液處理方法和基板處理裝置與流程

本發明涉及向基板供給處理液而進行了處理之后、對該基板進行干燥的液處理方法和基板處理裝置。

背景技術：

在對作為基板的半導體晶圓(以下稱為晶圓)進行液處理的單張式的旋轉清洗裝置中，向旋轉的晶圓的表面供給例如堿性、酸性的化學溶液，通過使該化學溶液在晶圓的表面擴散，將晶圓表面的塵土、自然氧化物等去除。殘存于晶圓表面的化學溶液被純水等沖洗液去除，若保持使晶圓旋轉的狀態下停止沖洗液的供給，可獲得殘留的沖洗液被甩開而干燥的晶圓。

另一方面，若利用上述的方法使晶圓干燥，則存在發生形成于晶圓的表面的圖案坍塌的圖案倒塌的情況。

作為抑制圖案倒塌的發生、同時將殘留于晶圓表面的沖洗液去除的方法，在例如專利文獻1中記載有向化學溶液被純水去除之后的晶圓供給疏水劑(相當于本申請的憎水劑)而對晶圓的表面進行疏水化的技術。

若根據專利文獻1，則作為在進行疏水化處理之前供給溶劑的處理的第1溶劑沖洗處理和作為在進行了疏水化處理之后供給溶劑的處理的干燥前沖洗處理中，在供給疏水劑的處理的前后供給通用的溶劑。并且，作為該通用的溶劑，例示了ipa(異丙醇，isopropylalcohol)、hfe(氫氟醚，hydrofluoroether)、hfc(氫氟碳化合物，hydrofluorocarbon)等。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2012－44144號公報：權利要求3、段落0039～0041、圖5

技術實現要素：

發明要解決的問題

然而，若采用ipa作為干燥前沖洗處理的溶劑，則可知存在置換圖案內的疏水劑花費時間的情況。而且，也可知：ipa易于吸收大氣中的水分，若水混入圖案內的ipa，則存在如下情況：沸點比大氣中的水分的沸點低的ipa成分率先干燥，在殘留的水分的表面張力的作用下，發生圖案倒塌。

另外，若采用hfe、hfc作為第1溶劑沖洗處理的溶劑，則可知存在水殘留于圖案內的情況。作為其原因，hfe、hfc的水的溶解度較低，與水彼此難以混合，因此，認為與水沖洗所使用的沖洗液(純水)之間的置換性較差。而且，在疏水劑(本申請的憎水劑)中，存在與水分發生反應而疏水化能力就降低的疏水劑，因此，第1溶劑沖洗處理后的水分的殘存有可能使晶圓表面的疏水化不充分而成為引起圖案倒塌的主要原因。

本發明是在這樣的情況下做成的，其目的在于提供可迅速地獲得進行基板的表面的憎水化處理、且將存在于基板的圖案內的純水、憎水劑去除而干燥的基板的液處理方法和基板處理裝置。

用于解決問題的方案

在本發明的液處理方法中，向水平地保持的基板供給了純水，之后使基板干燥，其特征在于，

該液處理方法包括：

向基板的表面供給純水的純水供給工序；

在所述純水供給工序之后向基板的表面供給第1溶劑的第1溶劑供給工序；

之后向所述基板的表面供給使該基板的表面憎水化的憎水劑的憎水劑供給工序；

向憎水化之后的所述基板的表面供給第2溶劑的第2溶劑供給工序；

將所述基板的表面的第2溶劑去除的去除工序，

所述第1溶劑的比重比所述憎水劑的比重小，所述第2溶劑的比重比該憎水劑的比重大。

發明的效果

本發明能夠迅速地獲得進行基板的表面的憎水化處理、且將存在于基板的圖案內的純水、憎水劑去除而干燥的基板。

附圖說明

圖1是表示本發明的實施方式的具有處理單元的基板處理系統的概要的俯視圖。

圖2是表示所述處理單元的概要的縱剖側視圖。

圖3是所述處理單元的俯視圖。

圖4是由所述處理單元實施的液處理的工序圖。

圖5是示意性地表示化學溶液處理后的晶圓表面的情形的第1作用圖。

圖6是示意性地表示所述晶圓表面的情形的第2作用圖。

圖7是供給加熱hfo的hfo供給機構的構成圖。

圖8是所述hfo供給機構的第1作用圖。

圖9是所述hfo供給機構的第2作用圖。

圖10是所述hfo供給機構的第3作用圖。

圖11是具有背面加溫機構的處理單元的構成圖。

圖12是同時使用了背面加溫的加熱hfo供給進行晶圓處理的作用圖。

圖13是憎水劑噴嘴的待機用蓋部的第1結構例。

圖14是憎水劑噴嘴的待機用蓋部的第2結構例。

圖15是噴嘴頭的待機槽部的第1結構例。

圖16是噴嘴頭的待機槽部的第2結構例。

圖17是雙層管型的憎水劑噴嘴的第1作用圖。

圖18是所述雙層管型的憎水劑噴嘴的第2作用圖。

圖19是具有大氣排除用的蓋部的噴嘴頭的第1作用圖。

圖20是具有所述蓋部的噴嘴頭的第2作用圖。

圖21是表示加熱hfo供給時的干燥界面的溫度變化的實驗結果。

附圖標記說明

w、晶圓；16、處理單元；30、30a、基板保持機構；411、ipa噴嘴；412、化學溶液噴嘴；413、hfo噴嘴；414、414a、憎水劑噴嘴；701、加熱部；710、ipa；730、diw；74a、脫氣部；74b、hfo加熱部；74c、氣液分離部；740、hfo；740a、殘存液膜；742、空心纖維膜；750、憎水劑。

具體實施方式

圖1是表示本實施方式的基板處理系統的概略結構的圖。以下，為了使位置關系清楚，對互相正交的x軸、y軸及z軸進行規定，將z軸正方向設為鉛垂朝上方向。

如圖1所示，基板處理系統1包括輸入輸出站2和處理站3。輸入輸出站2和處理站3相鄰地設置。

輸入輸出站2包括承載件載置部11和輸送部12。在承載件載置部11上可載置多個承載件c，該多個承載件c用于將多張基板、在本實施方式中為半導體晶圓(以下稱作晶圓w)以水平狀態收納。

輸送部2與承載件載置部11相鄰地設置，在輸送部12的內部具有基板輸送裝置13和交接部14。基板輸送裝置13具有用于保持晶圓w的晶圓保持機構。另外，基板輸送裝置13能夠在水平方向和鉛垂方向上移動并以鉛垂軸線為中心進行旋轉，其使用晶圓保持機構在承載件c與交接部14之間輸送晶圓w。

處理站3與輸送部12相鄰地設置。處理站3包括輸送部15和多個處理單元16。多個處理單元16以排列在輸送部15的兩側的方式設置。

輸送部15在內部具有基板輸送裝置17。基板輸送裝置17具有用于保持晶圓w的晶圓保持機構。另外，基板輸送裝置17能夠在水平方向和鉛垂方向上移動并以鉛垂軸線為中心進行旋轉，其使用晶圓保持機構在交接部14與處理單元16之間輸送晶圓w。

處理單元16用于對由基板輸送裝置17輸送過來的晶圓w進行預定的基板處理。

另外，基板處理系統1包括控制裝置4。控制裝置4例如是計算機，其包括控制部18和存儲部19。在存儲部19中存儲有用于對在基板處理系統1中執行的各種處理進行控制的程序。控制部18通過讀取并執行被存儲在存儲部19中的程序來控制基板處理系統1的動作。

此外，該程序既可以是存儲在可由計算機讀取的存儲介質中的程序，也可以是從該存儲介質安裝到控制裝置4的存儲部19中的程序。作為可由計算機讀取的存儲介質，存在例如硬盤(hd)、軟盤(fd)、光盤(cd)、光磁盤(mo)以及存儲卡等。

在如所述那樣構成的基板處理系統1中，首先，輸入輸出站2的基板輸送裝置13將晶圓w自載置于承載件載置部11的承載件c取出，并將取出后的晶圓w載置于交接部14。利用處理站3的基板輸送裝置17將載置于交接部14的晶圓w自交接部14取出并將其輸入到處理單元16中。

在利用處理單元16對被輸入到處理單元16中的晶圓w進行處理之后，利用基板輸送裝置17將該晶圓w自處理單元16輸出并將其載置于交接部14。然后，利用基板輸送裝置13將載置于交接部14的處理完成后的晶圓w返回到載置部11的承載件c。

如圖2所示，處理單元16包括腔室20、基板保持機構30、處理流體供給部40以及回收杯50。

腔室20用于收納基板保持機構30、處理流體供給部40以及回收杯50。在腔室20的頂部設有ffu(fanfilterunit：風機過濾單元)21。ffu21用于在腔室20內形成下降流。

基板保持機構30包括保持部31、支柱部32以及驅動部33。保持部31水平保持晶圓w。支柱部32是沿鉛垂方向延伸的構件，其基端部被驅動部33支承為能夠旋轉，支柱部32在頂端部水平支承保持部31。驅動部33用于使支柱部32繞鉛垂軸線旋轉。該基板保持機構30通過使用驅動部33使支柱部32旋轉而使由支柱部32支承著的保持部31旋轉，由此，使由保持部31保持著的晶圓w旋轉。

處理流體供給部40用于對晶圓w供給處理流體。處理流體供給部40與處理流體供給源70相連接。

回收杯50以包圍旋轉保持部31的方式配置，以收集因保持部31的旋轉而自晶圓w飛散的處理液。在回收杯50的底部形成有排液口51，自該排液口51將由回收杯50收集到的處理液排出到處理單元16的外部。另外，在回收杯50的底部形成有排氣口52，該排氣口52用于將自ffu21供給過來的氣體排出到處理單元16的外部。

設于上述的基板處理系統的處理單元16相當于用于執行實施方式的液處理方法的基板處理裝置。以下，參照圖3說明該處理單元16的結構。

在本例的處理單元16中，已述的處理流體供給部40包括：用于向保持于基板保持機構(基板保持部)30的晶圓w進行化學溶液的供給以及diw(deionizedwater、純水)的供給的化學溶液噴嘴412；用于向保持于基板保持機構(基板保持部)30的晶圓w進行ipa的供給的ipa噴嘴411；用于向保持于基板保持機構(基板保持部)30的晶圓w供給憎水劑的憎水劑噴嘴414；以及用于向保持于基板保持機構(基板保持部)30的晶圓w進行hfo(氫氟烯烴，hydrofluoroolefin)的供給的hfo噴嘴413。

這些噴嘴411～414設于通用的噴嘴頭42，噴嘴頭42借助噴嘴臂43與該噴嘴臂43的基端部側的旋轉驅動部44連接。通過使用該旋轉驅動部44使噴嘴臂43沿著橫向旋轉移動，能夠使各噴嘴411～414在保持于基板保持機構30的晶圓w中央部的上方側的處理位置和用于從晶圓w的上方退避而待機的待機位置之間移動。在待機位置設置有用于使噴嘴411～414待機的待機部23。在圖3中，以實線表示配置于處理位置的噴嘴頭42、噴嘴臂43，以虛線表示配置于待機位置的噴嘴頭42、噴嘴臂43。

化學溶液噴嘴412經由開閉閥v2與化學溶液供給源72連接，另外，經由開閉閥v3與diw供給源73連接。

從化學溶液供給源72可供給根據晶圓w的表面的處理的目的供給的1種或多種化學溶液。在本實施方式中，記載了1種化學溶液。化學溶液被從化學溶液噴嘴412經由開閉閥v2供給。

另外，diw被從化學溶液噴嘴412經由開閉閥v3供給。供給diw時的化學溶液噴嘴412相當于純水供給噴嘴。

ipa噴嘴411經由開閉閥v1與ipa供給源71連接。在向晶圓w的表面供給憎水劑之前的時刻，從ipa供給源71供給與diw置換的ipa。一般來說，憎水劑相對于diw是非溶解性的，不會互相混合，因此，存在即使向被diw覆蓋的晶圓w的表面供給憎水劑也難以置換的情況。另外，在憎水劑中，也存在與水發生反應而使憎水化能力降低的憎水劑。因此，通過利用對diw和憎水劑這兩者具有相互溶解性的ipa置換diw，能夠可靠地實施通過之后的憎水劑的供給進行的晶圓w的表面的憎水化處理。

ipa相當于本實施方式的第1溶劑。此外，可用作第1溶劑的溶劑并不限定于ipa，也可以是甲醇、乙醇等醇。ipa噴嘴411相當于第1溶劑供給噴嘴。

憎水劑噴嘴414經由開閉閥v5與憎水劑供給部75連接。從憎水劑供給部75供給用于使晶圓w的表面憎水化、使作用于形成于晶圓w的表面的圖案的表面張力降低的憎水劑。作為憎水劑，能夠采用利用稀釋溶液對三甲基甲硅烷基二甲胺(トリメチル硅ジメチルアミン(tmsdma))、六甲基二硅氮烷(ヘキサメチルジシラザン(hmds))、三甲基甲硅烷基二乙胺(トリメチル硅ジエチルアミン(tmsdea))、二甲基(二甲氨基)硅烷(ジメチル(ジメチルアミノ)シラン(dmsdma))、1，1，3，3－四甲基二硅烷(tmds)等進行稀釋而成的溶液作為憎水劑。這些憎水劑對ipa和后述的hfo具有相互溶解性。憎水劑噴嘴414相當于憎水劑供給噴嘴。

hfo噴嘴413經由開閉閥v3與hfo供給源74連接。從hfo供給源74供給與殘留于晶圓w表面的憎水化處理后的憎水劑置換的hfo。hfo是烯烴中的氫原子的一部分或全部由氟原子取代而成的化學物質的總稱。作為hfo，能夠例示例如シネラ(sinera，科慕化學的美國注冊商標)、スープリオン(suprion，科慕化學的美國注冊商標)等。一般來說，hfo是對憎水劑具有相互溶解性而對水為非溶解性的物質。hfo相當于本實施方式的第2溶劑。hfo噴嘴413相當于第2溶劑供給噴嘴。

另外，在此，若著眼于向由diw進行沖洗清洗后的晶圓w的表面依次供給的ipa、憎水劑、hfo的比重，則ipa的比重(20℃時，是0.79)比憎水劑的比重(在例如tmsdma的情況下，20℃時，是0.75，利用pgmea等溶劑進行稀釋，而成為比0.79大，比1.58小)小。另一方面，hfo的比重(供給溫度(25℃)時，約是1.58)比憎水劑的比重大。

使用圖3進行了說明的各噴嘴411～414的待機位置與處理位置之間的移動、來自各供給源71～75的液體的供給/停止可由已述的控制部18執行。

參照圖4～圖6對使用具有以上進行了說明的結構的處理單元16來實施的液處理的內容進行說明。

此外，在圖5、圖6中示意性地記載了在形成于晶圓w的表面的圖案101內液體710、730、740、750被依次置換的情形。在這些示意圖中，為了圖示方便，記載了液體間的界面，但大多的情況是，在具有相互溶解性的液體之間實際上沒有形成這樣的明確的界面。因而，圖5、圖6是為了容易地理解實施方式的液處理的作用、使預想到在承載件載置部11內發生的液體的置換的情形簡單化、示意化來表述的圖，不是嚴密地表述各液體的特性的圖。

當由基板輸送裝置17輸入到處理單元16內的晶圓w保持于基板保持機構30時，使在待機位置待機著的噴嘴頭42(各噴嘴411～414)向處理位置移動，使晶圓w以預定的旋轉速度旋轉而從化學溶液噴嘴412進行化學溶液的供給(圖4的處理p1)。

由化學溶液進行的處理一結束，就將從化學溶液噴嘴412供給的液體切換成diw而執行沖洗清洗(圖4的處理p2、純水供給工序)。具體而言，在保持使晶圓w旋轉的狀態下，向化學溶液的液膜所存在的晶圓w的中心部供給diw。一執行了預定時間的沖洗清洗，就使來自化學溶液噴嘴412的diw的供給停止，并且從ipa噴嘴411供給ipa而進行與diw的置換(圖4的處理p3、第1溶劑供給工序)。具體而言，在保持使晶圓w旋轉的狀態下，向diw的液膜所存在的晶圓w的中心部供給ipa。

ipa和diw的相互溶解性較高，因此，若向如圖5的(a)所示那樣進入到晶圓w的圖案101內的diw730上供給ipa710，則diw溶解于ipa，被ipa從晶圓w擠出，從而圖案101內的液體被逐漸置換成ipa710(圖5的(b))。

然后，在圖案101內的diw730被充分地置換成ipa710的時刻，使來自ipa噴嘴411的ipa的供給停止，并且，從憎水劑噴嘴414供給憎水劑而進行與ipa的置換(圖4的處理p4、憎水劑供給工序)。具體而言，在保持使晶圓w旋轉的狀態下，向ipa的液膜所存在的晶圓w的中心部供給憎水劑。

憎水劑的比重比ipa的比重大。因此，如圖5的(c)所示那樣供給到晶圓w的表面的憎水劑750一邊將圖案101內的ipa擠出、一邊進入圖案101內(圖5的(d))。而且，疏水劑相對于ipa具有相互溶解性。因此，即使ipa殘存于圖案101內，也會隨著時間的流逝，進行向憎水劑750的溶解，并且，在圖案101內，ipa被從憎水劑噴嘴414供給的憎水劑750從晶圓w擠出并被置換(圖5的(e))。

這樣，通過使用比重比ipa的比重大的憎水劑來置換ipa，能夠將圖案101內的ipa高效地置換成憎水劑。而且，通過使與水的相互溶解性較高、可能含有圖案101內的diw、大氣中的水分的ipa與憎水劑充分地置換，從而能夠抑制因ipa中所含有的水分導致的憎水劑的憎水能力的降低，使憎水處理的效果充分地發揮。

并且，圖案101內的ipa710被充分地置換成憎水劑750，另外，在含有ipa710的晶圓w的表面被充分地憎水化了的時刻，使來自憎水劑噴嘴414的憎水劑的供給停止，并且，從hfo噴嘴413供給hfo(圖4的處理p5、第2溶劑供給工序)。具體而言，在保持使晶圓w旋轉的狀態下，向憎水劑的液膜所存在的晶圓w的中心部供給hfo。hfo例如在常溫(25℃)下被供給。

hfo的比重比憎水劑的比重大。因此，如圖5的(f)所示那樣供給到晶圓w的表面的hfo740一邊將圖案101內的憎水劑擠出，一邊進入圖案101內(圖6的(a))。而且，hfo740相對于憎水劑具有相互溶解性。因此，即使憎水劑殘存于圖案101內，也會隨著時間的流逝，進行向hfo740的溶解，并且，在圖案101內，憎水劑被從hfo噴嘴413供給來的hfo740從晶圓w擠出并被置換(圖6的(b))。

通過如此使用相對于憎水劑具有相互溶解性、且比重比憎水劑比重大的hfo，能夠高效地將圖案101內的憎水劑置換成hfo(圖6的(c))。

并且，在圖案101內的憎水劑750被充分地置換為hfo740的時刻，使來自hfo噴嘴413的hfo的供給停止，通過在保持使晶圓w旋轉的狀態下將hfo去除，進行晶圓w的干燥處理(圖4的處理p6、去除工序)。

在此，發明人發現了如下內容：若在向晶圓w的表面供給憎水劑而進行了晶圓w的表面的憎水化處理之后不將憎水劑置換成其他溶劑而是就直接進行干燥處理，則存在憎水劑的干燥殘渣等就作為顆粒殘存于晶圓w的表面的情況。這一點，通過使用比重比憎水劑的比重大的hfo而將圖案101內的憎水劑750充分地置換成hfo740，能夠抑制憎水劑750的殘存，抑制晶圓w的表面的顆粒污染。

另外，與ipa相比較，hfo與水的相互溶解性較小(是非溶解性的)。因此，與采用ipa作為與憎水劑置換的溶劑的情況相比，難以吸收大氣中的水分。因而，不易發生如下不良情況：在圖案101內形成溶劑(例如ipa)與從大氣吸收來的水分的混合液，在來自隨著干燥處理之際溶劑成分率先干燥的、含有很多水分的混合液的表面張力的作用下，發生圖案倒塌。

而且，hfo(25℃)的表面張力比17[mn/m]小，而ipa(25℃)的表面張力是20[mn/m]左右。在這一點上，與采用ipa作為與憎水劑置換的溶劑的情況相比，作用于圖案101的力也較小。

另外，如已述那樣，hfo與diw的相互溶解性較小，因此，難以與圖案101內的diw置換，并且，水分也有可能使憎水劑的能力降低。因而，若將hfo用于進行憎水劑的供給之前的處理(與圖4的處理p3相對應的處理)中的diw的置換，則在diw殘留于圖案101內的狀態下供給憎水劑，也成為憎水劑的劣化、因水印產生顆粒的原因。

在來自hfo噴嘴413的hfo的供給停止后，一執行了預定時間的晶圓w的干燥處理并將晶圓w的表面的hfo充分地去除，就使晶圓w的旋轉停止，結束對該晶圓w的液處理。然后，以與輸入時相反的順序從處理單元16輸出晶圓w。

根據本實施方式，具有以下的效果。按照向晶圓w的供給順序，ipa、憎水劑、hfo的比重變大，因此，能夠利用比重差而將率先供給的液體從晶圓w的表面去除。而且，在用于沖洗清洗的純水的去除和使晶圓w的表面憎水化的憎水劑的去除使用不同的溶劑(例如第1溶劑的ipa、第2溶劑的hfo)，因此，能夠選擇適于各液體(diw、憎水劑)的去除的溶劑。

在此，與憎水劑的置換所使用的hfo并不限定于在常溫下向晶圓w供給的情況。也可以是，例如在hfo供給源74設置加熱器(第2溶劑加熱部)，將加熱成比ipa(第1溶劑)的沸點高的溫度的hfo向晶圓w供給。例如，例示為hfo的シネラ的沸點是110.5℃，スープリオン的沸點是110.5℃，能夠加熱成比ipa的沸點(82.4℃)高的溫度。在將hfo加熱成接近100℃的情況下，表面張力比約10[mn/m]小，與常溫的hfo(25℃)相比，作用于圖案101的力變得更小。因而，更難以發生圖案倒塌這樣的不良情況。通過供給比重比憎水劑的比重大的hfo，能夠抑制hfo置換后的圖案101中的憎水劑的殘存，降低因hfo的干燥導致的顆粒污染的發生。

并且，在進行了向晶圓w的表面滴下加熱后的hfo(100℃)和ipa(70℃)的預備實驗的結果中，加熱成100℃的hfo在幾秒以內蒸發，而ipa逐漸進行蒸發，到干燥為止的時間比hfo的到干燥為止的時間長。力施加于圖案101的時間越長，發生圖案倒塌的可能性也越大，因此，與采用ipa作為與憎水劑置換的溶劑的情況相比，能以更短時間去除的hfo在這一點上抑制發生圖案倒塌的效果也較好。此外，確認了如下情況：即使是易于干燥的hfo，只要從hfo噴嘴413持續供給充分的量的hfo，也能在晶圓w的表面形成hfo的液膜。

另外，可用作第2溶劑的液體并不限定于hfo，也可以是hfe、hfc。即使是這些物質，向晶圓w的表面的供給溫度下的比重比憎水劑的比重大的物質的置換圖案101內的憎水劑的效果也較好。另外，在這些第2溶劑與憎水劑具有相互溶解性、相對于水是非溶解性的情況下，hfo的置換性也變得更高，也能夠降低吸收大氣中的水分而形成含水的混合液所導致的圖案倒塌的發生。

接下來，參照圖7～圖10對針對圖3所示的hfo供給源74設置有作為第2溶劑加熱部的hfo加熱部74b的hfo的供給機構的結構例和作用進行說明。

在圖7所示的hfo供給源74的下游經由開閉閥v43設置有脫氣部74a，該脫氣部74a用于對溶解于貯存于hfo供給源74的hfo中的溶解氣體進行脫氣。脫氣部74a成為在主體部741內收容ptfe(聚四氟乙烯，polytetrafluoroethylene)等樹脂材料制的很多根空心纖維膜742、并且使供hfo流通的各空心纖維膜742的內側的空間與空心纖維膜742的外部側分離開的構造。從hfo供給源74供給來的hfo從空心纖維膜742的束的一端側朝向另一端側流通、并且對主體部741內進行真空排氣，從而溶解于hfo的氣體通過空心纖維膜742而朝向主體部741外部的真空排氣側排出。通過了脫氣部74a的hfo被送向脫氣部74a的下游側。

在脫氣部74a的下游側設置有進行hfo的加熱的hfo加熱部74b。hfo加熱部74b進行hfo的加熱，以使利用設置于其出口側的溫度計746測定的hfo的溫度成為預先設定好的設定溫度。加熱hfo的方法并沒有特別限定，但在圖7所示的hfo加熱部74b中，采用了使用從高頻電源745施加高頻電力的線圈744來進行在加熱容器743內流通的hfo的加熱的感應加熱方式。

在此，發明人發現了如下情況：在向hfo加熱部74b供給的hfo盡管被脫氣部74a預先脫氣，但例如所述設定溫度設定于將近100℃時，存在hfo加熱部74b的出口側的hfo內含有可目視的大小的氣泡的情況。認為這些氣泡是未被脫氣部74a去除凈的溶解氣體由于hfo加熱部74b的加熱而生長(膨脹)而成的。

若將含有氣泡的hfo向hfo噴嘴413供給，有可能引起hfo的供給流量的測定誤差。另外，產生與含有氣泡的狀態的hfo向晶圓w的表面供給相伴的缺陷，而且，也有可能產生氣泡在hfo噴嘴413的出口破裂而生成的飛沫所造成的處理單元16內的污染。

另一方面，只要氣泡的產生原因是hfo加熱部74b對hfo的加熱，就想到在hfo加熱部74b的后段設置脫氣部74a，將hfo內的溶解氣體與所生長的氣泡一起去除即可。然而，如已述那樣，空心纖維膜742由ptfe等樹脂材料形成，因此，存在產生樹脂向hfo等溶劑溶出的情況。尤其是，確認到：若將作為溶劑的hfo加熱成例如將近100℃而向樹脂材料制的空心纖維膜742供給，則存在構成空心纖維膜742的樹脂的一部分向hfo中溶出而成為顆粒的情況。

因此，本例的hfo的供給機構在hfo加熱部74b的下游側還設置有氣液分離部74c，能夠從被hfo加熱部74b加熱后的hfo分離氣泡。

例如氣液分離部74c具有上下兩面被堵塞、縱置地配置的圓筒形狀的氣液分離容器747。氣液分離容器747的側面的中段的高度位置與供從hfo加熱部74b流出來的hfo流動的管線連接。另外，氣液分離容器747的下部側與朝向hfo噴嘴413供給氣液分離后的hfo的管線連接，而在氣液分離容器747的上部側與將從hfo分離出的氣體排出而進行排氣的管線連接。

在將氣體排出的管線設置有由例如節流閥、針閥構成的壓力調節器748(圖7中示出了設置有節流閥作為壓力調節器748的例子)。壓力調節器748具有對氣液分離容器747內的壓力進行調節的功能，以使流入到氣液分離容器747內的hfo中的氣泡進一步生長，易于利用hfo與氣泡之間的比重差來進行氣液分離。在壓力調節器748的下游側設置有開閉閥v42，該下游側與未圖示的排氣處理設備連接。

另一方面，將氣泡被分離出的hfo向hfo噴嘴413供給的管線在開閉閥v4的上游側分支。該分支管線經由開閉閥v41與溶劑回收部749連接。

另外，在氣液分離部74c的氣液分離容器747主體、從氣液分離容器747到hfo噴嘴413的hfo的供給管線的配管設置有由帶加熱器等構成的加熱部701，以便將預先設定好的溫度(例如100℃)的hfo從hfo噴嘴413噴出。另外，也可以進行氣液分離容器747、所述配管的絕熱保溫來替代加熱部701。

對具有上述的結構的hfo的供給機構的作用進行說明。

首先，hfo的供給機構使hfo供給源74的下游側的開閉閥v43關閉而停止hfo的供給，使hfo加熱部74b以斷開的狀態待機(未圖示)。

另一方面，在處理單元16側，按照使用圖4進行了說明的順序，依次執行對晶圓w進行的化學溶液處理p1～憎水化處理p4。并且，在比開始來自hfo噴嘴413的hfo的供給(hfo置換處理p5)的時刻靠前預定時間的時刻，打開開閉閥v43，向hfo供給源74的下游側供給hfo，并且，開始脫氣部74a對hfo的脫氣、hfo加熱部74b對hfo的加熱(圖8)。

隨著hfo的溫度上升，hfo加熱部74b的出口側的hfo處于含有氣泡的狀態。含有氣泡的hfo在流入氣液分離部74c的氣液分離容器747內之后，暫且積存于氣液分離容器747的下部側的區域。比重比hfo的比重小的氣泡在hfo的儲存液(日文：液溜まり)內上升，在向氣液分離容器747內的上部側的空間釋放之后，經由排氣管線向外部排氣。

氣泡分離后的hfo從氣液分離容器747排出，但直到hfo的溫度到達設定溫度、且成為開始hfo置換處理p5的時刻為止，經由已述的分支管線向溶劑回收部749排出。

并且，hfo的溫度一到達設定溫度、成為hfo置換處理p5的開始時刻，就打開hfo噴嘴413側的開閉閥v4，而關閉分支管線側的開閉閥v41，開始向晶圓w供給加熱hfo(圖9)。其結果，在晶圓w的表面上，基于使用圖5的(f)～圖6的(c)進行了說明的作用，進行憎水劑750與hfo740的置換。

在hfo置換處理p5的期間內，也在氣液分離部74c中進行了隨著hfo的加熱而生長的氣泡的去除，因此，向晶圓w供給氣泡被去除后的hfo，能夠抑制隨著含有氣泡的hfo的供給發生的各種的不良情況。

一實施了預定時間的hfo的供給(hfo置換處理p5)，就將來自氣液分離容器747的hfo的排出目標再次切換成分支管線側，并且hfo加熱部74b的加熱結束，繼續向溶劑回收部749側排出hfo直到hfo加熱部74b的出口的hfo的溫度降低成例如室溫～60℃左右(圖10)。hfo的溫度一降低，就關閉hfo供給源74的下游側的開閉閥v43，并且，脫氣部74a對hfo的脫氣結束而等待對下一個晶圓w的hfo置換處理p5的執行時刻。

以上，在使用圖7～圖10進行了說明的hfo的供給機構中，對在hfo加熱部74b的跟前設置有利用了空心纖維膜742的脫氣部74a的例子進行了說明。

另一方面，在通過在例如hfo的廠商側等進行了脫氣等、儲藏到hfo供給源74的hfo的脫氣操作完成了的情況下，也可以省略hfo加熱部74b的跟前的脫氣部74a的設置。即使在該情況下，若加熱hfo，則也存在氣泡生長的情況，因此，通過在hfo加熱部74b的后段設置氣液分離部74c，能夠向hfo噴嘴413供給氣泡分離后的hfo。

而且，作為其他實施方式，也可以向結束了干燥處理p6的晶圓w的表面供給蝕刻氣體。要被供給憎水劑的晶圓w進行化學溶液處理p1之際，存在利用臭氧水等酸性的化學溶液對晶圓w表面進行氧化的處理的情況。另外，在使用憎水劑來進行了晶圓w的憎水化處理p4之后，也存在憎水性的官能基、例如含有si原子的硅基存在于晶圓w的表面的情況。

由于晶圓w的表面氧化而形成的氧化膜、存在于晶圓w的表面的硅基也成為引起后段的成膜工序中的成膜不全、或使晶圓w的電特性降低的主要原因。因此，也可以是，向結束了干燥處理p6的晶圓w的表面供給氟化氫氣體等蝕刻氣體而對這些氧化膜、硅基等不需要的官能基進行蝕刻而將其去除，抑制伴隨著這些氧化膜、官能基的存在而發生的不良情況。

接下來，對在供給由hfo加熱部74b加熱后的hfo而進行hfo置換(第2溶劑供給工序)時、在執行晶圓w的干燥處理(hfo的去除工序)p6時使晶圓w的表面的圖案倒塌的發生風險降低的例子進行說明。在此，在本例子中，在向旋轉的晶圓w的中央部供給加熱hfo而進行了hfo置換處理p5之后，通過使來自hfo噴嘴413的hfo的供給位置從旋轉的晶圓w的中央部側向周緣部側移動，從晶圓w表面將hfo去除(干燥處理p6)。

在該情況下，如圖11所示，可使用具有圖2、圖3所示的處理流體供給部40(hfo噴嘴413)、圖7所示的hfo供給源74、hfo加熱部74b等的供給機構而進行hfo的供給。在本例的基板保持機構30a中，晶圓w由設于保持部31的多個支承銷311保持，在保持部31的上表面與晶圓w的背面之間形成有間隙。

另外，在支柱部32和保持部31形成有用于從晶圓w的中央部的下方位置朝向所述間隙供給加溫流體的溫水流路321。溫水流路321的上游側與供給被加熱成比沸點(100℃)低的溫度、優選50℃以上的例如75℃的作為加溫流體的diw的溫水的溫水供給源76連接。該溫水在被加熱成小于hfo的液溫的溫度的狀態下供給。

若通過使支柱部32旋轉，一邊使晶圓w旋轉一邊從溫水流路321供給溫水，則溫水向所述間隙內擴散，能夠向晶圓w的整個背面供給溫水。

溫水對晶圓w的加溫是為了在進行了基于加熱后hfo的hfo置換處理p5之后、執行晶圓w的干燥處理(hfo的去除工序)p6時降低晶圓w的表面的圖案倒塌的發生風險而實施的。

如已述那樣，在本例中，在向旋轉的晶圓w的中央部供給加熱hfo而進行了hfo置換處理p5之后，通過使來自hfo噴嘴413的hfo的供給位置從旋轉的晶圓w的中央部側向周緣部側移動，實施從晶圓w表面去除hfo(干燥處理p6)。

首先，在供給加熱后的hfo而進行了與憎水劑的置換處理之后，在使hfo的供給位置從晶圓w的中央部側向周緣部側移動之際，想到對晶圓w也不進行任何溫度調整的情況。確認了如下內容：若采用該方法，則存在圖案倒塌的發生風險從晶圓w的面內的中央部側朝向周緣部側逐漸上升的傾向。

在一邊使晶圓w旋轉一邊進行加熱hfo的供給時，越朝向晶圓w的周緣側，晶圓w的表面的各位置處的切線方向上的速度越大，并且，單位面積的加熱hfo的供給量也越少。其結果，晶圓w的周圍的氣氛對hfo的空氣冷卻的影響變大，因此，認為：表面張力因hfo的溫度降低幅度變大而增大，隨著朝向周緣部側去圖案倒塌的發生風險變大。

因此，本例的基板保持機構30a通過從溫水流路321向晶圓w的背面側供給溫水來抑制一邊使hfo的供給位置移動一邊進行hfo的去除之際的晶圓w的溫度降低，由此，具有抑制發生圖案倒塌的背面加熱機構。

這樣，在具有向晶圓w的背面側供給溫水的機構的基板保持機構30a中，也可以是，在一邊使hfo的供給位置移動一邊進行hfo的去除的期間內，進行向晶圓w的背面側的溫水供給。在進行hfo的去除的期間內，若始終進行溫水供給，則與不進行溫水供給的情況相比較，在晶圓w的周緣部側，能夠減小圖案倒塌的發生風險。

另一方面，若始終進行溫水供給，則與不進行溫水供給的情況相比較，確認到晶圓w的中央部側存在溫度降低的傾向(圖21)。若溫度較低，則圖案倒塌的發生風險相對變高。但是，不言而喻，無論有無從晶圓w的背面側供給溫水，通過供給加熱后的hfo，與不加熱hfo的情況相比較，能夠使圖案倒塌的發生數量降低。

作為晶圓w的中心部的溫度如此降低的原因，認為：在向晶圓w的背面供給的溫水的溫度比加熱hfo的溫度低的情況下，溫水就將加熱hfo冷卻。即，出于diw的沸騰防止、設備制約等觀點考慮，溫水以比沸點低的溫度、例如75℃供給。與此相對，在加熱hfo以比溫水高的溫度供給的情況下，在供給到晶圓w的hfo的溫度維持到比較高的溫度的區域，即在晶圓w的中央部側的區域內，存在晶圓w上的hfo就被供給到背面側的溫水冷卻的情況。在這樣的情況下，認為：若溫水對hfo的冷卻的影響變大，則hfo的表面張力就增大，圖案倒塌的發生風險在晶圓w的中央部側相對變高。

基于這些現象，具有本例的基板保持機構30a的處理單元16在恰當的時刻開始向晶圓w的背面供給溫水，從而能夠發揮出加熱hfo的供給對表面張力的降低的效果。

參照圖12的(a)～(d)對利用上述的基板保持機構30a而對晶圓w實施的處理進行說明。此外，為了方便圖示，在圖12的(a)～(d)中，省略保持部31、支柱部32的記載。

向晶圓w的中央部的上方側配置hfo噴嘴413，進行向供給有憎水劑的晶圓w的表面供給加熱hfo而與憎水劑置換的處理(圖4的hfo置換處理p5)。在實施了該hfo置換處理預定時間之后，使hfo噴嘴413從中央部側朝向周緣部側移動，從而開始hfo的去除(干燥處理p6)(圖12的(a))。

若使hfo噴嘴413移動，則在作用于hfo740的離心力比較小的晶圓w的中央部側的區域中，形成殘存液膜740a，該殘存液膜740a的膜厚薄于在比hfo的供給位置靠外周側的位置形成的液膜(圖12中的hfo740)的膜厚。在存在有該殘存液膜740a時，若向晶圓w的背面供給比加熱hfo低的溫度的溫水，則構成殘存液膜740a的hfo的溫度降低而表面張力變大，在hfo蒸發之際易于引起圖案倒塌。

因此，于在晶圓w的中央部側的區域形成有hfo的殘存液膜740a的期間內，不向晶圓w的背面側供給溫水，等待殘存液膜740a在離心力和揮發的作用下從晶圓w上消失(圖12的(b))。“殘存液膜740a消失”是在一邊使hfo的供給位置移動一邊目視觀察旋轉的晶圓w的情況下無法確認到殘存液膜740a的存在的狀態。

在此，優選從晶圓w的中央部側向周緣部側移動的hfo噴嘴413的移動速度設定成在殘存液膜740a揮發的時刻hfo噴嘴413未到達晶圓w的周緣部側的程度的移動速度。若hfo噴嘴413的移動速度變得過大，則在開始向晶圓w的背面側供給溫水之前hfo噴嘴413就到達晶圓w的周緣部側，該周緣部側的圖案倒塌的發生風險有可能變大。更詳細而言，優選設定成在中央部側的區域的殘存液膜740a從晶圓w上消失的時刻hfo噴嘴413位于晶圓w的比半徑的1/2靠內側的位置的程度的移動速度。此外，在從晶圓w的中央部側向周緣部側移動的hfo噴嘴413的移動路徑上，hfo噴嘴413的移動速度既可以是恒定的，也可以在移動的中途使移動速度變化。

并且，在不供給hfo的中央部側的區域中的殘存液膜740a從晶圓w上消失的時刻，從溫水流路321開始向晶圓w的背面供給溫水(圖12的(c))。hfo噴嘴413相對于各晶圓w的移動速度是恒定的(在使hfo噴嘴413的移動速度變化的情況下，移動速度的變化工序是相同的)，在來自hfo噴嘴413的hfo740的噴出流量、晶圓w的旋轉速度等條件一致的情況下，針對殘存液膜740a從晶圓w消失的時刻，即使對不同的晶圓w進行處理，從中央部側向周緣部側的移動路徑上的hfo噴嘴413的位置也大致恒定。

因此，在本例的處理單元16中，利用預備實驗等來對晶圓w的中央區域的殘存液膜740a從晶圓w上消失的時刻、該時刻的所述移動路徑上的hfo噴嘴413的位置進行把握。并且，在處理各晶圓w時，基于所述對應關系在hfo噴嘴413到達了所述移動路徑上的預先設定好的位置的時刻開始向晶圓w的背面供給溫水。

在開始向晶圓w的背面供給溫水之后，hfo噴嘴413也一邊噴出hfo、一邊沿著所述移動路徑朝向晶圓w的周緣部側移動(圖12的(d))。在晶圓w的周緣部側，隨著空氣冷卻的影響而產生的hfo的溫度降低被溫水的供給緩和，hfo的表面張力的增大受到抑制，能夠抑制圖案倒塌的發生。

在hfo噴嘴413到達了晶圓w的周緣部之后，使來自hfo噴嘴413的hfo的供給和來自溫水流路321的溫水的供給停止，而使晶圓w繼續旋轉而將殘存的hfo、溫水甩干，之后，使晶圓w的旋轉停止。

在此，向晶圓w的背面供給的加溫流體并不限定于溫水。既可以使用例如加熱后的hfo，也可以利用加熱后的氣體、例如加熱清潔空氣來抑制晶圓w的溫度降低。

接著，對具有用于抑制憎水劑噴嘴414內的憎水劑(例如tmsdma)因與大氣中的水分接觸所造成的憎水化能力的降低的機構的各種的參考形態進行說明。

作為液處理裝置的處理單元16具有在從憎水劑噴嘴414不供給憎水劑的期間內抑制含有水分的大氣進入憎水劑噴嘴的大氣阻斷機構。

例如，圖13、圖14所示的第1參考形態在圖3所示的待機部23的配置位置設置有覆蓋退避到待機位置的憎水劑噴嘴414的頂端部的待機用蓋部241、242。待機用蓋部241、242與作為非活性氣體的氮(n2)氣體供給用的吹掃氣體供給管線243、吹掃氣體供給部244連接，以便抑制含有水分的大氣進入這些待機用蓋部241、242內。

圖13所示的待機用蓋部241在形成有憎水劑的噴出口的憎水劑噴嘴414的下端面與待機用蓋部241的底面之間以及插入到待機用蓋部241的憎水劑噴嘴414的外周側面與待機用蓋部241的內周側面之間形成有用于使n2氣體流通的間隙。在本例中，在憎水劑噴嘴414插入待機用蓋部241的期間內，始終向待機用蓋部241內供給n2氣體來抑制大氣的進入，抑制待機用蓋部241內的憎水劑的憎水化能力的降低。

另外，圖14所示的待機用蓋部242使形成有憎水劑的噴出口的憎水劑噴嘴414的下端面與待機用蓋部242的底面抵接來抑制大氣的進入。在該情況下，只要在憎水劑噴嘴414的外周側面與待機用蓋部242的內周側面之間形成在憎水劑噴嘴414的插入、拔出時這些面不互相摩擦而產生顆粒的程度的間隙即可，無需形成使n2氣體流通的間隙。能夠例示如下方法：在憎水劑噴嘴414插入到待機用蓋部242的狀態下不進行n2氣體的供給的情況下，在即將進行例如憎水劑噴嘴414的插入動作之前的時刻從吹掃氣體供給管線243向待機用蓋部242供給n2氣體，將內部的大氣排除。

圖15、圖16所示的第2參考形態示出了如下的例子：在將包括憎水劑噴嘴414在內的、設置于噴嘴頭42的噴嘴411～414整體插入到要進行虛擬分配動作等的待機槽部251、252的狀態下待機。對于這些待機槽部251、252，也設置于圖3所示的待機部23的配置位置。待機槽部251、252與用于向待機槽部251、252內供給n2氣體而進行大氣的排除的吹掃氣體供給管線254、吹掃氣體供給部255連接，以便抑制含有水分的大氣進入這些待機槽部251、252內。

在圖15所示的設于待機槽部251的上表面側的開口部的周圍設置有作為密合部的o形密封圈253，該密合部用于與例如噴嘴頭42的下表面抵接來氣密地確保待機槽部251的內部空間。并且，在即將將各噴嘴411～414插入待機槽部251的所述開口部之前的時刻，向待機槽部251供給n2氣體，將內部的大氣排除后，插入各噴嘴411～414而使待機槽部251內密閉。在待機槽部251內密閉了之后，停止n2氣體的供給。另外，為了防止來自外部的大氣的進入，在不進行虛擬分配等的期間內，預先關閉排出通路管線256的開閉閥v6。

另一方面，在圖16所示的待機槽部252中，在形成有供各噴嘴411～414插入的開口部的待機槽部252的上表面與噴嘴頭42的下表面之間，使噴嘴頭42在形成用于使n2氣體流通的間隙257的高度位置待機。并且，在例如將噴嘴411～414插入到待機槽部252的期間內，始終向待機槽部252內供給n2氣體來抑制大氣的進入。

在圖17、圖18所示的第3參考形態中，憎水劑噴嘴414a的頂端部成為中央側的憎水劑供給路451以及周緣部側的吹掃氣體供給路452這樣的雙層管構造，中央側的憎水劑供給路451進行憎水劑的供給，周緣部側的吹掃氣體供給路452用于從憎水劑的噴出口的周圍排除大氣而防止大氣進入憎水劑供給路451內。從吹掃氣體供給管線453向吹掃氣體供給路452供給n2氣體。另外，吹掃氣體供給路452以噴出來的n2氣體在憎水劑的噴出口的下方位置合流的方式朝向斜下方側開口。

并且，在噴出著憎水劑的期間內，使來自吹掃氣體供給路452的n2氣體的供給停止(圖17)，在沒有噴出憎水劑的期間內，從吹掃氣體供給路452供給n2氣體來抑制大氣進入憎水劑供給路451(圖18)。另外，如圖18所示，在n2氣體的供給期間內，通過進行將憎水劑供給路451的噴出口附近的憎水劑向上游側吸入的倒吸動作，能夠抑制隨著n2氣體的流動所產生的憎水劑的干燥。

在圖19、圖20所示的第4參考形態中，憎水劑噴嘴414的頂端部被底面的開口的蓋部461覆蓋。該蓋部461與向蓋部461內供給n2氣體而進行大氣的排除的吹掃氣體供給管線463連接，以防止大氣進入憎水劑噴嘴414的內部。

并且，在例如噴出著憎水劑的期間內，將設于吹掃氣體供給管線463的開閉閥v7關閉而使n2氣體向蓋部461內的供給停止。從憎水劑噴嘴414的噴出口噴出來的憎水劑通過設于蓋部461的底面的開口而向晶圓w供給(圖19)。

另一方面，在不噴出憎水劑的期間內，將開閉閥v7打開而從吹掃氣體供給管線463供給n2氣體來抑制大氣向憎水劑噴嘴414內進入(圖20)。另外，在本例中，也如圖20所示，也可以是，在n2氣體的供給期間內，進行將憎水劑噴嘴414內的噴出口附近的憎水劑向上游側吸入的倒吸動作而抑制憎水劑的干燥。

通過設置圖13～圖20的各種的參考形態的大氣阻斷機構，能夠省略為了使憎水化能力有可能降低了的憎水劑噴嘴414的頂端側的憎水劑不向晶圓w供給而在晶圓w的外方位置噴出憎水劑的虛擬分配操作，或能夠降低虛擬分配時的憎水劑的噴出量。

【實施例】

(實驗)

在一邊使hfo的供給位置從晶圓w的中央部側朝向周緣部側移動一邊進行hfo的去除時，使溫水向晶圓w的背面的供給條件變化而測定了晶圓w表面的溫度推移。

a.實驗條件

在利用憎水劑對旋轉的晶圓w進行了憎水化處理p4之后，供給已加熱到100℃的hfo而實施hfo置換處理p5，接下來使hfo的供給位置從晶圓w的中央部側向周緣部側移動，從而實施了干燥處理p6。

(實施例)

在執行干燥處理p6時，在hfo噴嘴413到達了距晶圓w的中心40mm的位置的時刻開始了向晶圓w的背面供給已加熱成75℃溫水。測定了該情況下的距hfo的供給位置預定的距離的內側位置處的晶圓w的溫度的推移。此時，在hfo噴嘴413到達距晶圓w的中心40mm的位置的時刻，成為殘存液膜740a大致消失的狀態。另外，內側位置是從hfo噴嘴413噴出來的hfo到達晶圓w的表面的位置向晶圓w的半徑方向內側分開幾mm左右的位置，相當于在殘存液膜740a蒸發了之后的、干燥了的晶圓w的表面與hfo740之間的界面的位置。

(參考例1)

除了不向晶圓w的背面供給溫水這點之外，以與實施例同樣的條件測定了晶圓w的溫度推移。

(參考例2)

除了在使hfo噴嘴413移動的期間內始終向晶圓w的背面供給了溫水這點之外，以與實施例同樣的條件測定了晶圓w的溫度推移。

b.實驗結果

實施例和參考例1、2中的hfo的供給位置的內側位置的溫度的推移表示在圖21中。圖21的橫軸是半徑方向上距晶圓w的中心的距離。圖21的縱軸表示了hfo噴嘴413移動過來的時刻的所述內側位置的溫度。在圖21中以實線表示實施例的溫度推移的趨勢線，參考例1、2的各趨勢線以虛線或單點劃線表示。

根據圖21，對于實施例中的hfo的供給位置的內側位置處的溫度，在晶圓w的中心部側，最高約85℃，隨著hfo噴嘴413向晶圓w的周緣部側移動而逐漸地降低了。并且，在hfo噴嘴413到達了晶圓w的外周端時，所述內側位置的溫度最低，是約65℃。

與此相對，在不進行溫水的供給的參考例1中，晶圓w的中央部側的區域內的溫度推移與實施例大致相同，但hfo噴嘴413在到達距晶圓w的中心約40mm的位置以后，所述內側位置的溫度急劇地降低，而且，在到達晶圓w的外周端時降低到了約40℃。與此相對，在始終向晶圓w的背面供給了溫水的參考例2中，在hfo噴嘴413到達距晶圓w的中心約65mm的位置之后，呈現了與實施例大致相同的溫度推移。另一方面，在晶圓w的中央側的區域內受到比hfo(100℃)低的溫度的溫水(75℃)供給的影響，內側位置的溫度較大程度地降低了。