SMC型半導(dǎo)體引線(xiàn)框架的制作方法

本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體芯片封裝領(lǐng)域，具體是一種SMC型半導(dǎo)體引線(xiàn)框架。

背景技術(shù)：

目前SMC型半導(dǎo)體引線(xiàn)框架主要用于手工裝配生產(chǎn)中，為了便于手工裝配，產(chǎn)品封裝引線(xiàn)框架為單排設(shè)計(jì)，生產(chǎn)效率低，且引線(xiàn)框架中的芯片承放結(jié)構(gòu)密度小，框架利用率低，耗費(fèi)材料。同時(shí)上片和下片很難做成薄型貼片。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)上述問(wèn)題，本實(shí)用新型的主要目的在于提供一種既克服引線(xiàn)框架單排設(shè)計(jì)，芯片承放結(jié)構(gòu)密度小，封裝時(shí)效率低，浪費(fèi)人工的問(wèn)題，同時(shí)又克服了上片和下片不能做薄型貼片的問(wèn)題。

本實(shí)用新型是通過(guò)下述技術(shù)方案來(lái)解決上述技術(shù)問(wèn)題的：

一種SMC型半導(dǎo)體引線(xiàn)框架，由上片66和下片86平貼扣合而成；所述上片66和下片86均由上邊框11和下邊框12以及與上邊框11和下邊框12垂直并整體連接的多個(gè)框架單元58組成；所述上片66的上邊框11和下邊框12都均勻分布多個(gè)圓形定位孔1、多個(gè)橢圓形定位孔2和多個(gè)方孔9；所述下片86的上邊框11和下邊框12都均勻分布多個(gè)圓形定位孔1、多個(gè)橢圓形定位孔2和多個(gè)凸刺8；所述上片66的上邊框11和下邊框12的定位孔1和橢圓形定位孔2分別與下片86的上邊框11和下邊框12的定位孔1和橢圓形定位孔2一一對(duì)應(yīng)；所述上片66的上邊框11和下邊框12的方孔9分別與下片86上邊框11和下邊框12的凸刺8一一緊密配合；所述框架單元58包括整體連接上邊框11和下邊框12的連筋10以及上下均勻排列的且僅在連筋10的一側(cè)的多個(gè)與所述連筋10垂直的引腳5，引腳5上整體連接一個(gè)基島7；所述相鄰框架單元58的引腳5位于連筋10的不同側(cè)，且連筋10相鄰的框架單元58相互連接且緊鄰，連筋10相鄰的框架單元58組成復(fù)合框架單元88；所述上片66的復(fù)合框架單元88的左邊基島7與所述下片86的復(fù)合框架單元88的右邊基島7配合，所述上片的復(fù)合框架單元88的右邊基島7與所述下片86的復(fù)合框架單元88的左邊基島7配合；上片66相鄰復(fù)合框架單元58垂直中心線(xiàn)之間的距離為23.6±0.025mm，下片86相鄰復(fù)合框架單元58垂直中心線(xiàn)之間的距離也是23.6±0.025mm；復(fù)合框架單元88在同一水平上的引腳5在相向方向的延伸線(xiàn)上，都有一個(gè)斷開(kāi)孔6，與相應(yīng)的引腳5及其上的連筋10整體相連，斷開(kāi)孔6的形狀均為長(zhǎng)方形；所述上片66開(kāi)設(shè)有20個(gè)框架單元58；所述下片86開(kāi)設(shè)有20個(gè)框架單元58；所述框架單元58上均設(shè)有10個(gè)引腳5。

每一塊帶材可制作的上片66的引腳5共200個(gè)，下片86的引腳5共200個(gè)，上片66和下片86可封裝200個(gè)芯片，這樣節(jié)省了材料浪費(fèi)。

所述斷開(kāi)孔6在剪切引腳5時(shí)，直接便可斷落，也節(jié)省了材料。達(dá)到了最優(yōu)密度。

所述引腳5和基島7之間設(shè)有折邊部3，所述的拆邊部上設(shè)有兩個(gè)防分層孔4。

所述兩個(gè)防分層孔4的兩側(cè)各設(shè)有一個(gè)包邊刺14。

所述上片66和下片86的長(zhǎng)度和寬度分別為236±0.1mm、78±0.05mm。

所述上片66和下片86的多個(gè)橢圓形定位孔2的長(zhǎng)度為2.36±0.025mm。

所述框架單元58在同一水平上的兩個(gè)相鄰基島7中心之間的距離為11.8±0.1mm。

所述兩個(gè)防分層孔4的直徑均為0.6±0.025mm。

所述基島7的長(zhǎng)和寬分區(qū)為：3±0.025mm。

所述上片66的基島7的中心設(shè)有凸臺(tái)13。

所述下片86的基島7設(shè)有16個(gè)小格。

本實(shí)用新型的積極進(jìn)步效果在于：多排設(shè)計(jì)，芯片承放結(jié)構(gòu)密度高，封裝時(shí)效率高，同時(shí)上片和下片又能做薄型貼片。

附圖說(shuō)明

圖1是本實(shí)用新型的下片86的結(jié)構(gòu)圖。

圖2是圖1中A處的局部放大圖。

圖3是本實(shí)用新型的下片86的突刺8的結(jié)構(gòu)圖之一。

圖4是本實(shí)用新型的下片86的突刺8的結(jié)構(gòu)圖之二。

圖5是本實(shí)用新型的上片66的結(jié)構(gòu)圖。

圖6是圖5中C處的局部放大圖。

圖7是圖6的側(cè)視圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖給出本實(shí)用新型較佳實(shí)施例，以詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)方案。

如圖1-7所示，一種SMC型半導(dǎo)體引線(xiàn)框架，由上片66和下片86平貼扣合而成；所述上片66和下片86均由上邊框11和下邊框12以及與上邊框11和下邊框12垂直并整體連接的多個(gè)框架單元58組成；所述上片66的上邊框11和下邊框12都均勻分布多個(gè)圓形定位孔1、多個(gè)橢圓形定位孔2和多個(gè)方孔9；所述下片86的上邊框11和下邊框12都均勻分布多個(gè)圓形定位孔1、多個(gè)橢圓形定位孔2和多個(gè)凸刺8；所述上片66的上邊框11和下邊框12的定位孔1和橢圓形定位孔2分別與下片86的上邊框11和下邊框12的定位孔1和橢圓形定位孔2一一對(duì)應(yīng)；所述上片66的上邊框11和下邊框12的方孔9分別與下片86上邊框11和下邊框12的凸刺8一一緊密配合；所述框架單元58包括整體連接上邊框11和下邊框12的連筋10以及上下均勻排列的且僅在連筋10的一側(cè)的多個(gè)與所述連筋10垂直的引腳5，引腳5上整體連接一個(gè)基島7；所述相鄰框架單元58的引腳5位于連筋10的不同側(cè)，且連筋10相鄰的框架單元58相互連接且緊鄰，連筋10相鄰的框架單元58組成復(fù)合框架單元88；所述上片66的復(fù)合框架單元88的左邊基島7與所述下片86的復(fù)合框架單元88的右邊基島7配合，所述上片的復(fù)合框架單元88的右邊基島7與所述下片86的復(fù)合框架單元88的左邊基島7配合；上片66相鄰復(fù)合框架單元58垂直中心線(xiàn)之間的距離為23.6±0.025mm，下片86相鄰復(fù)合框架單元58垂直中心線(xiàn)之間的距離也是23.6±0.025mm；復(fù)合框架單元88在同一水平上的引腳5在相向方向的延伸線(xiàn)上，都有一個(gè)斷開(kāi)孔6，與相應(yīng)的引腳5及其上的連筋10整體相連，斷開(kāi)孔6的形狀均為長(zhǎng)方形；斷開(kāi)孔6的寬度為0.5±0.025mm；所述上片66開(kāi)設(shè)有20個(gè)框架單元58；所述下片86開(kāi)設(shè)有20個(gè)框架單元58；所述框架單元58上均設(shè)有10個(gè)引腳5。每一塊帶材可制作的上片66的引腳5共200個(gè)，下片86的引腳5共200個(gè)，上片66和下片86可封裝200個(gè)芯片，這樣節(jié)省了材料浪費(fèi)。所述斷開(kāi)孔6在剪切引腳5時(shí)，直接便可斷落，也節(jié)省了材料。達(dá)到了最優(yōu)密度。所述引腳5和基島7之間設(shè)有折邊部3，所述的拆邊部上設(shè)有兩個(gè)防分層孔4。所述兩個(gè)防分層孔4的兩側(cè)各設(shè)有一個(gè)包邊刺14。所述上片66和下片86的長(zhǎng)度和寬度分別為236±0.1mm、78±0.05mm。所述上片66和下片86的多個(gè)橢圓形定位孔2的長(zhǎng)度為2.36±0.025mm。所述框架單元58在同一水平上的兩個(gè)相鄰基島7中心之間的距離為11.8±0.1mm。所述兩個(gè)防分層孔4的直徑均為0.6±0.025mm。所述基島7的長(zhǎng)和寬分區(qū)為：3±0.025mm。所述下片86的基島7設(shè)有16個(gè)小格。所述上片66的基島7的中心設(shè)有凸臺(tái)13。所述凸臺(tái)13的長(zhǎng)和寬均為1.45mm*1.45mm。

以上顯示和描述了本實(shí)用新型的基本原理和主要特征和本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本實(shí)用新型不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和說(shuō)明書(shū)中描述的只是說(shuō)明本實(shí)用新型的原理，在不脫離本實(shí)用新型精神和范圍的前提下，本實(shí)用新型還會(huì)有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本實(shí)用新型范圍內(nèi)，本實(shí)用新型要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書(shū)及其等效物界定。