晶片清洗甩干裝置的制作方法

本實用新型涉及一種清洗甩干裝置，尤其涉及一種晶片清洗甩干裝置。

背景技術：

以砷化鎵（GaAs）為代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料由于其獨特的電學性能，在衛星通訊、微波器件、激光器及發光二極管領域有著十分廣泛的應用。異質結雙極晶體管、高電子遷移率晶體管、LED等器件的制作需要再高質量的襯底表面用分子束外延或者有機金屬化合物氣相外延技術生長外延結構。隨著半導體器件工藝制作的不斷完善，器件尺寸越來越小，利用率也越來越高，半導體襯底的質量尤其是晶片表面的質量對器件的可靠性和穩定性影響也越來越大。

晶片清洗后甩干也是清洗步驟中很重要的一個環節，是獲得高質量表面不可或缺的步驟。清洗后的晶片都會用去離子水進行沖洗然后甩干，如果晶片表面未被甩干，將會殘留水跡在晶片表面，從而影響后續半導體器件的外延生長。隨著半導體器件工藝的提升，對晶片的表面質量要求也越高，為提高利用率，現在要求晶片邊緣部分都要有高質量的晶片表面，但是對于目前的甩干裝置，由于承托柱與晶片接觸，在接觸部分周圍，晶片表面的水跡不易甩干或者是承托柱上殘留有水，可能會擴散到晶片上，從而影響晶片邊緣的表面質量，在半導體制備外延工藝顯現為白斑、水印等缺陷。

因此，有必要提供一種新型的清洗甩干裝置解決上述問題。

技術實現要素：

本實用新型針對上述問題，提供了一種可有效避免晶片邊緣水跡問題、提高晶片邊緣的表面質量、提升晶片利用率的清洗甩干裝置。

為實現前述目的，本實用新型采用如下技術方案：一種晶片清洗甩干裝置，其包括一旋轉盤、嵌入連接在旋轉盤上的若干數量的承托柱、與旋轉盤定位連接的一旋轉桿、一旋轉接頭以及一傳動裝置；所述旋轉盤包括一旋轉盤體、與旋轉盤體固定連接的一支撐件，旋轉盤體上設有與承托柱相應的嵌入孔，旋轉盤體底部中心設有一氣體過渡室，旋轉盤體內設有若干條氣路通道，所述氣路通道兩端分別與嵌入孔底部、氣體過渡室連接，所述支撐件為一空心柱；所述承托柱包括一立柱、固定在立柱上的一承托盤體，立柱底部設有一中心孔，立柱在與晶片接觸點上設有一出氣孔，所述出氣孔與立柱中心孔連通；所述旋轉桿底部設有一氣路通道連通旋轉桿兩端，所述旋轉桿的一端與旋轉盤支撐件定位連接，另一端與旋轉接頭固定連接；所述旋轉接頭固定在操作平臺上。

作為本實用新型的進一步改進，所述立柱出氣孔由上向下傾斜至承托盤體表面。

作為本實用新型的進一步改進，所述嵌入孔以旋轉盤體的軸心為軸心，所述嵌入孔在旋轉盤體上呈環形均勻分布。

作為本實用新型的進一步改進，所述承托盤體上表面為一斜面。

作為本實用新型的進一步改進，所述支撐件可與旋轉桿相配合。

作為本實用新型的進一步改進，所述承托柱嵌入嵌入孔的長度小于嵌入孔的深度。

作為本實用新型的進一步改進，所述支撐件和旋轉桿側面均開有定位孔，所述支撐件和旋轉桿通過定位孔與螺栓配合連接。

作為本實用新型的進一步改進，所述傳動裝置為電機通過帶動皮帶輪，進一步帶動旋轉桿旋轉。

作為本實用新型的進一步改進，所述旋轉接頭為單回路旋轉接頭。

作為本實用新型的進一步改進，所述旋轉接頭一端與旋轉桿底部固定連接，所述旋轉接頭的另一端為連接座，所述連接座固定在操作平臺上，氣體從連接座底部進入。

本實用新型通過在裝置內增加氣路通道，使氣體通過吹走晶片邊緣與承托柱接觸而殘留的水或溶劑，有效解決晶片邊緣液跡問題，提高晶片邊緣的表面質量，提升晶片利用率。

附圖說明

圖1為本實用新型晶片清洗甩干裝置實施例的示意圖。

圖2為本實用新型晶片清洗甩干裝置實施例的A-A剖面圖。

圖3為本實用新型晶片清洗甩干裝置實施例的旋轉盤俯視圖。

具體實施方式

下面將結合本實用新型實施例對技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。

請參閱圖1至圖3所示，一種晶片清洗甩干裝置100，其包括一旋轉盤2、嵌入連接在旋轉盤2上的若干數量的承托柱1，與旋轉盤2定位連接的一旋轉桿3、一旋轉接頭4以及一傳動裝置5，本實施例中承托柱1的數量為6個。

旋轉盤2包括一旋轉盤體21、與旋轉盤體21固定連接的一支撐件23；旋轉盤體21設有與承托柱1相應的嵌入孔212，以旋轉盤體21的軸心為軸心，嵌入孔212在旋轉盤體21上呈環形均勻分布，旋轉盤體21底部中心設有一氣體過渡室213，旋轉盤體21內設有若干條氣路通道211，氣路通道211兩端分別與嵌入孔212底部、氣體過渡室213連接，支撐件23為一空心柱，支撐件23側面設有一定位孔24。

承托柱1包括一立柱11、一承托盤體12，立柱11底部設有一中心孔111，所述中心孔111與立柱11頂部未連通，立柱11在與晶片接觸點上設有一出氣孔112，所述出氣孔112與立柱中心孔111連通，出氣孔112由上向下傾斜至承托盤體12上表面，承托盤體12上表面為一斜面，用于承接晶片；承托盤體12為環狀盤體，立柱11與承托盤體12為嵌入固定連接。

承托柱1嵌入嵌入孔212的長度小于嵌入孔212的深度，為氣體留有通過的空間。

旋轉桿3底部設有一氣路通道31連通旋轉桿3兩端，旋轉桿3一端側面設有一定位孔32，旋轉桿3一端通過螺栓與定位孔32、定位孔24的配合，定位連接支撐件23；旋轉桿3另一末端設有2個固定孔33。

旋轉接頭4為單回路旋轉接頭，其一端設有2個固定孔42，旋轉接頭4通過螺釘與固定孔42、固定孔33的配合，固定連接旋轉桿3；旋轉接頭4另一端為連接座41，固定在操作平臺上，氣體從連接座41的底部進入。

裝置100的操作過程為：將4英寸的晶片放在承托柱1的承托盤體12上，因承托盤體表面121為斜面，晶片與承托盤體12的接觸面較小，開啟傳動裝置5，電機通過帶動皮帶輪51，進一步帶動旋轉桿3，在離心力的作用下晶片上的液滴被甩干，同時旋轉接頭連接座41處通入高純惰性氣體，氣體通過中心孔31到達氣體過渡室213，再通過氣路通道211進入中心孔111，最后從出氣孔112向下吹出，將立柱11、承托盤體12表面與晶片接觸點上的殘留液體吹走。

當清洗、甩干不同尺寸的晶片時，需用對應尺寸的旋轉盤2，承托柱1的數量應以使晶片保持平衡為基礎。

本實用新型通過在裝置內增加氣路通道，使氣體通過吹走晶片邊緣與承托柱接觸而殘留的水或溶劑，有效解決晶片邊緣液跡問題，提高晶片邊緣的表面質量，提升晶片利用率。

盡管為示例目的，已經公開了本實用新型的優選實施方式，但是本領域的普通技術人員將意識到，在不脫離由所附的權利要求書公開的本實用新型的范圍和精神的情況下，各種改進、增加以及取代是可能的。