10G小型化EML激光器的光探測器裝配結構的制作方法

本發(fā)明涉及光器件領域，具體涉及一種應用于10G EML激光器中的光探測器裝配結構。

背景技術：

10G小型化電吸收調制激光發(fā)射器是一款專門應用于長途干線數據傳輸的光電元器件，它主要包含激光器芯片、光探測器、隔離器、密封管殼、光接口和帶柔性電路等。其中，光探測器作為激光器的主要組件，其作用是把光信號轉換成電信號，通過監(jiān)控激光器芯片的光功率，從而檢測其特性。目前市場上有正面進光和側面進光兩種類型的光探測器，二者的價格相差近20倍，正面進光探測器的價格低，但存在激光器芯片和正面接光芯片高度差問題，如果采用正面接光芯片，傳統(tǒng)做法是激光器芯片放在一個額外加工的一定厚度的氮化鋁熱沉上，使激光器芯片的中心高度和正面接光的背光芯片中心高度一致，以便能夠接收到激光器芯片的背光，這樣在設計結構上需要增加熱沉，相應增加了熱負載，功耗也會相應增加。

技術實現要素：

本發(fā)明為了解決現有光探測器裝配結構存在的不足，提供了一種結構精巧、效果明顯、工藝簡單、成本低廉的光探測器裝配結構。

為實現上述目的，本發(fā)明采用的技術方案為：提出了一種10G小型化EML激光器的光探測器裝配結構，包括硅基板、探測器芯片及熱沉，硅基板上裝配有激光器芯片，激光器芯片正后方位置處的硅基板上開設有凹槽，探測器芯片貼裝于熱沉表面，經金線綁定后的探測器芯片及熱沉置于凹槽中，并與凹槽壁粘接固定。

所述探測器芯片與激光器芯片之間的夾角為6-8°。

所述熱沉為硅基板或氮化鋁材質。

本文提出了一種正面進光光探測器的低成本裝配結構， 在硅基板上挖槽并將探測器芯片及熱沉置于凹槽中，實現激光器芯片與探測器芯片的對準，使得激光器芯片后面發(fā)出的光正好打入背光監(jiān)測芯片中，達到最佳接收目的，同時探測器芯片擺放位置和激光器芯片成6-8°角，可有效防止光反射對激光器前向光路影響，從而達到更好的監(jiān)測激光器芯片功率的目的。本發(fā)明在不增加激光器芯片熱沉的基礎上，通過挖槽來匹配激光器芯片的高度，實現了低成本正面接光芯片的應用。同現有技術相比，有利于降低成本，更有助于實現高速率小型化激光器的自動化封裝平臺，大大提高生產效率。

附圖說明

圖1為探測器芯片與熱沉裝配示意圖；

圖2為光探測器裝配完成后的激光器內部結構剖面圖；

圖3為光探測器裝配完成后的激光器內部結構俯視圖。

圖4為激光器芯片與探測器芯片的位置關系示意圖；

圖中：1-熱沉，2-探測器芯片，3-凹槽，4-激光器芯片，5-硅基板。

具體實施方式

下面將結合附圖說明本發(fā)明的具體實施方式。

10G小型化EML激光器的光探測器裝配結構，包括硅基板5、探測器芯片2及熱沉1，硅基板上裝配有激光器芯片4，激光器芯片4正后方位置處的硅基板上開設有凹槽3。如圖1所示，探測器芯片2貼裝于熱沉1上表面并進行金線綁定；如圖2、3所示，組裝后的探測器芯片2及熱沉1放入硅基板的凹槽3中，緊貼凹槽壁放置，并用導電銀膠于凹槽壁粘貼固定。

其中，熱沉可采用硅基板或氮化鋁材質。本實施例中，凹槽的大小為0.35*0.6*0.1mm，凹槽的大小也可根據實際需求進行調整，凹槽的深度設置需要保證激光器芯片后面發(fā)出的光可以正好打入背光監(jiān)測芯片中，以達到最佳接收目的，同時探測器芯片擺放位置和激光器芯片成成α角（見圖4），α=6-8°，α角以6°為最佳，可有效防止光反射對激光器前向光路影響，從而達到更好的監(jiān)測激光器芯片功率的目的。