1.一種重摻襯底反型高阻IC外延片的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
A、預備重摻襯底埋層片：選用重摻的埋層片，電阻率＜0.01Ωcm，背封層為二氧化硅+多晶硅；
B、HCl拋光：在1100℃下，選擇HCl流量為3～5L/min，拋光時間2～6min，拋光完成后H2吹掃4～8min；
C、外延生長：選擇雙層外延工藝條件，硅源采用超高純三氯氫硅，第一步生長一重摻過渡層，其生長溫度為1100℃，厚度為1～2um，生長速率為0.4～0.6um/min；第二步生長一高阻外延層，其生長溫度為1160～1180℃，生長速率為0.4～0.6um/min。
2.根據權利要求1所述的重摻襯底反型高阻IC外延片的制備方法，其特征在于：所述外延生長中高頻感應加熱體為表面經裂解處理并表面包封高純SiC的高純石墨基座。
3.根據權利要求2所述的重摻襯底反型高阻IC外延片的制備方法，其特征在于：在外延生長前，在所述高純石墨基座表面淀積一層10～20um通有重摻雜質、與外延層雜質相同的硅。
4.根據權利要求1所述的重摻襯底反型高阻IC外延片的制備方法，其特征在于：所述重摻過渡層和高阻外延層與襯底埋層片雜質類型相反。
5.根據權利要求1所述的重摻襯底反型高阻IC外延片的制備方法，其特征在于：所述H2純度為99.9999％以上，其采用的氫純化器為分子篩。
6.根據權利要求1所述的重摻襯底反型高阻IC外延片的制備方法，其特征在于：在進行外延前清除外延設備中石英鐘罩內壁和石英零件上淀積殘留物。
7.根據權利要求1所述的重摻襯底反型高阻IC外延片的制備方法，其特征在于：所述重摻過渡層外延結束后，經過大流量H2吹除，氣相吹除的時間和氣流量要能使反應室的雜質濃度降到最低，然后通入適量的摻雜源，按技術要求生長一高阻外延層。