本發明涉及半導體照明領域,特別涉及電視、monitor等液晶顯示屏(LCD)的背光源領域。
背景技術:
生活中,液晶顯示LED背光源領域得到了廣泛的應用,目前常用的白光LED主要是靠藍光芯片激發熒光粉產生多種顏色混合而成,光譜能量的峰值正好處于藍光波段,特別是峰值波長在440-460nm的單峰波長藍光芯片,能夠較好的激發現有的熒光粉,獲取較高的光效,但是感應藍光的視覺細胞對波長為442-469nm最為敏感,對于已經公布的藍光危害加權函數及在442nm至469nm之間的藍光強傷害區間內,此440nm-460nm波長藍光為達到相應亮度的正常色度要求白光,其藍光在單峰光譜上必須達到足夠的能量(積分面積,見圖1),恰好是藍光傷害區間內最高加權數區間,其可計算的藍光光強傷害值為最大。
技術實現要素:
本發明為解決上述問題,本發明公開了一種雙芯片激發相應熒光粉的LED光源
本發明的技術方案為:
一種雙芯片藍光健康的LED光源,內部有兩種藍光LED芯片,所述的兩種藍光LED芯片的峰值波長范圍分別為420-440nm和460-480nm。
所述的兩種藍光LED芯片的數量各自大于等于1,主要界定為不同芯片波長用于同一封裝的組合形式。
可以為,1顆峰值波長范圍為420-440nm的藍光LED芯片和多顆峰值波長范圍460-480nm藍光LED芯片的組合。
優選的,多顆峰值波長范圍為420-440nm的藍光LED芯片和1顆峰值波長范圍460-480nm藍光LED芯片的組合。
優選的,多顆峰值波長范圍為420-440nm的藍光LED芯片和多顆峰值波長范圍460-480nm藍光LED芯片的組合。
優選的,所述的峰值波長范圍為420-440nm的藍光芯片激發的熒光粉為:鋁酸鹽,和/或氮氧化物,和/或氮化物紅粉[(Ca,Sr)SiAlN3:Eu],和/或CaAlSi(ON)3:Eu,和/或SiAlON:Eu,和/或硅酸鹽,和/或(BaSr)2SiO4:Eu,和/或Y3(Al,Ga)5O12:Ce,和/或Lu3(Al,Ga)5O12:Ce。
優選的,所述的峰值波長范圍為460-480的藍光芯片激發的熒光粉為:鋁酸鹽,和/或氮化物紅粉[(Ca,Sr)SiAlN3:Eu],和/或氮氧化物,和/或Y3Al5O12:Ce。
本發明的有益效果:
波長在440-460nm的藍光芯片,雖然能夠較好的激發熒光粉,獲取較高的光效,但由于感應藍光的視覺細胞對此波段最為敏感,藍光危害問題較為嚴重,因此避免該波段藍光的產生,是本發明解決的技術問題。
本發明使用了峰值波長范圍為420-440nm和460-480nm的兩種不同藍光LED芯片激發相應熒光粉,在保證白光亮度、色域等品質的基礎上,有效的降低了440-460nm這一波段藍光的相 對能量值,降低藍光危害,實現了藍光健康。
改變藍光強度峰值的波段,凈化該波段藍光的產生,才能有效的保護雙眼。
本發明公開的一種雙芯片激發相應熒光粉的LED光源,在獲取高光效的同時,大大降低了藍光對雙眼的危害。
本發明有效的降低了藍光光強傷害值,需要進行不同方法的研究,而且,本發明還考慮了實際應用中,且沒有帶來相應的性能降低和其他重要參數的缺失。
本發明使用了峰值波長范圍為420-440nm和460-480nm的兩種不同藍光LED芯片激發相應熒光粉,降低了在442-469nm波長范圍藍光光強,相比于普通方法在降低藍光危害方面可以取得一倍的縮減效果,相比于單波長460nm-480nm方法,在光效和色域飽和度方面都有明顯優勢;在取得高光效的同時,降低藍光危害,實現了藍光健康。
附圖說明
圖1:藍光加權函數
其中1:445nm通用藍光光強曲線;2:431nm+470nm光強曲線
圖2:本發明結構示意圖
其中:1:長波芯片;2:短波芯片;3:熒光材料
具體實施方式
通過下面給出的本發明的具體實施例可以進一步清楚地理解本發明,但下述實施例并不是對本發明的限定。以下實施例僅用于說明本發明的技術方案而非限制,本領域的技術人員應當理解,可以對本發明的技術方案進行修改或者等同替換,而不脫離本發明技術方案的宗旨和范圍,其均應涵蓋在本發明的權利要求范圍當中。
實施例1:一種雙芯片激發相應熒光粉的LED光源
芯片波段及數量:采用1pcs(顆)短波芯片,峰值波長為430nm-432.5nm和1pcs長波芯片,峰值波長為470nm-472.5nm;熒光材料:峰值波長為524nm的硅酸鹽和峰值波長為630nm的氮化物;相應LED光源如圖1所示,其他參數變化見表1。
波長在440-460nm的通用藍光芯片,雖然能夠較好的激發熒光粉,獲取較高的光效,但由于感應藍光的視覺細胞對此波段最為敏感,藍光危害問題較為嚴重,為避免該長范圍藍光的產生,在本實例中,采用1pcs短波芯片(430nm-432.5nm)加1pcs長波芯片(470nm-472.5nm)的雙峰波長芯片組合激發熒光粉(524nm(硅酸鹽)+630nm(氮化物)),在使用能夠獲得最高激發效率的熒光粉前提下,如圖2、表1所示,本發明產生的藍光光強傷害值比445-447.5nm的單峰波長芯片產生的藍光光強傷害值有明顯的降低,下降幅度達到了68.75%,而亮度、色域飽和度等重要的性能參數僅有小幅下降,控制在10%以內。
表1參數變化對比表
本實例中,同樣進行了兩種能夠避免440-460nm波長范圍藍光產生的實驗方案進行對比,
即采用單峰短波芯片(430nm-432.5nm)激發熒光粉(524nm(硅酸鹽)+590nm(氮化物))和采用單峰長波芯片(470nm-472.5nm)激發熒光粉(534nm(氮化物)+631nm(氟化物)),在使用能夠獲得最高激發效率的熒光粉前提下,如表1所示,這兩種單峰波長芯片的實驗方案產生的藍光光強傷害值比445-447.5nm的芯片產生的藍光光強傷害值有明顯的降低,但亮度、色域飽和度等重要的性能參數的下降幅度同樣很大。
在本實例中,采用1pcs短波芯片(430nm-432.5nm)加1pcs長波芯片(470nm-472.5nm)的雙峰波長芯片組合激發熒光粉(524nm(硅酸鹽)+630nm(氮化物))是最優化的選擇,在取得雙芯片的同時,降低藍光危害,實現了藍光健康。
實施例2:一種雙芯片激發相應熒光粉的LED光源
內部有兩種藍光LED芯片,所述的兩種藍光LED芯片的峰值波長范圍分別為420-440nm和460-480nm;為1顆峰值波長范圍為420-440nm藍光LED芯片和2顆峰值波長范圍460-480nm藍光LED芯片的組合;所述的峰值波長范圍為420-440nm的藍光芯片激發的熒光粉為:鋁酸鹽和氮氧化物;所述的峰值波長范圍為460-480的藍光芯片激發的熒光粉為:鋁酸鹽和Y3Al5O12:Ce。
實施例3:一種雙芯片激發相應熒光粉的LED光源
內部有兩種藍光LED芯片,所述的兩種藍光LED芯片的峰值波長范圍分別為420-440nm和460-480nm;為2顆峰值波長范圍為420-440nm藍光LED芯片和2顆峰值波長范圍460-480nm藍光LED芯片的組合;所述的峰值波長范圍為420-440nm的藍光芯片激發的熒光粉為:SiAlON:Eu和硅酸鹽;所述的峰值波長范圍為460-480的藍光芯片激發的熒光粉為:鋁酸鹽,和氮化物紅粉[(Ca,Sr)SiAlN3:Eu]。
實施例4:一種雙芯片激發相應熒光粉的LED光源
內部有兩種藍光LED芯片,所述的兩種藍光LED芯片的峰值波長范圍分別為420-440nm和460-480nm;為2顆峰值波長范圍為420-440nm藍光LED芯片和1顆峰值波長范圍460-480nm藍光LED芯片的組合;所述的峰值波長范圍為420-440nm的藍光芯片激發的熒光粉為:鋁酸鹽和氮氧化物;所述的峰值波長范圍為460-480的藍光芯片激發的熒光粉為:鋁酸鹽和Y3Al5O12:Ce。
實施例5:一種雙芯片激發相應熒光粉的LED光源
內部有兩種藍光LED芯片,所述的兩種藍光LED芯片的峰值波長范圍分別為420-440nm和460-480nm;為1顆峰值波長范圍為420-440nm藍光LED芯片和1顆峰值波長范圍460-480nm藍光LED芯片的組合;所述的峰值波長范圍為420-440nm的藍光芯片激發的熒光粉為:(BaSr)2SiO4:Eu;所述的峰值波長范圍為460-480的藍光芯片激發的熒光粉為:氮化物紅粉[(Ca,Sr)SiAlN3:Eu]。
實施例6:一種雙芯片激發相應熒光粉的LED光源
內部有兩種藍光LED芯片,所述的兩種藍光LED芯片的峰值波長范圍分別為420-440nm和460-480nm;為2顆峰值波長范圍為420-440nm藍光LED芯片和3顆峰值波長范圍460-480nm藍光LED芯片的組合;所述的峰值波長范圍為420-440nm的藍光芯片激發的熒光粉為:(BaSr)2SiO4:Eu;所述的峰值波長范圍為460-480的藍光芯片激發的熒光粉為:氮化物紅粉[(Ca,Sr)SiAlN3:Eu]。
實施例7:一種雙芯片激發相應熒光粉的LED光源
內部有兩種藍光LED芯片,所述的兩種藍光LED芯片的峰值波長范圍分別為420-440nm和460-480nm;為1顆峰值波長范圍為420-440nm藍光LED芯片和1顆峰值波長范圍460-480nm藍光LED芯片的組合;所述的峰值波長范圍為420-440nm的藍光芯片激發的熒光粉為:SiAlON:Eu;所述的峰值波長范圍為460-480的藍光芯片激發的熒光粉為:氮化物紅粉[(Ca,Sr)SiAlN3:Eu]。
實施例8:一種雙芯片激發相應熒光粉的LED光源
內部有兩種藍光LED芯片,所述的兩種藍光LED芯片的峰值波長范圍分別為420-440nm和460-480nm;為1顆峰值波長范圍為420-440nm藍光LED芯片和3顆峰值波長范圍460-480nm藍光LED芯片的組合;所述的峰值波長范圍為420-440nm的藍光芯片激發的熒光粉為:(BaSr)2SiO4:Eu;所述的峰值波長范圍為460-480的藍光芯片激發的熒光粉為:氮氧化物。
實施例9:一種雙芯片激發相應熒光粉的LED光源
內部有兩種藍光LED芯片,所述的兩種藍光LED芯片的峰值波長范圍分別為420-440nm和460-480nm;為3顆峰值波長范圍為420-440nm藍光LED芯片和1顆峰值波長范圍460-480nm藍光LED芯片的組合;所述的峰值波長范圍為420-440nm的藍光芯片激發的熒光粉為:鋁酸鹽;所述的峰值波長范圍為460-480的藍光芯片激發的熒光粉為:氮化物紅粉[(Ca,Sr)SiAlN3:Eu]。