本實用新型涉及納米功能材料技術領域，特別是一種基于納米銅的導電復合材料。
背景技術：
納米材料指材料在某些尺寸維度上達到納米尺度的材料，包括零維的納米顆粒，一維的納米線、納米管以及二維的納米薄膜，納米材料顆粒大小在1-100nm范圍內，納米粒子由于粒徑小、比表面自由能高，顧其化學勢比相同條件下的塊狀固體高很多，結果導致其熔點和燒結溫度大大低于同樣材質的塊狀固體。
金、銀和銅納米粒子被認為是前景很好的導電功能材料，因為它們 具有高的導電性（105S/cm）、操作穩定性以及低溫過程能力。金和銀比銅貴很多，因而在近幾年，銅納米導電材料的制備引起廣泛關注。
納米銅顆粒的優良特性得以造福人類。納米銅粉的比表面積大、表面活性中心數目多，在冶金和石油化工中是優良的催化劑。納米級銅粉和其塊體材料一樣具有很高的熱導率和電導率，可用于制造導電漿料，如導電膠、導磁膠等，并用于微電子工業中的封裝、連接，對微電子器件的小型化起重要作用。自上世紀九十年代中期，IBM的Pokka等指出納米銅由于其低電阻而可被用于電子連接后，其特殊的電學性質引起電子界的很大關注，越來越多的研究人員開始把注意力轉移到納米銅的制備和應用上來。在工程結構材料的應用中，納米銅晶體材料有著良好的拉伸性能和抗沖擊強度，其力學性能與傳統的銅材相比有著很明顯的提升。另外，納米銅粉是高導電率、高強度的納米銅材不可缺少的基礎原料，因此納米銅粉和與其有關的復合材料的研制具有重要的理論意義和實用價值。
中國專利201410828545.1，公開了一種環氧樹脂/石墨烯/納米銅復合材料的制備方法，涉及一種環氧樹脂復合材料的制備方法。本發明是要解決目前的環氧樹脂不同時具備優良的導電性能和優異的機械性能的技術問題。本發明：一、制備氧化石墨烯溶膠；二、氧化石墨烯負載納米銅粉；三、負載納米銅粉的石墨烯在環氧樹脂中的分散；四、固化。本發明的優點：一、本發明方法制備的環氧樹脂/石墨烯/納米銅復合材料中石墨烯/納米銅在環氧樹脂中的分散性良好；二、與純環氧樹脂相比，本發明制備的環氧樹脂/石墨烯/納米銅復合材料的抗拉強度大幅度提高；三、本發明制備的環氧樹脂/石墨烯/納米銅復合材料的玻璃化轉變溫度與純環氧樹脂相比有提高。但是本發明環氧樹脂/石墨烯/納米銅復合材料的導電性能并不適用于導電材料。
因此，需要發明一種基于納米銅的導電功能材料，來提高材料的導電性能。
技術實現要素：
為解決上述存在的問題，本實用新型的目的在于提供一種基于納米銅的導電復合材料。所述導電復合材料，從下至上依次設置有ITO導電膜基材、石墨烯層及納米銅導電層，較現有技術的導電材料，所述導電復合材料的導電性能得到顯著提高，且電阻率降低，使用范圍廣。
為達到上述目的，本實用新型的技術方案是：
一種基于納米銅的導電復合材料，從下至上依次設置有ITO導電膜基材、石墨烯層及納米銅導電層。
且，所述ITO導電膜基材的厚度為100-200μm。
另有，所述石墨烯層的厚度為500-700nm。
再，所述納米銅導電層的厚度為150-300nm。
進一步地，所述納米銅導電層含有納米銅粉，納米銅粉的粒徑為30-50nm。
本實用新型的有益效果在于：
本實用新型所述的一種基于納米銅的導電復合材料，從下至上依次設置有ITO導電膜基材、石墨烯層及納米銅導電層，較現有技術的導電材料，所述導電復合材料的導電性能得到顯著提高，且電阻率降低，使用范圍廣。
附圖說明
圖1為本發明所提供的一種基于納米銅的導電復合材料的結構示意圖。
其中：1為ITO導電膜基材，2為石墨烯層，3為納米銅導電層。
具體實施方式
實施例1
參見圖1，圖1為本實用新型所述的一種基于納米銅的導電復合材料的結構示意圖：一種基于納米銅的導電復合材料，從下至上依次設置有ITO導電膜基材1、石墨烯層2及納米銅導電層3。
且，所述ITO導電膜基材1的厚度為100μm。
另有，所述石墨烯層2的厚度為500nm。
再，所述納米銅導電層3的厚度為150nm。
進一步地，所述納米銅導電層3含有納米銅粉，納米銅粉的粒徑為30nm。
實施例2
一種基于納米銅的導電復合材料，從下至上依次設置有ITO導電膜基材1、石墨烯層2及納米銅導電層3。
且，所述ITO導電膜基材1的厚度為150μm。
另有，所述石墨烯層2的厚度為600nm。
再，所述納米銅導電層3的厚度為220nm。
進一步地，所述納米銅導電層3含有納米銅粉，納米銅粉的粒徑為30nm。
實施例3
一種基于納米銅的導電復合材料，從下至上依次設置有ITO導電膜基材1、石墨烯層2及納米銅導電層3。
且，所述ITO導電膜基材1的厚度為200μm。
另有，所述石墨烯層2的厚度為700nm。
再，所述納米銅導電層3的厚度為300nm。
進一步地，所述納米銅導電層3含有納米銅粉，納米銅粉的粒徑為50nm。
本實用新型所述的一種基于納米銅的導電復合材料，從下至上依次設置有ITO導電膜基材1、石墨烯層2及納米銅導電層3，較現有技術的導電材料，所述導電復合材料的導電性能得到顯著提高，且電阻率降低，使用范圍廣。
需要說明的是，以上實施例僅用以說明本實用新型的技術方案而非限制。盡管參照較佳實施例對本實用新型進行了詳細說明，本領域的普通技術人員應當理解，可以對實用新型的技術方案進行修改或者等同替換，而不脫離本實用新型技術方案的范圍，其均應涵蓋在本實用新型的權利要求范圍中。