本實用新型涉及半導體技術領域,具體為一種LED燈用藍寶石襯底。
背景技術:
藍寶石的組成為氧化鋁(Al2O3),是由三個氧原子和兩個鋁原子以共價鍵型式結合而成,其晶體結構為六方晶格結構,它常被應用的切面有A-Plane,C-Plane及R-Plane,由于藍寶石的光學穿透帶很寬,從近紫外光(190nm)到中紅外線都具有很好的透光性,因此被大量用在光學元件、紅外裝置、高強度鐳射鏡片材料及光罩材料上,它具有高聲速、耐高溫、抗腐蝕、高硬度、高透光性、熔點高(2045℃)等特點,它是一種相當難加工的材料,因此常被用來作為光電元件的材料。
傳統的藍寶石襯底,存在散熱難的問題,熱量聚集在芯片會影響芯片可靠性,增加光衰和減少芯片壽命,封裝和應用較難,使整個芯片的可靠性變差,降低LED燈的使用壽命,現有藍寶石襯底通過性強,導致大量光源浪費,浪費資源,污染環境。
技術實現要素:
本實用新型的目的在于提供一種LED燈用藍寶石襯底,以解決上述背景技術中提出的問題。
為實現上述目的,本實用新型提供如下技術方案:一種LED燈用藍寶石襯底,包括藍寶石襯底,所述藍寶石襯底的邊緣鑲嵌有散熱塊,所述藍寶石襯底的頂部固定連接有二氧化硅晶體片,所述二氧化硅晶體片的內腔設置有微納米圖形層,所述二氧化硅晶體片的頂部設置有氮化鎵結晶生長層,所述氮化鎵結晶生長層的頂部固定連接有錐形凸臺,所述氮化鎵結晶生長層的頂部和錐形凸臺的外側均設置有粗糙層。
優選的,所述錐形凸臺的數量為四個,且水平均勻分布在氮化鎵結晶生長層的頂部。
優選的,所述微納米圖形層中的結構呈周期性排列。
優選的,所述粗糙層的厚度小于等于0.15nm。
優選的,所述藍寶石襯底結構為等邊三角形。
與現有技術相比,本實用新型的有益效果是:該LED燈用藍寶石襯底,通過對散熱塊的使用,避免了長期使用導致藍寶石襯底本體出現高溫的現象,提高了芯片的使用壽命,減少了光衰,同時延長了LED燈的使用壽命,減少了封裝和應用的困難程度,通過微納米圖形層的使用,在粗糙層的配合使用下,增加了光源的折射率,使得光源得到充分的利用,避免了大量光源浪費的現象,達到了節約光資源和保護環境的效果。
附圖說明
圖1為本實用新型結構示意圖;
圖2為本實用新型藍寶石襯底的結構示意圖;
圖3為本實用新型藍寶石襯底的局部俯視圖。
圖中:1、藍寶石襯底、2散熱塊、3二氧化硅晶體片、4微納米圖形層、5氮化鎵結晶生長層、6錐形凸臺、7粗糙層。
具體實施方式
下面將結合本實用新型實施例中的附圖,對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例,而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例,本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本實用新型保護的范圍。
請參閱圖1-3,本實用新型提供一種技術方案:一種LED燈用藍寶石襯底,包括藍寶石襯底1,藍寶石襯底1結構為等邊三角形,藍寶石襯底1的邊緣鑲嵌有散熱塊2,通過對散熱塊2的使用,避免了長期使用導致藍寶石襯底1本體出現高溫的現象,提高了芯片的使用壽命,減少了光衰,同時延長了LED燈的使用壽命,減少了封裝和應用的困難程度,藍寶石襯底1的頂部固定連接有二氧化硅晶體片3,二氧化硅是制造光導纖維的重要原料,可用與制造電子工業的重要 部件、光學儀器,二氧化硅晶體片3的內腔設置有微納米圖形層4,微納米圖形層4中的結構呈周期性排列,采用周期性排列能有效避免透光程度,增加看了光源的利用效率,二氧化硅晶體片3的頂部設置有氮化鎵結晶生長層5,氮化鎵是藍色光發光器件中一種具有重要應用價值的半導體,氮化鎵結晶生長層5的頂部固定連接有錐形凸臺6,采用錐形凸臺6可以使光線多次發生折射角度,極大程度的用來減小光源的損耗,錐形凸臺6的數量不少于四個,且水平均勻分布在氮化鎵結晶生長層5的頂部,氮化鎵結晶生長層5的頂部和錐形凸臺6的外側均設置有粗糙層7,粗糙層7的厚度小于等于0.15nm,通過微納米圖形層4的使用,在粗糙層7的配合使用下,增加了光源的折射率,使得光源得到充分的利用,避免了大量光源浪費的現象,達到了節約光資源和保護環境的效果。
工作原理:使用時,光線通過藍寶石襯底1進入二氧化硅晶體片3中,在微納米圖形層4中多次折射后光線進入氯化鎵結晶生長層5,最終光線經過錐形凸臺6和粗糙層7將光源發送出去。
盡管已經示出和描述了本實用新型的實施例,對于本領域的普通技術人員而言,可以理解在不脫離本實用新型的原理和精神的情況下可以對這些實施例進行多種變化、修改、替換和變型,本實用新型的范圍由所附權利要求及其等同物限定。