1.一種逆導型絕緣柵雙極型晶體管，包括元胞區和結終端區；所述元胞區包括第一N型漂移區(6)，所述第一N型漂移區(6)的上層具有P型基區(5)，所述P型基區(5)的上層具有N型源區(4)；所述第一N型漂移區(6)的上表面具有和柵極，所述柵極由柵氧化層(2)和位于柵氧化層(2)上表面的柵電極(1)構成；柵氧化層(2)的下表面還與部分P型基區(5)和部分N型源區(4)的上表面接觸，部分P型基區(5)的上表面和部分N型源區(4)的上表面還具有金屬化陰極(3)；第一N型漂移區(6)的下層具有N型陽極區(7)和P型陽極區(8)，所述N型陽極區(7)和P型陽極區(8)并列設置，且P型陽極區(8)位于靠近結終端區一側；
所述結終端區中包括第二N型漂移區(15)，所述第二N型漂移區(15)的上層具有P型等位環(10)和P型場限環(13)，所述P型等位環(10)位于靠近元胞區一側，且P型等位環(10)與相鄰的P型基區(5)接觸，P型等位環(10)的部分上表面與金屬化陰極(3)接觸；所述P型等位環(10)的上表面還具有柵極；所述第二N型漂移區(15)的上表面具有場氧化層(12)，所述場氧化層(12)的下表面還與部分P型等位環(10)和部分P型場限環(13)的上表面接觸，所述場氧化層(12)靠近元胞區的一側具有金屬化場板(11)，所述金屬化場板(11)的下表面與P型等位環(10)和P型場限環(13)的上表面接觸，且金屬化場板(11)還延伸至部分場氧化層(12)的上表面；所述第二N型漂移區(15)的下層具有N型陽極區(14)，所述N型陽極區(14)與P型陽極區(8)并列設置，所述N型陽極區(7)、P型陽極區(8)和N型陽極區(14)的下表面具有金屬化陽極(9)。
2.一種逆導型絕緣柵雙極型晶體管的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：
第一步：在硅片上生長場氧化層，形成第一N型漂移區(6)、第二N型漂移區(15)和場氧化層(12)；其中，第一N型漂移區(6)、第二N型漂移區(15)并列設置，場氧化層(12)位于第一N型漂移區(6)和第二N型漂移區(15)上表面；
第二步：刻蝕部分場氧化層，在第二N型漂移區(15)上層進行離子注入完成結終端的制作，形成P型等位環(10)和P型場限環(13)；其中，P型等位環(10)位于靠近第一N型漂移區(6)的一側
第三步：在第一N型漂移區(6)上表面的一側通過熱氧化形成柵氧化層2，并在柵氧化層(2)上淀積一層多晶硅/金屬再刻蝕形成柵電極(3)；
第四步：在第一N型漂移區(6)上層注入P型雜質并推結形成P型基區(5)；
第五步：在第一N型漂移區(6)上層注入N型雜質形成N型源區(4)；所述N型源區(4)位于P型基區(5)中；
第六步：在器件上表面淀積BPSG絕緣介質層，刻蝕歐姆接觸孔；
第七步：在P型基區(5)、N型源區(4)、P型等位環(10)以及P型場限環(13)上表面淀積金屬，形成陰極金屬(1)和金屬化場板(11)；
第八步：淀積鈍化層；
第九步：對第一N型漂移區(6)和第二N型漂移區(15)的下表面進行減薄、拋光處理，采用較高能量注入P型雜質形成P型陽極區(8)；
第十步：對第一N型漂移區(6)和第二N型漂移區(15)的下表面的部分區域采用離子注入比第九步中注入的P型雜質更高摻雜濃度的N型雜質形成N型陽極區(7)和N型陽極區(14)；所述N型陽極區(7)、N型陽極區(14)和P型陽極區(8)并列設置，且P型陽極區(8)位于N型陽極區(7)和N型陽極區(14)之間；
第十步：在器件下表面進行金屬淀積以形成金屬化陽極(9)。