本實用新型涉及太陽能電池生產輔助設備技術領域，具體的說涉及一種用于硅片鍍膜得承載裝置。
背景技術：
晶體硅太陽能電池是市場上的主流產品，其制造流程為：表面清洗及織構化、擴散、清洗刻蝕去邊、鍍膜、絲網印刷、燒結形成歐姆接觸、測試。其中，鍍膜工序是指在制備太陽能電池過程中鍍減反射膜即制備氮化硅薄膜，主要采用等離子體增強化學氣相沉淀(PECVD)的方法。所以，PECVD載板是硅片鍍膜設備的一種重要裝置，其工作原理為：待鍍膜的硅片需平整的放置在載板的工位上，經傳輸部件運輸到硅片鍍膜設備中的等離子腔室，然后在一定工藝條件下進行鍍膜。
現有技術中，當機械手臂往承載裝置上的內框放置硅片時，由于機械手臂需要破真空，硅片會有一段短距離的自由落體過程，產生下壓氣流，形成反制作用力，導致硅片不能準確的落入承載槽中的指定位置上，造成硅片鍍膜不均勻或者損毀，提高了硅片的返工率和碎片率，導致鍍膜良好率下降。
鑒于現有技術中存在的上述缺陷，目前急需一種硅片鍍膜用的承載裝置，可以使硅片能夠較穩定的落入承載槽中的指定位置，從而提升鍍膜得均勻性，降低返工率和碎片率，提升鍍膜得良好率。
技術實現要素：
本實用新型提供的一種用于硅片鍍膜的承載裝置，以解決現有技術中因硅片不能準確的落入承載槽中的指定位置而導致鍍膜良好率降低的問題。
根據本實用新型的一個方面，提供一種用于硅片鍍膜的承載裝置，所述承載裝置包括承載裝置本體，所述承載裝置本體上設置有至少一個承載槽，
所述承載槽內部設置有正方形的內承載槽；
所述內承載槽上設置有至少三個小孔。
根據本實用新型的一個具體實施方式，所述內承載槽的槽距為161mm。
根據本實用新型的另一個具體實施方式，所述至少三個小孔的孔徑為8mm～10mm。
根據本實用新型的又一個具體實施方式，所述至少三個小孔以所述內承載槽的中心點為原點在其周圍均勻分布。
根據本實用新型的又一個具體實施方式，所述承載裝置本體的材料為石墨。
采用本實用新型提供的一種用于硅片鍍膜的承載裝置，拓寬了內承載槽的槽距，同時在內承載槽上進行均勻開孔。當機械手臂往內承載槽里放置硅片時，硅片自由落體產生的下壓氣流可以直接從小孔中溢出，分解了下落過程中下壓氣流產生的反制作用力，使硅片可以準確的覆蓋在小孔上，不會發生錯位。
附圖說明
通過閱讀參照以下附圖所作的對非限制性實施例所作的詳細描述，本發明的其它特征、目的和優點將會變得更明顯：
圖1是根據本實用新型提供的一種用于硅片鍍膜的承載裝置的一種具體實施方式的結構示意圖。
附圖中相同或相似的附圖標記代表相同或相似的部件。
具體實施方式
為了更好地理解和闡釋本發明，下面將結合附圖對本發明作進一步的詳細描述。
本實用新型提供的一種用于硅片鍍膜的承載裝置，請參考圖1，圖1是根據本實用新型提供的一種用于硅片鍍膜的承載裝置的一種具體實施方式的結構示意圖。
所述承載裝置包括承載裝置本體1，所述承載裝置本體1上設置有至少一個承載槽2，所述承載槽2內部設置有正方形的內承載槽3；所述內承載槽3上設置有至少三個小孔4。在本實施例中，所述內承載槽3的槽距為161mm、所述至少三個小孔4的孔徑為8mm～10mm、所述承載裝置本體1的材料為石墨。優選地，所述至少三個小孔4以所述內承載槽3的中心點為原點在其周圍均勻分布。
一種具體的實施例中，當鍍膜開始時，設置承載裝置本體1，機械手臂向承載槽2內部設置的內承載槽3上放置硅片。硅片通過自由落體落入內承載槽3上設置的小孔4上，并且覆蓋在小孔4上。待硅片放置完成后，開始進行鍍膜工藝。
本實用新型提供的一種用于硅片鍍膜的承載裝置，采用拓寬內承載槽，同時在內承載槽上進行開孔的方式。因為硅片在放置在指定位置的過程中會有一段自由下落的過程，上述下落的過程會產生一股下壓氣流，對硅片的下落產生反制作用力，使下落點偏移指定位置，降低鍍膜良好率。通過拓寬內承載槽和對內承載槽進行開孔，可以有效的使下落過程中產生的氣流從小孔中溢出，消除反制作用力，使硅片可以準確的覆蓋在小孔上，提高了鍍膜得均勻性，減少返工率。
本實用新型的應用范圍不局限于說明書中描述的特定實施例的工藝、機構、制造、物質組成及手段。從本實用新型的公開內容，作為本領域的普通技術人員將容易地理解，對于目前已存在或者以后即將開發出的工藝、機構、制造、物質組成及手段，其中它們執行與本實用新型描述的對應實施例大體相同的功能或者獲得大體相同的結果，依照本實用新型可以對它們進行應用。因此，本實用新型所附權利要求旨在將這些工藝、機構、制造、物質組成或手段包含在其保護范圍內。