1.一種晶硅電池多層鈍化膜，其特征在于：包括第一氧化硅膜、氮化硅膜、第二氧化硅膜以及氮氧化硅膜；氮化硅膜沉積在第一氧化硅膜上；第二氧化硅膜沉積在氮化硅膜上，氮氧化硅膜沉積在第二氧化硅膜上；第一氧化硅膜厚度為5-9nm，氮化硅膜厚度為60-90nm，第二氧化硅膜的厚度為10-20nm，氮氧化硅膜的厚度為15-30nm。
2.如權利要求1所述的晶硅電池表面鈍化膜，其特征在于：第一氧化硅膜厚度為6-8nm，氮化硅膜的厚度為70-80nm，第二氧化硅膜的厚度為12-18nm，氮氧化硅膜的厚度為20-25nm。
3.如權利要求1或2所述的晶硅電池多層鈍化膜，其特征在于：第一氧化硅膜的折射率為1.2-1.5，氮化硅膜的折射率為2.0-2.2，第二氧化硅膜的折射率為1.2-1.5，氮氧化硅膜的折射率為1.7-1.8。
4.權利要求1-4任意一項所述的晶硅電池多層鈍化膜的制備方法，其特征在于：包括順序相接的如下步驟：
A、采用熱氧化法或PECVD法制作第一氧化硅膜；
B、使用PECVD法在第一層氧化硅膜上制作氮化硅膜；
C、使用PECVD法在氮化硅膜上制作第二氧化硅膜；
D、使用PECVD法在第二氧化硅膜上制作氮氧化硅膜，以完成晶硅電池多層鈍化膜的制作。
5.如權利要求4所述的方法，其特征在于：步驟A中，第一氧化硅膜使用PECVD法制作，工藝條件為：溫度350-380℃，笑氣流量3-7L/min，硅烷流量2-4L/min，壓力2-2.5Torr，射頻功率5-7kW，持續時間5-12s。
6.如權利要求4或5所述的方法，其特征在于：步驟B中，氮化硅膜的工藝條件為：溫度420-550℃，氮氣流量20-35L/min，氨氣流量0.6-1.2L/min，硅烷流量2.5-4L/min，壓力2-2.5Torr，射頻功率8-10kW，持續時間35-55s。
7.如權利要求4或5所述的方法，其特征在于：步驟C中，第二氧化硅膜的工藝條件為：溫度350-380℃，笑氣流量3-7L/min，硅烷流量2-4L/min，壓力2-2.5Torr，射頻功率5-7kW，持續時間20-40s。
8.如權利要求4或5所述的方法，其特征在于：步驟D中，氮氧化硅膜的工藝條件為：溫度400-480℃，氮氣流量18-35L/min，笑氣流量3-7L/min，硅烷流量2-4L/min，壓力2-2.5Torr，射頻功率5-7kW，持續時間20-40s。