一種貼片式LED燈珠結構的制作方法

本實用新型涉及貼片LED燈珠技術領域，特別是涉及一種發光均勻的貼片式LED燈珠結構。

背景技術：

在照明領域，LED光源因具有使用低壓電源、能耗少、適用性強、穩定性高、響應時間短、對環境無污染、多色發光等優點，成為新一代主流照明光源。LED作為一種新型的綠色光源產品，必然是未來發展的趨勢。

現有LED封裝技術中的三晶串聯的結構,對于國內型號SMD 2835的芯片功率是普遍是1W，現有技術中的芯片排列方式如圖1所示，支架內設置有負極打線區2和正極打線區9，正極打線區9內以列的方式排列有第一芯片4、第二芯片7和第三芯片8，其中，第一芯片4的一端通過金線3與負極打線區2焊接導通，第一芯片4的另一端通過金線3與第二芯片7的一端焊接導通，第二芯片7的另一端通過金線3與第三芯片8焊接導通，第三芯片8的一端通過金線3與正極打線區9焊接導通。這種結構存在缺陷是：

1、由于第一芯片、第二芯片和第三芯片是以列的方式排列的，由于排列的位置比較集聚，現有技術一般采用小尺寸0.2W的芯片，這樣的設置，不利于產品光通量的提高；一旦采用大尺寸0.2W的芯片，正極打線區內的排列就變得特別緊湊，芯片排列緊湊會對芯片的發光光效影響很大，因為熱量集中，影響產品的使用壽命；

2、這種一列方式排列的結構，在實際生產過程中的難度也比較大，在固第二芯片、第三芯片時，由于排列太近，膠水容易甩到其他芯片的電極上，造成焊線出現虛焊。

鑒于現有技術存在上述的缺陷，因而亟待一種有效的解決方案解決上述缺陷。

技術實現要素：

為了解決上述現有技術存在的問題，本實用新型的目的在于提供一種貼片式LED燈珠結構，通過改變芯片的排列位置，實現提升發光光效、降低熱量和提高光通量的效果，加工方便。

本實用新型采用的技術方案為：一種貼片式LED燈珠結構，包括支架，所述支架開設有凹坑，所述凹坑的底部設置有焊盤，所述凹坑的坑壁覆蓋有第一反射層，所述焊盤上設置有正負極隔離線，所述正負極隔離線將焊盤劃分為居于左側的負極打線區以及居于右側的正極打線區，所述正極打線區內設置有若干LED芯片容置區，所述每個LED芯片容置區內分別對應設置有第一芯片、第二芯片、第三芯片，所述LED芯片容置區之外的區域覆蓋有第二反射層，所述負極打線區、第一芯片、第二芯片、第三芯片、正極打線區之間通過金線實現導通，其特征在于：所述第三芯片平行設置在第一芯片的下方，所述第一芯片和第三芯片之間設置有第二芯片，所述第二芯片設置在第一芯片和第三芯片的右側。

作為優選方案，所述第一芯片與第二芯片上下之間的距離與第三芯片與第二芯片上下之間的距離相等。

作為優選方案，所述第一芯片與第二芯片左右之間的距離與第三芯片與第二芯片左右之間的距離相等。

作為優選方案，所述第一芯片、第三芯片與正負極隔離線的距離等于第二芯片與焊盤右端邊的距離。

作為優選方案，所述第一芯片的陰極通過金線與負極打線區焊接導通，所述第一芯片的陽極通過金線與第三芯片的陰極焊接導通，所述第三芯片的陽極通過金線與第二芯片的陰極焊接導通，所述第二芯片的陽極通過金線與正極打線區焊接導通；所述金線3帶有弧度。

作為優選方案，所述第一反射層設置為Cr或者Mo材料層；所述第二反射層設置為納米鍍銀材料層。

本實用新型的有益效果是：

第一、所述第三芯片平行設置在第一芯片的下方，所述第一芯片和第三芯片之間設置有第二芯片，所述第二芯片設置在第一芯片和第三芯片的右側，這樣成品字形的結構設置，使芯片之間的距離加大，芯片的溫度更加均勻地分布在焊盤，從容降低對發光的影響，從而提升光通量；

第二、所述第一芯片的一端通過金線與負極打線區焊接導通，所述第一芯片的另一端通過金線與第三芯片的一端焊接導通，所述第三芯片的另一端通過金線與第二芯片的一端焊接導通，所述第二芯片的另一端通過金線與正極打線區焊接導通，通過這樣的金線焊接方式，避免了舊有技術因為芯片與芯片之間排位太近而導致膠水容易甩到其他芯片的電極上造成焊線虛焊的情況，提升產品的質量。

附圖說明

圖1是現有技術的結構示意圖。

圖2是本實用新型的結構示意圖。

其中：

支架-1 負極打線區-2 金線-3

第一芯片-4 焊盤-5 正負極隔離線-6

第二芯片-7 第三芯片-8 正極打線區-9

第一反射層-10

具體實施方式

下面結合附圖與實施例對本實用新型的技術方案進行說明。本實用新型的描述中，需要說明的是，術語“左側”“右側”、“下方”等指示的方位或位置關系為基于附圖所示的方位或位置關系，僅是為了便于描述本實用新型和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本實用新型的限制。此外，術語“第一”、“第二”、第三”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性。

參照圖2所示，一種貼片式LED燈珠結構，包括支架1，所述支架1開設有凹坑，所述凹坑的底部設置有焊盤5，所述凹坑的坑壁覆蓋有第一反射層10，焊盤5上設置有正負極隔離線6，正負極隔離線6將焊盤5劃分為居于左側的負極打線區2以及居于右側的正極打線區9，正極打線區9內設置有若干LED芯片容置區，所述每個LED芯片容置區內分別對應設置有第一芯片4、第二芯片7、第三芯片8，所述LED芯片容置區之外的區域覆蓋有第二反射層(圖中未表示出來)，負極打線區2、第一芯片4、第二芯片7、第三芯片8、正極打線區9之間通過金線3實現導通，第三芯片8平行設置在第一芯片4的下方，所述第一芯片4和第三芯片8之間設置有第二芯片7，所述第二芯片7設置在第一芯片4和第三芯片8的右側。第一芯片4與第二芯片7以及第二芯片7與第三芯片8之間比舊有技術一列設置的距離要大，第一芯片4、第二芯片7、第三芯片8形成品字形的結構，使第一芯片4、第二芯片7、第三芯片8的溫度更加均勻地分布在焊盤，從容降低對發光的影響，從而提升光通量。

第一芯片4的陰極通過金線3與負極打線區2焊接導通，第一芯片4的陽極通過金線3與第三芯片8的陰極焊接導通，第三芯片8的陽極通過金線3與第二芯片7的陰極焊接導通，第二芯片7的陽極通過金線3與正極打線區9焊接導通。避免了舊有技術因為第一芯片4與第二芯片7、第三芯片8之間排位太近而導致膠水容易甩到芯片的電極上造成焊線虛焊的情況，提升產品的質量。

作為優選的實施方式，第一芯片4與第二芯片7上下之間的距離與第三芯片8與第二芯片7上下之間的距離相等，第一芯片4與第二芯片7左右之間的距離與第三芯片8與第二芯片7左右之間的距離相等，第一芯片4、第三芯片8與正負極隔離線6的距離等于第二芯片7與焊盤5右端邊的距離。這樣的結構設置，進一步讓芯片均布在焊盤5上，使熱量均勻分布在支架上，芯片的溫度分布也相對比較合理，從而提升產品的質量。

作為優選方案，所述金線3帶有弧度，避免封膠時膠水產生內應力崩斷金線3。

作為優選方案，第一反射層10設置為Cr或者Mo材料層，提高光反射率；第二反射層設置為納米鍍銀材料層，導熱效果良好，反射率高。

上述實施例僅是顯示和描述了本實用新型的基本原理、主要特征和優點。本行業的技術人員應該了解，本實用新型不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的只是說明本實用新型的原理，在不脫離本實用新型精神和范圍的前提下，本實用新型還會有各種變化和改進，這些變化和改進都落入要求保護的本實用新型范圍內。