1.一種石墨烯透明導電膜,包括:石墨烯和垂直取向劑;所述垂直取向劑的結構通式為:R-SP-Q(n);其中,Q為磺酸基,n為1-3的整數;SP為連接基團,其結構通式為-(CH2)m-,式中m為1-5的整數,其中的一個或多個CH2基團可任選地被亞苯基、芳香稠環基、亞環烷基、-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-、-OCOO-、-OCH2-、-CH2O-、-CH=CH-、-CF=CF-、-C≡C-、-CH=CH-COO-或-OCO-CH=CH-基團取代;R選自取代或未取代的C3-20的直鏈或支鏈烷基,其中一個或多個CH2基團可任選地被-O-、-CONH-、-COO-、-OCO-、-CO-、或-CH=CH-基團取代,其中一個或多個氫原子可任選地被氟原子或氯原子取代。
2.根據權利要求1所述的石墨烯透明導電膜,其特征在于,在所述結構通式R-SP-Q(n)中,當n為1時,所述連接基團SP中含有至少兩個苯環或芳香稠環結構。
3.根據權利要求1或2所述的石墨烯透明導電膜,其特征在于,所述垂直取向劑選自
中的一種或多種。
4.一種權利要求1-3中任意一項所述的石墨烯透明導電膜的制備方法,包括:
S1:將石墨烯、表面活性劑和水混合均勻,制得石墨烯溶液;
S2:向所述石墨烯溶液中加入垂直取向劑和PEDOT-PSS,混合均勻,制得石墨烯透明導電膜液;
S3:將所述石墨烯透明導電膜液涂布在基板上,去除膜液中的水分,即可制得石墨烯透明導電膜。
5.根據權利要求4所述的制備方法,其特征在于,所述步驟S1包括:將石墨烯、表面活性劑和水混合,對其進行超聲處理以使其混合均勻,制得所述石墨烯溶液;和/或所述表面活性劑包括陰離子表面活性劑、陽離子表面活性劑和非離子表面活性劑中的一種或多種。
6.根據權利要求4或5中所述的制備方法,其特征在于,所述石墨烯、表面活性劑和水的質量之比為1:(50-500):(2000-10000)。
7.根據權利要求4所述的制備方法,其特征在于,所述步驟S2包括:向所述石墨烯溶液中加入垂直取向劑和PEDOT-PSS,對其進行超聲處理以使其混合均勻,制得石墨烯透明導電膜液;和/或所述石墨烯溶液、垂直取向劑和PEDOT-PSS的質量之比為1:(0.1-1):(50-100)。
8.根據權利要求4或7中所述的制備方法,其特征在于,所述垂直取向劑的結構通式為:R-SP-Q(n),其中,Q為磺酸基,n為1-3的整數;SP為連接基團,其結構通式為-(CH2)m-,式中m為1-5的整數,其中的一個或多個CH2基團可任選地被亞苯基、芳香稠環、亞環烷基、-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-、-O-CO-O-、-OCH2-、-CH2O-、-CH=CH-、-CF=CF-、-C≡C-、-CH=CH-COO-或-OCO-CH=CH-基團取代;R選自取代或未取代的C3-20的直鏈或支鏈烷基,其中一個或多個CH2基團可任選地被-O-、-CONH-、-COO-、-OCO-、-CO-、或-CH=CH-基團取代,其中一個或多個氫原子可任選地被氟原子或氯原子取代;其中,當n為1時,所述連接基團SP中須含有至少兩個苯環結構或芳香稠環結構。
9.根據權利要求4所述的制備方法,其特征在于,所述步驟S3包括:將所述石墨烯透明導電膜液涂布在基板上,對其進行加熱處理以去除膜液中的水分,即可制得石墨烯透明導電膜;和/或所述加熱處理的處理溫度為80-140℃,處理時間為3-10min。
10.一種液晶顯示器,包括:第一基板、第二基板和位于所述第一基板和第二基板之間的液晶材料;其中,所述第一基板和第二基板上涂布有權利要求1-3中任意一項所述的石墨烯透明導電膜或權利要求4-9中任意一項所述方法制備的石墨烯透明導電膜。