技術總結
本發明涉及一種在電極表面快速生長圖形化石墨烯的方法，其特征在于，包括以下步驟：（1）提供一具有電極的基板，所述電極由金屬材料構成；（2）將所述基板置于碳源的環境下，利用激光照射所述電極的表面，被照射處原位生長出石墨烯膜層。本發明一方面降低了金屬電極被氧化的風險，另一方面利用激光輻照的方法產生的局域高溫僅處于誘導出石墨烯生長的電極表面，可以最大限度地不破壞薄膜晶體管的結構；配合光束的掃描運動，還可實現快速而精細的圖形化結構；另外，石墨烯良好的導電性能也將有助于提升整個器件的性能。
技術研發人員：陳耿旭;郭太良;陳惠鵬;胡海龍;葉蕓
受保護的技術使用者：福州大學
文檔號碼：201710045367
技術研發日：2017.01.22
技術公布日：2017.05.10