本實用新型屬于紅外探測器封裝技術領域，特別涉及一種復合薄膜引線式金屬杜瓦，適用于紅外探測器芯片的杜瓦封裝。
背景技術：
紅外探測器是紅外系統的主要組件之一，它直接影響系統的整體性能。微型金屬杜瓦是紅外探測器的重要組成部件之一，主要用于封裝紅外探測器芯片，為紅外探測器芯片提供穩定可靠的真空、低溫工作環境。杜瓦引線的作用是輸出探測器光敏元光電轉換信號，它分布在杜瓦外殼和內管之間，引線的數目與光敏元的數量有關。杜瓦引線除了直接擔負信號傳輸之外，還以固體導熱的方式對杜瓦漏熱有貢獻。杜瓦引線的形式決定了引線在殼體結構中的裝配方式，其裝配質量將影響杜瓦的真空氣密性；引線形式還限定了杜瓦的外部裝配關系。因此杜瓦的引線是整個杜瓦設計制造的中心問題。用于封裝多元紅外探測器的微型杜瓦應滿足元數(電極引線數)多，漏熱小，小型化的要求。
技術實現要素：
本實用新型的目的在于提供一種復合薄膜引線式金屬杜瓦。
為實現上述目的，本實用新型采用的技術方案為：
一種復合薄膜引線式金屬杜瓦，該金屬杜瓦的外殼1和內管3均為中空結構，所述外殼1套在內管3外部，兩者之間形成真空夾層；在所述內管3的外表面設有絕緣玻璃/金屬復合式薄膜引線4，在所述內管3的頂部設置紅外探測器芯片2，所述薄膜引線4與紅外探測器芯片2實現電連接。
優選地，所述薄膜引線4由絕緣玻璃內層和金屬引線薄膜外層組成。
優選地，所述內管3、絕緣玻璃內層和金屬引線薄膜外層為一體結構。
優選地，所述金屬引線薄膜外層為均等分布在內管3外表面的金屬引線圖形。
優選地，所述金屬引線薄膜外層為均等分布在內管3外表面的環形金屬引線陣列。
優選地，所述內管3內部的中空結構，由下至上分為粗管徑段31、漸變管徑段32和細管徑段33。
優選地，所述薄膜引線4與紅外探測器芯片2通過金屬絲7一一對應連接，實現電連接。
優選地，所述內管3的底部帶有金屬底座，在所述金屬底座上連接有絕緣瓷環5，所述外殼1的底部連接在絕緣瓷環5上。
優選地，所述外殼1的頂部設有密封窗口6。
本實用新型的有益效果為：
1.金屬杜瓦的電極引線為絕緣玻璃/金屬復合式薄膜引線，薄膜引線制備于內管的外表面，且與內管為一體，有利于探測器的抗振動性能。
2.復合薄膜引線外層為阻抗小、低熱導的金屬薄膜，傳導漏熱小，可降低金屬杜瓦熱負載，從而提高探測器低溫工作性能。
3.利用三維激光刻蝕技術可實現薄膜引線在內管外表面高密度排列，從而實現多元芯片安裝。
4.本實用新型的金屬杜瓦具有傳熱效率高，冷損小，抗振性高等特點，滿足引線數多、漏熱小、微型化、氣密性好等要求，適用于多元紅外探測器芯片的封裝。
附圖說明
圖1為實施例中所述一種復合薄膜引線式金屬杜瓦的示意圖。
標號說明：1-外殼，2-紅外探測器芯片，3-內管，4-薄膜引線，5-絕緣瓷環，6-密封窗口，7-金屬絲，31-粗管徑段，32-漸變管徑段，33-細管徑段。
具體實施方式
下面結合附圖和具體實施方式對本實用新型做進一步說明。應該強調的是，下述說明僅僅是示例性的，而不是為了限制本實用新型的范圍及其應用。
如圖1所示為本實用新型提供的一種復合薄膜引線式金屬杜瓦，包括外殼1、紅外探測器芯片2、內管3、薄膜引線4和絕緣瓷環5。
所述內管3為帶有底座的旋轉體結構，其內部的中空結構，由下至上分為粗管徑段31、漸變管徑段32和細管徑段33；在底座以上的內管3，其外徑隨內徑保持一致變化，并在頂端封口。
在內管3的外表面布置有薄膜引線4。所述薄膜引線4采用絕緣玻璃/金屬復合式薄膜引線結構，首先將玻璃粉和磨加物混合成釉漿，涂覆在內管3的外表面制備成絕緣玻璃內層，厚度為50μm；再在絕緣玻璃內層的外表面制備金屬薄膜，本實施方式采用金薄膜，厚度為0.5μm，然后通過三維激光刻蝕將金薄膜刻蝕成均等分布于內管3外表面的環形引線列陣，得到金屬引線薄膜外層。將預先裝配好的紅外探測器芯片2安裝在內管3的頂端中部，并通過金絲與薄膜引線4一一對應焊連，實現電連接，引出芯片信號。
將絕緣瓷環5設置在布有薄膜引線4的金屬底座8上，通過熱壓密封與內管3連接成一體。
所述外殼1為圓筒狀，并在頂端設有密封窗口6。將外殼1套在內管3外側，其底端與絕緣瓷環5通過燒結成為一體從而實現密封，使外殼1與內管3之間形成真空夾層。