干刻蝕裝置的下部電極和干刻蝕裝置的制作方法

本實用新型涉及干刻蝕技術領域，特別是涉及一種干刻蝕裝置的下部電極和干刻蝕裝置。

背景技術：

干刻蝕工藝(Dry Etching)是把基板上無光刻膠掩蔽的金屬膜或非金屬膜刻蝕掉，使有光刻膠掩蔽的區域保存下來，從而在基板上形成所需要的圖形。干刻蝕在半導體工藝和顯示器制造工藝有廣泛應用。

對基板進行干刻蝕是在干刻蝕裝置中完成的，而干刻蝕裝置的下部電極是進行干刻蝕的關鍵部件，如圖1所示，干刻蝕裝置的下部電極包括電極底板11和設置在電極底板11上的絕緣層13。在進行干刻蝕時，待刻蝕的基板放置在下部電極的絕緣層13上。

在干刻蝕過程中，需要控制干刻蝕裝置的下部電極在一定溫度下工作，工作時首先要升溫到既定溫度，但工作過程中(即對基板轟擊)會產生熱量，此時又需要對干刻蝕裝置的下部電極降溫。

現有技術中，通過溫度控制裝置控制電極底板11的溫度，進而控制干刻蝕裝置的下部電極的溫度。具體地，在下部電極的電極底板11內形成冷媒管道12，溫度控制裝置自帶的中央處理器根據接收到的信息，會對冷媒進行溫度調節，進而控制干刻蝕裝置的下部電極的溫度。

但是，通過冷媒傳遞熱量給電極底板11，再由電極底板11傳遞熱量給上部的絕緣層13，由于刻蝕過程中(即對基板轟擊)會產生熱量，以及冷媒作用，導致下部電極的表面溫度不均勻，刻蝕均一性不好，造成基板刻蝕的良品率下降。

技術實現要素：

本實用新型的目的在于提供一種干刻蝕裝置的下部電極和干刻蝕裝置，以解決現有技術中下部電極的表面溫度不均勻，刻蝕均一性不好，造成基板刻蝕的良品率下降的問題。

本實用新型提供一種干刻蝕裝置的下部電極，包括電極底板以及位于所述電極底板上的絕緣層，所述絕緣層內嵌入有金屬網。

進一步地，所述金屬網呈交叉網狀嵌入在所述絕緣層內。

進一步地，所述金屬網包括多根第一金屬絲和多根第二金屬絲，所述第一金屬絲沿著第一方向延伸，所述第二金屬絲沿著第二方向延伸，所述第一金屬絲和所述第二金屬絲相互交叉設置成網狀嵌入在所述絕緣層內。

進一步地，所述金屬網遍布在整個所述絕緣層內。

進一步地，所述金屬網為純銅網。

進一步地，所述絕緣層具有相對的下表面和上表面，所述絕緣層通過所述下表面與所述電極底板結合，所述金屬網嵌入在所述下表面內。

進一步地，所述金屬網先置于所述電極底板上表面，所述絕緣層沉積形成在所述電極底板上以使所述金屬網嵌入在所述下表面內。

進一步地，所述電極底板內具有容納冷媒的冷媒管道。

進一步地，所述電極底板為鋁電極底板，所述絕緣層為氧化鋁陶瓷絕緣層。

本實用新型還提供一種干刻蝕裝置，包括反應腔以及設置在所述反應腔內的上部電極和下部電極，所述下部電極為上述的干刻蝕裝置的下部電極。

本實施例提供的干刻蝕裝置的下部電極和干刻蝕裝置，通過在下部電極的絕緣層內嵌入設置金屬網，通過金屬網將熱量在下部電極內均勻傳導，使下部電極的整個表面溫度更加均勻，改善了刻蝕均一性，提高了基板刻蝕的良品率。

附圖說明

圖1為現有技術中干刻蝕裝置的下部電極的結構示意圖。

圖2為本實用新型實施例中干刻蝕裝置的下部電極的結構示意圖。

圖3為圖2中嵌入在絕緣層中的金屬網的結構示意圖。

圖4為本實用新型實施例中干刻蝕裝置的結構示意圖。

具體實施方式

為更進一步闡述本實用新型為達成預定實用新型目的所采取的技術方式及功效，以下結合附圖及實施例，對本實用新型的具體實施方式、結構、特征及其功效，詳細說明如后。

圖2為本實用新型實施例中干刻蝕裝置的下部電極的結構示意圖，請參圖2，該下部電極10包括電極底板11以及位于電極底板11上的絕緣層13。在進行干刻蝕時，待刻蝕的基板放置在下部電極的絕緣層13上。

在干刻蝕過程中，需要控制下部電極10在一定溫度下工作，工作時首先要升溫到既定溫度，但工作過程中(即對基板轟擊)會產生熱量，此時又需要對下部電極10降溫。

具體地，可以通過溫度控制裝置(圖未示)控制電極底板11的溫度，進而控制下部電極10的溫度。例如，在下部電極10的電極底板11內具有容納冷媒的冷媒管道12，冷媒(如氦氣)流經冷媒管道12，溫度控制裝置自帶的中央處理器根據接收到的信息，會對冷媒進行溫度調節，進而控制下部電極10的溫度。

本實施例中，為了使下部電極10的表面溫度更加均勻，改善刻蝕均一性，提高基板刻蝕的良品率，在下部電極10的絕緣層13內嵌入有金屬網14，使絕緣層13表面溫度高的位置可將熱量由金屬網14轉移到溫度低的位置，從而使下部電極10的表面溫度更加均勻，提高刻蝕均一性。

圖3為圖2中嵌入在絕緣層13中的金屬網14的結構示意圖，請參圖3，金屬網14呈交叉網狀嵌入在絕緣層13內。本實施例中，金屬網14包括多根第一金屬絲141和多根第二金屬絲142，第一金屬絲141沿著第一方向(如豎向)延伸，第二金屬絲142沿著第二方向(如橫向)延伸，第一金屬絲141和第二金屬絲142相互交叉設置成網狀嵌入在絕緣層13內。另外，金屬網14遍布在整個絕緣層13范圍內，熱量通過金屬網14可以向整個絕緣層13的各個區域傳遞，使下部電極10的表面溫度更均勻。

本實施例中，絕緣層13具有相對的下表面131和上表面132，絕緣層13通過其下表面131與電極底板11結合。其中，該金屬網14嵌入在該下表面131內。具體地，絕緣層13可通過濺射(sputter)、等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)等方法沉積形成在電極底板11上，在電極底板11上表面沉積形成絕緣層13時，先將金屬網14置于電極底板11上表面，然后再沉積形成絕緣層13，以將金屬網14嵌設在絕緣層13的下表面131內。

優選地，金屬網14為純銅網，因為銅材的熱傳導性能好，其導熱系數可以達到401W/(m·K)。

電極底板11的材質優選為鋁材，即采用鋁電極底板。絕緣層13的材質優選為氧化鋁陶瓷，即采用氧化鋁陶瓷絕緣層。

圖4為本實用新型實施例中干刻蝕裝置的結構示意圖，請參圖4，本實用新型還提供一種干刻蝕裝置，包括反應腔30以及設置在反應腔30內的上部電極20和下部電極10，其中下部電極10為上述實施例中所述的干刻蝕裝置的下部電極10。

在干刻蝕過程中，待刻蝕基板50置于下部電極10上，并且需要控制干刻蝕裝置的下部電極10在一定溫度下工作，本實用新型提供的干刻蝕裝置，在使用過程中，在電極底板11內的冷媒管道12內加入冷媒，通過冷媒在冷媒管道12內的循環來控制電極底板11的溫度，進而控制干刻蝕裝置的下部電極10的溫度。

如果干刻蝕裝置的下部電極10與待刻蝕基板50接觸的表面溫度不均勻，將影響刻蝕均一性。本實用新型通過在下部電極10的絕緣層13內嵌入設置金屬網14，通過金屬網14將熱量在下部電極10內均勻傳導，使下部電極10的整個表面溫度更加均勻，改善了刻蝕均一性，提高了基板刻蝕的良品率。

以上所述，僅是本實用新型的較佳實施例而已，并非對本實用新型作任何形式上的限制，雖然本實用新型已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本實用新型，任何熟悉本專業的技術人員，在不脫離本實用新型技術方案范圍內，當可利用上述揭示的技術內容作出些許更動或修飾為等同變化的等效實施例，但凡是未脫離本實用新型技術方案內容，依據本實用新型的技術實質對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本實用新型技術方案的范圍內。