1.一種集成了TFET的FINFET器件，其特征在于，包括：
位于一半導體襯底上的鰭結構；
位于鰭結構兩個端部區域的源區和漏區；整個漏區的摻雜類型為N型摻雜；源區包括底部N型摻雜區和頂部P型摻雜區；
在源區和漏區之間的鰭結構的頂部和側壁依次形成的氧化層和高K介質層；
位于高K介質層表面的柵極；
在高K介質層下方且在源區和漏區之間的鰭結構中形成的溝道區；其中，
源區的底部N型摻雜區、漏區、溝道區、位于鰭結構的側壁的高K介質層和位于鰭結構的側壁的柵極共同構成MOS FINFET器件；
源區的頂部P型摻雜區、漏區、溝道區、位于鰭結構的頂部的高K介質層和位于鰭結構的頂部的柵極共同構成TFET器件。
2.根據權利要求1所述的集成了TFET的FINFET器件，其特征在于，所述柵極的材料為導電金屬。
3.根據權利要求2所述的集成了TFET的FINFET器件，其特征在于，所述導電金屬的功函數值為2～5eV。
4.根據權利要求1所述的集成了TFET的FINFET器件，其特征在于，所述鰭結構的寬度為5～20nm。
5.根據權利要求1所述的集成了TFET的FINFET器件，其特征在于，所述頂部P型摻雜區的厚度與所述底部N型摻雜區的厚度的比值為1:(2～5)。
6.一種權利要求1所述的集成了TFET的FINFET器件的制備方法，其特征在于，包括：
步驟01：在一半導體襯底上制備鰭結構；
步驟02：在所述鰭結構上形成氧化層和多晶硅柵極；其中，多晶硅柵極和氧化層與高K介質層的圖案相同；
步驟03：向所述鰭結構兩個端部區域進行N型摻雜離子注入，從而形成N型摻雜的漏區和N型摻雜的源區；
步驟04：制備掩膜，將所述N型摻雜的源區之外的半導體襯底區域遮擋起來，對所述N型摻雜的源區進行P型摻雜，得到頂部P型摻雜區，所述頂部P型摻雜區之下剩余的所述N型摻雜的源區構成底部N型摻雜區；
步驟05：去除所述多晶硅柵極；
步驟06：在所述鰭結構上依次形成高K介質材料和柵極材料，并且圖案化高K介質材料和柵極材料，得到所需要的所述高K介質層和所述柵極。
7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述P型摻雜時，從所述源區上方的四周同時對源區進行離子注入。
8.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述步驟04中，所述P型摻雜采用的注入方向與水平線的角度大于氧化層圖案、高K介質層和柵極的厚度總和與源區的橫向長度的反正切值。
9.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述P型摻雜采用的注入方向與水平線的角度的大于45°。
10.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述頂部P型摻雜區的厚度與所述底部N型摻雜區的厚度的比值為1:(2～5)。