掩模組件、掩模組件的制造方法及包括掩模組件的裝置與流程

相關申請的交叉引用

本申請要求在2016年1月12日提交的第10-2016-0003679號韓國專利申請的優先權和權益，該韓國專利申請通過引用并入本文，就各方面而言都如同在本文中完全闡述一樣。

示例性實施方式涉及掩模組件、制造該掩模組件的方法以及包括該掩模組件的裝置。

背景技術：

諸如移動電話、筆記本計算機、個人數字助手、平板電腦等的電子設備被廣泛地使用。為了支持各種功能，這些設備通常包括顯示設備來為用戶提供視覺信息，例如，圖像信息或視頻信息。近來，由于用于驅動這樣的顯示設備的部件已經變得小型化，顯示設備在電子設備中的使用逐漸增加。

掩模組件可用來制造顯示設備。掩模組件包括掩模框和掩模片。掩模片和掩模框之間的焊接效率可能影響顯示設備的分辨率。

在本背景部分中公開的上述信息僅是為了加強對本發明構思背景的理解，并且，因此，其可包含不構成在本國中由本領域普通技術人員所已知的現有技術的信息。

技術實現要素：

示例性實施方式提供了掩模組件和用于精確制造顯示設備的、包括該掩模組件的裝置。

附加的方面將在下文的詳細描述中闡述，并且，在一定程度上，將從本公開中變得顯而易見，或可通過實施本發明構思而被習得。

示例性實施方式公開了包括掩模片的掩模組件，掩模片包括：具有開口的圖案部；以及連接至圖案部的焊接部，焊接部具有不同于圖案部的顆粒尺寸的顆粒尺寸。

示例性實施方式公開了制造掩模組件的方法，該方法包括制造掩模片，并將掩模片安裝在掩模框上。掩模片的制造包括：在基礎構件的第一部分中形成開口以形成圖案部；以及熱處理基礎構件的第二部分以形成焊接部。圖案部和焊接部作為掩模片被提供。

示例性實施方式公開了用于制造顯示設備的裝置，該裝置包括掩模組件、以及面對掩模組件并經由掩模組件提供沉積材料的沉積源。掩模組件包括掩模片，掩模片包括：具有開口的圖案部；以及連接至圖案部的焊接部，焊接部具有不同于圖案部的顆粒尺寸的顆粒尺寸。

前述的大體說明和以下的詳細說明是示例性和解釋性的，且旨在提供對要求保護的主體的進一步解釋。

附圖說明

附圖示出了本發明構思的示例性實施方式，并且與說明書一起用來解釋本發明構思的原理，其中，附圖被包括以提供對本發明構思的進一步理解，并且附圖并入本說明書且構成本說明書的一部分。

圖1是根據示例性實施方式的掩模組件的立體圖。

圖2是沿著圖1中的線ii-ii'的剖視圖。

圖3是示出了根據示例性實施方式的制造掩模組件的方法的流程圖。

圖4是示出了根據本實施方式的掩模片焊接結果和根據對比實施方式的掩模片焊接結果的平面圖。

圖5是根據示例性實施方式的用于制造顯示設備的裝置的示意性剖視圖。

圖6是由圖5中的裝置制造的顯示設備的平面圖。

圖7是沿著圖6中的線vii-vii'截取的剖視圖。

具體實施方式

在以下的說明中，出于解釋的目的，多個具體細節被闡述以提供對多種示例性實施方式的徹底理解。然而，顯而易見的是，多種示例性實施方式可在沒有這些具體細節或使用一個或多個等效布置的情況下實現。在其它的情況中，為了避免不必要地使多種示例性實施方式不清楚，眾所周知的結構和設備以框圖形式示出。

在附圖中，為了清楚和說明的目的，層、膜、面板，區域等的尺寸和相對尺寸可能被夸大。另外，相同的附圖標記表示相同的元件。

當元件或層被稱為在另一元件或層“上”、“連接至”或“聯接至”另一元件或層時，其可直接在另一元件或層上、直接連接至或直接聯接至另一元件或層，或者可存在介于中間的元件或層。但是，當元件或層被稱為“直接”在另一元件或層“上”、“直接連接至”或“直接聯接至”另一元件或層時，不存在介于中間的元件或層。出于本公開的目的，“x、y和z中的至少一個”和“從由x、y和z組成的組中選擇的至少一個”可以理解為僅x、僅y、僅z、或x、y和z中的兩個或更多的任意組合，諸如，例如，xyz、xyy、yz和zz。在全文中，相同的附圖標記指代相同的元件。如本文中使用的，用語“和/或”包括相關所列項中的一個或多個的任意和全部組合。

雖然用語第一、第二等在本文中可用于描述各種元件，部件，區域，層，和/或區段，但是這些元件、部件、區域、層和/或區段不應被這些用語限制。這些用語用于將一個元件、部件、區域、層和/或區段與另一元件、部件、區域、層和/或區段區分開。因此，在不背離本公開教導的情況下，下文討論的第一元件，第一部件，第一區域，第一層和/或第一區段可以被稱為第二元件，第二部件，第二區域，第二層和/或第二區段。

諸如“在…下方”、“在…之下”、“下部”、“在…之上”、“上部”等的空間相對用語在本文中可用于描述的目的，并且因此，用于描述如附圖中所示的一個元件或一個特征與另一元件(多個元件)或另一特征(多個特征)的關系。除了附圖中所描繪的定向外，空間相對用語旨在包含使用中、操作中和/或制造中的裝置的不同定向。例如，如果附圖中的裝置翻轉，則描述為在其它元件或特征“之下”或“下方”的元件將被定向為在其它元件或特征“之上”。因此，示例性用語“在…之下”可以包含在…之上和在…之下兩個定向。另外，裝置可以以其它方式定向(例如，旋轉90度或處于其它定向)，并且，如此，本文中使用的空間相對描述語應相應地解釋。

本文所用的術語是出于描述特定實施方式的目的，并不旨在限制。如本文使用的，除非上下文清楚地另外指出，否則，單數形式，“一(a)”、“一(an)”和“所述(the)”旨在也包括復數形式。此外，當用語“包含”、“包含有”、“包括”和/或“包括有”在本說明書中使用時表示所述特征、整體、步驟、操作、元件、部件和/或它們的組的存在，但不排除一個或多個其它特征，整體，步驟，操作，元件，部件和/或它們的組的存在或添加。

多種示例性實施方式在本文中參考剖視圖描述，該剖視圖是理想化示例性實施方式和/或中間結構的示意圖。如此，示圖中的由于例如制造技術和/或公差而產生的形狀的變化是可預期的。因此，本文中公開的示例性實施方式不應理解為限于具體所示的區域的形狀，而是將包括由于例如制造引起的形狀的偏差。附圖中示出的區域本質上是示意性的，且它們的形狀不旨在示出設備區域的實際的形狀，且不旨在限制。

除非另外限定，否則本文使用的全部術語(包括技術術語和科學術語)具有與本公開為其一部分的技術領域中的普通技術人員中的一個所通常理解的含義相同的含義。諸如那些在常用字典中定義的術語的術語應解釋為具有與其在相關技術的語境中的含義一致的含義，且將不以理想化或過于正式的意義來解釋，除非本文中明確地如此限定。

圖1是根據示例性實施方式的掩模組件150的立體圖。圖2是沿圖1中的線ii-ii'的剖視圖。

參考圖1至圖4，掩模組件150可包括掩模框151、掩模片152以及支承構件153。

掩模框151可具有框形狀。掩模框151可包括彼此連接的多個框部。例如，第一框部和第二框部在x方向上延伸，連接至第一框部和第二框部的第三框部和第四框部在y方向上延伸，以及第一框部至第四框部可限定掩模框151的中央處的開口。在另一示例中，掩模框151可具有限定多個開口的格子形狀。

掩模片152可在y方向上排列，并且每個掩模片152可在x方向上延伸。掩模片152可覆蓋掩模框151的開口。掩模片152可安裝在掩模框151上。掩模片152可焊接至掩模框151。例如，掩模片152可在掩模片152的縱向方向上拉伸，并通過焊接固定至掩模框151。

掩模片152包括具有開口152b-1的圖案部152b，及連接至圖案部152b的焊接部152a。

掩模片152可由鎳鐵合金形成。在該情況下，鎳含量可在掩模片152重量的約30wt％至約50wt％的范圍內。

開口152b-1可形成在圖案部152b中。在示例性實施方式中，開口152b-1形成多個組，并且該多個組在x方向上彼此間隔開。每個組可限定為圖案區域152b-2。圖案區域152b-2可與襯底(參見圖5中的21)的顯示區域對應，其中，沉積材料沉積在襯底上。形成于圖案區域152b-2中的開口152b-1可以以規則的間距彼此間隔開，并且可形成特定圖案。

焊接部152a可連接至圖案部152b。例如，焊接部152a可從圖案部152b延伸且與圖案部152b成為整體。焊接部152a可布置在掩模框151上，以及焊接點p可形成于焊接部152a中以用于將掩模片152安裝在掩模框151上。

焊接部152a可根據多種方法包括在掩模片152中。例如，二個焊接部152a可分別布置在圖案部152b的端部處，且可連接至圖案部152b。焊接部152a可在掩模片152中形成為具有矩形形狀、條形狀、或線形狀。

焊接點p可在焊接部152a中彼此間隔開。焊接部152a可形成為具有某一面積，使得焊接點p布置在焊接部152a內。焊接部152a可在掩模片152中形成為具有點形狀、多邊形形狀、圓形形狀等。可在焊接部152a中形成單個焊接點p。焊接點p中的一些可形成在焊接部152a外。

圖案部152b和焊接部152a可由相同材料形成。在該情況下，圖案部152b的顆粒尺寸可與焊接部152a的顆粒尺寸不同。圖案部152b的顆粒尺寸可小于焊接部152a的顆粒尺寸。例如，圖案部152b的顆粒尺寸是納米級的，而焊接部152a的顆粒尺寸可以是微米級的。該顆粒尺寸上的差異可導致熱量更有效地傳遞至焊接點p，且可改善掩模框151和焊接部152a之間的焊接效率。另外，熱量可有效地從焊接部152a釋放出。因此，可防止焊接部152a在形成焊接點p時熔化。

圖案部152b的表面粗糙度可與焊接部152a的表面粗糙度不同。例如，圖案部152b的表面粗糙度可小于焊接部152a的表面粗糙度。在該情況下，熱量可有效地在焊接部152a內傳遞，且可從焊接部152a釋放出。因此，可防止焊接部152a在焊接點p形成時熔化。

支承構件153可安裝在掩模框151上。支承構件153可與掩模框151的一邊平行地安裝。支承構件153可布置在掩模片152之間或可布置為與掩模片152的縱向方向具有一定角度。支承構件153可支承掩模片152以從而防止當掩模片152熱變形時掩模片152由于其重量等而下陷。

圖3是示出了根據示例性實施方式的制造掩模組件150的方法的流程圖。圖4是示出了根據本示例性實施方式的掩模片152的焊接結果和根據傳統工藝的對比實施方式的掩模片焊接結果的平面圖。

參考圖1和圖3，在步驟s100中，制造包括焊接部152a和圖案部152b的掩模片152。步驟s100包括s110，s120和s130。

在步驟s110中，可制備基礎構件(未示出)。可根據多種方法制造基礎構件。

根據示例性實施方式，由鐵鎳合金形成的基礎構件可被軋制以減小其厚度。在該情況下，形成基礎構件的顆粒可與軋制方向平行地布置。

根據示例性實施方式，基礎構件可通過電鑄鍍層形成。可通過電鑄鍍層來制造板形的基礎構件。在示例性實施方式中，開口152b-1通過電鑄鍍層形成。在示例性實施方式中，開口152b-1在電鑄鍍層之后形成。為了便于描述，假定開口152b-1在基礎構件被制造后形成。

在步驟s120中，可在基礎構件中形成開口152b-1以形成圖案部152b。例如，開口152b-1可通過用激光照射基礎構件的激光打孔法形成，或通過噴射蝕刻劑或將基礎構件浸在蝕刻劑中的刻蝕法來形成。例如，基礎構件可用光刻膠涂覆以形成開口152b-1的圖案。

在步驟s130中，基礎構件的至少一部分可被熱處理以形成焊接部152a。步驟s130可在開口152b-1形成之前或之后執行。焊接部152a和圖案部152b作為掩模片152被提供。

基礎構件的一部分可在約350℃到基礎構件熔點的范圍內被熱處理。基礎構件的熔點可取決于鐵含量或鎳含量的多少。例如，基礎構件的熔點可以是約1440℃。例如，基礎構件的一部分可在約350℃至約750℃的范圍內被熱處理。

為了熱處理基礎構件，基礎構件可被插入至腔室(未示出)中，然后可為腔室供應諸如氦、氬或氮的惰性氣體。這樣的熱處理應在腔室內不存在氧氣或熱處理期間不產生氧氣的環境中進行。否則，氧化層可能由于氧氣而形成在基礎構件的外部上，并且因此，基礎構件焊接至掩模框151時的焊接效率可能由于氧化層而降低。

如此，當氣體供應至腔室時，激光等可施加至基礎構件以加熱基礎構件，從而實現基礎構件表面的熱處理。腔室內的氣體可通過泵等被排出。

熱處理可增加基礎構件的顆粒尺寸。例如，基礎構件的顆粒尺寸在熱處理之前可以是納米級的，以及焊接部152a的顆粒尺寸在熱處理之后可以是微米級的。

當基礎構件被如上所述地熱處理時，基礎構件的一部分的顆粒晶體結構可改變。具體地，當基礎構件由鐵鎳合金形成時，基礎構件的顆粒晶體結構可包括體心立方(bcc)結構和面心立方(fcc)結構。當基礎構件被如上所述地熱處理時，具有bcc結構的顆粒的數量和具有fcc結構的顆粒的數量可改變。例如，當基礎構件被如上所述地熱處理時，具有bcc結構的顆粒的數量可減少。另一方面，具有fcc結構的顆粒的數量可增加。換言之，基礎構件內的具有bcc結構的顆粒可通過相變變為具有fcc結構的顆粒。在該情況下，由于具有fcc結構的顆粒的熱導率大于具有bcc結構的顆粒的熱導率，焊接部152a的熱導率可大于圖案部152b的熱導率。焊接部152a的顆粒中的具有fcc結構的顆粒的數量可大于圖案部152b的顆粒中的具有fcc結構的顆粒的數量。例如，焊接部152a的顆粒中的大多數可具有fcc結構。

當基礎構件被如上所述地熱處理時，構成焊接部152a的顆粒可從在軋制方向上拉長地形成的狀態在多個方向上擴大。在該情況下，焊接部152a的顆粒尺寸可增大為大于圖案部152b的顆粒尺寸。

在步驟s200中，掩模片152可安裝在掩模框151上。焊接部152a可焊接至掩模框151。例如，掩模片152在掩模片152的縱向方向上拉伸，且通過焊接焊接點p來安裝在掩模框151上。焊接部152a可布置在掩模框151上。

假定焊接部152a沒被熱處理。根據焊接部152a的顆粒晶體結構，焊接部152a的熱導率可能相對低。這在照射激光等以用于焊接焊接部152a時可能導致不適當的熱傳遞，可能導致焊接部152a的熔化(參見圖4)以及與掩模框151的不適當的焊接連接。另外，掩模片152可能在高溫環境下從掩模框151分離。

根據示例性實施方式，焊接部152a被熱處理。被熱處理的焊接部152a可具有高熱導率。例如，當焊接部152a具有許多具有fcc結構的顆粒時，焊接部152a可具有比掩模片152的其它部分大的熱導率。在該情況下，焊接期間施加的熱量可快速且流暢地在掩模片152的厚度方向上傳遞。例如，即使在施加低熱能時，掩模片152和掩模框151也可順利地彼此焊接。另外，可避免由于熱能無法傳遞并從而在焊接部152a內積累而導致的焊接部152a的熔化。因此，掩模片152可牢固地安裝在掩模框151上，從而增加產品的生產率并最小化缺陷率。

圖5是根據示例性實施方式的用于制造顯示設備的裝置100的示意性剖視圖。

參考圖5，裝置100可包括腔110、掩模組件150、第一支承物120、第二支承物130、沉積源160、可視單元140和壓力調節器170。

腔110可在其中具有空間，且腔110的一部分可形成為開放的。門閥110a可安裝在腔110的開放部分以打開或關閉開放部分。

掩模組件150可包括掩模框151、掩模片152及支承構件153。掩模片152可包括開口152b-1如上述描述地形成于其中的圖案部152b，以及連接至圖案部152b的焊接部152a。掩模框151、掩模片152及支承構件153與上文所述相同或相似，并且因此，在此省略其詳細描述。

襯底21可位于第一支承物120上。第一支承物120可安裝在腔110內。根據另一示例性實施方式，第一支承物120可以可移動地布置在腔110內。在該情況下，第一支承物120可形成為梭形等形狀。

掩模框151可位于第二支承物130上。第二支承物130可安裝在腔110內。第二支承物130可通過改變掩模組件150的位置來調節襯底21和掩模組件150之間的相對位置。

沉積源160可面向掩模組件150。沉積源160可安裝在腔110內。根據另一示例性實施方式，沉積源160可以可移動地布置在腔110內。

沉積材料可容納在沉積源160內。加熱沉積材料的加熱器160a可布置在沉積源160內。

可視單元140可安裝在腔110上以拍攝襯底21和掩模組件150的位置。可視單元140可將獲得的圖像傳輸至控制器(未示出)。控制器可基于獲得的圖像通過調整第二支承物130使襯底21和掩模組件150對準。

壓力調節器170可連接至腔110以將氣體從腔110排出至外部。壓力調節器170可包括連接至腔110的連接管171，及設置在連接管171上的壓力調節泵172。壓力調節泵172可將腔110的內部壓力保持在大氣壓或真空狀態。

為了制造顯示設備，掩模組件150和襯底21可插入至腔110中。掩模組件150和襯底21可通過單獨設置在腔110外的機械臂被引入進腔110中，以及可分別位于第一支承物120和第二支承物130上。此后，襯底21和掩模組件150可基于由可視單元140獲得的圖像對準。

當加熱器160a工作并從而沉積材料氣化或升華時，氣化或升華的沉積材料可經由掩模組件150沉積在襯底21上。壓力調節泵172可操作為從腔110排出沉積材料。

加熱的沉積材料可加熱掩模組件150。這時，施加至掩模片152和掩模框151的熱量可能使掩模片152變形。根據示例性實施方式，掩模片152牢固地固定至掩模框151，且沉積材料可在襯底21上沉積為具有設計的圖案。

圖6是由圖5中的裝置100制造的顯示設備20的平面圖。圖7是沿圖6中的線vii-vii'截取的剖視圖。

參考圖6和圖7，顯示設備20可包括位于襯底21上的顯示區域da和圍繞顯示區域da的非顯示區域。發光單元d可布置在顯示區域da中，以及電力布線(未示出)等可布置在非顯示區域中。焊盤單元c可布置在非顯示區域中。

顯示設備20可包括襯底21、發光單元d和形成于發光單元d的上表面上的薄膜封裝層e。襯底21可由塑料材料、玻璃材料或諸如不銹鋼(sus)或鈦(ti)的金屬材料形成。襯底21可由聚酰亞胺(pi)形成。

發光單元d可布置在襯底21上。發光單元d可包括薄膜晶體管tft、覆蓋薄膜晶體管tft的鈍化層27、以及形成于鈍化層27上的有機發光二極管(oled)28。

由有機化合物和/或無機化合物形成的緩沖層22布置在襯底21的上表面上。緩沖層22可由硅氧化物(siox)(x≥1)或硅氮化物(sinx)(x≥1)形成。

有源層23布置在緩沖層22上，且由柵絕緣層24埋藏。有源層23包括源區23a、漏區23c以及在源區23a和漏區23c之間的溝道區23b。

有源層23可形成為包括多種材料。例如，有源層23可包括無機半導體材料，例如，非晶硅或晶體硅。如另一示例，有源層23可包括氧化物半導體。如另一示例，有源層23可包括有機半導體材料。但是，為了便于說明，現在將詳細描述有源層23由非晶硅形成的情況。

有源層23可通過在緩沖層22上形成非晶硅層、結晶化非晶硅層以形成多晶硅層、以及圖案化多晶硅層來形成。根據諸如驅動tft或開關tft的tft類型，用雜質摻雜有源層23的源區23a和漏區23c。

柵電極25和埋藏柵電極25的層間絕緣層26布置在柵絕緣層24的上表面上。

接觸孔h1形成在層間絕緣層26和柵絕緣層24中，以及然后源電極27a和漏電極27b在層間絕緣層26上形成為使得源電極27a和漏電極27b分別接觸源區23a和漏區23c。

鈍化層27布置在如上所述形成的薄膜晶體管tft上，以及oled28的像素電極28a形成在鈍化層27上。像素電極28a通過形成于鈍化層27中的通孔h2接觸薄膜晶體管tft的漏電極27b。鈍化層27可由無機材料和/或有機材料形成，以及可形成為單層或多層。鈍化層27可形成為平坦化層以使得其上表面是平坦的，而不論鈍化層27之下的更低的層的不平坦。可替代地，鈍化層27可根據更低的層的不平坦而形成為不平坦的。鈍化層27由透明的絕緣體形成以便實現共振效應。

像素限定層29覆蓋像素電極28a和鈍化層27。像素限定層29具有暴露像素電極28a的開口。像素限定層29可由有機材料和/或無機材料形成。

中間層28b和相對電極28c布置在像素電極28a上。

像素電極28a可用作陽極，以及相對電極28c可用作陰極。可替代地，像素電極28a可用作陰極，以及相對電極28c可用作陽極。

像素電極28a和相對電極28c通過中間層28b彼此分開，且分別將相反極性的電壓施加至中間層28b以引起光發射。

中間層28b可包括有機發射層。中間層28b還可包括空穴注入層(hil)、空穴傳輸層(htl)、電子傳輸層(etl)和電子注入層(eil)中的至少一個。本發明不局限于此，且中間層28b還可包括多個其它功能層(未示出)。

中間層28b可由參考圖5描述的裝置形成。掩模片(參見圖5中的152)可牢固地固定至掩模框(參見圖5中的151)，并且然后沉積材料可沉積在像素電極28a上以形成中間層28b。因此，即使當沉積過程被重復執行時，中間層28b也可形成在準確的位置處并可具有精確的圖案。

一個單位像素包括多個子像素，且該多個子像素可發出多種顏色的光。例如，單位像素可包括分別發射紅光、綠光和藍光的多個子像素，或分別發射紅光、綠光、藍光和白光的多個子像素。

薄膜封裝層e可包括多個無機層或可包括無機層和有機層。

薄膜封裝層e的有機層由聚合物形成，且可以是由聚對苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚酰亞胺、聚碳酸酯(pc)、環氧樹脂、聚乙烯或聚丙烯酸酯形成的單層或層堆。有機層可由聚丙烯酸酯形成。具體地，有機層可包括聚合單體組合物的產物，其中，單體組合物包括基于雙丙烯酸的單體和基于三丙烯酸的單體。單體組合物還可包括基于單丙烯酸的單體。單體組合物還可包括眾所周知的光引發劑，例如，三甲基苯甲酰二苯膦氧化物(tpo)，但本發明不限于此。

薄膜封裝層e的無機層可以是包括金屬氧化物或金屬氮化物的單層或層堆。具體地，無機層可包括sinx、al2o3、sio2或tio2。

薄膜封裝層e中暴露于外部的最上層可由無機層形成以防止濕氣滲入oled28。

薄膜封裝層e可包括至少一個夾層結構，其中，在該夾層結構中，至少一個有機層插入在至少兩個無機層之間。可替代地，薄膜封裝層e可包括至少一個夾層結構，其中，在該夾層結構中，至少一個無機層插入在至少兩個有機層之間。可替代地，薄膜封裝層e可包括其中至少一個有機層插入在至少兩個無機層之間的夾層結構，以及其中至少一個無機層插入在至少兩個有機層之間的夾層結構。

薄膜封裝層e可包括從oled28的上部開始依次形成的第一無機層、第一有機層和第二無機層。

可替代地，薄膜封裝層e可包括從oled28的上部開始依次形成的第一無機層、第一有機層、第二無機層、第二有機層和第三無機層。

可替代地，薄膜封裝層e可包括從oled28的上部開始依次形成的第一無機層、第一有機層、第二無機層、第二有機層、第三無機層、第三有機層和第四無機層。

在oled28和第一無機層之間還可包括包含氟化鋰(lif)的鹵化金屬層。當通過濺射形成第一無機層時，鹵化金屬層可防止oled28損壞。

第一有機層可具有比第二無機層小的面積，以及第二有機層也可具有比第三無機層小的面積。

根據示例性實施方式，通過熱處理掩模片的一部分，掩模片可牢固地固定至掩模框。沉積材料可精確地沉積至襯底上。因此，可增加產品的生產率，且可最小化缺陷率。

雖然本文中已經描述了某些示例性實施方式和實施例，但是其它實施方式和修改將從本說明書變得顯而易見。因此，本發明構思不限于這些實施方式，而是限于所附權利要求書和各種明顯的修改以及等效布置的更寬的范圍。