一種陶瓷芯片植入裝置的制作方法

本實用新型涉及陶瓷元器件植入/導入裝置領域，尤其涉及一種陶瓷芯片植入裝置。

背景技術：

MLCC（Multi-layer Ceramic Chip Capacitors，片式多層陶瓷電容器）等陶瓷元器件在經過沾銀或涂覆導電外漿之前，必須對陶瓷元器件半成品進行植入（或導入），并對整個器件端面進行整平，才可完成陶瓷芯片的端頭外電極漿料的涂覆。

相對傳統MLCC制造工藝而言，陶瓷芯片的工裝承載或夾持方式往往決定著MLCC整個封端制程的工藝性能。然而由于0201/0105型陶瓷芯片的超微型化、振動過程極易產生靜電的特性，且硅膠板超厚、JIG板以及薄膠板等傳統工裝易變形的缺陷，已不能適用于0201/0105型（超微型）陶瓷芯片的端頭外電極封端制作，因此不銹鋼SUS板封端工藝應運而生。

尤其指出的是，不銹鋼SUS板封端工藝關鍵技術要點在于如何將超微型陶瓷芯片有效植入。對于0201/0105型陶瓷芯片整個植入（或導入）制程而言，植入部結構設計、工裝表面處理方式及植入部安裝方式，都對陶瓷元器件的植入效率有著不可忽視的作用。

然而，植入部原始結構設計的缺陷、傳統粗糙的工裝表面加工方式以及植入部的安裝調整方式的不規范，都導致了連續生產過程中芯片植入效率降低，且芯片極易在振動過程中被壓碎，對陶瓷元器件產品質量造成不良影響。與此同時，原始設計的結構布局極易發生漏料，不能有效避免且極難對其漏料進行回收處理，漏料導致植入部關鍵工裝部位產生變形，導致植入效率不高，最終形成“漏料——變形——植入率不高”的惡性循環。

因此，現有技術還有待于改進和發展。

技術實現要素：

鑒于上述現有技術的不足，本實用新型的目的在于提供一種陶瓷芯片植入裝置，旨在解決現有的植入方式植入效率低、容易造成產品不良等問題。

本實用新型的技術方案如下：

一種陶瓷芯片植入裝置，其中，包括真空植晶臺、設置于所述真空植晶臺底部的電磁振動機、設置于所述真空植晶臺頂部的不銹鋼板及設置于真空植晶臺上方并用于放置陶瓷芯片的引導板，所述不銹鋼板上設置有多個孔位，在所述引導板上設置有與所述孔位匹配的通孔，所述真空植晶臺連接有用于驅動所述真空植晶臺前后擺動的馬達；所述引導板的底部設置有殘料清除裝置；所述引導板的表面具有用于消除靜電的粗糙結構。

所述的陶瓷芯片植入裝置，其中，所述真空植晶臺內部中空設置，且所述真空植晶臺的側邊外接用于吸真空的真空氣管。

所述的陶瓷芯片植入裝置，其中，所述真空植晶臺的側邊安裝有定位感應器。

所述的陶瓷芯片植入裝置，其中，所述引導板由引導片及設置于所述引導片兩側的引導框組成。

所述的陶瓷芯片植入裝置，其中，所述引導框材質為鋁，所述引導片材質為304不銹鋼。

所述的陶瓷芯片植入裝置，其中，所述粗糙結構由多個半球形凹坑構成。

所述的陶瓷芯片植入裝置，其中，所述引導片與引導框通過膠水粘接。

所述的陶瓷芯片植入裝置，其中，所述引導框的前端和末端內部均設置有20°~30°斜面。

所述的陶瓷芯片植入裝置，其中，所述引導板上方設置有下壓氣缸，所述下壓氣缸的下端設置有用于調整引導板高度的壓緊螺柱。

所述的陶瓷芯片植入裝置，其中，所述真空植晶臺側邊設置有限位感應器。

有益效果：本實用新型增加振動行程及表面消靜電處理，提高了陶瓷芯片的植入率；同時加裝殘料清除裝置清除板上殘余芯片，確保引導板與SUS板的準確對位，提高了連續作業的植入效率。

附圖說明

圖1為本實用新型一種陶瓷芯片植入裝置較佳實施例的結構示意圖。

具體實施方式

本實用新型提供一種陶瓷芯片植入裝置，為使本實用新型的目的、技術方案及效果更加清楚、明確，以下對本實用新型進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。

請參閱圖1，圖1為本實用新型一種陶瓷芯片植入裝置較佳實施例的結構示意圖，其包括真空植晶臺4、設置于所述真空植晶臺4底部的電磁振動機5、設置于所述真空植晶臺4頂部的不銹鋼板2（該不銹鋼板2可通過膠帶3貼附在真空植晶臺4上）及設置于真空植晶臺4上方的引導板1，所述不銹鋼板2上設置有多個孔位，在所述引導板1上設置有與所述孔位匹配的通孔；所述真空植晶臺4連接有用于驅動所述真空植晶臺4前后擺動的馬達。

具體來說，在真空植晶臺4底部的電磁振動機5（也可以是其他類型的振動機），通過端子接線繞組的通電提供上下振動力，傳到上方的引導板1，所述引導板1上方設置有下壓氣缸，所述下壓氣缸的下端設置有用于調整引導板1高度的壓緊螺柱。所述引導板1內部由下壓氣缸下端的壓緊螺柱對引導板1鎖定。所述壓緊螺柱采用硬質合金制成，壓緊螺柱末端采用硬化處理；所述壓緊螺柱采用標準扭力扳手進行鎖緊，鎖緊力度不可超限。

其中，所述真空植晶臺4內部中空設置，且所述真空植晶臺4的側邊外接用于吸真空的真空氣管，所述真空植晶臺4經表面光亮處理；此外，真空植晶臺4側端安裝有定位感應器，用于檢測不銹鋼板2有無放置到位。

所述引導板1由引導片及設置于所述引導片兩側的引導框組成，所述引導框和引導片采用膠水（金屬膠水）粘結緊密貼合，且對位處符合裝配尺寸要求。所述引導框材質為鋁（也可采用其他不帶磁性金屬材料），所述引導片材質為304不銹鋼。所述引導框的前端和末端內部均設置有20°~30°斜面，以便于陶瓷芯片下料不受阻。在引導板1內部的料槽部位還可增加斜面結構。

進一步，所述引導片的表面具有用于消除靜電的粗糙結構。該粗糙結構是設置在與（超微型）陶瓷芯片6的接觸面（正面），即該接觸面經過二次蝕刻處理。所述粗糙結構優選由多個半球形凹坑構成。具體地，在有孔區域（即設置通孔的位置）加工出多個半徑為R₀的半球形凹坑，無孔區域（未設置通孔的位置）加工出多個半徑為R₀的半球形凹坑，且無孔區域的半球形凹坑之間具有1/2的部分疊加；該引導片的反面進行酸化處理，使經過原始加工后的引導板表面由亮面形成霧化狀，使之不能進行有效反光。通過此種表面結構，可直接消除陶瓷芯片6因靜電吸附而導致粘料的影響，提升入料率，避免粘料產生的灑落，提高了植入效率，同時降低了陶瓷芯片的廢耗。

進一步，所述引導板1的底部設置有殘料清除裝置7。該殘料清除裝置中設置有抽氣泵以及與所述抽氣泵連接的管道，所述管道朝向所述引導板1以及不銹鋼板2設置，通過管道內壓縮空氣高速運動清除引導板1及不銹鋼板2上殘留的陶瓷芯片6，從而避免殘留的粘附產品對不銹鋼板2及引導板1連續作業過程中產生壓迫損傷。當然，上述方案為通過壓縮空氣蒸主動清除，還可以通過真空吸附的方式來吸附殘留的陶瓷芯片。該殘料清除裝置7也可采用除油吸水過濾器等類似裝置來實現清除殘留的陶瓷芯片。

所述引導板1、真空植晶臺4以及不銹鋼板2的對位由水平方向的對位氣缸進行對位，所述對位氣缸末端裝有夾緊塊，對位時確保引導板1及不銹鋼板2同軸外徑圓孔誤差處于標準可控范圍內。

進一步，在所述真空植晶臺4側邊增加限位感應器，以增加設置水平停留行程。具體實施方式為：不銹鋼板2、引導板1及真空植晶臺4對位→電磁振動機5啟動植入行程振動→真空植晶臺4前傾15-20°，使陶瓷芯片6入料→真空植晶臺4水平停留，進行植入→真空植晶臺4后傾15-20°，使陶瓷芯片6回料→真空植晶臺4水平停留，再次進行植入→真空植晶臺4再次前傾15-20°，使陶瓷芯片6植入→真空植晶臺4后傾45-50°，使陶瓷芯片6收料到料盒→復位。增加水平停留行程的限位設定，可直接增加陶瓷芯片6在引導板1內部的有效振動時間，同時通過調整電磁振動機5的電壓及振幅的匹配，有效提升單板陶瓷芯片植入數量，提高了陶瓷芯片植入率。

對于引導板1鉛直方向、水平方向的對位調整，鉛直方向主要為真空植晶臺4與引導板1的貼合緊密程度，而水平方向主要為不銹鋼板2受真空植晶臺4真空吸附后與引導板1的通孔同心對位偏移量。鉛直方向的貼合緊密程度通過引導板1上部的下壓氣缸末端的壓緊螺柱調整，必須采用扭力扳手對其進行鎖定，扭力矩設定值不大于0.3kgf·cm。水平方向的對位偏移量采用30倍刻度顯微鏡檢查調整，圓孔外徑偏移量10μm以內。

完成以上的結構優化設計后，植入裝置中引導板的安裝調試務必準確到位，才可確保單板植入率及連續植入效率。

應當理解的是，本實用新型的應用不限于上述的舉例，對本領域普通技術人員來說，可以根據上述說明加以改進或變換，所有這些改進和變換都應屬于本實用新型所附權利要求的保護范圍。