用于干法刻蝕的承載裝置及干法刻蝕設備的制作方法

本發(fā)明涉及液晶產品制作技術領域，尤其涉及一種用于干法刻蝕的承載裝置及干法刻蝕設備。

背景技術：

液晶顯示裝置生產行業(yè)中，玻璃基板在進行干法刻蝕時，一般采用等離子對玻璃基板進行刻蝕，如圖1所示，目前技術中的干法刻蝕設備，包括上部電極(圖中未示)和下部電極2，基板1承載于下部電極2上，基板1的中心與下部電極2的中心重合，基板1的面積大于下部電極2的面積，且基板1和下部電極2一般均是矩形結構，基板1外露于下部電極2的第一區(qū)域形成由四個邊首尾相接形成的環(huán)形框架結構，框架結構的每個邊的寬度a為15mm，干法刻蝕設備還包括用于支撐于基板1的第一區(qū)域的支撐結構，利用上部電極和下部電極形成的電場對等離子體進行引導和加速以實現(xiàn)對基板進行刻蝕的目的，但是由于基板的面積大于下部電極的面積，導致基板的邊緣外露于下部電極，基板的邊緣區(qū)域無電場效果，對自由基和離子吸引力較小，刻蝕率較低。

技術實現(xiàn)要素：

為了解決上述技術問題，本發(fā)明提供一種用于干法刻蝕的承載裝置及干法刻蝕設備，提升基板的刻蝕率。

為了達到上述目的，本發(fā)明采用的技術方案是：一種用于干法刻蝕的承載裝置，包括相對設置的上部電極和下部電極，以及設置于所述下部電極上面向所述上部電極的一面的待刻蝕基板，所述下部電極的面積不小于待刻蝕基板的面積。

進一步的，還包括在所述下部電極的面積大于待刻蝕基板的面積時、圍設于待刻蝕基板四周的邊框，所述邊框包括完全覆蓋于所述下部電極未承載待刻蝕基板的區(qū)域的第一部分。

進一步的，所述邊框還包括覆蓋待刻蝕基板邊緣區(qū)域的第二部分。

進一步的，所述第二部分為由四個邊首尾相接形成的矩形環(huán)形結構，每個邊的寬度為2mm-3mm。

進一步的，所述邊框采用陶瓷材質制成。

進一步的，所述邊框的表面涂覆有氧化釔。

進一步的，還包括用于控制所述邊框升降的升降結構，所述邊框還包括外露于所述下部電極的第三部分，所述升降結構包括：

升降部，能夠與所述第三部分連接；

驅動部，用于驅動所述升降部在第一狀態(tài)和第二狀態(tài)之間轉換；

所述第一狀態(tài)為所述升降部在所述驅動部的驅動下與所述第三部分連接并帶動所述邊框升降；所述第二狀態(tài)為在所述邊框與所述下部電極接觸或所述邊框與所述基板邊緣區(qū)域接觸后、所述升降部繼續(xù)下降以與所述第三部分分離。

進一步的，所述升降部為與所述驅動部驅動連接的升降桿，所述第三部分靠近下部電極的一面設置有可供所述升降桿插入的插槽。

進一步的，所述升降桿為光桿，所述光桿的表面具有經陽極氧化處理形成的金屬氧化物薄膜。

本發(fā)明還提供一種干法刻蝕設備，包括上述的用于干法刻蝕的承載裝置。

本發(fā)明的有益效果是：增大了基板的有效使用面積，提升基板邊緣刻蝕率的有效性。

附圖說明

圖1表示現(xiàn)有技術中干法刻蝕設備結構示意圖；

圖2表示本發(fā)明一實施例中干法刻蝕設備結構俯視圖；

圖3表示本發(fā)明另一實施例中干法刻蝕設備結構俯視圖；

圖4表示本發(fā)明另一實施例中升降部位于第一狀態(tài)時干法刻蝕設備結構示意圖；

圖5表示本發(fā)明另一實施例中升降部位于第二狀態(tài)時干法刻蝕設備結構示意圖；

圖6表示本發(fā)明另一實施例中邊框結構俯視圖；

圖7表示本發(fā)明另一實施例中邊框結構側視圖。

具體實施方式

以下結合附圖對本發(fā)明的特征和原理進行詳細說明，所舉實施例僅用于解釋本發(fā)明，但并不限定本發(fā)明的保護范圍。

如圖2所示，本實施例提供一種用于干法刻蝕的承載裝置，包括相對設置的上部電極和下部電極2，以及設置于所述下部電極2上面向所述上部電極的一面的待刻蝕基板1，所述下部電極2的面積不小于待刻蝕基板1的面積。

待刻蝕基板1在下部電極2上的投影完全落于下部電極2內，使得待刻蝕基板1整體完全位于上部電極和下部電極2之間產生的電場內，從而提高基板1整體的刻蝕率。

本實施例中，所述下部電極2的面積大于待刻蝕基板1的面積時、圍設于待刻蝕基板1四周的邊框3，所述邊框3包括完全覆蓋于所述下部電極2未承載待刻蝕基板1的區(qū)域的第一部分，如圖3所示。

當所述下部電極2的面積大于待刻蝕基板1時，所述下部電極2存在未被待刻蝕基板1覆蓋的第一部分，在刻蝕時，如果所述第一部分裸露在充滿等離子體的刻蝕環(huán)境內，所述第一部分容易被等離子體擊穿，而邊框3的設置有效的避免了上述現(xiàn)象的發(fā)生，保護了所述下部電極2。

所述下部電極2上均勻設置有多個通孔，該通孔用于供冷卻氣體氦氣通過以對待刻蝕基板1進行冷卻，為了防止氦氣泄露，本實施例中，所述邊框3還包括覆蓋待刻蝕基板1邊緣區(qū)域的第二部分。所述邊框3的第二部分輕壓(無外力、僅是所述邊框3的重力)待刻蝕基板1的邊緣區(qū)域，避免了氦氣的泄露，且有效的保證了待刻蝕基板1在所述下部電極2上的位置穩(wěn)定性。

進一步的，所述第二部分為由四個邊首尾相接形成的矩形環(huán)形結構，每個邊的寬度b為2mm-3mm。

待刻蝕基板1一般是矩形結構，所述邊框3為由四個邊首尾相接形成的環(huán)形結構，由內向外依次包括所述第二部分、所述第一部分，所述第二部分覆蓋于待刻蝕基板1的邊緣，所述第一部分覆蓋于所述下部電極2的未承載待刻蝕基板1的區(qū)域，為了避免所述第二部分的面積過大影響待刻蝕基板1的邊緣刻蝕率，所述第二部分每個邊的寬度很窄，本實施例中每個邊的寬度b為2mm-3mm，但并不以此為限。

本實施例中，所述邊框一體成型，即所述第二部分、所述第一部分并v不是可分離的，而是整體結構。

由于所述邊框3處于所述上部電極和所述下部電極2形成的電場內，避免邊框3被等離子轟擊產生灰塵、或影響電場方向等降低刻蝕質量，本實施例中，所述邊框3采用陶瓷材質制成，

進一步的，所述邊框3的表面涂覆有氧化釔，可有效減少離子轟擊生成的灰塵和沉淀物掉落的風險。

為了便于待刻蝕基板1的取放，還包括用于控制所述邊框3升降的升降結構，所述升降結構的具體結構形式可以有多種，只要實現(xiàn)所述邊框3的升降即可，本實施例中，所述邊框3還包括外露于所述下部電極2的第三部分，所述升降結構包括：

升降部，能夠與所述第三部分連接；

驅動部，用于驅動所述升降部在第一狀態(tài)和第二狀態(tài)之間轉換；

所述第一狀態(tài)為所述升降部在所述驅動部的驅動下與所述第三部分連接并帶動所述邊框3升降，如圖4所示；所述第二狀態(tài)為在所述邊框3與所述下部電極2接觸或所述邊框3與所述基板1邊緣區(qū)域接觸后、所述升降部繼續(xù)下降以與所述第三部分分離，如圖5所示。

需要放置待刻蝕基板1時，所述升降部帶動所述邊框3在所述驅動部的驅動下上升至預設位置，將待刻蝕基板1放置于所述下部電極2后，所述升降部帶動所述邊框3在所述驅動部的驅動下下降，直至所述邊框3與所述下部電極2接觸或所述邊框3與所述基板1邊緣區(qū)域接觸后，所述升降部繼續(xù)下降、此時所述升降部與所述第三部分分離，所述升降部與所述第三部分之間采用如此可分離的連接方式，防止所述升降部在所述邊框3與所述下部電極2接觸或所述邊框3與所述基板1邊緣區(qū)域接觸后仍然下降、對下部電極2或基板1的壓力過大而對下部電極2或基板1造成損傷。

所述升降部的具體結構形式、以及所述升降部與所述第三部分的具體連接方式均可以有多種，只要實現(xiàn)所述邊框3的升降即可，本實施例中，所述升降部為與所述驅動部驅動連接的升降桿4，所述第三部分靠近下部電極2的一面設置有可供所述升降桿4插入的插槽31，如圖6和圖7所示。

本實施例中，所述升降桿4為光桿，所述光桿的表面具有經陽極氧化處理形成的金屬氧化物薄膜，避免采用純金屬材質制作的升降桿4對所述上部電極、下部電極2之間的電場產生影響而影響刻蝕率。

所述驅動部的具體結構形式可以有多種，只要實現(xiàn)驅動升降部升降以帶動所述邊框3升降即可，本實施例中，所述驅動部包括：

滾珠絲杠，與所述升降桿4連接；

伺服電機，用于驅動所述滾珠絲杠轉動以帶動所述升降桿4升降。

本發(fā)明還提供一種干法刻蝕設備，包括上述的用于干法刻蝕的承載裝置。

以上所述為本發(fā)明較佳實施例，需要說明的是，對于本領域普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明所述原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應視為本發(fā)明保護范圍。