1.一種雙頻帶獨立可調的基片集成波導濾波器，包括：諧振腔，及諧振腔上的微擾體；
諧振腔包括：接地面、介質板、頂層面、金屬壁過孔；
頂層面和接地面分別位于介質板的上下，金屬壁過孔以相同的距離陣列的分布在諧振腔的四周，組成墻壁，兩個金屬壁過孔的孔間距小于等于金屬壁過孔直徑的2.5倍；
微擾體包括：微擾槽、微擾金屬過孔、連接槽；
微擾槽位于諧振腔的頂層面中心位置，連接槽關于微擾槽對稱設置，每個諧振腔內的微擾金屬過孔關于微擾槽對稱，且相應地位于連接槽里面，連接槽、微擾金屬過孔的個數均為偶數。
2.根據權利要求1所述的一種雙頻帶獨立可調的基片集成波導濾波器，所述的接地面、頂層面均為導電金屬。
3.根據權利要求1所述的一種雙頻帶獨立可調的基片集成波導濾波器，所述的導電金屬為覆蓋的一層銅或者金或者銀。
4.根據權利要求1所述的一種雙頻帶獨立可調的基片集成波導濾波器，所述的諧振腔的個數為1～4個。
5.根據權利要求1所述的一種雙頻帶獨立可調的基片集成波導濾波器，所述的微擾槽個數和諧振腔個數相同，每個微擾槽的尺寸相同。
6.根據權利要求1所述的一種雙頻帶獨立可調的基片集成波導濾波器，所述的連接槽為2～6個。
7.根據權利要求1所述的一種雙頻帶獨立可調的基片集成波導濾波器，所述的微擾金屬過孔為2～6個。
8.根據權利要求1-7所述的一種雙頻帶獨立可調的基片集成波導濾波器，所述的控制金屬孔與頂層面連接狀態保持不變，單一改變微擾槽的長度，控制低頻帶的中心不變，高頻帶的中心頻率移動。
9.根據權利要求1-7所述的一種雙頻帶獨立可調的基片集成波導濾波器，所述的微擾金屬過孔與頂層面連接狀態進行改變，同時改變微擾槽的長度，控制高頻帶中心頻率不變，低頻帶的中心頻率移動。