技術特征：
技術總結
本發明公開一種肖特基柵場效應晶體管的制備方法，該方法首先在襯底上制備二維材料，將光刻膠旋涂在襯底和二維材料上，通過光刻曝光和顯影之后，露出源漏電極窗口；鍍上金屬，洗掉光刻膠，然后在氣體氛圍中退火，形成源電極和漏電極；繼續旋涂光刻膠在整片樣品上，通過光刻曝光和顯影之后，露出柵電極窗口；再鍍上金屬，洗掉光刻膠，形成肖特基柵場效應晶體管。該肖特基柵場效應晶體管具有尺寸小、開關比高、遷移率高以及能夠很好地消除短溝道效應等優點，能夠為拓寬二維材料器件的應用領域。
技術研發人員：楊炎鋒;楊億斌;招瑜;肖也;羅東向;牟中飛;李京波
受保護的技術使用者：廣東工業大學
技術研發日：2017.03.21
技術公布日：2017.09.08