技術總結
本發明涉及一種基于臺狀有源區的固態等離子體PiN二極管及其制備方法。該制備方法包括：(a)選取SOI襯底；(b)刻蝕SOI襯底形成臺狀有源區；(c)對所述臺狀有源區四周利用原位摻雜工藝分別淀積P型Si材料和N型Si材料形成P區和N區；(d)在所述臺狀有源區四周淀積多晶Si材料；(e)在所述多晶Si材料表面制作引線并光刻PAD以形成所述固態等離子體PiN二極管。本發明實施例利用原位摻雜工藝能夠制備并提供適用于形成固態等離子天線的高性能基于臺狀有源區的固態等離子體PiN二極管。
技術研發人員：王斌;楊佳音;張鶴鳴;郝敏如;胡輝勇;宋建軍;舒斌;宣榮喜;蘇漢
受保護的技術使用者：西安電子科技大學
文檔號碼：201611188578
技術研發日：2016.12.20
技術公布日：2017.05.10