本實用新型涉及一種LED封裝技術領域,尤其涉及一種LED COB器件。
背景技術:
在傳統LED應用當中,由于LED本身的低壓恒流驅動特性,而電網電壓是交流高壓,無法直接提供給LED使用,因此LED光源必須搭配相應的恒流電源才可以正常使用。LED光源加電源的方式,給LED的應用造成了很多困擾,在燈具安裝上,必須多一道工序;在燈具設計上,必須考慮電源安裝空間;在燈具定型上,必須考慮光源與電源的匹配;在品質追溯上,又存在責任推脫隱患。
為了克服以上困難,市場上期待一種可直接使用交流高壓驅動的LED光源,將電源的功能集成在了光源里,并做到了高度集成化,實現小尺寸的設計。
本實用新型提出一種LED COB光源,可以直接使用交流高壓驅動,采用COB設計,產品結構設計合理,安裝于應用端,無需繁瑣的驅動裝置,便于小型化。
技術實現要素:
本實用新型要解決的技術問題是提供一種LED COB器件,可以直接使用交流高壓驅動,采用COB設計,產品結構設計合理,安裝于應用端,無需繁瑣的驅動裝置,便于小型化設計。
為了解決上述技術問題,本實用新型提出一種LED COB器件,包括基板、至少一個LED芯片、驅動芯片及整流芯片、圍壩以及封裝膠體,所述LED芯片設置于所述基板上,所述圍壩包括第一圍壩和第二圍壩,所述LED芯片設置于所述第一圍壩內,所述驅動芯片及整流芯片設置于所述第二圍壩內,所述封裝膠體填充于所述圍壩內并覆蓋圍壩內的LED芯片、驅動芯片及整流芯片。
優選地,所述基板的正面設置有固晶區及電極區;
所述固晶區包括第一固晶區和第二固晶區,所述第一固晶區位于所述基板的中央位置;
所述第二固晶區分布于所述基板的一對對角上。
優選地,所述電極區為設置于所述基板正面的金屬層。
優選地,所述金屬層設置有兩個,分別為第一金屬層和第二金屬層,所述第一金屬層和第二金屬層分別位于所述基板的另外一對對角上。
優選地,所述第一固晶區的表面設置有高反射層,所述高反射層的反射率高于98%。
優選地,所述第一固晶區呈閉合環狀結構,其直徑為11mm。
優選地,所述第一圍壩由白色圍壩膠制成,所述第一圍壩的直徑為0.4~1.0mm。
優選地,所述基板為陶瓷基板,呈矩形,其尺寸為19*19mm。
優選地,所述封裝膠體由透明硅膠和熒光粉構成。
與現有技術相比,本實用新型的有益效果在于:
1、本實用新型提供的LED COB器件,將所述LED芯片及驅動芯片及整流芯片均設置于所述基板上,驅動芯片及整流芯片驅動LED芯片,使得LED芯片能夠正常工作,將本實用新型的LED COB器件安裝于應用端,無需另外安裝驅動裝置,大大簡化了應用端的安裝過程,且減少了應用端的安裝部件,更利于應用端的小型化設計。
2、本實用新型提供的LED COB器件,所述第一固晶區的表面設置有高反射層,用于提高LED COB器件的反射率,提高所述LED COB器件的出光效率,另外,白色圍壩膠制作所述第一圍壩,進一步提高了LED COB器件的反射率。
附圖說明
圖1為本實用新型LED COB器件的結構示意圖。
具體實施方式
為了使本領域的技術人員更好地理解本實用新型的技術方案,下面結合附圖和優選實施例對本實用新型作進一步的詳細說明。
如圖1所示,一種LED COB器件,包括基板1、至少一個LED芯片2、驅動芯片及整流芯片3、圍壩4以及封裝膠體(圖中未示出),所述LED芯片2設置于所述基板上1,所述圍壩4包括第一圍壩41和第二圍壩42,所述LED芯片2設置于所述第一圍壩41內,所述驅動芯片及整流芯片3設置于所述第二圍壩42內,所述封裝膠體填充于所述圍壩4內并覆蓋圍壩內的LED芯片2及驅動芯片及整流芯片3。
所述基板1為金屬基板或陶瓷基板,本實施例中,所述基板為陶瓷基板,呈矩形,其尺寸為19*19mm,所述基板的正面設置有固晶區11及電極區12。
所述固晶區11包括第一固晶區111和第二固晶區112,所述第一固晶區111位于所述基板1的中央位置,呈圓形,用于安裝LED芯片2,本實施例中,所述第一固晶區111的直徑為11mm。更優地,所述第一固晶區111的表面設置有高反射層,所述高反射層的反射率高于98%,用于提高LED COB器件的反射率,提高所述LED COB器件的出光效率;所述第二固晶區112分布于所述基板1的一對對角,用于安裝驅動芯片及整流芯片3,其中,本實用新型所述的對角為矩形兩個不相鄰的角,本說明書及權利要求中提到的對角與該處對角的含義相同。
所述電極區12為設置于所述基板正面的金屬層,用于實現LED COB器件與外界電源的電連接,所述金屬層設置有兩個,分別為第一金屬層和第二金屬層,所述第一金屬層和第二金屬層分別位于所述基板的另一對對角上,所述第一金屬層及所述第二金屬層與所述固晶區11之間通過電路實現電連接關系。
所述LED芯片2設置于所述第一固晶區111,本實施例中,所述LED芯片2為多個,LED芯片2之間設置有電連接邏輯關系,從而可以實現單階驅動或多階驅動。
所述圍壩4包括第一圍壩41和第二圍壩42,所述第一圍壩41呈閉合環狀結構,設置于所述基板1的正面并包圍所述第一固晶區111。所述第一圍壩41由圍壩膠制成,所述圍壩膠為白色。所述第一圍壩的直徑為0.4~1.0mm。本實用新型采用白色圍壩膠制作所述第一圍壩,用于提高LED COB器件的反射率,所述圍壩壩體的寬度設置為0.4~1.0mm ,若所述圍壩壩體的寬度小于0.4mm,則圍壩與所述基板的結合力過小,容易脫落,LED COB器件的可靠性差,若所述圍壩壩體的寬度大于1.0mm,則占用所述基板過多的面積,不利于LED COB器件的小型化設計;所述第二圍壩42呈規則或不規則形狀的閉合結構,設置于所述基板1的一對對角上并包圍所述第二固晶區112。
所述封裝膠體可以是透明封裝膠體,也可以是混合有熒光粉的封裝膠體,本實施例中,所述封裝膠體由透明硅膠和熒光粉構成,熒光粉均勻的分布于所述透明硅膠內部。
本實用新型將所述LED芯片及驅動芯片及整流芯片均設置于所述基板上,驅動芯片及整流芯片驅動LED芯片,使得LED芯片能夠正常工作,將本實用新型的LED COB器件安裝于應用端,無需另外安裝驅動裝置,大大簡化了應用端的安裝過程,且減少了應用端的安裝部件,更利于應用端的小型化設計。
與現有技術相比,本實用新型的有益效果在于:
1、本實用新型提供的LED COB器件,將所述LED芯片及驅動芯片及整流芯片均設置于所述基板上,驅動芯片及整流芯片驅動LED芯片,使得LED芯片能夠正常工作,將本實用新型的LED COB器件安裝于應用端,無需另外安裝驅動裝置,大大簡化了應用端的安裝過程,且減少了應用端的安裝部件,更利于應用端的小型化設計。
2、本實用新型提供的LED COB器件,所述第一固晶區的表面設置有高反射層,用于提高LED COB器件的反射率,提高所述LED COB器件的出光效率,另外,白色圍壩膠制作所述第一圍壩,進一步提高了LED COB器件的反射率。
以上所述是本實用新型的優選實施方式,應當指出,對于本技術領域的普通技術人員來說,在不脫離本實用新型原理的前提下,還可以做出若干改進和潤飾,這些改進和潤飾也視為本實用新型的保護范圍。