技術總結
本發明涉及一種基于CH3NH3PbI3/PCBM材料的反射增強互補型HEMT及其制備方法。該方法包括：選取藍寶石襯底；在襯底下表面形成反射層；在襯底上表面形成隔離區；在襯底上表面形成源漏電極；在襯底上表面沿隔離區一側的生長電子傳輸層；在襯底上表面沿隔離區另一側的生長空穴傳輸層；在整個襯底上表面生長CH3NH3PbI3/PCBM材料形成光吸收層；在整個襯底上表面生長形成柵電極材料。本發明由CH3NH3PbI3向溝道提供大量的電子或空穴，并在襯底上鍍銀形成反射層增強光的利用率，形成的HEMT具有遷移率高，開關速度快，光電轉換效率大的優點。在光吸收層加入了PCBM材料形成了異質結，能對孔洞和空位的填充，從而產生更大的晶粒和更少的晶界，產生光生載流子，增強器件性能。
技術研發人員：賈仁需;劉銀濤;汪鈺成;龐體強;張玉明
受保護的技術使用者：西安電子科技大學
文檔號碼：201611124457
技術研發日：2016.12.08
技術公布日：2017.05.10