本實用新型涉及光伏發電技術領域，尤其涉及一種高轉化率的多晶硅片。
背景技術：
隨著能源危機的日益凸顯，開發利用新能源成為當今能源領域研究的主要課題，由于太陽能具有無污染、無地域性限制、取之不竭等優點，研究太陽能發電成為開發利用新能源的主要方向，晶體硅太陽能電池，即由晶體硅片制備的太陽能電池是當今太陽能電池行業的主流產品，目前太陽能電池的市場中，晶體硅太陽能電池占據90%以上的份額，而在晶體硅太陽能電池主要有單晶硅片和多晶硅片兩種，多晶硅片運用的更廣泛，但是傳統的多晶硅片由于結構設計不合理，導致吸收光能的效果較差，電能轉化率低，對此我們推出一種減反射效果好的多晶硅片。
技術實現要素：
本實用新型的目的是為了解決現有技術中存在的缺點，而提出的一種高轉化率的多晶硅片。
為了實現上述目的，本實用新型采用了如下技術方案：
設計一種高轉化率的多晶硅片，包括硅片本體，所述硅片本體的上表面等距設有V形槽，且所述V形槽上刻蝕有制絨層，所述制絨層上依次沉積有氮化硅鈍化膜、氮化硅減反射膜和氧化硅減反射膜，且所述氧化硅減反射膜上設有正電極，所述硅片本體的下表面設有背電場，且所述背電場上設有與背電場電連接的背電極。
優選的，優選的，所述硅片本體的下表面設有防腐層，且所述硅片本體的四個邊角上均包裹有順丁橡膠層。
本實用新型提出的一種高轉化率的多晶硅片，有益效果在于：該高轉化率的多晶硅片，在硅片本體設有的V形槽能夠增強對太陽光的吸收，提高反射次數，避免因硅片本體上絨面平整光滑而使反射光損失的問題，從而提高電能轉化，氮化硅鈍化膜、氮化硅減反射膜和氧化硅減反射膜三層依次設置在硅片本體，不但具有更佳的減反射效果，且增強了表面的鈍化效果，電轉化效率高，背電場能夠更加充分的利用太能光進行光電轉化，提高轉化效率。
附圖說明
圖1為本實用新型提出的一種高轉化率的多晶硅片的結構示意圖。
圖中：硅片本體1、V形槽2、氮化硅鈍化膜3、氮化硅間反射膜4、氧化硅減反射膜5、正電極6、背電場7、背電極8。
具體實施方式
下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。
參照圖1，一種高轉化率的多晶硅片，包括硅片本體1，硅片本體1的上表面等距設有V形槽2，且V形槽2上刻蝕有制絨層，V形槽能夠增強對太陽光的吸收，提高反射次數，避免因硅片本體上絨面平整光滑而使反射光損失的問題，從而提高電能轉化，制絨層上依次沉積有氮化硅鈍化膜3、氮化硅減反射膜4和氧化硅減反射膜5，且氧化硅減反射膜5上設有正電極6，氮化硅鈍化膜、氮化硅減反射膜和氧化硅減反射膜三層依次設置在硅片本體，不但具有更佳的減反射效果，且增強了表面的鈍化效果，電轉化效率高。
硅片本體1的下表面設有背電場7，且背電場7上設有與背電場7電連接的背電極8，背電場能夠更加充分的利用太能光進行光電轉化，提高轉化效率，硅片本體1與背電場7之間還設有P+層，P+層用于輔助對光能的電轉化，使轉化效果好，提高電能轉化率，硅片本體1的下表面設有防腐層，且硅片本體1的四個邊角上均包裹有順丁橡膠層，防腐層可防止硅片本體1的氧化，使用壽命更長，硅片本體1的四個邊角上包裹的順丁橡膠層便于運輸和安裝，減少損壞率。
以上所述，僅為本實用新型較佳的具體實施方式，但本實用新型的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術領域的技術人員在本實用新型揭露的技術范圍內，根據本實用新型的技術方案及其實用新型構思加以等同替換或改變，都應涵蓋在本實用新型的保護范圍之內。