本發(fā)明涉及透明導(dǎo)電玻璃技術(shù)領(lǐng)域，具體是一種具有自陷光功能的ZnO基透明導(dǎo)電玻璃。
背景技術(shù)：
ZnO基透明導(dǎo)電玻璃由于兼具透明性和導(dǎo)電性，且具備原材料易得、環(huán)境友好、化學(xué)穩(wěn)定性好等優(yōu)點，因此在許多領(lǐng)域，如光電子探測器、光伏器件、薄膜（光電）晶體管、液晶顯示、傳感器、熱反射器等方面都已有重要的應(yīng)用前景。
而自陷光ZnO基光電功能玻璃是一類高透過率、低電阻率且具有精細(xì)表面微結(jié)構(gòu)的功能玻璃，是一類可望在薄膜太陽能電池方面得到重要應(yīng)用的新型無機(jī)非金屬材料。
在薄膜太陽能電池的窗口層材料的應(yīng)用中，由于具備精細(xì)表面微結(jié)構(gòu)，相較于傳統(tǒng)ZnO基光電功能玻璃，自陷光ZnO基光電功能玻璃具有更高的透過率和更大的霧度，通過增加窗口層的陷光能力，可延長太陽光在窗口層的光程，從而提高器件對太陽光的吸收，對提高其光轉(zhuǎn)換效率和穩(wěn)定性起到關(guān)鍵性作用。
但目前傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的自陷光ZnO基光電功能玻璃表面顆粒不均勻，且制備時工藝復(fù)雜，表面形貌難以控制，并且成本較高，不利于產(chǎn)業(yè)化。
技術(shù)實現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的在于提供一種具有自陷光功能的ZnO基透明導(dǎo)電玻璃，該導(dǎo)電玻璃具有織構(gòu)化的表面形貌，具有高透過率、低電阻，且制備工藝簡單、容易控制。
本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是：
一種具有自陷光功能的ZnO基透明導(dǎo)電玻璃，包括玻璃基底，玻璃基底頂面由下至上依次設(shè)有下ZnO基薄膜、微結(jié)構(gòu)增透膜系與上ZnO基薄膜；所述微結(jié)構(gòu)增透膜系為單層離散分布的SiO2小球，所述上ZnO基薄膜的厚度小于SiO2小球的直徑，在微結(jié)構(gòu)增透膜系上形成凹凸的織構(gòu)化結(jié)構(gòu)。
進(jìn)一步的，所述下ZnO基薄膜的厚度為400～500nm。
進(jìn)一步的，所述上ZnO基薄膜的厚度為200～300nm，所述SiO2小球的直徑為301～400nm。
本發(fā)明的有益效果是，采用離散分布的SiO2小球作為微結(jié)構(gòu)增透膜系，其上方的上ZnO基薄膜以微結(jié)構(gòu)增透膜系為模板，自然地形成凹凸的織構(gòu)化結(jié)構(gòu)；在制備時，SiO2小球表面微結(jié)構(gòu)可根據(jù)需要進(jìn)行調(diào)整，使得上ZnO基薄膜的表面微結(jié)構(gòu)容易控制，形成均勻性優(yōu)良的表面微結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)高透過率、低電阻，制備工藝簡單，降低成本，利于產(chǎn)業(yè)化推廣應(yīng)用。
附圖說明
下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明進(jìn)一步說明：
圖1是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
如圖1所示，本發(fā)明提供一種具有自陷光功能的ZnO基透明導(dǎo)電玻璃，包括玻璃基底1，玻璃基底1頂面由下至上依次設(shè)有下ZnO基薄膜2、微結(jié)構(gòu)增透膜系3與上ZnO基薄膜4；所述微結(jié)構(gòu)增透膜系3為單層離散分布的SiO2小球，所述上ZnO基薄膜4的厚度小于SiO2小球的直徑，在微結(jié)構(gòu)增透膜系3上形成凹凸的織構(gòu)化結(jié)構(gòu)。作為優(yōu)選的，下ZnO基薄膜2的厚度為400～500nm，上ZnO基薄膜4的厚度為200～300nm，SiO2小球的直徑為301～400nm。
在制備時，可采用磁控濺射制作下ZnO基薄膜2，然后采用液相法鍍膜制備SiO2小球，之后再磁控濺射上ZnO基薄膜4。
將制備得到的ZnO基透明導(dǎo)電玻璃分別進(jìn)行霧度測試、透過率測試、電阻率測試與XRD測試，霧度為17.1%，可見光平均透過率為82.8%，電阻率為6.1*10-4Ω?cm，XRD圖譜表明ZnO基薄膜在2θ=34.4°出現(xiàn)較強(qiáng)衍射峰，對應(yīng)六角纖鋅礦ZnO結(jié)構(gòu)（002）衍射峰。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制；任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案做出許多可能的變動和修飾，或修改為等同變化的等效實施例。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所做的任何簡單修改、等同替換、等效變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。