陣列基板、陣列基板制造方法及液晶顯示屏與流程

本發明涉及液晶顯示屏制造技術領域，尤其涉及陣列基板、陣列基板制造方法及液晶顯示屏。

背景技術：

TFT LCD(Thin-Film-Transistor Liquid Crystal Display，薄膜晶體管液晶顯示器)由于其高速度、高亮度、高對比度等優點，目前已經得到普遍的應用。TFT基板的模式有很多，較常見的有TN、IPS、MVA等。TN模式，響應速度最快，但色彩最差，可視角度相對較小，成本低，主要應用在顯示器和小型電視領域。IPS模式的TFT基板，是一種寬視角顯示技術，可視角度相對較高，響應速度較快，色彩準確，成本適中。

然而，傳統技術中IPS(In-Plane Switching)模式需要較高的驅動電壓，當驅動電壓加到IPS面板電極上后，靠近電極的液晶分子會獲得較大的動力，但是遠離電極的上層液晶分子就無法獲得一樣的動力，運動較慢，只用增加驅動電壓才能使遠離電極的液晶分子也獲得不小的動力，所以驅動電壓會較高。使得共面轉換模式功耗升高，難以和TFT相匹配。同時在靠近基板附近的液晶分子電場驅動減弱，導致光透過率降低。

技術實現要素：

本發明提供一種陣列基板及其制造方法，可以提高液晶分子驅動均勻性。

本申請所述陣列基板、一種陣列基板制造方法，其特征在于，所述方法包括在基板依次形成柵極、柵極絕緣層及氧化物半導體層；其中，氧化物半導體層包括與所述柵極相對的第一氧化物半導體部分、連接于所述第一氧化物半導體部分兩側的第二氧化物半導體部分以及與所述第二氧化物半導體部分間隔設置的多個第三氧化物半導體部分；

于所述基板背向所述柵極的表面方通過紫外線光罩所述氧化物半導體層，使所述第二氧化物半導體部分及多個所述第三氧化物半導體部分分別變成第二導體部分及多個第三導體部分，其中，所述多個第三導體部分分為第一IPS電極及公共電極；

在所述第一氧化物半導體部分、第二導體部分、第一IPS電極及公共電極上形成絕緣層并在絕緣層上形成源極及漏極，所述源極及漏極與所述第一氧化物半導體部分形成的溝道層構成半導體器件；

在所述源極、漏極、溝道層及絕緣層上形成鈍化層，并在所述鈍化層上形成與所述第一IPS電極連通的過孔及溝槽，所述溝槽位于每個第一IPS電極一側并延伸至所述柵極絕緣層上；

在所述鈍化層上形成與所述第一IPS電極對應的第二IPS電極，且所述第二IPS電極通過所述過孔與第一IPS電極連接。

其中，在基板依次形成柵極、柵極絕緣層及氧化物半導體層的步驟包括，在所述柵極絕緣層上物理氣相沉積氧化物半導體層，然后對所述氧化物半導體層圖案化形成所述的第一氧化物半導體部分、第二氧化物半導體部分及第三氧化物半導體部分。

其中，在所述第一氧化物半導體部分、第二導體部分、第一IPS電極及公共電極上形成絕緣層并在絕緣層上形成源極及漏極的步驟，包括在所述絕緣層上形成與所述第一氧化物半導體部分連通的所述通孔，然后在絕緣層上沉積形成金屬層，圖案化所述金屬層形成所述源極及漏極以形成所述溝道層。

其中，在所述鈍化層上形成第二IPS電極，所述第二IPS電極通過所述過孔與第一IPS電極連接步驟包括，在所述鈍化層上形成ITO層，圖案化所述ITO層形成所述第二IPS電極，并且第二IPS電極填滿所述過孔與所述第一IPS電極連接。

其中，所述源極與漏極通過設于絕緣層的通孔分別與所述第一氧化物半導體部分兩側的第二導體部分連接。

本申請所述的陣列基板，包括基板，依次形成所述基板表面的柵極、柵極絕緣層、溝道層、絕緣層及鈍化層，

所述絕緣層覆蓋所述氧化物半導體層及多個第一IPS電極，

所述鈍化層覆蓋所述溝道層并形成有溝槽，所述溝槽位于每個第一IPS電極一側間并延伸至所述柵極絕緣層上；

所述鈍化層上形成與第一IPS電極對應的第二IPS電極，所述第二IPS電極與所述第一IPS電極連接。

其中，所述第二IPS電極與所述第一IPS電極通過過孔連接。

其中，多個所述第二IPS電極包括呈間隔排列的第一組電極及第二組電極，所述第一組電極中的每個第二IPS電位于所述第二組電極中的每兩個第二IPS之間。

本申請所述的液晶顯示屏，包括彩膜基板、陣列基板及液晶層，所述彩膜基板與陣列基板之間形成收容液晶的收容空間，所述陣列基板包括基板，依次形成所述基板表面的柵極、柵極絕緣層、溝道層、絕緣層及鈍化層，所述柵極絕緣層上還設有構成溝道層的氧化物半導體層及與氧化物半導體層間隔設置的多個第一IPS電極；所述絕緣層覆蓋所述氧化物半導體層及多個第一IPS電極，所述鈍化層覆蓋所述溝道層并形成有溝槽，所述溝槽位于每個第一IPS電極一側間并延伸至所述柵極絕緣層上；所述鈍化層上形成與第一IPS電極對應的第二IPS電極，所述第二IPS電極與所述第一IPS電極連接；所述陣列基板的溝槽與所述收容空間連通，液晶分布于所述液晶空間及溝槽內。

本發明的液晶顯示屏的陣列基板具有第一IPS電極及第二IPS電極，當通電驅動液晶時，兩個電極的電壓是一致，形成雙IPS驅動結構陣列基板，位于底部溝槽內的液晶同樣可以被足夠電壓驅動，進而保證液晶層的有效驅動并實現液晶的高透過率。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發明所述的陣列基板制造方法流程圖。

圖2至圖6為圖1所述的陣列基板制造方法各個步驟示意圖。

圖7為本發明陣列基板示意圖。

圖8為圖1所述的陣列基板制造方法中第一組電極及第二組電極的排布示意圖。

具體實施方式

下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。

請參閱圖1、圖2與圖3，本發明提供一種陣列基板制造方法，所述方法包括

步驟S1，在基板10依次形成柵極11、柵極絕緣層12及氧化物半導體層；其中，氧化物半導體層包括與所述柵極11相對的第一氧化物半導體部分131、連接于所述第一氧化物半導體部分131兩側的第二氧化物半導體部分132以及與所述第二氧化物半導體部分132間隔設置的多個第三氧化物半導體部分133。

本步驟中，包括，在所述柵極絕緣層12上物理氣相沉積氧化物半導體層，然后對所述氧化物半導體層圖案化形成所述的第一氧化物半導體部分131、第二氧化物半導體部分132及第三氧化物半導體部分133。

請一并參閱圖4，步驟S2，于所述基板10背向所述柵極11的表面方通過紫外線光照所述氧化物半導體層，使所述第二氧化物半導體部分132及多個所述第三氧化物半導體部分133分別變成第二導體部分134及多個第三導體部分，其中，所述多個第三導體部分分為第一IPS電極135及公共電極136。本步驟中，紫外線光照所述氧化物半導體層，所述第一氧化物半導體部分131被所述柵極11遮擋，其他部分被紫外線光照變成導體。第一IPS電極135及公共電極136均為多個且交叉絕緣排布。

請一并參閱圖5，步驟S3，在所述第一氧化物半導體部分131、第二導體部分134及多個第一IPS電極135、公共電極136上形成絕緣層14并在絕緣層14上形成源極15及漏極16，所述源極15及漏極16與所述第一氧化物半導體部分131以形成溝道層。其中，所述源極15與漏極16通過設于絕緣層14的通孔分別與所述第一氧化物半導體部分131兩側的第二導體部分134連接。

本步驟中，包括在所述絕緣層14上形成與所述第一氧化物半導體部分131連通的所述通孔，然后在絕緣層14上沉積形成金屬層，圖案化所述金屬層以形成所述源極15及漏極16。

請參閱圖6，步驟S4，在所述源極15、漏極16、溝道層及絕緣層14上形成鈍化層17，并在所述鈍化層17上形成過孔171及溝槽172，所述溝槽172于每個第一IPS電極135一側并延伸至所述柵極絕緣層12上，所述過孔171連通所述第一IPS電極135。所述溝槽172的槽底凹陷于位于所述第一IPS電極135一側的柵極絕緣層12上。

請參閱圖7，步驟S5，在所述鈍化層17上形成與第一IPS電極135對應的第二IPS電極18，所述第二IPS電極18與所述第一IPS電極135連接。具體為，在所述鈍化層上形成ITO層，圖案化所述ITO層形成所述第二IPS電極18，并且第二IPS電極填滿所述過孔與所述第一IPS電極連接。本方法形成的陣列基板具有上下層結構的第一IPS電極及第二IPS電極，位于底部溝槽內充滿液晶，當通電驅動液晶時，兩個電極的電壓是一致，位于底部溝槽內的液晶同樣可以被足夠電壓驅動，進而保證液晶層的有效驅動。

如圖8，需要說明的是，多個所述第二IPS電極18包括呈列排列的第一組電極A及第二組電極B，所述第一組電極A中的每個第二IPS電極于所述第二組電極B中的每兩個第二IPS之間。可以理解為多個所述第二IPS電極18分為多列設置并且與第一IPS電極設有過孔一側相連接，同時第一組電極A中第二IPS電極與第二組電極B的第二IPS電極交叉絕緣排列。如此可以錯開過孔171的開設位置，避免同一直線上出現多個過孔171而影響基板強度。

如圖7所示，本發明還提供一種通過上述制造方法制造的陣列基板，所述陣列基板包括基板10，依次形成所述基板表面的柵極11、柵極絕緣層12、溝道層19、絕緣層14及鈍化層17。所述柵極絕緣層12上還設有構成溝道層的氧化物半導體層及與氧化物半導體層間隔設置的多個第一IPS電極135；所述絕緣層14覆蓋所述氧化物半導體層及多個第一IPS電極135，所述鈍化層17覆蓋所述溝道層并形成有溝槽172，所述溝槽172位于每個第一IPS電極135一側并延伸至所述柵極絕緣層12上；所述鈍化層17上形成多個與第一IPS電極135對應的第二IPS電極18，所述第二IPS電極18與所述第一IPS電極18通過過孔連接。

本發明所述的陣列基板制造方法不需要增加復雜的步驟只需要背部紫外線光照將半導體導體化，既可以實現陣列基板的雙電極效果，是陣列基板包括氧化物半導體層變導體化形成的第一IPS電極和ITO制作的第二IPS電極，并通過孔連接第一IPS電極及第二IPS電極，保證兩個電極電壓一致，形成雙IPS驅動結構的陣列基板，有效降低液晶的驅動電壓。所述柵極絕緣層12上還設有與第一IPS電極135交叉設置的公共電極136。

本發明還提供一種液晶顯示屏(圖未示)，其包括彩膜基板、所述陣列基板及液晶層，所述彩膜基板與陣列基板之間形成收容液晶的收容空間，所述陣列基板的溝槽與所述收容空間連通，液晶分布于所述液晶空間及溝槽內。

本發明的液晶顯示屏的陣列基板具有第一IPS電極及第二IPS電極，當通電驅動液晶時，兩個電極的電壓是一致，形成雙IPS驅動結構陣列基板，位于底部溝槽內的液晶同樣可以被足夠電壓驅動，進而保證液晶層的有效驅動并實現液晶的高透過率。

以上所揭露的僅為本發明一種較佳實施例而已，當然不能以此來限定本發明之權利范圍，本領域普通技術人員可以理解實現上述實施例的全部或部分流程，并依本發明權利要求所作的等同變化，仍屬于發明所涵蓋的范圍。