力。

另外，優選將所述山部的與水平線構成的傾斜角度θ設為60度以上。

在將山部的與水平線構成的傾斜角度θ設為60度的情況下，試圖使金屬化薄膜向側方錯位的力變為cos60°＝1/2，試圖使其滑動的力變為1/2，因此與介電薄膜的靜摩擦系數從0.4變成為其2倍的情況實質相同。根據該估算結果，將山部的與水平線構成的傾斜角度θ規定為60度以上。

另外，在將兩個金屬化薄膜層疊之后，將金屬化薄膜的截面形狀加工成山部和谷部連續的形狀實質上比較困難，因此在將金屬化薄膜的截面形狀加工成山部和谷部連續的形狀之后，再將兩個金屬化薄膜層疊。該情況下，可確定出金屬化薄膜彼此的定位精度為0.5mm左右，因此優選將山部的寬度設定為該定位精度0.5mm以上的寬度。

另外，本發明也涉及金屬化薄膜電容器的制造方法，該制造方法包括以下步驟：在聚偏二氟乙烯制(pvdf)的介電薄膜的表面形成具備多個非蒸鍍狹縫和介于非蒸鍍狹縫之間的熔斷部的金屬蒸鍍膜，來制作金屬化薄膜中間體，使該金屬化薄膜中間體的與卷繞方向垂直的截面形狀成為傾斜的山部和谷部連續的形狀而制作金屬化薄膜；將兩個所述金屬化薄膜使山部彼此對應、谷部彼此對應地層疊并卷繞，來制作金屬化薄膜柱體；以及，在所述金屬化薄膜柱體的兩個電極取出面形成金屬熱噴涂部，并將外部引出端子與該金屬熱噴涂部接合，來制造金屬化薄膜電容器。

在第1步驟中，通過在介電薄膜的表面形成金屬蒸鍍膜從而制作了金屬化薄膜中間體后，例如使金屬化薄膜中間體在具備曲折(zigzag)狀凹凸的上下的旋轉輥內通過，能夠制作傾斜的山部和谷部連續的截面形狀的金屬化薄膜。

在第2步驟中，通過將具有山部和谷部連續的形狀的截面的兩個金屬化薄膜使山部彼此對應、谷部彼此對應地層疊并卷繞，來制作金屬化薄膜柱體。

在該卷繞中，如已述的那樣，被層疊了的金屬化薄膜彼此難以錯位，而且試圖使金屬化薄膜在寬度方向上滑動的力被降低，由此能得到良好的卷繞加工性，能實現高效且高精度的卷繞加工。

在第3步驟中，對金屬化薄膜柱體的電極取出面熱噴涂鋁、鋅等，來形成金屬熱噴涂部。

進而，通過將由棒狀或板狀的匯流條(busbars)等構成的外部引出端子經由焊料層而與所形成的金屬熱噴涂部的表面連接等，來制造金屬化薄膜電容器。

另外，本發明也涉及金屬化薄膜層疊體，該金屬化薄膜層疊體是將兩個金屬化薄膜重疊并卷繞而形成的、卷繞型的金屬化薄膜電容器中所適用的金屬化薄膜層疊體，所述兩個金屬化薄膜分別包含金屬蒸鍍膜和聚偏二氟乙烯(pvdf)制的介電薄膜，所述金屬蒸鍍膜具備多個非蒸鍍狹縫和介于非蒸鍍狹縫之間的熔斷部，所述金屬化薄膜，與卷繞方向垂直的截面形狀具有傾斜的山部和谷部連續的形狀，多個的所述金屬化薄膜的山部彼此對應、谷部彼此對應地層疊。

根據本發明的金屬化薄膜層疊體，通過作為其構成要素的各金屬化薄膜的截面形狀具有山部和谷部連續的形狀，在將金屬化薄膜層疊體進行卷繞加工時，兩個金屬化薄膜難以錯位，因此卷繞加工性良好。再者，從在制造工程中使熔斷部難以產生裂縫的觀點出發，金屬化薄膜層疊體中的熔斷部的位置優選位于傾斜面上，而不是位于山部和谷部的頂部。另外，從散熱性的觀點出發，優選在一個面中配設有一列熔斷部。

如由以上的說明能夠理解的那樣，根據本發明的金屬化薄膜電容器及其制造方法、以及金屬化薄膜層疊體，通過將聚偏二氟乙烯(pvdf)制的介電薄膜作為構成要素，并且將金屬化薄膜的與卷繞方向垂直的截面形狀設為傾斜的山部和谷部連續的形狀，使多個的金屬化薄膜的山部彼此對應、谷部彼此對應地層疊，能夠保證金屬化薄膜的卷繞時的良好的卷繞加工性，能夠提高金屬化薄膜電容器的自恢復功能。

附圖說明

以下參照附圖來說明本發明的典型的實施方式的特征、優點以及技術和工業意義，附圖中的標記代表部件。

圖1是對本發明的金屬化薄膜電容器的制造方法的第1步驟進行說明的示意圖，是表示制作出的薄膜中間體的圖。

圖2a是繼圖1之后對金屬化薄膜電容器的制造方法的第1步驟進行說明的示意圖，是對金屬化薄膜的制作方法進行說明的圖。

圖2b是繼圖1之后對金屬化薄膜電容器的制造方法的第1步驟進行說明的示意圖，是圖2a的b向視圖。

圖3是表示制作出的金屬化薄膜的示意圖。

圖4是對金屬化薄膜電容器的制造方法的第2步驟進行說明的示意圖，是表示將兩個金屬化薄膜層疊的狀況的圖。

圖5是繼圖4之后對金屬化薄膜電容器的制造方法的第2步驟進行說明的示意圖，是表示將層疊了的金屬化薄膜卷繞的狀況的圖。

圖6是對金屬化薄膜電容器的制造方法的第3步驟進行說明的示意圖，是表示制造出的金屬化薄膜電容器的圖。

圖7是表示將構成相關背景技術的金屬化薄膜電容器的兩片金屬化薄膜層疊之前的狀態的示意圖。

圖8是表示相關背景技術的金屬化薄膜電容器的實施方式的縱截面圖。

圖9是對相關背景技術的金屬化薄膜電容器的一部分絕緣擊穿而產生的氣體滯留著的狀態進行說明的圖。

具體實施方式

以下，參照附圖來對本發明的金屬化薄膜、金屬化薄膜電容器及其制造方法的實施方式進行說明。

圖1、2是依次對本發明的金屬化薄膜電容器的制造方法的第1步驟進行說明的示意圖，圖3是表示制作出的金屬化薄膜的示意圖。另外，圖4、5是依次對金屬化薄膜電容器的制造方法的第2步驟進行說明的示意圖，圖6是對金屬化薄膜電容器的制造方法的第3步驟進行說明的示意圖，是表示制造出的金屬化薄膜電容器的圖。

首先，如圖1所示，在聚偏二氟乙烯(pvdf)制的介電薄膜1a’、1b’的表面分別形成金屬蒸鍍膜2a’、2b’，來制作金屬化薄膜中間體3a’、3b’。

金屬化薄膜中間體3a’由介電薄膜1a’以及具備非蒸鍍狹縫s和絕緣留邊mg的金屬蒸鍍膜2a’構成。另一金屬化薄膜中間體3b’也同樣地由介電薄膜1b’以及具備非蒸鍍狹縫s和絕緣留邊mg的金屬蒸鍍膜2b’構成。而且，金屬化薄膜中間體3a’和金屬化薄膜中間體3b’的絕緣留邊mg被配設在相互相反側。

在金屬蒸鍍膜2a’、2b’之中，具備非蒸鍍狹縫s和熔斷部fs的狹縫形成區域va，通過所謂的圖案蒸鍍而分別形成在介電薄膜1a’、1b’的表面。不具備非蒸鍍狹縫s和熔斷部fs的狹縫非形成區域na，通過所謂的實地蒸鍍而分別形成在介電薄膜1a’、1b’的表面。再者，非蒸鍍狹縫s的圖案形狀絲毫不被圖示例限定，可應用各式各樣的圖案形狀。

介電薄膜1a’、1b’如上述那樣由聚偏二氟乙烯(pvdf)形成，但更詳細而言，除了可僅由聚偏二氟乙烯(pvdf)形成以外，也可以由在聚偏二氟乙烯(pvdf)中含有作為強電介質的鈦酸鋇(bto：batio)等填料的材料形成。

另外，金屬蒸鍍膜2a’、2b’可通過將鋁、鋅等蒸鍍在介電薄膜1a’、1b’的表面而形成。

在構成金屬化薄膜中間體3a’、3b’的金屬蒸鍍膜2a’、2b’的狹縫形成區域va中，多個非蒸鍍狹縫s留有間隔地形成，在非蒸鍍狹縫s的端部之間形成有寬度窄的熔斷部fs，從而分割成由各非蒸鍍狹縫s包圍的多個區段sg。

接著，如圖2a、圖2b所示，使金屬化薄膜中間體3a’在具備多個旋轉輥r、并具備具有曲折狀凹凸的上下的旋轉輥pr1、pr2的制造裝置中移動(x1方向)，使金屬化薄膜中間體3a’在旋轉輥pr1、pr2內通過，由此制作如圖3所示那樣與卷繞方向l垂直的截面形狀為曲折狀的金屬化薄膜3a。再者，金屬化薄膜中間體3b’也通過同樣的方法而被制作出金屬化薄膜3b。

在圖3中，由介電薄膜1a和金屬蒸鍍膜2a構成的金屬化薄膜3a，與卷繞方向l垂直的截面形狀呈現出傾斜的山部y和谷部t連續的形狀。

在此，山部y的與水平線構成的傾斜角度θ被設定為60度以上，山部y的寬度t被設定為0.5mm以上(以上為第1步驟)。

接著，如圖4所示，將兩個金屬化薄膜3a、3b使山部y彼此對應、谷部t彼此對應地層疊，如圖5所示那樣構成金屬化薄膜層疊體4，并將金屬化薄膜層疊體4卷繞。

在該卷繞時，如果以卷繞力p卷繞金屬化薄膜層疊體4，則試圖使金屬化薄膜3a、3b向與卷繞方向l垂直的金屬化薄膜層疊體4的寬度方向滑動的力f作用于金屬化薄膜層疊體4。

但是，由于金屬化薄膜3a、3b的截面形狀為曲折狀，因此層疊了的金屬化薄膜3a、3b彼此難以在該寬度方向上錯位。

進而，由于山部y相對于水平線以傾斜角度θ傾斜，因此金屬化薄膜3a、3b在其寬度方向上滑動的力f被降低為水平方向的力的cosθ倍(f’＝fcosθ)，結果，金屬化薄膜3a、3b變得難以滑動。

再者，針對被減少了的金屬化薄膜3a、3b滑動的力f’，金屬化薄膜3a、3b彼此以摩擦力f”＝μf’(μ：靜摩擦系數)抵抗。

在此，本發明人為了使金屬化薄膜3a、3b具有良好的卷繞加工性和高的自恢復功能，確定出將金屬化薄膜3a、3b的靜摩擦系數設為0.8以上為好。對于聚偏二氟乙烯(pvdf)制的介電薄膜1a、1b而言，靜摩擦系數為0.4左右。因此，如果介電薄膜1a、1b的滑動難度變為2倍，則實質上相當于靜摩擦系數0.8的滑動難度。

在將山部y的與水平線構成的傾斜角度θ設為60度的情況下，試圖使金屬化薄膜3a、3b向側方錯位的力f變為cos60°＝1/2(f’＝1/2×f)，由于試圖使其滑動的力f’變為1/2，因此與將介電薄膜1a、2a的靜摩擦系數從0.4變成為其2倍的情況實質相同。

通過將金屬化薄膜層疊體4卷繞，來制作金屬化薄膜柱體10(以上為第2步驟)。

對于該金屬化薄膜柱體10的兩端的電極取出面，形成由鋁、鋅等構成的金屬熱噴涂部20，并將由棒狀或板狀的匯流條等構成的外部引出端子40經由焊料層30而與所形成的金屬熱噴涂部20的表面連接，由此如圖6所示那樣形成金屬化薄膜電容器100(以上為第3步驟)。

在圖示的金屬化薄膜電容器100中，多個金屬化薄膜3a、3b利用山部y彼此以及谷部t彼此卡合，因此在絕緣擊穿時產生的氣體的氣壓作用于金屬化薄膜3a、3b時，金屬化薄膜3a、3b難以膨脹，氣體的滯留被抑制，其結果，自恢復功能提高。

本發明人進行了驗證金屬化薄膜電容器的加工性和自恢復功能的實驗。以下，在表1中示出實施例1～3和比較例1～3的規格以及關于加工性和自恢復性的實驗結果。

表1

在表1中，“截面形狀曲折”意味著山部和谷部連續的形狀。另外，“山部的角度”意味著金屬化薄膜電容器的山部的與水平線構成的傾斜角度。另外，“山部的范圍”中的“整個面”意味著多個山部和谷部連續、且整個截面相對于山部的水平線傾斜。另外，作為加工性的判斷基準，將能夠以規定的位置精度將金屬化薄膜元件化的情況判為“良好”，將無法元件化的情況判為“不良”。另外，作為自恢復性的判斷基準，將在對完成品施加電壓、使金屬化薄膜產生了絕緣擊穿時金屬蒸鍍膜的熔斷發揮作用而進行了絕緣恢復的情況判為“良好”，將沒有進行絕緣恢復的情況判為“不良”，將取決于熱負荷而發生或不發生絕緣恢復的情況判為“取決于熱負荷”。

從表1來看，實施例1、2得到了加工性和自恢復性都良好的結果。

另外，實施例3，雖然加工性良好，但是與實施例1、2相比，由于山部的角度小，因此金屬化薄膜變得容易滑動一些，其結果，取決于熱負荷而發生或不發生絕緣恢復。

另一方面，比較例1雖然加工性和自恢復性都良好，但是尺寸過大，因此無法應對金屬化薄膜電容器的小型化要求。

比較例2在卷繞加工時金屬化薄膜過滑，加工性不良，比較例3的金屬化薄膜之間的間隙不足，自恢復性不良。

由本實驗結果證實，本發明的金屬化薄膜電容器的加工性和自恢復性這兩者都優異。另外證實了優選將山部的角度設定為60度以上。

以上，利用附圖對本發明的實施方式進行了詳細說明，但具體的構成并不限定于該實施方式，即使在不脫離本發明的主旨的范圍內存在設計變更等，這些設計變更也包括在本發明中。例如，關于“山部的范圍”，截面形狀也可以是一個山部和一個谷部連續的形狀。