陣列基板及其制備方法、顯示裝置與流程

本發明的實施例涉及一種陣列基板及其制備方法以及包括該陣列基板的顯示裝置。

背景技術：

薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，簡稱TFT-LCD)具有體積小、功耗低、無輻射等優點，在平板顯示領域中占據著主導地位，在TFT-LCD的制備工藝中，在襯底基板上制備出多個陣列基板后，為保證產品的質量，需要采用檢測設備對陣列基板中的像素進行檢測，以避免在后續的生產流程中，生產出具有缺陷的產品。

例如，在形成像素電極后，再在像素電極上形成數據線和源漏電極層(包括源極和漏極)時，或者，在形成數據線和源漏電極層(包括源極和漏極)后，再在數據線和源漏電極層上形成像素電極時，數據線和像素電極之間容易出現短路的問題，從而造成像素不良，嚴重的甚至造成線導通不良，從而造成薄膜晶體管液晶顯示器無法正常使用。

技術實現要素：

本發明至少一實施例提供一種陣列基板及其制備方法。在該陣列基板的制備過程中，所有的像素電極通過連接單元串聯起來，從而形成線性的電極結構。當數據線與像素電極或者連接單元出現短路時，相當于兩根線之間形成的短路，數據線上的信號在像素電極和連接單元上傳播，極大地削弱了數據線上的信號強度，這樣便于檢測裝置對陣列基板進行檢測。除此之外，連接單元與像素電極同層同材料形成，形成連接單元時不需要增加額外的制作工序。

本發明至少一實施例提供一種陣列基板的制備方法，該制備方法包括：提供襯底基板；在所述襯底基板上形成多條柵線、多條數據線和多個像素電極；其中，所述多條柵線和多條數據線彼此交叉界定了多個像素區域，所述多個像素電極分別位于所述多個像素區域之中，形成所述多個像素電極包括：在所述襯底基板上沉積第一透明導電薄膜；對所述第一透明導電薄膜進行構圖工藝形成所述多個像素電極以及連接相鄰的所述像素電極的連接單元；在所述多個像素電極上形成鈍化層，對所述鈍化層構圖以暴露出所述連接單元的至少部分；對暴露出的所述連接單元的部分進行處理，以將所述多個相互連接的像素電極電性絕緣。

例如，在本實施例提供的制備方法中，所述連接單元與位于所述相鄰的所述像素電極之間的柵線交叉或重疊。

例如，在本實施例提供的制備方法中，所述像素電極為塊狀結構電極、狹縫電極或梳狀電極。

例如，本實施例提供的制備方法，還包括在所述襯底基板上形成源極和漏極，其中，所述源極和所述數據線連接，所述漏極和所述像素電極連接。

例如，本實施例提供的制備方法，還包括在所述鈍化層上形成公共電極。

例如，本實施例提供的制備方法，還包括在所述鈍化層中形成通孔，其中，所述連接單元的至少部分在所述通孔處暴露。

例如，在本實施例提供的制備方法中，對暴露出的所述連接單元的部分進行處理，以將所述多個相互連接的像素電極電性絕緣。

本發明至少一實施例還提供一種采用上述任一制備方法制備的陣列基板，該陣列基板包括：襯底基板；設置在所述襯底基板上的多條柵線、多條數據線和多個像素電極；設置在所述多個像素電極之上的鈍化層；其中，所述多條柵線和多條數據線彼此交叉界定了多個像素區域，所述多個像素電極分別位于所述多個像素區域之中，所述鈍化層在相鄰的兩個所述像素電極之間具有通孔，相鄰的所述像素電極在所述通孔處電性絕緣。

例如，在本實施例提供的陣列基板中，所述通孔至少部分與位于所述相鄰的所述像素電極之間的柵線相對應。

例如，在本實施例提供的陣列基板中，所述像素電極為塊狀結構電極、狹縫電極或梳狀電極。

例如，本實施例提供的陣列基板還可以包括設置在所述襯底基板上源極和漏極，其中，所述源極和所述數據線連接，所述漏極和所述像素電極連接。

例如，本實施例提供的陣列基板還可以包括設置在所述鈍化層上的公共電極。

例如，所述公共電極具有在垂直于所述襯底基板的方向上對應于所述通孔的開口。

本發明至少一實施例還提供一種顯示裝置，包括上述任一的陣列基板。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例的技術方案，下面將對實施例的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅涉及本發明的一些實施例，而非對本發明的限制。

圖1為一種陣列基板的制備方法的流程圖；

圖2為一種陣列基板的平面結構示意圖；

圖3a為本發明一實施例提供的一種陣列基板的制備方法的流程圖；

圖3b為本發明一實施例提供的一種像素電極的制備方法的流程圖；

圖4a-4i為本發明一實施例提供的一種陣列基板的制備過程示意圖；

圖5為本發明一實施例提供的一種陣列基板的制備過程中完成步驟4f后的平面結構示意圖；

圖6為本發明一實施例提供的一種陣列基板的截面結構示意圖；

圖7為本發明一實施例提供的另一種陣列基板的截面結構示意圖。

附圖標記：

1，1’-柵線；2，2’-數據線；3，3’-薄膜晶體管；4，4’-像素電極；5-連接單元；11-襯底基板；12-柵極；13-柵絕緣層；14-有源層；15-漏極；16-源極；18’-鈍化層薄膜；18-鈍化層；19-公共電極；21-通孔；22-第一絕緣層；23-第二絕緣層。

具體實施方式

為使本發明實施例的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合本發明實施例的附圖，對本發明實施例的技術方案進行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實施例是本發明的一部分實施例，而不是全部的實施例。基于所描述的本發明的實施例，本領域普通技術人員在無需創造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。

除非另外定義，本公開使用的技術術語或者科學術語應當為本發明所屬領域內具有一般技能的人士所理解的通常意義。本公開中使用的“第一”、“第二”以及類似的詞語并不表示任何順序、數量或者重要性，而只是用來區分不同的組成部分。“包括”或者“包含”等類似的詞語意指出現該詞前面的元件或者物件涵蓋出現在該詞后面列舉的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“連接”或者“相連”等類似的詞語并非限定于物理的或者機械的連接，而是可以包括電性的連接，不管是直接的還是間接的。“上”、“下”、“左”、“右”等僅用于表示相對位置關系，當被描述對象的絕對位置改變后，則該相對位置關系也可能相應地改變。

在采用目前的制備工藝制備的陣列基板的像素區域(或像素單元)的陣列中，像素電極呈塊狀結構，且每個像素電極獨立分布、互不相連。圖1為一種陣列基板的制備方法的流程圖，該制備方法包括：提供襯底基板；在襯底基板上形成多條柵線、多條數據線；在襯底基板上沉積第一透明導電薄膜；對第一透明導電薄膜進行構圖工藝形成多個相互獨立的像素電極。

例如，圖2為一種陣列基板的平面結構示意圖，該陣列基板采用圖1所示的制備方法制備而成。如圖2所示，柵線1’和數據線2’交叉限定像素區域，薄膜晶體管3’設置在柵線1’和數據線2’交叉的位置處，像素電極4’設置在像素區域內，像素電極4’與數據線2’之間容易出現短路的問題，或者像素電極跨過數據線，容易出現像素電極與像素電極之間短路的問題。像素電極設置成一個個獨立的結構，當數據線上的信號傳送到像素電極上時，信號不能在像素電極之間進行傳輸，從而導致數據線上的信號沒有明顯的減弱。當采用測試儀器對數據線上的信號進行測試時，即使像素電極與數據線之間產生了電導通不良，該電導通不良的問題也無法檢出。此外，由于像素電極由透明的導電材料(例如，氧化銦錫、氧化銦鋅等)制備而成，像素電極本身具有透明性，當采用光學設備對陣列結構進行檢測和后續進行維修時，檢測過程很復雜，且維修困難、繁瑣，維修后也極易產生其他不良的問題。

如上所述，像素電極設置成一個個獨立的結構，當采用測試儀器對數據線上的信號進行測試時，即使像素電極與數據線之間產生了電導通不良，該電導通不良的問題也無法檢出。

針對上述問題，本發明的實施例提供了一種陣列基板的制備方法，該制備方法包括：提供襯底基板；在襯底基板上形成多條柵線、多條數據線和多個像素電極；多條柵線和多條數據線彼此交叉界定了多個像素區域，多個像素電極分別位于多個像素區域之中，形成多個像素電極包括：在襯底基板上沉積第一透明導電薄膜；對第一透明導電薄膜進行構圖工藝形成多個像素電極以及連接相鄰的像素電極的連接單元；在多個像素電極上形成鈍化層，對鈍化層構圖以暴露出連接單元的至少部分；對暴露出的連接單元的部分進行處理，以將多個相互連接的像素電極電性絕緣。

在該實施例的陣列基板的制備過程中，所有的像素電極通過連接單元串聯起來，從而形成了線性的電極結構。當數據線與像素電極或者連接單元出現短路的問題時，相當于兩根線之間形成的短路，數據線上的信號在像素電極和連接單元上傳播，極大地削弱了數據線上的信號強度，這樣便于檢測裝置對陣列基板進行檢測。除此之外，連接單元與像素電極同層同材料形成，形成連接單元時不需要增加額外的制作工序。例如，在源漏電極層(包括源電極和漏電極)和像素電極均形成之后，在形成鈍化層和公共電極的過程中也可以對連接單元進行去除，從而保證各個像素區域的像素電極彼此獨立從而能夠正常工作，且不需要增加額外的工序。

下面通過幾個實施例進行說明。

實施例一

本實施例提供一種陣列基板的制備方法，圖3a為本實施例提供的一種陣列基板的制備方法的流程圖，該制備方法包括如下操作：

步驟101：提供襯底基板；

步驟102：在襯底基板上形成多條柵線、多條數據線和多個像素電極。

例如，多條柵線和多條數據線彼此交叉界定了多個像素區域，多個像素電極分別位于該多個像素區域之中。形成該陣列基板的過程還可以包括在形成像素電極后，再在像素電極上形成數據線和薄膜晶體管的源漏電極層(包括源極和漏極)，也可以包括在形成數據線和薄膜晶體管的源漏電極層(包括源極和漏極)后，再在數據線和源漏電極層(包括源極和漏極)上形成像素電極。

圖3b為本實施例提供的一種像素電極的制備方法的流程圖，例如，形成多個像素電極的過程包括：

步驟201：在襯底基板上沉積第一透明導電薄膜；

步驟202：對第一透明導電薄膜進行構圖工藝形成多個像素電極以及連接相鄰的像素電極的連接單元；

步驟203：在多個像素電極上形成鈍化層，對鈍化層構圖以暴露出連接單元的至少部分；

步驟204：對暴露出的連接單元的部分進行處理，以將多個相互連接的像素電極電性絕緣。

例如，上述處理過程包括：對暴露出的連接單元的部分進行刻蝕，以將多個相互連接的像素電極斷開，或者，采用灰化工藝去除暴露出的連接單元的部分，以將多個相互連接的像素電極斷開，再或者，對暴露出的連接單元的部分進行摻雜處理，以將多個相互連接的像素電極電性絕緣。下面以對暴露出的連接單元的部分進行刻蝕，以將多個相互連接的像素電極斷開為例加以說明。

例如，為了更清楚地說明陣列基板的制備過程，圖4a-4i給出了本實施例提供的一種陣列基板的制備過程示意圖。例如，該制備過程以在形成數據線和源漏電極層(包括源極和漏極)后，再在數據線和源漏電極層(包括源極和漏極)上形成像素電極為例加以說明。

如圖4a所示，提供襯底基板11。例如，襯底基板11是絕緣基板，其材料可以是玻璃、石英、具有一定硬度的樹脂材料或其他適合的材料。

如圖4b所示，在襯底基板11上形成柵線1和柵極12。柵極12為從柵線1上分叉的結構，柵信號通過柵線被施加到柵極12上。

例如，柵極12和柵線1的形成過程包括：采用氣相沉積法、磁控濺射法或真空蒸鍍法等在襯底基板11上沉積一層柵極金屬薄膜，該柵極金屬薄膜的材料為選自鈦、鉭、銅、鋁、鉬、鉻中的一種或多種，或以上金屬任意組合形成的合金中的一種或多種。例如，該柵金屬層的材料可以為銅與其他金屬的組合，例如，銅/鉬(Cu/Mo)、銅/鈦(Cu/Ti)、銅/鉬鈦合金(Cu/MoTi)、銅/鉬鎢合金(Cu/MoW)、銅/鉬鈮合金(Cu/MoNb)等；該柵金屬層的材料也可以為鉻基金屬或鉻與其他金屬的組合，例如，鉻/鉬(Cr/Mo)、鉻/鈦(Cr/Ti)、鉻/鉬鈦合金(Cr/MoTi)等；該柵金屬層的材料還可以為鋁或鋁合金等。

例如，柵極金屬薄膜可為單層或多層結構，相應地，形成的柵極12和柵線1可以為單層或多層結構。在柵極金屬薄膜上待形成柵極圖案的位置形成光刻膠圖案(未示出)，用光刻膠圖案作為掩膜對柵極金屬薄膜進行刻蝕，形成柵極12的圖案，并剝離剩余的光刻膠。

如圖4c所示，在形成有柵極12和柵線1的襯底基板上沉積柵絕緣層薄膜，在該柵絕緣層薄膜上涂覆一層光刻膠(未示出)，并進行曝光、顯影、刻蝕和剝離光刻膠等過程形成柵絕緣層13的圖案。

例如，被用作柵絕緣層薄膜的材料包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氧化鋁(Al₂O₃)、氮化鋁(AlN)或其他適合的材料。

如圖4d所示，在形成有柵極12、柵線1和柵絕緣層13的襯底基板11上沉積半導體層薄膜，在該半導體層薄膜上涂覆一層光刻膠(未示出)，并進行曝光、顯影、刻蝕和剝離光刻膠等過程形成有源層14的圖案。

例如，有源層14設置在柵絕緣層13上，與柵極12相對應，用于有源層14的材料包括非晶硅、金屬氧化物半導體、有機物半導體等。例如，用于形成有源層的金屬氧化物半導體可以包括：氧化銦鎵鋅(IGZO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)或氧化鎵鋅(GZO)等，金屬氧化物半導體層可以利用磁控濺射的方式沉積而成；用于形成有源層的有機物半導體可以包括:金屬有機化合物、聚合物類的聚苯、聚乙炔、聚乙烯咔唑、聚苯硫醚等。

如圖4e所示，在形成有柵極12、柵線1、柵絕緣層13和有源層14的襯底基板11上形成通過連接單元5連接的像素電極4，該像素電極4的材料可以為氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦鎵(IGO)、氧化鎵鋅(GZO)和碳納米管、氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In₂O₃)和氧化鋁鋅(AZO)等透明導電材料。例如，可以利用磁控濺射的方式沉積第一透明導電薄膜，在該第一透明導電薄膜上涂覆一層光刻膠(未示出)，并進行曝光、顯影、刻蝕和剝離光刻膠等過程形成像素電極4和連接單元5的圖案。

如圖4e所示，像素電極4與有源層14設置在同一層且與有源層14間隔設置。

例如，在上述過程中，光刻膠的涂覆可以采用旋涂、刮涂或者輥涂的方式。

如圖4f所示，在有源層14上沉積源漏金屬層薄膜，該源漏金屬層薄膜的材料為銅、銅合金、鋁、鋁合金、鉬、鉬合金或其他適合的材料。例如，采用銅(Cu)基金屬，銅基金屬具有電阻率低、導電性好的特點，采用銅基金屬制備源極和漏極可以提高源極、漏極的信號傳輸速率，提高顯示質量。該銅基金屬為銅(Cu)、銅鋅合金(CuZn)、銅鎳合金(CuNi)或銅鋅鎳合金(CuZnNi)，或者其他性能穩定的銅基金屬合金。

例如，在該源漏金屬層薄膜上涂覆一層光刻膠(未示出)，并進行曝光、顯影、刻蝕和剝離光刻膠等過程形成源極16和漏極15的圖案。在對源漏金屬層薄膜進行構圖形成源極16和漏極15的過程中，也形成了數據線(未示出)。

例如，該源漏金屬層薄膜的厚度可以為200-400nm，例如，可以為200nm、230nm、250nm、300nm、350nm、380nm以及400nm。

例如，在該制備方法中，連接單元5與柵線在空間交叉或重疊。相鄰的兩個像素電極4通過連接單元5連接，連接單元5在襯底基板11上的正投影與柵線1在襯底基板11上的正投影交叉或者重疊(請參照圖5中的線A-A’)。

每個連接單元5將相鄰的像素電極4串聯起來，多個像素電極4通過多個連接單元5串聯形成線性結構，當數據線與像素電極或者連接單元出現短路時，都相當于兩根導線之間形成的短路，數據線上的信號在像素電極和連接單元上傳播，極大地削弱了數據線上的信號強度，便于檢測裝置對陣列基板進行檢測，這樣很容易將電導通不良的問題檢出。

例如，在本實施例提供的制備方法中，像素電極為塊狀結構電極，一個個塊狀的像素電極分別形成在對應的像素區域內，多個塊狀的像素電極4通過多個連接單元5串聯。

例如，圖5為本實施例提供的一種陣列基板的制備過程中完成步驟4f后的平面結構示意圖。在該陣列基板的中間結構中，四條柵線1和兩條數據線2交叉設置限定像素區域，薄膜晶體管3設置在柵線1和數據線2的交叉處，在像素區域內形成有像素電極4，像素電極4為塊狀結構，相鄰的像素電極4通過連接單元5連接。例如，連接單元5在襯底基板上的正投影與柵線1在襯底基板上的正投影交叉或重疊。如圖所示，連接單元5相對于各個像素電極4而言，在柵線延伸方向上的寬度更小，這樣便于在后續步驟中形成較小的通孔來將其刻蝕斷開。另外，雖然圖中僅示出了在相鄰的像素電極4之間形成一個連接單元5，但是也可以形成例如兩個連接單元，這些連接單元在后續步驟中都被斷開。

在本發明的實施例中，像素電極不限于塊狀結構電極，例如還可以為狹縫電極(具有封閉和/或開放的狹縫)或梳狀電極等。

需要說明的是，薄膜晶體管3可以為底柵型薄膜晶體管，也可以為頂柵型薄膜晶體管，圖5只示出了四條柵線和兩條數據線的示意圖，可以在襯底基板上設置更多條柵線1和更多條數據線2。

如圖4f所示，源極16和數據線連接，漏極15和像素電極4連接。例如，漏極可以與像素電極直接連接，也可以在源極、漏極以及數據線上形成絕緣層并對其構圖以在其中形成過孔結構，然后在絕緣層上形成像素電極，漏極通過形成在絕緣層中的過孔結構與像素電極連接。在本實施例中以漏極與像素電極直接連接的方式加以說明。

如圖4g所示，在源極16、漏極15和像素電極4上沉積鈍化層薄膜18’以覆蓋源極16、漏極15、像素電極4、柵極12、柵絕緣層13和有源層14。該鈍化層薄膜18’可以起到保護和絕緣的作用。例如，該鈍化層薄膜18’的材料可以為氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、丙烯酸類樹脂等。

如圖4h所示，在鈍化層薄膜18’上涂覆一層光刻膠(未示出)，并進行曝光、顯影、刻蝕和剝離光刻膠等過程形成鈍化層，鈍化層18上設置有通孔21，連接單元5的至少部分在通孔21處暴露，所暴露的部分將在后續的刻蝕中被去除以使得連接單元5被斷開(也即與相鄰的像素電極不再電連接)。該通孔21例如至少部分與位于相鄰的像素電極之間的柵線在垂直于襯底基板的方向上相對應，例如交叉或重疊；但是本發明的實施例不限于此，只要能夠通過通孔21將相鄰像素電極之間的連接單元斷開，從而使得相鄰像素電極之間不再電連接即可。

如圖4i所示，本實施例提供的制備方法還包括在鈍化層18上形成與像素電極4相對的公共電極19。在形成公共電極19時對暴露出的連接單元5的部分進行刻蝕，以將多個相互連接的像素電極5斷開。形成公共電極19的過程包括：在鈍化層18上沉積第二透明導電薄膜，例如，可以利用磁控濺射的方式沉積第二透明導電薄膜，在該第二透明導電薄膜上涂覆一層光刻膠(未示出)，并進行曝光、顯影、刻蝕和剝離光刻膠等過程形成公共電極19的圖案和斷開連接單元5。為了斷開連接單元5需要在通孔21處進行刻蝕，不但去除沉積在通孔21中用于形成公共電極19的透明導電材料，還進一步去除在通孔21處暴露的連接單元5的部分，以斷開連接單元5。相應地，公共電極19具有在垂直于所述襯底基板的方向上對應于所述通孔的開口22，該開口22例如暴露出通孔21。

例如，該公共電極19的材料可以為氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦鎵(IGO)、氧化鎵鋅(GZO)和碳納米管、氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In₂O₃)和氧化鋁鋅(AZO)等透明導電材料。

陣列基板上的薄膜晶體管可以是底柵型的薄膜晶體管，也可以是頂柵型的薄膜晶體管。圖4a-圖4i是以底柵型結構的薄膜晶體管為例加以說明的。形成頂柵型薄膜晶體管的過程包括：在有源層上形成柵絕緣層和柵極，柵絕緣層設置在柵極和有源層之間，且設置在柵極的下方，從而隔絕柵極和有源層。其他的結構設置、各層的材料均和上述底柵型薄膜晶體管中描述的內容一致，在此不再贅述。

上述內容是以在形成數據線和源漏電極層后，再在數據線和源漏電極層上形成像素電極為例加以說明的。本實施例中的制備方法也適用于在形成像素電極后，再在像素電極上形成數據線和源漏電極層的情況，只需要將形成數據線和源漏電極層以及像素電極的先后順序變換，在此不再贅述。

實施例二

本實施例提供一種陣列基板，例如，圖6為本實施例提供的一種陣列基板的截面結構示意圖，該陣列基板中的薄膜晶體管為底柵型結構；圖7為本實施例提供的另一種陣列基板的截面結構示意圖，該陣列基板中的薄膜晶體管為頂柵型結構。

如圖6和圖7所示，本實施例提供的陣列基板包括：襯底基板11，設置在襯底基板11上的多條柵線1、多條數據線(未示出)和多個像素電極4；設置在多個像素電極4之上的鈍化層18；多條柵線和多條數據線彼此交叉界定了多個像素區域，多個像素電極4分別位于多個像素區域之中，鈍化層18在相鄰的像素電極4之間具有通孔21，相鄰的像素電極4在通孔21處電性絕緣，例如，相鄰的像素電極4在通孔21處斷開，也即相鄰的像素電極4非電性連接。

相鄰的像素電極在通孔處電性絕緣的方式包括：采用刻蝕工藝或者灰化工藝將多個相互連接的像素電極斷開；對連接相鄰的像素電極的部分進行摻雜處理，以將多個相互連接的像素電極電性絕緣。下面以采用刻蝕工藝或者灰化工藝將多個相互連接的像素電極斷開的結構為例加以說明。

如圖6和圖7所示，通孔21至少部分與位于相鄰的像素電極之間的柵線1在垂直于襯底基板11的方向上相對應，但是本發明的實施例不限于此，只要通過通孔能夠使得相鄰的像素電極彼此斷開不再電性連接即可。

例如，該柵線和數據線的材料可以為銅與其他金屬的組合，例如，銅/鉬(Cu/Mo)、銅/鈦(Cu/Ti)、銅/鉬鈦合金(Cu/MoTi)、銅/鉬鎢合金(Cu/MoW)、銅/鉬鈮合金(Cu/MoNb)等；該柵金屬層的材料也可以為鉻基金屬或鉻與其他金屬的組合，例如，鉻/鉬(Cr/Mo)、鉻/鈦(Cr/Ti)、鉻/鉬鈦合金(Cr/MoTi)等；該柵金屬層的材料還可以為鋁或鋁合金等。

例如，像素電極4和連接單元5的材料可以為氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦鎵(IGO)、氧化鎵鋅(GZO)和碳納米管、氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In₂O₃)和氧化鋁鋅(AZO)等透明導電材料。像素電極4和連接單元5在相同的構圖工藝步驟中形成。

在圖6所示的陣列基板的結構中，在襯底基板11上設置有柵極12，在柵極上設置有柵絕緣層13，在柵絕緣層13上設置有有源層14和像素電極4，在有源層14上設置有源極16和漏極15，漏極15和像素電極4直接接觸，在源極16和漏極15上設置有鈍化層18，鈍化層18在相鄰的兩個像素電極4之間具有通孔21，相鄰的像素電極4在通孔21處斷開。

在圖7所示的陣列基板的結構中，在襯底基板11上設置有有源層14，在有源層14上設置有柵絕緣層12和柵極13，在柵極上設置有第一絕緣層22，對第一絕緣層22進行刻蝕工藝，形成第一連接通道和第二連接通道。在第一絕緣層22上形成源極16和漏極15，源極16和漏極15分別通過第一連接通道和第二連接通道與有源層14連接，在源極16和漏極15上依次設置有第二絕緣層23，對第二絕緣層23進行刻蝕形成過孔結構，在第二絕緣層23上設置有像素電極4，像素電極4通過該過孔結構與漏極15連接，在像素電極4上設置有鈍化層18，鈍化層18在相鄰的像素電極4之間具有通孔21，相鄰的像素電極4在通孔21處斷開。在鈍化層18上設置有與像素電極4相對應的公共電極19，公共電極19具有在垂直于襯底基板11的方向上對應于通孔21的開口。

例如，第一絕緣層22和第二絕緣層23的材料可以為有機絕緣材料或者無機絕緣材料或者有機絕緣材料和無機絕緣材料形成的疊層結構。例如，形成該絕緣層的材料可以為氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、丙烯酸類樹脂等。

圖6和圖7所示的陣列基板中其他結構的材料可參見實施例一中相關的內容，在此不再贅述。

例如，圖6和圖7所示的陣列基板可應用于例如液晶顯示面板、有機發光二極管顯示面板、電子紙顯示面板等。

例如，圖6和圖7所示的陣列基板中，像素電極4為塊狀結構電極、狹縫電極或梳狀電極，公共電極19為梳狀結構。

實施例三

本發明的另一個實施例提供了一種顯示裝置，其包括上述任一實施例的陣列基板。

該顯示裝置的一個示例為液晶顯示裝置，包括陣列基板和對置基板，二者彼此對置以形成液晶盒，在液晶盒中填充有液晶材料。該對置基板例如為彩膜基板。陣列基板的每個像素單元的像素電極用于施加電場對液晶材料的旋轉的程度進行控制從而進行顯示操作。

該顯示裝置的另一個示例為有機發光二極管(OLED)顯示裝置，其中，陣列基板上形成有機發光材料的疊層，每個像素單元的像素電極作為陽極或陰極用于驅動有機發光材料發光以進行顯示操作。

該顯示裝置的再一個示例為電子紙顯示裝置，其中，陣列基板上形成有電子墨水層，每個像素單元的像素電極作為用于施加驅動電子墨水中的帶電微顆粒移動以進行顯示操作的電壓。

本發明的實施例提供一種陣列基板及其制備方法以及包括該陣列基板的顯示裝置，在該陣列基板的制備過程中，所有的像素電極通過連接單元串聯起來，從而形成了線性的電極結構。當數據線與像素電極或者連接單元出現短路的問題時，相當于兩根線之間形成的短路，數據線上的信號在像素電極和連接單元上傳播，極大地削弱了數據線上的信號強度，這樣便于檢測裝置對陣列基板進行檢測。除此之外，連接單元與像素電極同層同材料形成，形成連接單元時不需要增加額外的制作工序。例如，在源漏電極層(包括源電極和漏電極)和像素電極均形成之后，在形成鈍化層和公共電極的過程中還可以對連接單元進行去除，從而保證像素電極能夠正常工作，且不需要增加額外的工序。

有以下幾點需要說明：

(1)本發明實施例附圖只涉及到與本發明實施例涉及到的結構，其他結構可參考通常設計。

(2)為了清晰起見，在用于描述本發明的實施例的附圖中，層或區域的厚度被放大或縮小，即這些附圖并非按照實際的比例繪制。可以理解，當諸如層、膜、區域或基板之類的元件被稱作位于另一元件“上”或“下”時，該元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中間元件。

(3)在不沖突的情況下，本發明的實施例及實施例中的特征可以相互組合以得到新的實施例。

以上所述，僅為本發明的具體實施方式，但本發明的保護范圍并不局限于此，本發明的保護范圍應以所述權利要求的保護范圍為準。