陣列基板及其修復方法與流程

本發明屬于陣列基板修復技術領域，具體涉及一種陣列基板及其修復方法。

背景技術：

如圖1、圖2所示，顯示裝置的陣列基板包括多條交疊設置且通過柵絕緣層51相互隔開的柵線1和數據線2，數據線2比柵線1更遠離基底9，且二者交疊處通過柵絕緣層51隔開。

若某像素(圖中未示出)的驅動電路(圖中未示出)發生不良，可能導致柵線1與數據線2發生短路不良。如圖3所示，為修復短路不良，現有方法是通過激光在短路點21兩側將數據線2切斷，并在修復區中沉積鎢粉形成修復線3，修復線3兩端通過鈍化層52中的過孔(通過激光形成)與數據線2的兩個位于短路點21兩側的位置分別連接(如圖12所示)，從而數據線2信號可沿修復線3繞過短路點21傳遞，消除短路不良(當然此時短路像素會變成暗點)。可見，修復線3與柵線1有交疊，但因為二者間有柵絕緣層51、鈍化層52等，故它們正常情況下不會導通。

但是，在有機發光二極管(OLED)陣列基板中有彩膜層8(可包括彩色濾光膜和黑矩陣)，彩膜層8厚度較大(一般厚數微米)，若修復線3制備在彩膜層8上則其與數據線2連接處容易斷線，為此，如圖3、圖12所示，需要先通過激光將修復區的彩膜層8剝離。

但是，由于彩膜層8厚度大，將其剝離所需的激光能量也大，故很難保證既將彩膜層8完全剝離又不損傷其下方的絕緣層，因此如圖4所示，在剝離彩膜層8時很容易將柵線1上方的柵絕緣層51和鈍化層52也剝離掉，這樣修復線3就會與柵線1接觸并導通，導致數據線2與柵線1仍然通過修復線3短路，造成維修不良。

技術實現要素：

本發明至少部分解決現有的陣列基板修復時可能因修復線與柵線導通而造成修復不良的問題，提供一種可避免修復不良的陣列基板及其修復方法。

解決本發明技術問題所采用的技術方案是一種陣列基板，包括基底，以及在遠離基底的方向上依次設置的多條第一引線、第一絕緣層、多條第二引線、彩膜層，所述第一引線與第二引線相互交疊且被第一絕緣層隔開；且所述陣列基板還包括：

設于第一絕緣層與彩膜層間的遮蔽結構，所述遮蔽結構由金屬材料構成，且位于第一引線上方無第二引線的位置，在第一引線寬度方向上遮蔽結構覆蓋第一引線。

優選的是，所述遮蔽結構在第一引線長度方向上的兩端通過第一絕緣層中的過孔與第一引線連接。

優選的是，所述遮蔽結構與第二引線同層設置。

優選的是，每條所述第一引線上方設有多個遮蔽結構。

優選的是，所述第一引線為柵線，第一絕緣層為柵絕緣層，第二引線為數據線。

優選的是，所述第二引線與彩膜層間還設有第二絕緣層。

解決本發明技術問題所采用的技術方案是一種上述陣列基板的修復方法，所述陣列基板修復方法包括：

S1、查找所述第二引線上的不良點；

S2、激光剝離修復區的彩膜層；所述修復區連接所述不良點兩側的第二引線且與第一引線交疊，所述修復區與第一引線的交疊處設有遮蔽結構；

S3、在所述修復區中形成連接所述不良點兩側的第二引線的修復線，所述修復線在遮蔽結構上方跨過第一引線。

優選的是，所述不良點為第二引線與第一引線發生短路的短路點；且在所述步驟S1后，還包括：分別在所述短路點兩側將第二引線切斷，所述切斷的位置位于修復區與第二引線的兩個交點之間。

優選的是，對上述遮蔽結構兩端與第一引線相連的陣列基板；在所述步驟S1后，還包括：分別在對應所述修復線的位置兩側將遮蔽結構切斷，所述切斷位置位于遮蔽結構與第一引線的兩個連接點之間。

優選的是，對上述具有第二絕緣層的陣列基板；所述步驟S2包括：激光剝離所述修復區的彩膜層和第二絕緣層。

本發明的陣列基板中，在第一引線與彩膜層(可包括彩色濾光膜和黑矩陣)間設有獨立的金屬的遮蔽結構，故在進行修復時，可讓修復線在遮蔽結構處與第一引線交疊，這樣，即使在剝離彩膜層時相應絕緣層損壞，遮蔽結構也不會損壞(因為其由金屬材料)構成，故修復線只能與獨立的遮蔽結構導通，而不會與第一引線導通，從而避免了修復不良。

附圖說明

圖1為現有的一種陣列基板產生不良時的結構示意圖；

圖2為圖1中沿AA’線的剖面結構示意圖；

圖3為現有的一種陣列基板進行修復后的結構示意圖；

圖4為發生修復不良時圖3中沿BB’線的剖面結構示意圖；

圖5為本發明的實施例的一種陣列基板的結構示意圖；

圖6為圖5中沿CC’線的一種剖面結構示意圖；

圖7為圖5中沿CC’線的另一種剖面結構示意圖；

圖8為本發明的實施例的一種陣列基板進行修復后的結構示意圖；

圖9為圖8中沿DD’線的一種剖面結構示意圖；

圖10為本發明的實施例的另一種陣列基板進行修復后的結構示意圖；

圖11為圖10中沿EE’線的一種剖面結構示意圖；

圖12為現有陣列基板中修復線與數據線連接處的局部剖面結構示意圖；

其中，附圖標記為：1、柵線；2、數據線；21、短路點；3、修復線；4、遮蔽結構；51、柵絕緣層；52、鈍化層；8、彩膜層；9、基底。

具體實施方式

為使本領域技術人員更好地理解本發明的技術方案，下面結合附圖和具體實施方式對本發明作進一步詳細描述。

在本發明中，兩結構“同層設置”是指二者是由同一個材料層經同一構圖工藝形成的，故它們在層疊關系上處于相同層中，但并不代表它們與基底間的距離必然相等。

實施例1：

如圖5至圖11所示，本實施例提供一種陣列基板，包括基底9，以及在遠離基底9的方向上依次設置的多條第一引線、第一絕緣層、多條第二引線、彩膜層8，第一引線與第二引線相互交疊且被第一絕緣層隔開；且陣列基板還包括：

設于第一絕緣層與彩膜層8間的遮蔽結構4，遮蔽結構4由金屬材料構成，且位于第一引線上方無第二引線的位置，在第一引線寬度方向上遮蔽結構覆蓋第一引線。

也就是說，本實施例的陣列基板中，在第一引線與彩膜層8(可包括彩色濾光膜和黑矩陣)間設有獨立的金屬的遮蔽結構4，故在進行修復時，可讓修復線3在遮蔽結構4處與第一引線交疊，這樣，即使在剝離彩膜層8時相應絕緣層損壞，遮蔽結構4也不會損壞(因為其由金屬材料)構成，故修復線3只能與獨立的遮蔽結構4導通，而不會與第一引線導通，從而避免了修復不良。

具體的，本實施例的陣列基板中具有彩膜層8，故其優選為有機發光二極管(OLED)陣列基板，因為這類陣列基板的彩膜層8一般是直接設在陣列基板中的。當然，如果陣列基板為COA(Color On Array)模式的液晶顯示陣列基板等，也是可行的。

當然，在該陣列基板中，還應具有驅動電路、像素(如像素電極、公共電極、陰極、陽極、有機發光層等)等其它結構，在此不再進行詳細描述。

優選的，以上第一引線為柵線1，第一絕緣層為柵絕緣層51，第二引線為數據線2。

優選的，在第二引線(數據線2)與彩膜層8間還設有第二絕緣層，該第二絕緣層可為鈍化層52。

其中，當具有第二絕緣層時，以上遮蔽結構4優選位于第一絕緣層和第二絕緣層之間。

在以下內容中，均以第一引線為柵線1，第一絕緣層為柵絕緣層51，第二引線為數據線2，第二絕緣層為鈍化層52為例進行說明。當然，應當理解，如果第一引線為數據線、第二引線為柵線，或者引線為其它類型，也都是可行的。

優選的，遮蔽結構4與數據線2同層設置。

也就是說，如圖5、圖6所示，由于遮蔽結構4與數據線2都位于柵絕緣層51以上，二者的層位置可相同(即都位于柵絕緣層51和鈍化層52之間)，故它們可由同一個材料層經同一次構圖工藝形成，以簡化陣列基板的制備工藝。

當然，在具有鈍化層52時，遮蔽結構4也可位于鈍化層52之上，這樣其就與數據線2不同層了，故此時遮蔽結構4需要單獨制備。

優選的，遮蔽結構4在柵線1長度方向上的兩端通過柵絕緣層51中的過孔與其下方的柵線1連接。

也就是說，遮蔽結構4也可如圖6所示直接位于柵絕緣層51上。但遮蔽結構4也可如圖7所示，其兩個端部通過柵絕緣層51中的過孔與柵線1連接，即遮蔽結構4可形成“橋狀”。“橋狀”的遮蔽結構4有利于降低柵線1的電阻，而在發生不良需要修復時，只要將該“橋狀”遮蔽結構4的兩端部與中部切斷，仍可實現避免修復線3與柵線1短路的效果。

優選的，每條柵線1上方設有多個遮蔽結構4。

顯然，每條柵線1會與多條數據線2有交疊，而每條數據線2都可能發生不良，故如圖5所示，優選每條柵線1上方設置多個遮蔽結構4(最優選在每兩條數據線2之間均而有一個遮蔽結構4)，這樣不論哪條數據線2發生不良，都可在較近范圍內找到用于使修復線3通過的遮蔽結構4。

本實施例還提供一種上述陣列基板的修復方法，其方法包括：

S11、查找數據線2上的不良點；

S12、激光剝離修復區的彩膜層8；修復區連接不良點兩側的數據線2且與柵線1交疊，修復區與柵線1的交疊處設有遮蔽結構4；

S13、在修復區中形成連接不良點兩側的數據線2的修復線3，修復線3在遮蔽結構4上方跨過柵線1。

也就是說，如圖8、圖9所示，當本實施例的陣列基板的數據線2中產生不良點而需要進行修復時，則先通過激光剝離除去修復區中的彩膜層8，之后在修復區中通過沉積鎢粉等方式形成修復線3，該修復線3(或者說修復區)將不良點兩側的數據線2連接起來，使數據線2中的信號可經修復線3繞過不良點傳遞。

其中，該修復線3(或者說修復區)要跨過柵線1，故其在遮蔽結構4處與柵線1交疊，從而即使在剝離彩膜層8時導致柵線1上方的絕緣層(如鈍化層52，此時柵絕緣層51位于遮蔽結構4下方，故不會損壞)損壞，則修復線3也只會與遮蔽結構4連接，但不會與柵線1導通，從而避免了柵線1與數據線2短路，消除了修復不良。

優選的，不良點為數據線2與柵線1發生短路的短路點21；且在步驟S11后，還包括：分別在短路點21兩側將數據線2切斷，切斷的位置位于修復區與數據線2的兩個交點之間。

也就是說，如果以上不良點為短路點21(如因驅動電路短路)，則除形成修復線3外，還要保證短路點21處沒有信號，故如圖9、圖10所示，還需要通過激光在短路點21兩側將數據線2切斷。當然，為保證修復線3能傳遞信號，故以上切斷應位于修復區(或者說修復線3)與數據線2的兩交點的內側。

當然，如果數據線2的不良點為斷路點，則也可不進行本步驟。

優選的，當遮蔽結構4兩端通與柵線1連接時，則在步驟S11后，還包括：分別在修復線3兩側將遮蔽結構4切斷，切斷位置位于遮蔽結構4與柵線1的兩個連接點之間。

也就是說，如果遮蔽結構4為以上描述的兩端與柵線1連接的形式，則如圖10、圖11所示，在修復過程中，還需要在對應修復線3的位置兩側將遮蔽結構4切斷，即將遮蔽結構4中部與其兩端部切斷，從而保證數據線2即使與遮蔽結構4的中部發生連接也不會與柵線1導通。當然，為實現以上效果，以上切斷點必須位于遮蔽結構4與柵線1的兩個連接點的內側。

優選的，當數據線2與彩膜層8間設有鈍化層52時，則步驟S12包括：

激光剝離修復區的彩膜層8和鈍化層52。

顯然，如果數據線2上方還有鈍化層52，則修復線3與數據線2會被鈍化層52隔開，故在現有技術中，還要在將彩膜層8剝離后，繼續在數據線2上方的鈍化層52中形成過孔，以使修復線3與數據線2能通過過孔連接。而在本實施例的陣列基板修復方法中，由于有遮蔽結構4，故不必用鈍化層52實現柵線1與修復線3的絕緣，因此，可在剝離彩膜層8時增大激光能量，將修復區的全部鈍化層52都剝離掉，這樣即可實現修復線3與數據線2的連接，從而可簡化修復工藝。

當然，若此時遮蔽結構4不是位于柵絕緣層51與鈍化層52之間，而是設在鈍化層52上，則在剝離過程中，遮蔽結構4下方的鈍化層52會被保留下來而不能被剝離掉，但其不影響本發明的實現。

可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發明的原理而采用的示例性實施方式，然而本發明并不局限于此。對于本領域內的普通技術人員而言，在不脫離本發明的精神和實質的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本發明的保護范圍。