本實用新型涉及太陽能電池工程領域，具體涉及一種高轉化率的納米太陽能電池。
背景技術：
光伏行業的相關技術人員為了提高太陽能電池的轉化效率，在傳統結構的基礎上做了大量的技術創新及改進，例如已經研發出的一種結構包括表層、緩沖層、含至少一個P-N結的光吸收區、過渡層、P或N型區的集電柵和電極的非晶硅薄膜太陽能電池。這是一種受光面可以得到充分利用的結構，同時由于底部P-N結的集柵型排布，增加了P-N結的有效長度，從而提高了薄膜太陽能電池的轉化率，然而其結構過于復雜，重復性不好；另一種利用N型晶體硅制成的單面電極太陽能電池，具有合理的結構，較高的轉化效率，遠遠優于常規晶硅太陽能電池，然而優于硅片的脆性，考慮到產品的良率，在大規模生產中也不容易達到最理想的尺寸。
技術實現要素：
本實用新型的目的在于提供一種高轉化率的納米太陽能電池，以解決現有技術中太陽能電池的電池光電轉換率低等技術問題。
本實用新型通過下述技術方案實現：
一種高轉化率的納米太陽能電池，包括襯底、多晶硅薄膜，襯底與多晶硅薄膜之間設有鈍化層，鈍化層表面設有氧化硅薄膜，氧化硅薄膜與多晶硅薄膜之間設有上電極；上電極與多晶硅薄膜之間設有P型硅基體，多晶硅薄膜上設有P-n結，襯底設置在背面AI電極上。
優選，所述多晶硅薄膜為N型多晶硅薄膜，多晶硅薄膜的厚度為5—20微米。
優選，所述氧化硅薄膜的厚度為2—20nm，折射率為2.1—2.4。
優選，所述鈍化層為透明導電的氧化物薄層，鈍化層的厚度為55—65nm。
優選，所述襯底上設有增加透光率的絨毛層。
優選，所述襯底為非晶硅的玻璃層。
本實用新型與現有技術相比，具有如下的優點和有益效果：
本實用新型通過設置鈍化層，在鈍化層上設置氧化硅薄膜，這種氧化硅薄膜可以釋放在高電勢下氮化硅薄膜中儲存的正電荷，從而具有抗高電勢下衰減的作用，并且提高太陽能電池的光電轉換效率。
附圖說明
此處所說明的附圖用來提供對本實用新型實施例的進一步理解，構成本申請的一部分，并不構成對本實用新型實施例的限定。在附圖中：
圖1為本實用新型結構示意圖；
附圖中標記及對應的零部件名稱：
1—AI電極，2—襯底，3—鈍化層，4—氧化硅薄膜，5—上電極，6—多晶硅薄膜。
具體實施方式
為使本實用新型的目的、技術方案和優點更加清楚明白，下面結合實施例和附圖，對本實用新型作進一步的詳細說明，本實用新型的示意性實施方式及其說明僅用于解釋本實用新型，并不作為對本實用新型的限定。
實施例1：
如圖1所示，本實施例一種高轉化率的納米太陽能電池，包括襯底2、多晶硅薄膜6，襯底2與多晶硅薄膜6之間設有鈍化層3，鈍化層3表面設有氧化硅薄膜4，氧化硅薄膜4與多晶硅薄膜6之間設有上電極5；上電極5與多晶硅薄膜6之間設有P型硅基體，多晶硅薄膜6上設有P-n結，襯底2設置在背面AI電極1上。
其中，所述多晶硅薄膜6為N型多晶硅薄膜，多晶硅薄膜6的厚度為5—20微米。
其中，所述氧化硅薄膜4的厚度為2—20nm，折射率為2.1—2.4。
其中，所述鈍化層3為透明導電的氧化物薄層，鈍化層3的厚度為55—65nm。
其中，所述襯底2為非晶硅的玻璃層。
以上所述的具體實施方式，對本實用新型的目的、技術方案和有益效果進行了進一步詳細說明，所應理解的是，以上所述僅為本實用新型的具體實施方式而已，并不用于限定本實用新型的保護范圍，凡在本實用新型的精神和原則之內，所做的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本實用新型的保護范圍之內。