本發明涉及一種超薄硅片加工技術,尤其涉及一種用于減薄硅片加工的撕膜操作臺。
背景技術:
在對硅片進行減薄處理時,需要頻繁地將硅片轉移到不同的操作平臺上,以完成各種加工工藝;由于硅片正面已預先制作好光敏結構,為避免轉移和操作過程中將光敏結構劃傷,通常會在硅片正面貼裝保護膜,待減薄處理完成后再將保護膜撕掉,由于減薄后的硅片(尤其是超薄硅片)的結構強度十分脆弱,因此對撕膜操作的精細化程度要求較高,通常由人工進行,具體操作時,一般將硅片背面朝下地放置在一實心臺面上進行撕膜操作,存在的問題是:在減薄過程中,硅片的背面已進行了高精度的拋光處理,如果拋光面出現損傷,將影響器件性能;而撕膜操作時,硅片的拋光面與實心臺面的接觸面積較大,實心臺面上容易存在微小顆粒,為了使保護膜與硅片分離,操作人員需要對保護膜和硅片邊沿同時施力,施力過程中,實心臺面上的微小顆粒容易劃傷硅片,嚴重時,微小顆粒會導致硅片受力不均出現碎片情況。
技術實現要素:
針對背景技術中的問題,本發明提出了一種用于減薄硅片加工的撕膜操作臺,其創新在于:所述撕膜操作臺由底座、支撐板、多根連接柱和連接嘴組成;所述支撐板為環形結構體,支撐板的上端面形成操作面,所述操作面上設置有環形凹槽,環形凹槽位于支撐板內孔的外圍,支撐板的下端面上設置有一連接孔,連接孔的底部與環形凹槽的底部連通,所述連接嘴的上端套接在連接孔內;所述支撐板設置在底座的正上方,支撐板的上端面與底座的下端面平行;連接柱的上端與支撐板的下端面連接,連接柱的下端與底座的上端面連接,多根連接柱沿支撐板周向設置,連接嘴位于支撐板下端面上相鄰連接柱之間的位置。
使用時,先將連接嘴與負壓提供裝置連接,然后將硅片放置在操作面上,硅片將環形凹槽全部覆蓋,然后通過負壓提供裝置使環形凹槽內產生負壓,在負壓的作用下,硅片邊沿就能緊貼在操作面上,這時,操作人員就可以進行撕膜操作了;采用本發明方案后,硅片上只有邊沿與操作臺接觸,硅片背面與操作裝置的接觸面積較小且接觸部位位于硅片的邊沿,相比于人手施加的作用力,由負壓產生的作用力更為均勻,不會產生受力不均的情況,可有效避免出現碎片情況,操作人員也無需再對硅片施力,只需專注于對保護膜施加作用力,操作較為方便。
優選地,所述操作面的一側設置有臺階面,臺階面能夠讓操作人員的手指伸入硅片下方,便于硅片的放置和拿取。
本發明的有益技術效果是:提供了一種用于減薄硅片加工的撕膜操作臺,該撕膜操作臺可對硅片中部起到較好的保護作用,有效避免碎片情況的發生,操作方便性較好。
附圖說明
圖1、本發明的結構示意圖;
圖2、本發明的使用狀態圖;
圖3、支撐板斷面示意圖;
圖中各個標記所對應的名稱分別為:底座1、支撐板2、環形凹槽2-1、連接孔2-2、多根連接柱3、連接嘴4、超薄硅片5。
具體實施方式
一種用于減薄硅片加工的撕膜操作臺,其創新在于:所述撕膜操作臺由底座1、支撐板2、多根連接柱3和連接嘴4組成;所述支撐板2為環形結構體,支撐板2的上端面形成操作面,所述操作面上設置有環形凹槽,環形凹槽位于支撐板2內孔的外圍,支撐板2的下端面上設置有一連接孔,連接孔的底部與環形凹槽的底部連通,所述連接嘴4的上端套接在連接孔內;所述支撐板2設置在底座1的正上方,支撐板2的上端面與底座1的下端面平行;連接柱3的上端與支撐板2的下端面連接,連接柱3的下端與底座1的上端面連接,多根連接柱3沿支撐板2周向設置,連接嘴4位于支撐板2下端面上相鄰連接柱3之間的位置。
進一步地,所述操作面的一側設置有臺階面。