1.一種體異質結鈣鈦礦薄膜,其特征在于,所述體異質結鈣鈦礦薄膜包括:
體異質結層,所述體異質結層包括作為電子給體材料的鈣鈦礦多晶薄膜、和位于所述鈣鈦礦多晶薄膜的晶界位置的電子受體材料;以及
位于所述體異質結層表面的鈣鈦礦薄膜層。
2.根據權利要求1所述的體異質結鈣鈦礦薄膜,其特征在于,所述鈣鈦礦多晶薄膜和/或所述鈣鈦礦薄膜層的化學組成為ABX3,其中,A為一價陽離子或混合陽離子,優選為CH3NH3+、NH2-CH=NH2+、Cs+、Li+、C4H9NH3+、CH6N3+、Na+、K+中的至少一種;B為Pb2+、Sn2+、Ge2+、Co2+、Fe2+、Mn2+、Cu2+、Ni2+中的至少一種;X為Cl?、Br?、I?、SCN-、BF4-中的至少一種。
3.根據權利要求1或2所述的體異質結鈣鈦礦薄膜,其特征在于,所述電子受體材料為納米晶TiO2、納米晶SnO2、納米晶ZnO、富勒烯、富勒烯衍生物、苝酰亞胺、萘酰亞胺、基于拓展噻吩稠環的有機大分子受體材料、石墨烯、炭黑、石墨、納米晶Fe2O3、納米晶ZnSnO3、納米晶CdS、納米晶CdSe中的至少一種。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的體異質結鈣鈦礦薄膜,其特征在于,所述體異質結鈣鈦礦薄膜的厚度在100~700nm。
5.一種權利要求1至4中任一項所述的體異質結鈣鈦礦薄膜的制備方法,其特征在于,包括:
將第一鈣鈦礦前驅體溶液和電子受體材料混合得到鈣鈦礦/電子受體材料分散液;
將所述鈣鈦礦/電子受體材料分散液涂覆在基底上,于其上再涂覆第二鈣鈦礦前驅體溶液,形成體異質結前驅體薄膜;
將所述體異質結前驅體薄膜進行結晶處理,得到所述體異質結鈣鈦礦薄膜。
6.根據權利要求5所述的體異質結鈣鈦礦薄膜的制備方法,其特征在于,第一鈣鈦礦前驅體溶液和/或第二鈣鈦礦前驅體溶液的制備包括:將B的鹵化物溶液、X的一價陽離子鹽、以及第一溶劑混合;其中,所述第一溶劑為擁有含氧基團溶劑,優選二甲基甲酰胺、二甲亞砜、γ-丁內酯、N-甲基-2-吡咯烷酮中的至少一種。
7.根據權利要求5或6所述的體異質結鈣鈦礦薄膜的制備方法,其特征在于,在所述體異質結前驅體薄膜的成膜過程中,還包括在薄膜表面滴加第二溶劑的步驟,所述第二溶劑選自乙醚、正己烷、石油醚、甲苯、氯苯、二氯甲苯中的至少一種。
8.根據權利要求5至7中任一項所述的體異質結鈣鈦礦薄膜的制備方法,其特征在于,所述結晶處理采用熱處理方式或者非熱處理方式,所述熱處理方式為熱板加熱、烘箱加熱、燒結爐加熱、微波加熱、或激光照射處理,所述熱處理的溫度為室溫~150℃,處理時間為0~120分鐘;所述非熱處理方式為溶劑揮發誘導薄膜結晶。
9.一種鈣鈦礦太陽能電池,其特征在于,所述鈣鈦礦太陽能電池從下向上依次包括:透明導電基底、空穴阻擋層、權利要求1至4中任一項所述的體異質結鈣鈦礦薄膜、空穴傳輸層和頂電極。