一種用于多個晶片吸附的真空陶瓷吸盤的制作方法

本發明涉及一種半導體專用設備領域，特別涉及一種用于多個晶片吸附的真空陶瓷吸盤。

背景技術：

半導體專用設備在進行晶片加工處理的過程中，需要將晶片固定在工作臺上，以保證晶片在加工的過程中不發生位移或變形損壞。在晶片加工處理過程中，對晶片的固定方式通常采用陶瓷吸盤抽真空吸附的方式。目前使用的陶瓷吸盤只可以對單個晶片進行吸附加工，對于較小的晶片，陶瓷吸盤上只放置單個晶片，這樣會造成晶片加工效率低下，設備生產成本高等缺點；如果放置多個晶片在陶瓷吸盤上進行加工，則會造成陶瓷吸盤真空泄露而無法吸附晶片。此外，目前使用的陶瓷吸盤均為圓形，針對形狀不規則的晶片，需要將晶片先粘貼到一個圓形貼膜上或者圓形基板上，以保證晶片吸附時不會泄露真空。傳統的吸盤存在著工作效率低、通用性差等缺點。

技術實現要素：

為了解決上述技術問題，本發明實施例提供了一種用于多個晶片吸附的真空陶瓷吸盤。該真空陶瓷吸盤可同時粘結多個鑲塊，進而可以對多個晶片同時進行加工，該真空陶瓷吸盤大大地提高了晶片的加工效率；該真空陶瓷吸盤的鑲塊可根據晶片形狀進行設計，提高了吸盤的通用性，降低設備的生產加工成本以及使用成本。

本發明實施例提供了一種用于多個晶片吸附的真空陶瓷吸盤，包括：鑲塊和基體；所述鑲塊嵌入在所述基體上；

其中，所述基體包括第一連接件和第二連接件，所述第一連接件一側面與第二連接件的一側面相貼合，所述第一連接件的另一側面上設有第一凹槽，在所述第一連接件上對應第一凹槽的位置上設有氣路通孔，所述第一凹槽與氣路通孔連通；所述第二連接件的另一側面上設有第二凹槽，且第二凹槽亦與氣路通孔連通；第一連接件外緣上設置有多個安裝孔；所述安裝孔的位置與半導體設備工作臺上的安裝孔位置相對應；

所述鑲塊嵌入在基體上的第二凹槽內。

可選地，所述鑲塊的材料為微孔陶瓷。

可選地，所述基體的材料為氧化鋁陶瓷。

可選地，所述第二凹槽的數量可以為四個。

可選地，所述鑲塊的形狀可以為圓形、正方形、長方形、三角形或者不規則幾何形狀。

可選地，所述鑲塊的邊緣比晶片的邊緣小1～2mm。

可選地，所述基體第一連接件和第二連接件的形狀均為圓盤形。

可選地，所述氣路通孔的數量與所述鑲塊的數量一致。

可選地，所述鑲塊的數量與所述第二凹槽的數量一致。

可選地，所述第一凹槽的形狀為十字交叉形槽、圓形環槽、方形環槽或者不規則幾何形狀的環槽。

本發明的實施例具有如下有益效果：該用于多個晶片吸附的真空陶瓷吸盤可同時粘結多個鑲塊，進而可以對多個晶片同時進行加工，可大大地提高了晶片的加工效率；該用于多個晶片吸附的真空陶瓷吸盤的鑲塊可根據晶片的形狀進行設計，避免了正方形、長方形、三角形或不規則形狀的晶片吸附時的真空泄露導致吸附不成功的問題，減少了將不規則形狀晶片粘貼到貼膜上或基板上的工序，提高了吸盤的通用性，降低設備的生產加工以及使用成本。

附圖說明

圖1為本發明實施例的用于多個晶片吸附的真空陶瓷吸盤俯視圖；

圖2為本發明實施例的用于多個晶片吸附的真空陶瓷吸盤仰視圖；

圖3為本發明實施例的用于多個晶片吸附的真空陶瓷吸盤A-A面剖視圖。

具體實施方式

為使本發明要解決的技術問題、技術方案和優點更加清楚，下面將結合附圖及具體實施例進行詳細描述。

參見圖1～圖3，本實施例中提供了一種多個晶片吸附的真空陶瓷吸盤，包括：鑲塊1和基體2，其中鑲塊1嵌入到基體2上；所述鑲塊1的材料為微孔陶瓷，所述基體2的材料為氧化鋁陶瓷。

其中，所述基體2包括第一連接件21和第二連接件23，所述基體2的第一連接件21和第二連接件23的形狀均為圓盤形，所述第一連接件21的一側面與第二連接件23的一側面貼合，所述第一連接件21的另一側面上開有第一凹槽4，在第一連接件21上對應第一凹槽4的位置上設有氣路通孔3，所述第一凹槽4與氣路通孔3連通；所述第二連接件23的另一側面上開設有第二凹槽5，且第二凹槽5亦與氣路通孔3相連通；第一連接件21外緣上設置有多個安裝孔22，所述安裝孔22可以為階梯通孔；所述安裝孔22的位置與半導體設備工作臺上的安裝孔位置相對應；

所述鑲塊1嵌入在基體2上的第二凹槽5內。

進一步，本實施例中的第二凹槽5的數量可以為四個，當然并不限于此。

進一步，所述鑲塊1的數量與第二凹槽5的數量一致，本實施例中的所述鑲塊1的數量亦為四個，其中包括第一鑲塊11、第二鑲塊12、第三鑲塊13和第四鑲塊14，當然并不限于此。

所述鑲塊1的形狀可以根據晶片的具體形狀確定，可以是圓形、正方形、長方形、三角形或不規則幾何形狀，本實施例的鑲塊的形狀為正方形，當然并不限于此。

所述鑲塊1的邊緣比晶片的邊緣小1～2mm，這樣可以保證晶片吸附時晶片周邊不會泄露真空。

進一步，所述氣路通孔3的數量與鑲塊1數量一致，且所述氣路通孔3的形狀不限。本實施例中的氣路通孔3的數量為四個，分別為第一氣路通孔31、第二氣路通孔32、第三氣路通孔33、第四氣路通孔34，依次對應第一鑲塊11、第二鑲塊12、第三鑲塊13和第四鑲塊14布置。

進一步，所述第一凹槽4的形狀不限，需保證所述第一凹槽4與所述氣路通孔3和半導體設備內部的真空管路連通；例如本實施例中的第一凹槽4為十字交叉形的凹槽，除了之外，第一凹槽4形狀還可以是圓形環槽、方形環槽或者不規則幾何形狀的環槽，當然并不限于此。

所述第一氣路通孔31、第二氣路通孔32、第三氣路通孔33和第四氣路通孔34分別位于十字形凹槽的四端。

本發明實施例中用于多個晶片吸附的真空陶瓷吸盤的基體上對應每個鑲塊開設了氣路通孔，氣路通孔通過基體上的第一凹槽與半導體設備內部的真空管路連接，從而保證每個鑲塊與半導體設備內部的真空管路相連通，實現一個基體同時粘結多個鑲塊的目的，進而可以對多個晶片同時進行加工，可大大地提高了晶片的加工效率。

本發明實施例中用于多個晶片吸附的真空陶瓷吸盤的鑲塊的形狀、尺寸、數量可根據晶片及基體來設計，避免了正方形、長方形、三角形的晶片或不規則形狀晶片吸附時的真空泄露導致吸附不成功的問題，減少了將不規則形狀晶片粘貼到貼膜上或基板上的工序，提高了吸盤的通用性，降低設備的生產加工以及使用成本。

以上所述是本發明的優選實施方式，應當指出，對于本技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本發明所述原理的前提下，還可以作出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應視為本發明的保護范圍。