1.一種半導體激光器芯片的脊條結構，其特征是，將脊條在靠近前腔面和后腔面的一段脊條的寬度增加，使脊條的形狀為中間窄兩頭寬。
2.根據權利要求1所述的半導體激光器芯片的脊條結構，其特征是，所述寬度增加的一段脊條的長度為4-10μm。
3.根據權利要求1所述的半導體激光器芯片的脊條結構，其特征是，所述寬度增加的一段脊條的寬度增加量為1-2μm。
4.根據權利要求1所述的半導體激光器芯片的脊條結構，其特征是，所述寬度增加的一段脊條的寬度是漸變的，在前腔面或后腔面處的寬度最大。
5.根據權利要求4所述的半導體激光器芯片的脊條結構，其特征是，在靠近前腔面或后腔面的小于4-10μm的長度范圍內不制備金屬電極。
6.根據權利要求1所述的半導體激光器芯片的脊條結構，其特征是，所述寬度增加的一段脊條的寬度是突變的，這段脊條上的寬度是一致的。