本實用新型涉及LED照明、感應、監控、汽車電子技術領域,具體涉及一種LED封裝器件。
背景技術:
LED封裝朝著可實現規模化生產,更低成本,工藝簡化、設計靈活,尺寸更小,輕薄化、高集成的應用趨勢發展。
隨著LED芯片磊晶技術和終端應用技術的發展,行業對LED封裝的光學、熱學、電學、機械結構等提出了新的、更高的要求。
現有技術都是先在銅片上用熱塑性材料塑封出支架,然后再封裝LED,工藝流程比較長,產品結構穩定性差。
技術實現要素:
為解決上述問題,本實用新型提供一種工藝流程短,產品結構穩定性高的LED封裝器件。
一種LED封裝器件,包括第一極區和第二極區,第一極區為負極導電導熱基材區,第二極區為正極導電導熱基材區域,芯片通過固晶膠粘接在第一極區,芯片頂部的電極通過導線連接至第二極區,第一極區和第二極區之間為絕緣區,絕緣區為硅膠所填充,第一極區和第二極區之間通過絕緣區實現電隔離和物理連接,第一極區和第二極區的上部通過硅膠實現封裝,絕緣區及第一極區和第二極區的上部硅膠一體化設置。
優選的,絕緣區及第一極區和第二極區的上部的硅膠通過模壓工藝一體化成型。
優選的,第一極區和第二極區為銅基材區域,銅基材區域的厚度為0.1~0.3mm。
優選的,導線為金線、銀線、銅線或鋁線及對應金屬的合金線。
優選的,導線的數量在1根(含)以上。
優選的,第一極區的面積大于第二極區與絕緣區的面積之和。
優選的,第一極區的面積大于等于1.5倍的第二極區與絕緣區的面積之和。
優選的,第一極區和第二極區的外邊緣為預沖壓區。
優選的,固晶膠為高導熱固晶膠。
優選的,硅膠中填充有納米氧化鋁導熱顆粒。
優選的,硅膠中填充有晶粒尺寸為10~1000nm的氧化鈦顆粒,氧化鈦的作用是吸收紫外線,增強膠體的抗UV和抗黃變能力。
優選的,氧化鈦顆粒均勻分散在硅膠中,晶粒尺寸為10~30nm的氧化鈦顆粒的體積為硅膠的體積的2%~6%。晶粒尺寸為10~30nm的氧化鈦顆粒能夠動態湮滅與重生,從而使得硅膠的體積和形狀可以發生微小的變化,從而使用LED封裝器件使用過程中的熱應力的作用能夠被有效緩解,從而大大延長LED封裝器件的使用壽命。
優選的,第一極區和第二極區的上部的硅膠呈半球狀、半橢圓球狀、長方體狀、棱臺或上述四種形狀的組合。
本實用新型的有益效果:一種LED封裝器件,包括第一極區和第二極區,第一極區為負極導電導熱基材區,第二極區為正極導電導熱基材區域,芯片通過固晶膠粘接在第一極區,芯片頂部的電極通過導線連接至第二極區,第一極區和第二極區之間為絕緣區,絕緣區為硅膠基材區,第一極區和第二極區之間通過絕緣區實現電隔離和物理連接,第一極區和第二極區的上部通過硅膠實現封裝,絕緣區及第一極區和第二極區的上部硅膠一體化設置。與現有技術相比,不需要支架的制作流程,工藝流程短,第一極區和第二極區通過封裝用硅膠連接,絕緣區及第一極區和第二極區的上部硅膠一體化設置,產品結構穩定性高。
附圖說明
圖1為本實用新型一種結構穩定性好的LED封裝器件的封裝用基材的結構示意圖。
圖2為圖1的B處的放大結構示意圖。
圖3為本實用新型一種LED封裝器件的俯視圖。
圖4為本實用新型一種LED封裝器件的圖3的A-A向的剖面圖。
圖中:
1-第一極區;2-第二極區;3-芯片;4-導線;5-絕緣區;6-預沖壓區;7-固晶膠。
具體實施方式
下面,結合附圖1~4以及具體實施方式,對本實用新型做進一步描述。
一種LED封裝器件,包括第一極區1和第二極區2,第一極區1為負極導電導熱基材區,第二極區2為正極導電導熱基材區域,第一極區1通過固晶膠7粘接有芯片3,芯片3的上部的電極通過導線4連接至第二極區2,第一極區1和第二極區2之間為絕緣區5,絕緣區5為硅膠基材區,第一極區1和第二極區2之間通過絕緣區5實現電隔離和物理連接,第一極區1和第二極區2的上部通過硅膠實現封裝,絕緣區5及第一極區1和第二極區2的上部硅膠一體化設置。
與現有技術相比,不需要支架的制作流程,工藝流程短,第一極區1和第二極區2通過封裝用硅膠連接,絕緣區5及第一極區1和第二極區2的上部硅膠一體化成型,產品結構穩定性高。
本實施例中,硅膠中填充有晶粒尺寸為10~1000nm的氧化鈦顆粒,氧化鈦的作用是吸收紫外線,增強膠體的抗UV和抗黃變能力。
本實施例中,絕緣區5及第一極區1和第二極區2的上部的硅膠通過模壓工藝一體化成型。
本實施例中,第一極區1和第二極區2為銅基材區域,銅基材區域的厚度為0.1~0.3mm。
本實施例中,導線4為金線、銀線、銅線、鋁線及相應金屬的合金線。
本實施例中,導線4的數量在1根(含)以上。
本實施例中,第一極區1的面積大于第二極區2與絕緣區5的面積之和。
本實施例中,第一極區1的面積大于等于1.5倍的第二極區2與絕緣區5的面積之和。
本實施例中,第一極區1和第二極區2的外邊緣為預沖壓區6。
本實施例中,固晶膠7為高導熱固晶膠。
本實施例中,硅膠中填充有晶粒尺寸為10~1000nm的氧化鈦顆粒。
本實施例中,氧化鈦顆粒均勻分散在硅膠中,晶粒尺寸為10~30nm的氧化鈦顆粒的體積為硅膠的體積的2%~6%。
本實施例中,第一極區1和第二極區2的上部的硅膠呈長方體狀與半橢球狀的組合。作為替換方案,第一極區1和第二極區2的上部的硅膠也可以單獨呈半球狀、半橢球狀、棱臺狀、長方體狀;或,半橢球狀與長方體狀的組合;或,半球狀與長方體狀的組合;或,半橢球狀與棱臺狀的組合;或,半球狀與棱臺狀的組合。
對本領域的技術人員來說,可根據以上描述的技術方案以及構思,做出其它各種相應的改變以及形變,而所有的這些改變以及形變都應該屬于本實用新型權利要求的保護范圍之內。