芯片電容器及其制造方法與流程
                            
            
                            
            文檔序號：12159688閱讀：801來源：國知局
            
                            
                        
            
                        
            
                        
            
                            芯片電容器及其制造方法與流程
            技術領域
            本發明涉及芯片電容器及其制造方法。


            背景技術：
            專利文獻1公開了一種激光微調電容器，其在基底基板的表面隔著內部電極而形成電介質層，并在該電介質層上與所述內部電極對置地形成有可通過激光微調的上部電極。上部電極的一部分通過激光而被去除，由此，電極間的靜電電容調整為期望的值。
            先行技術文獻
            專利文獻
            專利文獻1：JP特開2001-284166號公報


            技術實現要素：
            發明要解決的課題
            在上述那樣的構造中，在需要多種電容值的電容器的情況下，需要分個設計與該多個電容值對應的多種電容器。故而，為了設計而需要長的期間，且為了設計而需要投入很多精力。而且，在搭載電容器的設備的規格變更而需要新的電容值的電容器時，不能迅速地對應。
            為此，本發明的目的在于，提供能以公共的設計來容易且迅速地與多種電容值對應的芯片電容器及其制造方法。
            用于解決課題的手段
            技術方案1記載的發明是一種芯片電容器，包含：基板；第1外部電極，其配置于所述基板上；第2外部電極，其配置于所述基板上；多個電容器元件，其包含形成于所述基板上的第1電極膜、形成于所述第1電極膜上的第1電容膜、按照與所述第1電極膜對置的方式形成于所述第1電容膜上的第2電極膜、形成于所述第2電極膜上的第2電容膜、以及按照與所述第2電極膜對置的方式形成于所述第2電容膜上的第3電極膜，且所述多個電容器元件連接于所述第1外部電極以及所述第2外部電極之間；以及多個熔斷器，其形成于所述基板上，分別插在所述多個電容器元件與所述第1外部電極或所述第2外部電極之間，且能將所述多個電容器元件分別隔出。
            根據該構成，在配置于基板上的第1以及第2外部電極之間連接有多個電容器元件。而且，在多個電容器元件與第1或第2外部電極之間，設置有能將該多個電容器元件分別隔出的多個熔斷器。為此，通過選擇一個或多個熔斷器來切斷，能容易且迅速地與多種電容值對應。換言之，能對多種電容值的芯片電容器應用公共的設計。
            進而在本發明中，由第1電極膜、第1電容膜以及第2電極膜來形成一個電容器構造，由第2電極膜、第2電容膜以及第3電極膜形成另外的電容器構造。即，在基板上形成有多層的電容器構造，因此能謀求芯片電容器的大電容化。即，即使以小的基板尺寸也能提供大電容電容器，若為相同的電容，則能提供更小型的芯片電容器。
            技術方案2記載的發明是所述多個電容器元件具有彼此不同的電容值的技術方案1中記載的芯片電容器。基于該構成，通過將電容值不同的多個電容器元件進行組合，能以公共的設計來實現各種電容值的芯片電容器。技術方案3記載的發明是所述多個電容器元件的電容值被設定為呈等比數列的技術方案2中記載的芯片電容器。基于該構成，通過適當地選擇要連接于第1外部電極以及第2外部電極之間的多個電容器元件，能將芯片電容器的電容值準確地契合至期望的電容值。例如，通過將所述等比數列的公比設為2，從而能以該等比數列的初項(該數列內為最小值的項)的精度來契合芯片電容器的電容值。
            技術方案4記載的發明是所述多個熔斷器當中的至少一個被切斷的技術方案1～3的任一項中記載的芯片電容器。契合至電容值的芯片電容器存在1個或多個熔斷器被切斷的情況。通過熔斷器的切斷，能選擇連接于第1外部電極以及第2外部電極之間的電容器元件，由此，能實現需要的電容值的芯片電容器。
            技術方案5記載的發明是所述第2電極膜被分割為多個第2電極膜部分、且所述多個熔斷器與所述多個第2電極膜部分分別連接的技術方案1～4的任一項中記載的芯片電容器。根據該構成，不僅通過在第1電極膜與第2電極膜之間夾持第1電容膜來構成了電容器構造，而且通過在第2電極膜與第3電極膜之間夾持第2電容膜來構成了另外的電容器構造。而且，通過將第2電極膜分割為多個第2電極膜部分，從而各第2電極膜部分與第1以及第3電極膜對置，由此多個電容器元件被設置于基板上。而且，通過將多個電容器元件當中與相應的第2電極膜部分對應的熔斷器切斷，能構成具有需要的電容值的芯片電容器。
            技術方案6記載的發明是所述多個第2電極膜部分以彼此不同的對置面積來與所述第1電極膜以及所述第3電極膜對置的技術方案5中記載的芯片電容器。基于該構成，與對置面積彼此不同的多個第2電極膜部分對應的多個電容器元件將具有彼此不同的電容值。由此，通過對它們適當地組合，能實現多種電容值的芯片電容器。更具體而言，通過將與選擇出的多個電容器元件以外的電容器元件對應的熔斷器切斷來將它們從第1以及第2外部電極之間隔出，能構成具有需要的電容值的芯片電容器。
            技術方案7記載的發明是所述多個第2電極膜部分的所述對置面積被設定為呈等比數列的技術方案6中記載的芯片電容器。基于該構成，能將被設定為電容值呈等比數列的多個電容器元件設置于基板上。由此，能實現多種電容值的芯片電容器，且電容值的微調整也能通過熔斷器的切斷來進行。
            技術方案8記載的發明是所述第1電極膜被分割為多個第1電極膜部分，且所述多個熔斷器與所述多個第1電極膜部分分別連接的技術方案1～7的任一項中記載的芯片電容器。根據該構成，通過將第1電極膜分割為多個第1電極膜部分，從而各第1電極膜部分與第2電極膜對置，由此多個電容器元件將被設置于基板上。而且，通過將多個電容器元件當中與相應的第1電極膜部分對應的熔斷器切斷，能構成具有需要的電容值的芯片電容器。
            技術方案9記載的發明是所述多個第1電極膜部分以彼此不同的對置面積來與所述第2電極膜對置的技術方案8中記載的芯片電容器。基于該構成，與對置面積彼此不同的多個第1電極膜部分對應的多個電容器元件將具有彼此不同的電容值。由此，通過將它們適當地組合，能實現多種電容值的芯片電容器。更具體而言，通過將與選擇出的多個電容器元件以外的電容器元件對應的熔斷器切斷來將它們從第1以及第2外部電極之間隔出，能構成具有需要的電容值的芯片電容器。
            技術方案10記載的發明是所述多個第1電極膜部分的所述對置面積被設定為呈等比數列的技術方案9中記載的芯片電容器。基于該構成，能將被設定為電容值呈等比數列的多個電容器元件設置于基板上。由此，能實現多種電容值的芯片電容器，且電容值的微調整也能通過熔斷器的切斷來進行。
            技術方案11記載的發明是所述第3電極膜被分割為多個第3電極膜部分，且所述多個熔斷器與所述多個第3電極膜部分分別連接的技術方案1～10的任一項中記載的芯片電容器。根據該構成，通過將第3電極膜分割為多個第3電極膜部分，從而各第3電極膜部分與第2電極膜對置，由此多個電容器元件將被設置于基板上。而且，通過將多個電容器元件當中與相應的第3電極膜部分對應的熔斷器切斷，能構成具有需要的電容值的芯片電容器。
            技術方案12記載的發明是所述多個第3電極膜部分以彼此不同的對置面積來與所述第2電極膜對置的技術方案11中記載的芯片電容器。基于該構成，與對置面積彼此不同的多個第3電極膜部分對應的多個電容器元件將具有彼此不同的電容值。由此，通過將它們適當地組合，能實現多種電容值的芯片電容器。更具體而言，通過將與選擇出的多個電容器元件以外的電容器元件對應的熔斷器切斷來將它們從第1以及第2外部電極之間隔出，能構成具有需要的電容值的芯片電容器。
            技術方案13記載的發明是所述多個第3電極膜部分的所述對置面積被設定為呈等比數列的技術方案12中記載的芯片電容器。基于該構成，能將被設定為電容值呈等比數列的多個電容器元件設置于基板上。由此，能實現多種電容值的芯片電容器，且電容值的微調整也能通過熔斷器的切斷來進行。
            技術方案14記載的發明是所述多個熔斷器錯開位置地進行配置使得在垂直朝下看所述基板的主面的俯視下不相重疊的技術方案1～13的任一項中記載的芯片電容器。根據該構成，通過從相對于基板的主面而垂直的方向照射激光，能僅切斷期望的熔斷器，能避免誤將另外的熔斷器切斷。由此，能將芯片電容器的電容值可靠地契合至目標值。
            技術方案15記載的發明是所述第1電極膜、所述第2電極膜或所述第3電極膜與所述熔斷器由相同的導電性材料的膜形成的技術方案5～13的任一項中記載的芯片電容器。基于該構成，能將電極膜部分與熔斷器由公共的導電性材料膜構成。而且，通過將與各電極膜部分對應的熔斷器切斷，能將該電極膜部分隔出。
            技術方案16記載的發明是一種芯片電容器的制造方法，包含：在基板上形成多個電容器元件的工序；在基板上形成第1外部電極以及第2外部電極的工序；以及在所述基板上形成按照能將所述多個電容器元件分別隔出的方式與所述第1外部電極或第2外部電極連接的多個熔斷器的工序，所述形成多個電容器元件的工序包含：在所述基板上形成第1電極膜的工序；在所述第1電極膜上形成第1電容膜的工序；在所述第1電容膜上按照與所述第1電極膜對置的方式形成第2電極膜的工序；在所述第2電極膜上形成第2電容膜的工序；在所述第2電容膜上按照與所述第2電極膜對置的方式形成第3電極膜的工序；以及將所述第1電極膜、所述第2電極膜以及所述第3電極膜的至少一個分割為多個電極膜部分的工序。
            基于該方法，通過將根據需要的電容值而選擇出的熔斷器切斷，從而能在成為公共的設計的同時，制造多個電容值的芯片電容器。另外，即使以小的基板尺寸也能提供大電容電容器，若是相同的電容則能提供更小型的芯片電容器。技術方案17記載的發明是所述熔斷器形成為與所述多個電極膜部分分別連接的技術方案16中記載的芯片電容器的制造方法。根據該方法，通過將由多個電極膜部分設置于基板上的多個電容器元件當中與相應的電極膜部分對應的熔斷器切斷，能構成具有需要的電容值的芯片電容器。
            技術方案18記載的發明是所述多個電極膜部分形成為對于按照夾持所述第1電容膜或所述第2電容膜的方式而對置的電極膜，以彼此不同的對置面積來對置的技術方案16或17中記載的芯片電容器的制造方法。基于該方法，通過使多個電極膜部分以彼此不同的對置面積來與電極膜對置，能將電容值不同的多個電容器元件形成于基板上。因此，通過適當地選擇不同的電容值的電容器元件來組合，能制造多種電容值的芯片電容器。
            技術方案19記載的發明是所述多個電極膜部分的所述對置面積被設定為呈等比數列的技術方案18中記載的芯片電容器的制造方法。基于該方法，能將電容值被設定為呈等比數列的多個電容器元件形成于基板上。由此，通過適當地選擇多個電容器元件來組合，能提供多種電容值的芯片電容器，且能實現對期望的電容值的準確的契合。
            技術方案20記載的發明是所述多個熔斷器錯開位置地進行配置從而形成為在垂直朝下看所述基板的主面的俯視下不相重疊的技術方案16～19的任一項中記載的芯片電容器的制造方法。基于該方法，通過從相對于基板的主面而垂直的方向照射激光，能僅切斷期望的熔斷器，能避免誤將另外的熔斷器切斷。由此，能將芯片電容器的電容值可靠地契合至目標值。
            技術方案21記載的發明是所述第1電極膜、所述第2電極膜或所述第3電極膜與所述熔斷器由相同的導電性材料的膜形成的技術方案16～20的任一項中記載的芯片電容器的制造方法。基于該方法，能使電極膜部分與熔斷器由相同的導電性材料的膜形成，因此能將它們從同一膜進行圖案化而形成。由此，制造工序變得簡單。
            技術方案22記載的發明是還包含切斷所述多個熔斷器當中的至少一個的熔斷器切斷工序的技術方案16～21的任一項中記載的芯片電容器的制造方法。基于該方法，通過適當地選擇要切斷的熔斷器，能將芯片電容器的電容值契合至期望的電容值。即，通過適當地選擇要與第1以及第2外部電極連接的電容器元件，并將與除此以外的電容器元件對應的熔斷器切斷，能制造契合至期望的電容值的芯片電容器。
            技術方案23記載的發明是還包含對所述多個電容器元件的總電容值進行測量的工序、以及基于所述測量出的總電容值來選擇應進行所述切斷的熔斷器的工序，且在所述熔斷器切斷工序中切斷選擇出的所述熔斷器的技術方案22中記載的芯片電容器的制造方法。基于該方法，對多個電容器元件的總電容值進行測量，并基于其測量結果來選擇要切斷的熔斷器，因此能使芯片電容器的電容值可靠地成為目的電容值。
            技術方案24記載的發明是還包含在切斷了所述熔斷器后形成覆蓋所述熔斷器的切斷部的保護膜的工序的技術方案22或23中記載的芯片電容器的制造方法。基于該方法，熔斷器的切斷部被保護膜覆蓋，因此能避免異物或水分侵入切斷部，從而不僅能以公共的設計來實現多種電容值，而且能制造可靠性高的芯片電容器。
            附圖說明
            圖1是本發明的第1實施方式所涉及的芯片電容器的俯視圖。
            圖2是從圖1的切斷面線II-II觀察的斷面圖。
            圖3是將所述芯片電容器的一部分的構成分離出來表示的分解立體圖。
            圖4是表示所述芯片電容器的內部的電氣構成的電路圖。
            圖5是用于說明所述芯片電容器的制造工序的一例的流程圖。
            圖6A、圖6B以及圖6C是用于說明與熔斷器的切斷關聯的工序的斷面圖。
            圖7是用于說明本發明的第2實施方式所涉及的芯片電容器的構成的俯視圖。
            圖8是用于說明本發明的第3實施方式所涉及的芯片電容器的構成的分解立體圖。
            圖9是本發明的第3實施方式所涉及的芯片電容器的示意性的俯視圖。
            圖10是第1參考例的第1實施方式所涉及的芯片電容器的俯視圖。
            圖11是從圖10的切斷面線XI-XI觀察的斷面圖。
            圖12是將所述芯片電容器的一部分的構成分離出來表示的分解立體圖。
            圖13是表示所述芯片電容器的內部的電氣構成的電路圖。
            圖14是用于說明所述芯片電容器的制造工序的一例的流程圖。
            圖15A、圖15B以及圖15C是用于說明與熔斷器的切斷關聯的工序的斷面圖。
            圖16是用于說明第1參考例的第2實施方式所涉及的芯片電容器的構成的俯視圖。
            圖17是用于說明第1參考例的第3實施方式所涉及的芯片電容器的構成的分解立體圖。
            圖18是第2參考例的第1實施方式所涉及的芯片電容器的俯視圖。
            圖19是從圖18的切斷面線IXX-IXX觀察的斷面圖。
            圖20是將所述芯片電容器的一部分的構成分離出來表示的分解立體圖。
            圖21是所述芯片電容器的電氣等效電路圖。
            圖22是表示所述芯片電容器的內部的電氣構成的電路圖。
            圖23是用于說明所述芯片電容器的制造工序的一例的流程圖。
            圖24A、圖24B以及圖24C是用于說明與熔斷器的切斷關聯的工序的斷面圖。
            圖25是用于說明第2參考例的第2實施方式所涉及的芯片電容器的構成的俯視圖。
            圖26是用于說明第2參考例的第3實施方式所涉及的芯片電容器的構成的分解立體圖。
            圖27是第3參考例的第1實施方式所涉及的芯片電容器的俯視圖。
            圖28是從圖27的切斷面線XXVIII-XXVIII觀察的斷面圖。
            圖29是將所述芯片電容器的一部分的構成分離出來表示的分解立體圖。
            圖30是所述芯片電容器的電氣等效電路圖。
            圖31是表示所述芯片電容器的阻抗特性的曲線圖。
            圖32是表示基板的有效電阻區域的大小的芯片形狀的圖。
            圖33是表示所述芯片電容器的內部的電氣構成的電路圖。
            圖34是用于說明所述芯片電容器的制造工序的一例的流程圖。
            圖35A、圖35B以及圖35C是用于說明與熔斷器的切斷關聯的工序的斷面圖。
            圖36是用于說明第3參考例的第2實施方式所涉及的芯片電容器的構成的俯視圖。
            圖37是用于說明第3參考例的第3實施方式所涉及的芯片電容器的構成的分解立體圖。
            圖38是第4參考例的第1實施方式所涉及的芯片電容器的俯視圖。
            圖39是從圖38的切斷面線XXXIX-XXXIX觀察的斷面圖。
            圖40是將所述芯片電容器的一部分的構成分離出來表示的分解立體圖。
            圖41是表示所述芯片電容器的內部的電氣構成的電路圖。
            圖42是用于說明所述芯片電容器的制造工序的一例的流程圖。
            圖43A、圖43B以及圖43C是用于說明與熔斷器的切斷關聯的工序的斷面圖。
            圖44是用于說明第4參考例的第2實施方式所涉及的芯片電容器的構成的俯視圖。
            圖45是用于說明第4參考例的第3實施方式所涉及的芯片電容器的構成的斷面圖。
            圖46是將圖45的芯片電容器的一部分的構成分離出來表示的分解立體圖。
            圖47是用于說明第4參考例的第4實施方式所涉及的芯片電容器的構成的斷面圖。
            圖48是第5參考例的第1實施方式所涉及的芯片電容器的俯視圖。
            圖49是從圖48的切斷面線XLIX-XLIX觀察的斷面圖。
            圖50是將所述芯片電容器的一部分的構成分離出來表示的分解立體圖。
            圖51是表示所述芯片電容器的內部的電氣構成的電路圖。
            圖52是用于說明所述芯片電容器的制造工序的一例的流程圖。
            圖53A、圖53B以及圖53C是用于說明與熔斷器的切斷關聯的工序的斷面圖。
            圖54是用于說明第5參考例的第2實施方式所涉及的芯片電容器的構成的俯視圖。
            圖55是用于說明第5參考例的第3實施方式所涉及的芯片電容器的構成的分解立體圖。
            具體實施方式
            以下，參照附圖來詳細說明本發明的實施方式。圖1是本發明的第1實施方式所涉及的芯片電容器的俯視圖，圖2是其斷面圖，示出了從圖1的切斷面線II-II觀察的切斷面。進而，圖3是將所述芯片電容器的一部分的構成分離出來表示的分解立體圖。芯片電容器1具備：基板2、配置于基板2上的第1外部電極3、以及同樣配置于基板2上的第2外部電極4。基板2在本實施方式中，在垂直朝下看基板2的主面(表面)2A的俯視下具有將四個角倒角后的矩形形狀。在基板2的長邊方向兩端部分別配置有第1外部電極3以及第2外部電極4。第1外部電極3以及第2外部電極4在本實施方式中具有沿基板2的短邊方向延伸的大致矩形的平面形狀，在與基板2的角對應的各2處具有倒角部。在基板2上，在第1外部電極3以及第2外部電極4之間的電容器配置區域5內配置有多個電容器元件C1～C19。多個電容器元件C1～C19經由多個熔斷器組件7(熔斷器)而分別與第1外部電極3電連接。在本實施方式中，電容器元件C11位于電容器元件C1的正上方，同樣，在電容器元件C12～C19中對應的電容器元件(標號的末尾的數字相同的電容器元件)位于電容器元件C2～C9的各自的正上方。故而，該芯片電容器1具有將電容器元件上下層疊后的多層(在此2層)的電容器構造。
            如圖2以及圖3所示，在基板2的表面形成有絕緣膜8，在絕緣膜8的表面形成有第1電極膜11。第1電極膜11形成為不僅跨電容器配置區域5的大致全域，而且延伸至第2外部電極4的正下方的區域。更具體而言，第1電極膜11具有：作為電容器元件C1～C9的公共的下部電極而發揮功能的電容器電極區域11A、以及用于外部電極引出的焊盤區域11B。電容器電極區域11A位于電容器配置區域5，焊盤區域11B位于第2外部電極4的正下方。
            在電容器配置區域5按照覆蓋第1電極膜11(電容器電極區域11A)的方式形成有第1電容膜(電介質膜)12。第1電容膜12跨電容器電極區域11A的全域而連續，在本實施方式中，進而延伸至第1外部電極3的正下方的區域，覆蓋了電容器配置區域5外的絕緣膜8。在第1電容膜12之上，形成有第2電極膜(電容調整電極膜)13。在圖1中，為了明確，將第2電極膜13著色示出。第2電極膜13具有：位于電容器配置區域5的電容器電極區域13A、位于第1外部電極3的正下方的焊盤區域13B、以及配置于焊盤區域13B與電容器電極區域13A之間的熔斷器區域13C。
            在電容器電極區域13A，第2電極膜13被分割為多個(第2)電極膜部分131～139。在本實施方式中，各電極膜部分131～139均形成為矩形形狀，從熔斷器區域13C起向著第2外部電極4以帶狀延伸。多個電極膜部分131～139以多種彼此不同的對置面積，夾持第1電容膜12而與第1電極膜11對置。更具體而言，電極膜部分131～139相對于第1電極膜11的對置面積可以規定為1∶2∶4∶8∶16∶32∶64∶128∶128。即，多個電極膜部分131～139包含對置面積不同的多個電極膜部分，更具體而言，包含具有被設定為呈公比為2的等比數列的(相對于第1電極膜11的)對置面積的多個電極膜部分131～138(或131～137，139)。由此，由各電極膜部分131～139以及夾持第1電容膜12而對置的第1電極膜11分別構成的多個電容器元件C1～C9包含具有彼此不同的電容值的多個電容器元件。在電極膜部分131～139的對置面積之比如前所述的情況下，電容器元件C1～C9的電容值之比與該對置面積之比相等，成為1∶2∶4∶8∶16∶32∶64∶128∶128。即，多個電容器元件C1～C9將包含電容值被設定為呈公比為2的等比數列的多個電容器元件C1～C8(或C1～C7，C9)。
            在本實施方式中，電極膜部分131～135形成為寬度相等、且長度之比設定為1∶2∶4∶8∶16的帶狀。另外，電極膜部分135，136，137，138，139形成為長度相等、且寬度之比設定為1∶2∶4∶8∶8的帶狀。電極膜部分135～139延伸形成為跨從電容器配置區域5的第1外部電極3側的端緣起至第2外部電極4側的端緣為止的范圍，電極膜部分131～134形成得比其短。
            焊盤區域13B形成為與第1外部電極3為大致相似形，具有包含與基板2的角部對應的2個倒角部的大致矩形的平面形狀。沿該焊盤區域13B的一個長邊(相對于基板2的周緣為內方側的長邊)配置有熔斷器區域13C。熔斷器區域13C包含沿焊盤區域13B的所述1個長邊而排列的多個熔斷器組件7。熔斷器組件7以相同的材料與第2電極膜13的焊盤區域13B一體形成。多個電極膜部分131～139與1個或多個熔斷器組件7一體形成，經由這些熔斷器組件7與焊盤區域13B連接，并經由該焊盤區域13B與第1外部電極3電連接。面積較小的電極膜部分131～136通過一個熔斷器組件7而與焊盤區域13B連接，面積較大的電極膜部分137～139經由多個熔斷器組件7而與焊盤區域13B連接。不需要使用全部的熔斷器組件7，在本實施方式中，一部分的熔斷器組件7處于未使用狀態。
            熔斷器組件7包含：用于與焊盤區域13B進行連接的第1幅寬部7A和用于與電極膜部分131～139進行連接的第2幅寬部7B；以及對第1以及第2幅寬部7A、7B之間進行連接的幅窄部7C。幅窄部7C構成為能通過激光進行切斷(熔斷)。由此，能將電極膜部分131～139當中不需要的電極膜部分通過熔斷器組件7的切斷而從第1以及第2外部電極3、4電氣式隔出。
            如圖2所示，按照覆蓋第2電極膜13的方式形成有第2電容膜(電介質膜)17。第2電容膜17跨第2電極膜13的全域而連續，在本實施方式中，進而，還覆蓋在第1電容膜12中未配置第2電極膜13的部分。在第2電容膜17之上形成有第3電極膜16。第3電極膜16具有：位于電容器配置區域5的電容器電極區域16A、以及位于第1電極膜11的焊盤區域11B的正上方(俯視下重疊的區域)的焊盤區域16B。
            在此情況下，在電容器配置區域5，第1電極膜11的電容器電極區域11A與第2電極膜13的電容器電極區域13A夾持第1電容膜12而對置，第2電極膜13的電容器電極區域13A與第3電極膜16的電容器電極區域16A夾持第2電容膜17而對置。另外，第2電極膜13的電容器電極區域13A中的多個電極膜部分131～139(參照圖1)以多種彼此不同的對置面積夾持第2電容膜17而與第3電極膜16對置。更具體而言，電極膜部分131～139相對于第3電極膜16的對置面積與相對于第1電極膜11的情況同樣，可以規定為1∶2∶4∶8∶16∶32∶64∶128∶128。即，多個電極膜部分131～139包含對置面積不同的多個電極膜部分，更具體而言，包含具有被設定為呈公比為2的等比數列的(相對于第3電極膜16的)對置面積的多個電極膜部分131～138(或131～137，139)。由此，由各電極膜部分131～139以及夾持第2電容膜17而對置的第3電極膜16分別構成的多個電容器元件C11～C19包含具有彼此不同的電容值的多個電容器元件。在電極膜部分131～139的對置面積之比如前所述的情況下，電容器元件C11～C19的電容值之比與該對置面積之比相等，成為1∶2∶4∶8∶16∶32∶64∶128∶128。即，多個電容器元件C11～C19將包含電容值被設定為呈公比為2的等比數列的多個電容器元件C11～C18(或C11～C17，C19)。
            而且，在本實施方式中，電容器元件C1～C9的每一個、與電容器元件C11～C19中的對應的電容器元件(標號的末尾的數字相同的電容器元件)具有電極膜部分131～138當中公共的電極膜部分，因此具有相等的電容值。如此，在芯片電容器1中，由第1電極膜11、第1電容膜12以及第2電極膜13形成一個電容器構造，由第2電極膜13、第2電容膜17以及第3電極膜16形成另外的電容器構造。即，在基板2上形成有多層(在此2層)的電容器構造，因此能謀求芯片電容器1的大電容化。即，即使以小的基板2尺寸也能提供大電容電容器，若是相同的電容則能提供更小型的芯片電容器1。
            盡管在圖1以及圖3中省略了圖示，但如圖2所示，包含第3電極膜16的表面在內的芯片電容器1的表面由鈍化膜9覆蓋。鈍化膜9例如由氮化膜構成，形成為：不僅在芯片電容器1的上表面，還延伸至基板2的側面，覆蓋該側面。進而，在鈍化膜9之上形成有由聚酰亞胺樹脂等構成的樹脂膜10。樹脂膜10形成為：覆蓋芯片電容器1的上表面，進而延伸至基板2的側面，覆蓋該側面上的鈍化膜9。
            鈍化膜9以及樹脂膜10是對芯片電容器1的表面進行保護的保護膜。在這些膜，在與第1外部電極3以及第2外部電極4對應的區域分別形成有焊盤開口21，22。焊盤開口21與第1外部電極3對應，按照使第2電極膜13的焊盤區域13B的一部分的區域露出的方式貫通鈍化膜9、樹脂膜10以及第2電容膜17。焊盤開口22與第2外部電極4對應，按照使第1電極膜11的焊盤區域11B以及第3電極膜16的焊盤區域16B的一部分的區域露出的方式貫通鈍化膜9、樹脂膜10、第3電極膜16、第1電容膜12以及第2電容膜17。
            在焊盤開口21，22，分別埋入第1外部電極3以及第2外部電極4。由此，第1外部電極3與第2電極膜13的焊盤區域13B接合，第2外部電極4與第1電極膜11的焊盤區域11B以及第3電極膜16的焊盤區域16B接合。第1以及第2外部電極3，4形成為從樹脂膜10的表面突出。由此，能將芯片電容器1相對于安裝基板進行倒裝芯片接合。
            圖4是表示芯片電容器1的內部的電氣構成的電路圖。在第1外部電極3與第2外部電極4之間并聯連接有多個電容器元件C1～C19。在各電容器元件C1～C19與第1外部電極3之間，串聯地插入分別由一個或多個熔斷器組件7構成的熔斷器F1～F9。具體而言，上下重疊的電容器元件的組(標號的末尾的數字相同的電容器元件)經由公共的熔斷器而對第1外部電極3(第1外部電極3以及第2外部電極4之間)進行了連接。例如，電容器元件C1以及C11的組經由公共的熔斷器F1對第1外部電極3進行了連接。
            在將熔斷器F1～F9全部進行了連接時，芯片電容器1的電容值等于電容器元件C1～C19的電容值的總和。若將從多個熔斷器F1～F19中選擇出的1個或2個以上的熔斷器切斷，則與該切斷的熔斷器對應的電容器元件的組被隔出，芯片電容器1的電容值減少該隔出的電容器元件的組的電容值那么多。例如，若切斷熔斷器F1，則對應的電容器元件C1以及C11的組被隔出，芯片電容器1的電容值減少該隔出的電容器元件的組的電容值那么多。
            為此，若對焊盤區域11B(16B)，13B之間的電容值(電容器元件C1～C19的總電容值)進行測量，并在其后以激光來熔斷根據期望的電容值而從熔斷器F1～F9中適當地選擇出的一個或多個熔斷器，則能進行向期望的電容值的契合(激光微調)。尤其是，若電容器元件C1～C8(C11～C18)的電容值被設定為呈公比為2的等比數列，則能以與處于最小的電容值(該等比數列的初項的值)的電容器元件C1的電容值對應的精度而實現向目標的電容值的契合的微調整。
            例如，電容器元件C1～C19的電容值可以規定如下。如前所述，電容器元件C1～C9的每一個與電容器元件C11～C19中的對應的電容器元件(標號的末尾的數字相同的電容器元件)具有相等的電容值。C1＝C11＝0.03125pF C2＝C12＝0.0625pF C3＝C13＝0.125pF C4＝C14＝0.25pF C5＝C15＝0.5pF C6＝C16＝1pF C7＝C17＝2pF C8＝C18＝4pF C9＝C19＝4pF。在此情況下，能以0.03125pF的最小契合精度來對芯片電容器1的電容進行微調整。另外，通過從熔斷器F1～F9中適當地選擇要切斷的熔斷器，能提供0.1pF～20pF之間的任意的電容值的芯片電容器1。
            如上所述，根據本實施方式，在第1外部電極3以及第2外部電極4之間，設置有能由熔斷器F1～F9隔出的多個電容器元件C1～C19。電容器元件C1～C19包含不同的電容值的多個電容器元件，更具體而言，電容值被設定為呈等比數列的多個電容器元件。由此，通過從熔斷器F1～F9中選擇1個或多個熔斷器并以激光進行熔斷，能提供不變更設計就能對應多種電容值、且準確地契合至期望的電容值的芯片電容器1。
            關于芯片電容器1的各部的細節，以下加入說明。參照圖1，基板2例如可以具有俯視下0.3mm×0.15mm、0.4mm×0.2mm、或0.2mm×0.1mm等的矩形形狀(優選為0.4mm×0.2mm以下的大小)。電容器配置區域5大致成為具有相當于基板2的短邊的長度的一邊的正方形區域。基板2的厚度可以是150μm左右。基板2例如可以是通過從背面側(未形成電容器元件C1～C19的表面)起的研削或研磨而被薄型化的基板。作為基板2的材料，既可以使用以硅基板為代表的半導體基板，也可以使用玻璃基板，還可以使用樹脂薄膜。
            參照圖2，絕緣膜8可以是氧化硅膜等的氧化膜。其膜厚可以是左右。第1電極膜11優選是導電性膜，尤其優選是金屬膜，例如可以是鋁膜。由鋁膜構成的第1電極膜11能通過濺射法來形成。第2電極膜13也同樣，優選由導電性膜，尤其優選由金屬膜構成，可以是鋁膜。由鋁膜構成的第2電極膜13能通過濺射法來形成。用于將第2電極膜13的電容器電極區域13A分割為電極膜部分131～139且將熔斷器區域13C整形為多個熔斷器組件7的圖案化能通過光刻以及蝕刻工序來執行。第3電極膜16也同樣，優選由導電性膜，尤其優選由金屬膜構成，可以是鋁膜。由鋁膜構成的第3電極膜16能通過濺射法來形成。
            如此，第1電極膜11、第2電極膜13以及第3電極膜16的至少一者(在此為全部)由與熔斷器組件7相同的導電性材料的膜來形成。在此情況下，能以相同的導電性材料的膜來形成電極膜和熔斷器組件7，因此能將它們從同一膜進行圖案化來形成，故制造工序變得簡單。
            第1電容膜12以及第2電容膜17例如能由氮化硅膜構成，其膜厚能設為(例如)。第1電容膜12以及第2電容膜17可以是通過等離子CVD(化學氣相生長)而形成的氮化硅膜。鈍化膜9例如能由氮化硅膜構成，例如能通過等離子CVD法來形成。其膜厚可以設為左右。樹脂膜10如前所述，能由聚酰亞胺膜以外的樹脂膜構成。
            第1以及第2外部電極3，4例如可以由將與第1電極膜11(第3電極膜16)或第2電極膜13相接的鎳層、層疊于該鎳層上的鈀層、以及層疊于該鈀層上的金層進行了層疊后的層疊構造膜構成，例如能以鍍覆法(更具體而言為無電解鍍覆法)來形成。鎳層有助于對第1電極膜11(第3電極膜16)或第2電極膜13的緊貼性的提高，鈀層作為對第1電極膜11(第3電極膜16)或第2電極膜13的材料與第1以及第2外部電極3，4的最上層的金的相互擴散進行抑制的擴散防止層發揮功能。
            圖5是用于說明芯片電容器1的制造工序的一例的流程圖。在基板2的表面，通過熱氧化法和/或CVD法，來形成由氧化膜(例如氧化硅膜)構成的絕緣膜8(步驟S1)。接下來，例如通過濺射法，在絕緣膜8的表面全域形成由鋁膜構成的第1電極膜11(步驟S2)。第1電極膜11的膜厚可設為左右。接下來，在該第1電極膜11的表面，通過光刻來形成與第1電極膜11的最終形狀對應的抗蝕圖案(步驟S3)。通過將該抗蝕圖案作為掩模來蝕刻第1電極膜11，從而得到圖3等所示的圖案的第1電極膜11(步驟S4)。第1電極膜11的蝕刻例如能通過反應性離子蝕刻來進行。
            接下來，例如通過等離子CVD法，在第1電極膜11上形成由氮化硅膜等構成的第1電容膜12(步驟S5)。在未形成第1電極膜11的區域，在絕緣膜8的表面將形成第1電容膜12。接著，在該第1電容膜12之上形成第2電極膜13(步驟S6)。第2電極膜13例如由鋁膜構成，能通過濺射法來形成。其膜厚可設為左右。接著，在第2電極膜13的表面，通過光刻來形成與第2電極膜13的最終形狀對應的抗蝕圖案(步驟S7)。通過以該抗蝕圖案為掩模的蝕刻，將第2電極膜13圖案化為最終形狀(參照圖3等)(步驟S8)。由此，第2電極膜13被整形為如下圖案：在電容器電極區域13A具有多個電極膜部分131～139，在熔斷器區域13C具有多個熔斷器組件7，并具有與這些熔斷器組件7連接的焊盤區域13B。用于第2電極膜13的圖案化的蝕刻既可以通過利用了磷酸等的蝕刻液的濕式蝕刻來進行，也可以通過反應性離子蝕刻來進行。
            接下來，例如通過等離子CVD法，在第2電極膜13上形成由氮化硅膜等構成的第2電容膜17(步驟S9)。在未形成第2電極膜13的區域，在第1電容膜12的表面將形成第2電容膜17。接著，在該第2電容膜17之上，形成第3電極膜16(步驟S10)。接下來，在該第3電極膜16的表面，通過光刻來形成與第3電極膜16的最終形狀對應的抗蝕圖案(步驟S11)。通過以該抗蝕圖案為掩模來蝕刻第3電極膜16，從而得到圖3等所示的具有焊盤區域16B的圖案的第3電極膜16(步驟S12)。第3電極膜16的蝕刻例如能通過反應性離子蝕刻來進行。
            其后，將檢查用探頭推到第2電極膜13的焊盤區域13B和第1電極膜11的焊盤區域11B(第3電極膜16的焊盤區域16B)，來測量多個電容器元件C1～C19的總電容值(步驟S13)。基于該測量出的總電容值，對應于作為目的的芯片電容器1的電容值，來選擇要隔出的電容器元件，即要切斷的熔斷器(步驟S14)。
            接著，如圖6A所示，在基板2上的整面例如形成由氮化膜構成的覆蓋膜23(步驟S15)。該覆蓋膜23的形成可以通過等離子CVD法來進行，例如可以形成膜厚左右的氮化硅膜。覆蓋膜23覆蓋經圖案化的第3電極膜16，在未形成第3電極膜16的區域覆蓋第1電容膜12、第2電容膜17、焊盤區域11B中的第1電極膜11。覆蓋膜23將在熔斷器區域13C覆蓋熔斷器組件7。
            從該狀態起，進行用于熔斷熔斷器組件7的激光微調(步驟S16)。即，如圖6B所示，對構成根據所述總電容值的測量結果而選擇出的熔斷器的熔斷器組件7投射激光24，來熔斷該熔斷器組件7的幅窄部7C。由此，對應的電容器元件(電容器元件的組)被從焊盤區域13B隔出。在對熔斷器組件7投射激光24時，基于覆蓋膜23的作用，在熔斷器組件7的附近蓄積激光24的能量，由此來熔斷熔斷器組件7。
            此外，若第2電容膜17厚至能作為用于蓄積激光的能量的覆蓋膜來進行利用的程度，則可以省略在前緊挨激光微調的覆蓋膜23的形成(步驟S15)。接下來，如圖6C所示，例如通過等離子CVD法，來使氮化硅膜沉積于覆蓋膜23上，形成鈍化膜9(步驟S17)。前述的覆蓋膜23在最終形態下，與鈍化膜9一體化，構成該鈍化膜9的一部分。在熔斷器的切斷后所形成的鈍化膜9進入到在熔斷器熔斷時同時被破壞了的覆蓋膜23的開口內，覆蓋熔斷器組件7的切斷面來進行保護。因此，鈍化膜9能防止在熔斷器組件7的切斷處進入異物或浸入水分，使芯片電容器1的可靠性得以提高。鈍化膜9整體上例如可以形成為具有左右的膜厚。
            接下來，在鈍化膜9上形成在要形成第1以及第2外部電極3，4的位置上具有貫通孔的抗蝕圖案(步驟S18)。以該抗蝕圖案為掩模來進行鈍化膜9的蝕刻。此時，根據需要，對第2電容膜17也進行蝕刻。由此，將形成使第1電極膜11在焊盤區域11B露出、且使第3電極膜16在焊盤區域16B露出的焊盤開口；以及使第2電極膜13在焊盤區域13B露出的焊盤開口(步驟S19)。鈍化膜9的蝕刻可以通過反應性離子蝕刻來進行。
            接著，對整面涂敷樹脂膜(步驟S20)。作為樹脂膜，例如使用感光性的聚酰亞胺的涂敷膜。通過對于該樹脂膜，進行針對與所述焊盤開口對應的區域的曝光工序、以及其后的顯影工序，從而能進行基于光刻的樹脂膜的圖案化(步驟S21)。由此，形成將樹脂膜10以及鈍化膜9等貫通了的焊盤開口21，22。其后，執行用于對樹脂膜進行硬化的熱處理(固化處理)(步驟S22)，進而，在焊盤開口21，22內，例如通過無電解鍍覆法，來使第1外部電極3以及第2外部電極4生長(步驟S23)。如此，得到圖1等所示的構造的芯片電容器1。
            在利用了光刻工序的第2電極膜13的圖案化中，能精度良好地形成微小面積的電極膜部分131～139，進而能形成精細的圖案的熔斷器組件7。而且，在第3電極膜16的圖案化之后，經過總電容值的測量，來決定要切斷的熔斷器。通過對該決定出的熔斷器進行切斷，能得到準確地契合至期望的電容值的芯片電容器1。
            圖7是用于說明本發明的第2實施方式所涉及的芯片電容器25的構成的俯視圖。在圖7中，對與前述的圖1所示的各部對應的部分賦予同一參照標號來表示。在前述的第1實施方式中，第2電極膜13的電容器電極區域13A分別被分割為帶狀的電極膜部分131～139。在此情況下，如圖1所示，在電容器配置區域5內會產生不能作為電容器元件利用的區域，不能對小的基板2上的受限的區域進行有效活用。
            為此，在圖7所示的實施方式中，多個電極膜部分131～139被分割為L字形的電極膜部分141～149。由此，例如，圖7的構成中的電極膜部分149能以圖1的構成的電極膜部分139的1.5倍的面積而與第1電極膜11以及第3電極膜16各自對置。由此，在圖1的第1實施方式中，若設與電極膜部分139對應的電容器元件C9(C19)具有4pF的電容，則通過使用本實施方式中的電極膜部分149，電容器元件C9(C19)能具有6pF的電容。由此，能對電容器配置區域5內有效活用，以更寬的范圍來設定芯片電容器1的電容值。
            本實施方式所涉及的芯片電容器25的制造工序與圖5所示的工序實質上相同。但在第2電極膜13的圖案化(步驟S7，S8)中，電容器電極區域13A被分割為圖7所示的形狀的多個電極膜部分131～139。圖8是用于說明本發明的第3實施方式所涉及的芯片電容器26的構成的分解立體圖，與在前述的第1實施方式的說明中用到的圖3同樣地表現了芯片電容器26的各部。
            在第1實施方式中，第1電極膜11以及第3電極膜16各自具有由跨電容器配置區域5的大致全域的連續圖案構成的電容器電極區域11A，16A，第2電極膜13的電容器電極區域13A被分割為多個電極膜部分131～139(參照圖3)。與此相對，在本實施方式中，第2電極膜13的電容器電極區域13形成為跨電容器配置區域5的大致全域而連續的連續膜圖案，另一方面，第1電極膜11的電容器電極區域11A被分割為多個(第1)電極膜部分151～159，第3電極膜16的電容器電極區域16A被分割為多個(第3)電極膜部分181～184。電極膜部分151～159既可以形成為與第1實施方式中的電極膜部分131～139同樣的形狀以及面積比，也可以形成為與第2實施方式中的電極膜部分141～149同樣的形狀以及面積比。另外，電極膜部分181～184也與電極膜部分151～159同樣地形成。也就是，電極膜部分151～159以彼此不同的對置面積來與第2電極膜13對置，該對置面積可以被設定為呈等比數列。同樣地，電極膜部分181～184也以彼此不同的對置面積來與第2電極膜13對置，該對置面積可以被設定為呈等比數列。
            如此，通過電極膜部分151～159、第1電容膜12以及第2電極膜13來構成了多個電容器元件C21～C29。該多個電容器元件C21～C29的至少一部分構成了電容值不同的(例如各電容值被設定為呈等比數列)電容器元件群。進而，通過電極膜部分181～184、第2電容膜17以及第2電極膜13來構成了多個電容器元件C31～C34。該多個電容器元件C31～C34的至少一部分構成了電容值不同的(例如各電容值被設定為呈等比數列)電容器元件群。
            第1電極膜11進而在電容器電極區域11A與焊盤區域11B之間具有熔斷器區域11C。在熔斷器區域11C，將與第1實施方式的熔斷器組件7同樣的多個熔斷器組件27沿焊盤區域11B排列成一列。各電極膜部分151～159(電容器元件C21～C29)經由一個或多個熔斷器組件27而與焊盤區域11B連接。也就是，多個熔斷器組件27分別插至電容器元件C21～C2與焊盤區域11B的第2外部電極4之間。與電容器元件C21～C29分別對應的熔斷器組件27構成了熔斷器F11～F19(參照圖9)。
            第3電極膜16進而在電容器電極區域16A與焊盤區域16B之間具有熔斷器區域16C。在熔斷器區域16C，將與第1實施方式的熔斷器組件7同樣的多個熔斷器組件28沿焊盤區域16B排列成一列。各電極膜部分181～184(電容器元件C31～C34)經由一個或多個熔斷器組件28與焊盤區域16B連接。也就是，多個熔斷器組件28分別插至電容器元件C31～C34與焊盤區域16B的第2外部電極4之間。與電容器元件C31～C34各自對應的熔斷器組件28構成了熔斷器F21～F24(參照圖9)。
            多個熔斷器組件27(熔斷器F11～F19)以及28(熔斷器F21～F24)錯開位置地進行配置，使得俯視下不相重疊(參照圖9)。具體而言，熔斷器組件27以及28沿第2外部電極4的延伸方向(基板2的短邊方向)空出間隔地逐個排列。故而，通過從相對于基板2的主面2A垂直的方向照射激光24(參照圖6B)，能僅切斷期望的熔斷器(熔斷器組件27，28)，能避免誤切斷另外的熔斷器。由此，能將芯片電容器1的電容值可靠地契合至目標值。此外，需要將第2電極膜13配置成在俯視下與熔斷器組件27以及28不相重疊，以使得不被激光24切斷。
            基于第3實施方式的構成，電極膜部分151～159以彼此不同的對置面積按照夾持第1電容膜12的方式與第2電極膜13對置，它們通過切斷熔斷器組件27而能分個隔出。同樣地，電極膜部分181～184也以彼此不同的對置面積按照夾持第2電容膜17的方式與第2電極膜13對置，它們通過切斷熔斷器組件28而能分個隔出。因此，得到與第1實施方式的情況同樣的效果。尤其是，通過形成為使多個電極膜部分151～159的至少一部分以及多個電極膜部分181～184的至少一部分以被設定為呈公比為2的等比數列的對置面積來與第2電極膜13對置，從而與第1實施方式的情況同樣地，能提供以高精度契合至需要的電容值的芯片電容器。
            在第1以及第2實施方式的情況下，如前所述上下重疊的電容器元件(例如，電容器元件C1以及C11)經由公共的熔斷器(電容器元件C1以及C11的情況下為熔斷器F1)與第1外部電極3連接(參照圖1～圖3)，因此若切斷該公共的熔斷器，則上下的電容器元件會一同被分離。另一方面，在第3實施方式的情況下，電容器元件C21～C29以及C31～C34各自經由專用的熔斷器(熔斷器組件27，28)與第2外部電極4連接。故而，能將各電容器元件分個隔出，因此較之于第1以及第2實施方式，電容器元件的組合范圍寬，故能將芯片電容器26整體的電容值設定至更寬范圍。進而，若使電容器元件C21～C29以及C31～C34全部的電容值不同，則能將芯片電容器26整體的電容值設定至進一步更寬范圍。
            第3實施方式所涉及的芯片電容器26的制造工序與圖5所示的工序實質上相同。但在第1電極膜11的圖案化(步驟S3，S4)中，電容器電極區域11A被分割為電極膜部分151～159，且在熔斷器區域11C將形成多個熔斷器組件27。另外，在第2電極膜13的圖案化(步驟S7，S8)中，不進行多個電極膜部分的形成，也不進行熔斷器組件的形成。另外，在第3電極膜16的圖案化(步驟S11，S12)中，電容器電極區域16A被分割為電極膜部分181～184，且在熔斷器區域16C將形成多個熔斷器組件28。進而，在激光微調(步驟S16)中，從形成于第1電極膜11的熔斷器組件27以及形成于第3電極膜16的熔斷器組件28當中選擇出的那一個被激光切斷。
            若僅對形成于第1電極膜11的熔斷器組件27進行激光微調，則在激光微調之際，第1電極膜11被第1電容膜12覆蓋，因此能將該第1電容膜12用作用于蓄積激光的能量的覆蓋膜。因此，可以省略在前緊挨激光微調的覆蓋膜的形成(步驟S15)。
            此外，在第3實施方式中，通過將第1電極膜11分割為9個電極膜部分151～159、另一方面將第3電極膜16分割為4個電極膜部分181～184，從而使第1電極膜11的電容器電極區域11A與第3電極膜16的電容器電極區域16A成為了不同的形狀。但這只是一例，當然，也可以使電容器電極區域11A以及電容器電極區域16A的彼此的形狀(電極膜部分的數目)一致。但在該情況下，多個熔斷器組件27以及28需要錯開位置地進行配置，使得在俯視下不相重疊(參照圖9)。
            盡管以上針對本發明的實施方式進行了說明，但本發明還能以其他的形態來實施。例如，盡管在前述的實施方式中示出了僅第2電極膜13被分割為多個電極膜的構成、或第2電極膜13以外的第1電極膜11以及第3電極膜16被分割為多個電極膜的構成，但也可以是，第1電極膜11、第2電極膜13以及第3電極膜16全部被分割為多個電極膜部分。不管怎樣，通過將多個電容器元件(C1～C19，C21～C29，C31～C34)當中與相應的電極膜部分(131～139，141～149，151～159，181～184)對應的熔斷器(熔斷器組件7，27，28)切斷，能構成具有需要的電容值的芯片電容器1。
            另外，盡管在以上的實施方式中針對具有2層的電容器構造的芯片電容器1，25，26進行了說明，但還可考慮具有3層以上的電容器構造的芯片電容器。例如，在圖8的芯片電容器26的情況下，通過在第3電極膜16之上形成第3電容膜，并在該第3電容膜上形成與第1外部電極3連接的第4電極膜，從而能實現3層構造的芯片電容器。進而，若在該第4電極膜之上隔著第4電容膜而形成第5電極膜，則能實現4層構造的芯片電容器。通過構成這樣的多層構造的芯片電容器，能進一步達成芯片電容器的小型化以及大電容化的兼顧，提供能寬范圍且高精度地調整電容值的電容器。
            但在構成多層構造的芯片電容器的情況下，需要留意的是，如前所述將各電極膜的熔斷器配置成在俯視下不重疊。進而，盡管在前述的實施方式中示出了第1電極膜11、第2電極膜13以及第3電極膜16的任一者與熔斷器組件一體化的例子，但也可以是由與第1電極膜11、第2電極膜13以及第3電極膜16不同的導體膜來形成熔斷器組件。進而，盡管在前述的實施方式中示出了包括多個電容器元件具有呈公比為r(0＜r，r≠1)＝2的等比數列的電容值的多個電容器元件的例子，但該等比數列的公比也可以是2以外的數。另外，盡管在前述的實施方式中示出了在基板2的表面形成絕緣膜8，但只要基板2是絕緣性的基板，就還能省略絕緣膜8。另外，可以使用導電性基板來作為基板2，使用該導電性基板作為下部電極，按照與導電性基板的表面相接的方式來形成第1電容膜12。在此情況下，可以從導電性基板的背面引出一者的外部電極。
            此外，能在權利要求書中記載的事項的范圍內實施各種設計變更。＜第1參考例所涉及的發明＞(1)第1參考例所涉及的發明的特征例如，第1參考例所涉及的發明的特征是以下的A1～A20。(A1)一種芯片電容器，包含：基板；配置于所述基板上的第1外部電極；配置于所述基板上的第2外部電極；形成于所述基板上，并連接于所述第1外部電極以及所述第2外部電極之間的多個電容器元件；以及形成于所述基板上，分別插在所述多個電容器元件與所述第1外部電極或所述第2外部電極之間，且能將所述多個電容器元件分別隔出的多個熔斷器。
            根據A1記載的發明，在配置于基板上的第1以及第2外部電極之間連接有多個電容器元件。而且，在多個電容器元件與第1或第2外部電極之間，設置有能將該多個電容器元件分別隔出的多個熔斷器。為此，通過選擇一個或多個熔斷器來切斷，能容易且迅速地對應多種電容值。換言之，能對多種電容值的芯片電容器應用公共的設計。(A2)所述多個電容器元件具有彼此不同的電容值的、A1中記載的芯片電容器。
            根據A2記載的發明，通過對電容值不同的多個電容器元件進行組合，能以公共的設計來實現各種電容值的芯片電容器。(A3)所述多個電容器元件的電容值被設定為呈等比數列的、A2中記載的芯片電容器。根據A3記載的發明，通過適當地選擇要連接于第1外部電極以及第2外部電極之間的多個電容器元件，能將芯片電容器的電容值準確地契合至期望的電容值。例如，通過將所述等比數列的公比設為2，能以該等比數列的初項(在該數列內為最小值的項)的精度來契合芯片電容器的電容值。(A4)所述多個熔斷器當中的至少一個被切斷的、A1～A3的任一項中記載的芯片電容器。
            契合了電容值的芯片電容器存在1個或多個熔斷器被切斷的情況。通過熔斷器的切斷，能選擇連接于第1外部電極以及第2外部電極之間的電容器元件，由此，能實現需要的電容值的芯片電容器。(A5)包含形成于所述基板上的下部電極膜、形成于所述下部電極膜上的電容膜、以及形成為在所述電容膜上與所述下部電極膜對置的上部電極膜，所述上部電極膜以及上述下部電極膜當中的一者的電極膜包含經分割得到的多個電極膜部分，所述多個電極膜部分經由所述電容膜而與所述上部電極膜以及所述下部電極膜當中的另一者的電極膜對置，由此形成所述多個電容器元件的、A1～A4的任一項中記載的芯片電容器。
            根據A5記載的發明，通過在下部電極膜與上部電極膜之間夾持電容膜，來構成了電容器構造。而且，通過將上部電極膜以及下部電極膜當中的一者的電極膜分割為多個電極膜部分，從而各電極膜部分與另一者的電極膜對置，由此，多個電容器元件將被設置于基板上。(A6)所述多個電極膜部分以彼此不同的對置面積與所述另一者的電極膜對置的、A5中記載的芯片電容器。
            根據A6記載的發明，與對置面積彼此不同的多個電極膜部分對應的多個電容器元件將具有彼此不同的電容值。由此，通過將它們適當地組合，能實現多種電容值的芯片電容器。更具體而言，通過將與選擇出的多個電容器元件以外的電容器元件對應的熔斷器切斷來將它們從第1以及第2外部電極之間隔出，能構成具有需要的電容值的芯片電容器。(A7)所述多個電極膜部分的所述對置面積被設定為呈等比數列的、A6中記載的芯片電容器。
            根據A7記載的發明，能將被設定為電容值呈等比數列的多個電容器元件設置于基板上。由此，能實現多種電容值的芯片電容器，且電容值的微調整也能通過熔斷器的切斷來進行。(A8)所述多個電極膜部分與所述熔斷器由相同的導電性材料的膜形成的、A5～A7的任一項中記載的芯片電容器。
            在A8記載的發明中，能將電極膜部分與熔斷器由公共的導電性材料膜來構成。而且，通過切斷與各電極膜部分對應的熔斷器，能隔出該電極膜部分。(A9)還包含形成為覆蓋所述上部電極膜、且使所述第1外部電極以及所述第2外部電極露出的保護膜的、A1～A8的任一項中記載的芯片電容器。
            根據A9記載的發明，使第1以及第2外部電極露出，另一方面，將上部電極膜以保護膜覆蓋，因此能以公共的設計實現多種電容值，且能提供可靠性高的芯片電容器。(A10)所述保護膜延伸至所述基板的側面且覆蓋該側面的、A9中記載的芯片電容器。
            根據A10記載的發明，還能從基板的側面進行保護，因此能進一步提高芯片電容器的可靠性。(A11)一種具有第1外部電極以及第2外部電極的芯片電容器的制造方法，包含：在基板上形成多個電容器元件的工序；在所述基板上形成用于將所述多個電容器元件可分別隔出地與所述第1外部電極或第2外部電極連接的多個熔斷器的工序；以及在基板上形成第1外部電極以及第2外部電極的工序。
            根據A11記載的發明，通過將對應于需要的電容值而選擇出的熔斷器切斷，能在成為公共的設計的同時，制造多個電容值的芯片電容器。(A12)所述多個電容器元件形成為具有彼此不同的電容值的、A11中記載的芯片電容器的制造方法。
            根據A12記載的發明，通過適當地選擇多個電容器元件來進行組合，能實現多種電容值。(A13)所述多個電容器元件的電容值被設定為呈等比數列的、A12中記載的芯片電容器的制造方法。根據A13記載的發明，通過適當地選擇多個電容器元件來進行組合，能實現多種電容值，且還能實現針對期望的電容值的微調整(契合)。例如，通過將所述等比數列的公比設為2，能以該等比數列的初項(在該數列內為最小值的項)的精度來契合芯片電容器的電容值。(A14)還包含將所述多個熔斷器當中的至少一個切斷的熔斷器切斷工序的、A11～A13的任一項中記載的芯片電容器的制造方法。
            根據A14記載的發明，通過適當地選擇要切斷的熔斷器，能將芯片電容器的電容值契合至期望的電容值。即，通過適當地選擇要連接于第1以及第2外部電極的電容器元件，并切斷與除此以外的電容器元件對應的熔斷器，能制造契合至期望的電容值的芯片電容器。(A15)還包含對所述多個電容器元件的總電容值進行測量的工序、以及基于所述測量出的總電容值來選擇應進行所述切斷的熔斷器的工序，且在所述熔斷器切斷工序中，切斷選擇出的所述熔斷器的、A14中記載的芯片電容器的制造方法。
            根據A15記載的發明，對多個電容器元件的總電容值進行測量，并基于其測量結果來選擇要切斷的熔斷器，因此能使芯片電容器的電容值可靠地成為目的的電容值。(A16)還包含在切斷了所述熔斷器后，形成覆蓋所述熔斷器的切斷部的保護膜的工序的、A14或A15中記載的芯片電容器的制造方法。
            根據A16記載的發明，熔斷器的切斷部被保護膜覆蓋，因此能避免異物或水分對切斷部的侵入，故不僅能以公共的設計來實現多種電容值，而且能制造可靠性高的芯片電容器。(A17)形成所述多個電容器元件的工序包含：在所述基板上形成下部電極膜的工序；在所述下部電極膜上形成電容膜的工序；在所述電容膜上按照與所述下部電極膜對置的方式形成上部電極膜的工序；以及將所述上部電極膜以及所述下部電極膜當中的一者的電極膜分割為多個電極膜部分的(例如通過光刻來分割)的工序，所述多個電極膜部分經由所述電容膜與所述上部電極膜以及下部電極膜當中的另一者的電極膜對置，由此形成所述多個電容器元件的、A11～A16的任一項中記載的芯片電容器的制造方法。
            根據A17記載的發明，能形成在下部電極膜與上部電極膜之間夾持電容膜的電容器構造。而且，通過將上部電極膜以及下部電極膜當中的一者分割為多個電極膜部分，能在基板上形成在該分割出的電極膜部分與另一者的電極膜之間夾持電容膜的構造的多個電容器元件。(A18)按照所述多個電極膜部分以彼此不同的對置面積與所述另一者的電極膜的對置的方式來分割所述一者的電極膜的、A17中記載的芯片電容器的制造方法。
            根據A18記載的發明，多個電極膜部分以彼此不同的對置面積與另一者的電極膜對置，從而能將電容值不同的多個電容器元件形成于基板上。因此，通過適當地選擇不同的電容值的電容器元件來進行組合，能制造多種電容值的芯片電容器。(A19)所述多個電極膜部分的所述對置面積被設定為呈等比數列的、A18中記載的芯片電容器的制造方法。
            根據A19記載的發明，能將電容值被設定為呈等比數列的多個電容器元件形成于基板上。由此，通過適當地選擇多個電容器元件來進行組合，能提供多種電容值的芯片電容器，且能實現到期望的電容值的準確的契合。(A20)所述一者的電極膜與所述熔斷器由相同的導電性材料的膜形成的、A17～A19的任一項中記載的芯片電容器的制造方法。
            根據A20記載的發明，能將電極膜部分與熔斷器以相同的導電性材料的膜來形成，因此能將它們從同一膜進行圖案化而形成。由此，制造工序變得簡單。(2)第1參考例所涉及的發明的實施方式以下，參照附圖來詳細說明第1參考例的實施方式。
            圖10是第1參考例的第1實施方式所涉及的芯片電容器的俯視圖，圖11是其斷面圖，示出了從圖10的切斷面線XI-XI觀察的切斷面。進而，圖12是將所述芯片電容器的一部分的構成分離出來表示的分解立體圖。芯片電容器31具備：基板32、配置于基板上的第1外部電極33、以及同樣配置于基板32上的第2外部電極34。基板32在本實施方式中，具有俯視下將四個角倒角后的矩形形狀。在基板32的長邊方向兩端部分別配置有第1外部電極33以及第2外部電極34。第1外部電極33以及第2外部電極34在本實施方式中具有在基板32的短邊方向上延伸的大致矩形的平面形狀，在與基板32的角對應的各2處具有倒角部。在基板32上，在第1外部電極33以及第2外部電極34之間的電容器配置區域35內，配置有多個電容器元件C1～C9。多個電容器元件C1～C9經由多個熔斷器組件37而分別與第1外部電極33電連接。
            如圖11以及圖12所示，在基板32的表面形成有絕緣膜38，在絕緣膜38的表面形成有下部電極膜41。下部電極膜41形成為：不僅跨電容器配置區域35的大致全域，而且延伸至第2外部電極34的正下方的區域。更具體而言，下部電極膜41具有：作為電容器元件C1～C9的公共的下部電極而發揮功能的電容器電極區域41A、以及用于外部電極引出的焊盤區域41B。電容器電極區域41A位于電容器配置區域35，焊盤區域41B位于第2外部電極34的正下方。
            在電容器配置區域35，按照覆蓋下部電極膜41(電容器電極區域41A)的方式形成有電容膜(電介質膜)42。電容膜42跨電容器電極區域41A的全域而連續，在本實施方式中，進而延伸至第1外部電極33的正下方的區域，覆蓋了電容器配置區域35外的絕緣膜38。在電容膜42之上，形成有上部電極膜43。在圖10中，為了明確，著色示出了上部電極膜43。上部電極膜43具有：位于電容器配置區域35的電容器電極區域43A、位于第1外部電極33的正下方的焊盤區域43B、以及配置于焊盤區域43B與電容器電極區域43A之間的熔斷器區域43C。
            在電容器電極區域43A中，上部電極膜43被分割為多個電極膜部分231～239。在本實施方式中，各電極膜部分231～239均形成為矩形形狀，從熔斷器區域43C起朝著第2外部電極34帶狀地延伸。多個電極膜部分231～239以多種對置面積夾持電容膜42而與下部電極膜41對置。更具體而言，電極膜部分231～239相對于下部電極膜41的對置面積可以規定為1∶2∶4∶8∶16∶32∶64∶128∶128。即，多個電極膜部分231～239包含對置面積不同的多個電極膜部分，更具體而言，包含具有被設定為呈公比為2的等比數列的對置面積的多個電極膜部分231～238(或231～237，239)。由此，由各電極膜部分231～239和夾持電容膜42而對置的下部電極膜41分別構成的多個電容器元件C1～C9包含具有彼此不同的電容值的多個電容器元件。在電極膜部分231～239的對置面積之比如前所述的情況下，電容器元件C1～C9的電容值之比等于該對置面積之比，成為1∶2∶4∶8∶16∶32∶64∶128∶128。即，多個電容器元件C1～C9將包含電容值被設定為呈公比為2的等比數列的多個電容器元件C1～C8(或C1～C7，C9)。
            在本實施方式中，電極膜部分231～235形成為寬度相等、且長度之比被設定為1∶2∶4∶8∶16的帶狀。另外，電極膜部分235，236，237，238，239形成為長度相等、且寬度之比被設定為1∶2∶4∶8∶8的帶狀。電極膜部分235～239延伸形成為跨從電容器配置區域35的第1外部電極33側的端緣起至第2外部電極34側的端緣為止的范圍，電極膜部分231～234形成得比其短。
            焊盤區域43B形成為與第1外部電極33為大致相似形，具有包含與基板32的角部對應的2個倒角部的大致矩形的平面形狀。沿該焊盤區域43B的一個長邊(相對于基板32的周緣為內方側的長邊)而配置有熔斷器區域43C。熔斷器區域43C包含沿焊盤區域43B的所述1個長邊而排列的多個熔斷器組件37。熔斷器組件37與上部電極膜43的焊盤區域43B以相同的材料來一體形成。多個電極膜部分231～239與1個或多個熔斷器組件37一體形成，并經由這些熔斷器組件37與焊盤區域43B連接，且經由該焊盤區域43B與第1外部電極33電連接。面積較小的電極膜部分231～236通過一個熔斷器組件37與焊盤區域43B連接，面積較大的電極膜部分237～239通過多個熔斷器組件37與焊盤區域43B連接。不需要使用全部的熔斷器組件37，在本實施方式中，一部分的熔斷器組件37處于未使用狀態。
            熔斷器組件37包含：用于與焊盤區域43B進行連接的第1幅寬部37A和用于與電極膜部分231～239進行連接的第2幅寬部37B、以及對第1以及第2幅寬部37A，37B之間進行連接的幅窄部37C。幅窄部37C構成為能通過激光進行切斷(熔斷)。由此，通過熔斷器組件37的切斷，能將電極膜部分231～239當中不需要的電極膜部分從第1以及第2外部電極33，34電氣式隔出。
            盡管在圖10以及圖12中省略了圖示，但如圖11所示，包含上部電極膜43的表面在內的芯片電容器31的表面被鈍化膜39覆蓋。鈍化膜39例如由氮化膜構成，形成為：不僅在芯片電容器31的上表面，而且延伸至基板32的側面，覆蓋該側面。進而，在鈍化膜39之上，形成有由聚酰亞胺樹脂等構成的樹脂膜40。樹脂膜40形成為：覆蓋芯片電容器1的上表面，進而延伸至基板32的側面，覆蓋該側面上的鈍化膜39。
            鈍化膜39以及樹脂膜40是保護芯片電容器31的表面的保護膜。在這些膜，在與第1外部電極33以及第2外部電極34對應的區域，分別形成有焊盤開口44，45。焊盤開口44，45分別按照使上部電極膜43的焊盤區域43B的一部分的區域、下部電極膜41的焊盤區域41B的一部分的區域露出的方式貫通鈍化膜39以及樹脂膜40。進而，在本實施方式中，與第2外部電極34對應的焊盤開口45也貫通電容膜42。
            在焊盤開口44，45，分別埋入有第1外部電極33以及第2外部電極34。由此，第1外部電極33與上部電極膜43的焊盤區域43B接合，第2外部電極34與下部電極膜41的焊盤區域41B接合。第1以及第2外部電極33，34形成為從樹脂膜40的表面突出。由此，能將芯片電容器31相對于安裝基板進行倒裝芯片接合。
            圖13是表示芯片電容器31的內部的電氣構成的電路圖。在第1外部電極33與第2外部電極34之間并聯連接有多個電容器元件C1～C9。在各電容器元件C1～C9與第1外部電極33之間，串聯插入有由一個或多個熔斷器組件37分別構成的熔斷器F1～F9。在將熔斷器F1～F9全部進行了連接時，芯片電容器31的電容值等于電容器元件C1～C9的電容值的總和。若將從多個熔斷器F1～F9選擇出的1個或2個以上的熔斷器切斷，則與該切斷后的熔斷器對應的電容器元件被隔出，芯片電容器31的電容值將減少該隔出的電容器元件的電容值那么多。
            為此，對焊盤區域41B，43B之間的電容值(電容器元件C1～C9的總電容值)進行測量，其后若以激光來熔斷對應于期望的電容值而從熔斷器F1～F9適當地選擇出的一個或多個熔斷器，則能進行到期望的電容值的契合(激光微調)。尤其是，若電容器元件C1～C8的電容值被設定為呈公比為2的等比數列，則能以處于最小的電容值(該等比數列的初項的值)的電容器元件C1的電容值對應的精度來實現到目標的電容值的契合的微調整。
            例如，電容器元件C1～C9的電容值可以規定如下。C1＝0.03125pF C2＝0.0625pF C3＝0.125pF C4＝0.25pF C5＝0.5pF C6＝1pF C7＝2pF C8＝4pF C9＝4pF。在此情況下，能以0.03125pF的最小契合精度來對芯片電容器31的電容進行微調整。另外，通過從熔斷器F1～F9中適當地選擇要切斷的熔斷器，能提供0.1pF～10pF之間的任意的電容值的芯片電容器31。
            如上所述，根據本實施方式，在第1外部電極33以及第2外部電極34之間，設置有能由熔斷器F1～F9進行隔出的多個電容器元件C1～C9。電容器元件C1～C9包含不同的電容值的多個電容器元件，更具體而言包含電容值被設定為呈等比數列的多個電容器元件。由此，通過從熔斷器F1～F9選擇1個或多個熔斷器來以激光進行熔斷，能提供不變更設計就能對應多種電容值、且能準確地契合至期望的電容值的芯片電容器31。
            關于芯片電容器31的各部的細節，以下加入說明。基板32例如可以具有俯視下0.3mm×0.15mm、0.4mm×0.2mm、或0.2mm×0.1mm等的矩形形狀(優選為0.4mm×0.2mm以下的大小)。電容器配置區域35大致成為具有相當于基板32的短邊的長度的一邊的正方形區域。基板32的厚度可以是150μm左右。基板32例如可以是通過從背面側(未形成電容器元件C1～C9的表面)起的研削或研磨而被薄型化的基板。作為基板32的材料，既可以使用以硅基板為代表的半導體基板，也可以使用玻璃基板，還可以使用樹脂薄膜。
            絕緣膜38可以是氧化硅膜等的氧化膜。其膜厚可以是左右。下部電極膜41優選是導電性膜，尤其優選是金屬膜，例如可以是鋁膜。由鋁膜構成的下部電極膜41能通過濺射法來形成。上部電極膜43也同樣，優選由導電性膜，尤其優選由金屬膜構成，可以是鋁膜。由鋁膜構成的上部電極膜43能通過濺射法來形成。用于將上部電極膜43的電容器電極區域43A分割為電極膜部分231～239且將熔斷器區域43C整形為多個熔斷器組件37的圖案化能通過光刻以及蝕刻工序來執行。
            電容膜42例如能由氮化硅膜構成，其膜厚能設為(例如)。電容膜42可以是通過等離子CVD(化學氣相生長)而形成的氮化硅膜。鈍化膜39例如能由氮化硅膜構成，例如能通過等離子CVD法來形成。其膜厚可以設為左右。樹脂膜40如前所述，能由聚酰亞胺膜以外的樹脂膜構成。
            第1以及第2外部電極33，34例如可以由將與下部電極膜41或上部電極膜43相接的鎳層、層疊于該鎳層上的鈀層、以及層疊于該鈀層上的金層進行了層疊后的層疊構造膜構成，例如能以鍍覆法(更具體而言為無電解鍍覆法)來形成。鎳層有助于對下部電極膜41或上部電極膜43的緊貼性的提高，鈀層作為對上部電極膜或下部電極膜的材料與第1以及第2外部電極33，34的最上層的金的相互擴散進行抑制的擴散防止層發揮功能。
            圖14是用于說明芯片電容器31的制造工序的一例的流程圖。在基板32的表面，通過熱氧化法和/或CVD法，來形成由氧化膜(例如氧化硅膜)構成的絕緣膜38(步驟S1)。接下來，例如通過濺射法，在絕緣膜38的表面全域形成由鋁膜構成的下部電極膜41(步驟S2)。下部電極膜41的膜厚可設為左右。接下來，在該下部電極膜的表面，通過光刻來形成與下部電極膜41的最終形狀對應的抗蝕圖案(步驟S3)。通過將該抗蝕圖案作為掩模來蝕刻下部電極膜41，從而得到圖10等所示的圖案的下部電極膜41(步驟S4)。下部電極膜41的蝕刻例如能通過反應性離子蝕刻來進行。
            接下來，例如通過等離子CVD法，在下部電極膜41上形成由氮化硅膜等構成的電容膜42(步驟S5)。在未形成下部電極膜41的區域，在絕緣膜38的表面將形成電容膜42。接著，在該電容膜42之上形成上部電極膜43(步驟S6)。上部電極膜43例如由鋁膜構成，能通過濺射法來形成。其膜厚可設為左右。接著，在上部電極膜43的表面，通過光刻來形成與上部電極膜43的最終形狀對應的抗蝕圖案(步驟S7)。通過以該抗蝕圖案為掩模的蝕刻，將上部電極膜43圖案化為最終形狀(參照圖10等)(步驟S8)。由此，上部電極膜43被整形為如下圖案：在電容器電極區域43A具有多個電極膜部分231～239，在熔斷器區域43C具有多個熔斷器組件37，并具有與這些熔斷器組件37連接的焊盤區域43B。用于上部電極膜43的圖案化的蝕刻既可以通過利用了磷酸等的蝕刻液的濕式蝕刻來進行，也可以通過反應性離子蝕刻來進行。
            其后，將檢查用探頭推到上部電極膜43的焊盤區域43B和下部電極膜41的焊盤區域41B，來測量多個電容器元件C1～C9的總電容值(步驟S9)。基于該測量出的總電容值，對應于作為目的的芯片電容器31的電容值，來選擇要隔出的電容器元件，即要切斷的熔斷器(步驟S10)。
            接著，如圖15A所示，在基板32上的整面例如形成由氮化膜構成的覆蓋膜46(步驟S11)。該覆蓋膜46的形成可以通過等離子CVD法來進行，例如可以形成膜厚左右的氮化硅膜。覆蓋膜46覆蓋經圖案化的上部電極膜43，在未形成上部電極膜43的區域覆蓋電容膜42。覆蓋膜46將在熔斷器區域43C覆蓋熔斷器組件37。
            從該狀態起，進行用于熔斷熔斷器組件37的激光微調(步驟S12)。即，如圖15B所示，對構成根據所述總電容值的測量結果而選擇出的熔斷器的熔斷器組件37投射激光47，來熔斷該熔斷器組件37的幅窄部37C。由此，對應的電容器元件被從焊盤區域43B隔出。在對熔斷器組件37投射激光47時，基于覆蓋膜46的作用，在熔斷器組件37的附近蓄積激光47的能量，由此來熔斷熔斷器組件37。
            接下來，如圖15C所示，例如通過等離子CVD法，來使氮化硅膜沉積于覆蓋膜46上，形成鈍化膜39(步驟S13)。前述的覆蓋膜46在最終形態下，與鈍化膜39一體化，構成該鈍化膜39的一部分。在熔斷器的切斷后所形成的鈍化膜39進入到在熔斷器熔斷時同時被破壞了的覆蓋膜46的開口內，保護熔斷器組件37的切斷面。因此，鈍化膜39能防止在熔斷器組件37的切斷處進入異物或浸入水分。鈍化膜39整體上例如可以形成為具有左右的膜厚。
            接下來，在鈍化膜39上形成在要形成第1以及第2外部電極33，34的位置上具有貫通孔的抗蝕圖案(步驟S14)。以該抗蝕圖案為掩模來進行鈍化膜39的蝕刻。由此，將形成使下部電極膜41在焊盤區域41B露出的焊盤開口；以及使上部電極膜43在焊盤區域43B露出的焊盤開口(步驟S15)。鈍化膜39的蝕刻可以通過反應性離子蝕刻來進行。在鈍化膜39的蝕刻之際，同樣由氮化膜形成的電容膜42也將開口，由此，下部電極膜41的焊盤區域41B將露出。
            接著，對整面涂敷樹脂膜(步驟S16)。作為樹脂膜，例如使用感光性的聚酰亞胺的涂敷膜。通過對于該樹脂膜，進行針對與所述焊盤開口對應的區域的曝光工序、以及其后的顯影工序，從而能進行基于光刻的樹脂膜的圖案化(步驟S17)。由此，形成將樹脂膜40以及鈍化膜39貫通了的焊盤開口44，45。其后，執行用于對樹脂膜進行硬化的熱處理(固化處理)(步驟S18)，進而，在焊盤開口44，45內，例如通過無電解鍍覆法，來使第1外部電極33以及第2外部電極34生長(步驟S19)。如此，得到圖10等所示的構造的芯片電容器31。
            在利用了光刻工序的上部電極膜43的圖案化中，能精度良好地形成微小面積的電極膜部分231～239，進而能形成精細的圖案的熔斷器組件37。而且，在上部電極膜43的圖案化之后，經過總電容值的測量，來決定要切斷的熔斷器。通過對該決定出的熔斷器進行切斷，能得到準確地契合至期望的電容值的芯片電容器31。
            圖16是用于說明第1參考例的第2實施方式所涉及的芯片電容器48的構成的俯視圖。圖16中，對與前述的圖10所示的各部對應的部分賦予同一參照標號來表示。在前述的第1實施方式中，上部電極膜43的電容器電極區域43A分別被分割為帶狀的電極膜部分231～239。在此情況下，如圖10所示，在電容器配置區域35內會產生不能作為電容器元件利用的區域，不能對小的基板32上的受限的區域進行有效活用。
            為此，在圖16所示的實施方式中，多個電極膜部分231～239被分割為L字形的電極膜部分241～249。由此，例如，圖16的構成中的電極膜部分249能以圖10的構成的電極膜部分239的1.5倍的面積而與下部電極膜41對置。由此，在圖10的第1實施方式中，若設與電極膜部分239對應的電容器元件C9具有4pF的電容，則通過使用本實施方式中的電極膜部分249，電容器元件C9能具有6pF的電容。由此，能對電容器配置區域35內有效活用，以更寬的范圍來設定芯片電容器48的電容值。
            本實施方式所涉及的芯片電容器48的制造工序與圖14所示的工序實質上相同。但在上部電極膜43的圖案化(步驟S7，S8)中，電容器電極區域43A被分割為圖16所示的形狀的多個電極膜部分231～239。圖17是用于說明第1參考例的第3實施方式所涉及的芯片電容器49的構成的分解立體圖，與在前述的第1實施方式的說明中用到的圖12同樣地表現了芯片電容器49的各部。
            在第1實施方式中，下部電極膜41具有由跨電容器配置區域35的大致全域的連續圖案構成的電容器電極區域41A，上部電極膜43的電容器電極區域43A被分割為多個電極膜部分231～239。與此相對，在本實施方式中，上部電極膜43的電容器電極區域43形成為跨電容器配置區域35的大致全域而連續的連續膜圖案，另一方面，下部電極膜41的電容器電極區域41A被分割為多個電極膜部分251～259。電極膜部分251～259既可以形成為與第1實施方式中的電極膜部分231～239同樣的形狀以及面積比，也可以形成為與第2實施方式中的電極膜部分241～249同樣的形狀以及面積比。如此，由電極膜部分251～259、電容膜42、以及上部電極膜43來構成了多個電容器元件。該多個電容器元件的至少一部分構成了電容值不同的(例如各電容值被設定為呈等比數列)電容器元件群。
            下部電極膜41進而在電容器電極區域41A與焊盤區域41B之間具有熔斷器區域41C。在熔斷器區域41C，與第1實施方式的熔斷器組件37同樣的多個熔斷器組件50沿焊盤區域41B排列成一列。各電極膜部分251～259經由一個或多個熔斷器組件50而與焊盤區域41B連接。
            基于這樣的構成，電極膜部分251～259也以彼此不同的對置面積與上部電極膜43對置，它們通過切斷熔斷器組件50而能分個隔出。因此，得到與第1實施方式的情況同樣的效果。尤其是，通過形成為使多個電極膜部分251～259的至少一部分以被設定為呈公比為2的等比數列的對置面積來與上部電極膜43對置，從而與第1實施方式的情況同樣地，能提供以高精度契合至需要的電容值的芯片電容器。
            本實施方式所涉及的芯片電容器49的制造工序與圖14所示的工序實質上相同。但在下部電極膜41的圖案化(步驟S3，S4)中，電容器電極區域41A被分割為電極膜部分251、259，且在熔斷器區域41C將形成多個熔斷器組件50。另外，在上部電極膜43的圖案化(步驟S7，S8)中，不進行多個電極膜部分的形成，也不能進行熔斷器組件的形成。進而，在激光微調(步驟S12)中，形成于下部電極膜41的熔斷器組件50被激光切斷。在激光微調之際，下部電極膜41被電容膜42覆蓋，因此能將該電容膜42用作用于蓄積激光的能量的覆蓋膜。因此，可以省略在前緊挨激光微調的覆蓋膜的形成(步驟S11)。
            盡管以上針對第1參考例的實施方式進行了說明，但第1參考例還能以其他的形態來實施。例如，盡管在前述的實施方式中示出了上部電極膜以及下部電極膜當中的一者被分割為多個電極膜的構成，但上部電極膜以及下部電極膜兩者也可以均被分割為多個電極膜部分。進而，盡管在前述的實施方式中示出了上部電極膜或下部電極膜與熔斷器組件一體化的例子，但也可以是由與上部電極膜或下部電極膜不同的導體膜來形成熔斷器組件。進而，盡管在前述的實施方式中示出了包括多個電容器元件具有呈公比r(0＜r，r≠1)＝2的等比數列的電容值的多個電容器元件的例子，但該等比數列的公比也可以是2以外的數。另外，盡管在前述的實施方式中示出了在基板32的表面形成有絕緣膜38，但只要基板32是絕緣性的基板，就還能省略絕緣膜38。另外，可以使用導電性基板來作為基板32，使用該導電性基板作為下部電極，按照與導電性基板的表面相接的方式來形成電容膜42。在此情況下，可以從導電性基板的背面引出一者的外部電極。
            此外，能在所述(1)第1參考例所涉及的發明的特征中所記載的事項的范圍內實施各種設計變更。例如，將在各特征A1～A20中未確定的制造的工序進行變更、省去、追加后的技術，也包含在第1參考例的范圍內。＜第2參考例所涉及的發明＞(1)第2參考例所涉及的發明的特征例如，第2參考例所涉及的發明的特征是以下的B1～B25。(B1)一種芯片電容器，包含：基板；配置于所述基板上的第1外部電極；配置于所述基板上的第2外部電極；形成于所述基板上，并連接于所述第1外部電極以及所述第2外部電極之間的多個電容器元件；形成于所述基板上，分別插在所述多個電容器元件與所述第1外部電極或所述第2外部電極之間，且能將所述多個電容器元件分別隔出的多個熔斷器；以及形成于所述基板內，在包含所述第1外部電極的正下方在內的區域與包含所述第2外部電極的正下方在內的區域之間，彼此逆向連接的一對二極管。
            根據B1記載的發明，在配置于基板上的第1以及第2外部電極之間連接有多個電容器元件。而且，在多個電容器元件與第1或第2外部電極之間，設置有能將該多個電容器元件分別隔出的多個熔斷器。為此，通過選擇一個或多個熔斷器來切斷，能容易且迅速地對應多種電容值。換言之，能對多種電容值的芯片電容器應用公共的設計。另外，成為不受寄生電容的影響而能準確地進行電容值的契合的芯片電容器。(B2)所述一對二極管包含：包含所述第1外部電極的正下方或下部電極的正下方在內的所述基板的表面區域中所形成的雜質擴散區域、以及包含所述第2外部電極的正下方或下部電極的正下方在內的所述基板的表面區域中所形成的雜質擴散區域的、B1記載的芯片電容器。
            根據B2記載的發明，通過形成雜質擴散區域，能容易地形成一對二極管。(B3)所述基板是半導體基板，所述一對二極管是由所述基板與所述雜質區域的pn結形成的、B2記載的芯片電容器。根據B3記載的發明，一對二極管能使用半導體的pn結來容易地制作。(B4)所述多個電容器元件具有彼此不同的電容值的、B1～B3的任一項中記載的芯片電容器。
            根據B4記載的發明，通過將電容值不同的多個電容器元件進行組合，能以公共的設計來實現各種電容值的芯片電容器。(B5)所述多個電容器元件的電容值被設定為呈等比數列的、B4中記載的芯片電容器。根據B5記載的發明，通過適當地選擇要連接于第1外部電極以及第2外部電極之間的多個電容器元件，能將芯片電容器的電容值準確地契合至期望的電容值。例如，通過將所述等比數列的公比設為2，能以該等比數列的初項(在該數列內為最小值的項)的精度來契合芯片電容器的電容值。(B6)所述多個熔斷器當中的至少一個被切斷的、B1～B5的任一項中記載的芯片電容器。
            根據B6記載的發明，契合了電容值的芯片電容器存在1個或多個熔斷器被切斷的情況。通過熔斷器的切斷，能選擇連接于第1外部電極以及第2外部電極之間的電容器元件，由此，能實現需要的電容值的芯片電容器。(B7)包含形成于所述基板上的下部電極膜、形成于所述下部電極膜上的電容膜、以及在所述電容膜上形成為與所述下部電極膜對置的上部電極膜，所述上部電極膜以及上述下部電極膜當中的一者的電極膜包含經分割得到的多個電極膜部分，所述多個電極膜部分經由所述電容膜與所述上部電極膜以及所述下部電極膜當中的另一者的電極膜對置，由此形成所述多個電容器元件的、B1～B6的任一項中記載的芯片電容器。
            根據B7記載的發明，在下部電極膜與上部電極膜之間，通過夾持電容膜來構成了電容器構造。而且，通過將上部電極膜以及下部電極膜當中的一者的電極膜分割為多個電極膜部分，從而各電極膜部分與另一者的電極膜對置，由此，多個電容器元件將被設置于基板上。(B8)所述多個電極膜部分以彼此不同的對置面積與所述另一者的電極膜對置的、B7中記載的芯片電容器。
            根據B8記載的發明，與對置面積彼此不同的多個電極膜部分對應的多個電容器元件將具有彼此不同的電容值。由此，通過將它們適當地組合，能實現多種電容值的芯片電容器。更具體而言，通過切斷與選擇出的多個電容器元件以外的電容器元件對應的熔斷器并將它們從第1以及第2外部電極之間隔出，能構成具有需要的電容值的芯片電容器。(B9)所述多個電極膜部分的所述對置面積被設定為呈等比數列的、B8中記載的芯片電容器。
            根據B9記載的發明，能將電容值被設定為呈等比數列的多個電容器元件設置于基板上。由此，能實現多種電容值的芯片電容器，且電容值的微調整也能通過熔斷器的切斷來進行。(B10)所述多個電極膜部分與所述熔斷器由相同的導電性材料的膜形成的、B7～B9的任一項中記載的芯片電容器。
            根據B10記載的發明，能將電極膜部分與熔斷器以公共的導電性材料膜來構成。而且，通過切斷與各電極膜部分對應的熔斷器，能隔出該電極膜部分。(B11)還包含覆蓋所述上部電極膜且形成為使所述第1外部電極以及所述第2外部電極露出的保護膜的、B1～B10的任一項中記載的芯片電容器。
            根據B11記載的發明，使第1以及第2外部電極露出，另一方面，使上部電極膜由保護膜進行覆蓋，由此能以公共的沒計實現多種電容值，且能提供可靠性高的芯片電容器。(B12)所述保護膜延伸至所述基板的側面且覆蓋該側面的、B11中記載的芯片電容器。
            根據B12記載的發明，還能從基板的側面進行保護，因此能進一步提高芯片電容器的可靠性。(B13)一種具有第1外部電極以及第2外部電極的芯片電容器的制造方法，包含：在基板的表面區域的包括所述第1外部電極以及第2外部電極的各自正下方的區域在內的區域，各自形成擴散區域的工序；在所述基板上形成多個電容器元件的工序；在所述基板上形成用于將所述多個電容器元件按照能分別隔出的方式與所述第1外部電極或第2外部電極連接的多個熔斷器的工序；以及在所述基板上形成第1外部電極以及第2外部電極的工序。
            根據B13記載的發明，通過將對應于需要的電容值而選擇出的熔斷器切斷，能在成為公共的設計的同時，制造多個電容值的芯片電容器。另外，能制造不受寄生電容的影響的芯片電容器。(B14)所述多個電容器元件形成為具有彼此不同的電容值的、B13中記載的芯片電容器的制造方法。
            根據B14記載的發明，通過適當地選擇多個電容器元件來進行組合，能實現多種電容值。(B15)所述多個電容器元件的電容值被設定為呈等比數列的、B14中記載的芯片電容器的制造方法。根據B15記載的發明，通過適當地選擇多個電容器元件來進行組合，能實現多種電容值，且還能實現針對期望的電容值的微調整(契合)。例如，通過將所述等比數列的公比設為2，能以該等比數列的初項(在該數列內為最小值的項)的精度來契合芯片電容器的電容值。(B16)還包含將所述多個熔斷器當中的至少一個切斷的熔斷器切斷工序的、B13～B15的任一項中記載的芯片電容器的制造方法。
            根據B16記載的發明，通過適當地選擇要切斷的熔斷器，能將芯片電容器的電容值契合至期望的電容值。即，通過適當地選擇要連接于第1以及第2外部電極的電容器元件，并切斷與除此以外的電容器元件對應的熔斷器，能制造契合至期望的電容值的芯片電容器。(B17)還包含對所述多個電容器元件的總電容值進行測量的工序、以及基于所述測量出的總電容值來選擇應進行所述切斷的熔斷器的工序，且在所述熔斷器切斷工序中，切斷選擇出的所述熔斷器的、B16中記載的芯片電容器的制造方法。
            根據B17記載的發明，對多個電容器元件的總電容值進行測量，并基于其測量結果來選擇要切斷的熔斷器，因此能使芯片電容器的電容值可靠地成為目的的電容值。(B18)還包含在切斷了所述熔斷器后，形成覆蓋所述熔斷器的切斷部的保護膜的工序的、B16或B17中記載的芯片電容器的制造方法。
            根據B18記載的發明，熔斷器的切斷部被保護膜覆蓋，因此能避免異物或水分對切斷部的侵入，故不僅能以公共的設計來實現多種電容值，而且能制造可靠性高的芯片電容器。(B19)形成所述多個電容器元件的工序包含：在所述基板上形成下部電極膜的工序；在所述下部電極膜上形成電容膜的工序；在所述電容膜上按照與所述下部電極膜對置的方式形成上部電極膜的工序；以及將所述上部電極膜以及所述下部電極膜當中的一者的電極膜分割為多個電極膜部分的(例如通過光刻來分割)的工序，所述多個電極膜部分經由所述電容膜與所述上部電極膜以及下部電極膜當中的另一者的電極膜對置，由此形成所述多個電容器元件的、B13～B18的任一項中記載的芯片電容器的制造方法。
            根據B19記載的發明，能形成在下部電極膜與上部電極膜之間夾持電容膜的電容器構造。而且，通過將上部電極膜以及下部電極膜當中的一者分割為多個電極膜部分，能在基板上形成在該分割出的電極膜部分與另一者的電極膜之間夾持電容膜的構造的多個電容器元件。(B20)按照所述多個電極膜部分以彼此不同的對置面積與所述另一者的電極膜的對置的方式來分割所述一者的電極膜的、B19中記載的芯片電容器的制造方法。
            根據B20記載的發明，多個電極膜部分以彼此不同的對置面積與另一者的電極膜對置，從而能將電容值不同的多個電容器元件形成于基板上。因此，通過適當地選擇不同的電容值的電容器元件來進行組合，能制造多種電容值的芯片電容器。(B21)所述多個電極膜部分的所述對置面積被設定為呈等比數列的、B19中記載的芯片電容器的制造方法。
            根據B21記載的發明，能將電容值被設定為呈等比數列的多個電容器元件形成于基板上。由此，通過適當地選擇多個電容器元件來進行組合，能提供多種電容值的芯片電容器，且能實現到期望的電容值的準確的契合。(B22)所述一者的電極膜與所述熔斷器由相同的導電性材料的膜形成的、B19～B21的任一項中記載的芯片電容器的制造方法。
            根據B22記載的發明，能將電極膜部分與熔斷器以相同的導電性材料的膜來形成，因此能將它們從同一膜進行圖案化而形成。由此，制造工序變得簡單。(B23)一種芯片電容器，包含：基板；形成于所述基板上的絕緣膜；形成于所述絕緣膜上的下部電極膜；形成于所述下部電極膜上的電容膜；在所述電容膜上形成為與所述下部電極膜對置的上部電極膜；配置于所述絕緣膜上且與所述下部電極膜連接的第1外部電極；配置于所述絕緣膜上且與所述上部電極膜連接的第2外部電極；形成于所述基板內，且在包含所述第1外部電極的正下方在內的區域與包含所述第2外部電極的正下方在內的區域之間，彼此逆向連接的一對二極管。
            根據B23記載的發明，成為不受寄生電容的影響而能準確地進行電容值的契合的芯片電容器。(B24)所述一對二極管包含：包含所述第1外部電極的正下方或下部電極的正下方在內的所述基板的表面區域中所形成的雜質擴散區域；以及包含所述第2外部電極的正下方或下部電極的正下方在內的所述基板的表面區域中所形成的雜質擴散區域的、B23記載的芯片電容器。
            根據B24記載的發明，通過形成雜質擴散區域，能容易地形成一對二極管。(B25)所述基板是半導體基板，所述一對二極管由所述基板與所述雜質區域的pn結形成的、B24記載的芯片電容器。根據B25記載的發明，一對二極管能使用半導體的pn結來容易地制作。(2)第2參考例所涉及的發明的實施方式以下，參照附圖來詳細說明第2參考例的實施方式。
            圖18是第2參考例的第1實施方式所涉及的芯片電容器的俯視圖，圖19是其斷面圖，示出了從圖18的切斷面線IXX-IXX觀察的切斷面。進而，圖20是將所述芯片電容器的一部分的構成分離出來表示的分解立體圖。芯片電容器51具備：基板52、配置于基板52上的第1外部電極53、以及同樣配置于基板52上的第2外部電極54。基板52在本實施方式中，具有俯視下將四個角倒角后的矩形形狀。矩形形狀例如為0.3mm×0.15mm左右的尺寸。在基板52的長邊方向兩端部分別配置有第1外部電極53以及第2外部電極54。第1外部電極53以及第2外部電極54在本實施方式中具有在基板52的短邊方向上延伸的大致矩形的平面形狀，在與基板52的角對應的各2處具有倒角部。在基板52上，在第1外部電極53以及第2外部電極54之間的電容器配置區域55內，配置有多個電容器元件C1～C9。多個電容器元件C1～C9經由多個熔斷器組件57而分別與第1外部電極53電連接。
            如圖19以及圖20所示，在基板52的表面形成有絕緣膜58，在絕緣膜58的表面形成有下部電極膜311。下部電極膜311形成為：不僅跨電容器配置區域55的大致全域，而且延伸至第2外部電極54的正下方的區域。更具體而言，下部電極膜311具有：作為電容器元件C1～C9的公共的下部電極而發揮功能的電容器電極區域311A、以及用于外部電極引出的焊盤區域311B。電容器電極區域311A位于電容器配置區域55，焊盤區域311B位于第2外部電極54的正下方。
            在電容器配置區域55，按照覆蓋下部電極膜311(電容器電極區域311A)的方式形成有電容膜(電介質膜)312。電容膜312跨電容器電極區域311A的全域而連續，在本實施方式中，進而延伸至第1外部電極53的正下方的區域，覆蓋了電容器配置區域55外的絕緣膜58。在電容膜312之上，形成有上部電極膜313。在圖18中，為了明確，對上部電極膜313附小圓點來表示。上部電極膜313具有：位于電容器配置區域55的電容器電極區域313A、位于第1外部電極53的正下方的焊盤區域313B、以及配置于焊盤區域313B與電容器電極區域313A之間的熔斷器區域313C。
            在電容器電極區域313A中，上部電極膜313被分割為多個電極膜部分331～339。在本實施方式中，各電極膜部分331～339均形成為矩形形狀，從熔斷器區域313C起朝著第2外部電極54帶狀地延伸。多個電極膜部分331～339以多種對置面積夾持電容膜312而與下部電極膜311對置。更具體而言，電極膜部分331～339相對于下部電極膜311的對置面積可以規定為1∶2∶4∶8∶16∶32∶64∶128∶128。即，多個電極膜部分331～339包含對置面積不同的多個電極膜部分，更具體而言，包含具有被設定為呈公比為2的等比數列的對置面積的多個電極膜部分331～338(或331～337，339)。由此，由各電極膜部分331～339和夾持電容膜312而對置的下部電極膜311分別構成的多個電容器元件C1～C9包含具有彼此不同的電容值的多個電容器元件。在電極膜部分331～339的對置面積之比如前所述的情況下，電容器元件C1～C9的電容值之比等于該對置面積之比，成為1∶2∶4∶8∶16∶32∶64∶128∶128。即，多個電容器元件C1～C9將包含電容值被設定為呈公比為2的等比數列的多個電容器元件C1～C8(或C1～C7，C9)。
            在本實施方式中，電極膜部分331～335形成為寬度相等、且長度之比設定為1∶2∶4∶8∶16的帶狀。另外，電極膜部分335，336，337，338，339形成為長度相等、且寬度之比設定為1∶2∶4∶8∶8的帶狀。電極膜部分335～339延伸形成為跨從電容器配置區域55的第1外部電極53側的端緣起至第2外部電極54側的端緣為止的范圍，電極膜部分331～334形成得比其短。
            焊盤區域313B形成為與第1外部電極53為大致相似形，具有包含與基板52的角部對應的2個倒角部的大致矩形的平面形狀。沿該焊盤區域313B的一個長邊(相對于基板52的周緣為內方側的長邊)配置有熔斷器區域313C。熔斷器區域313C包含沿焊盤區域313B的所述1個長邊而排列的多個熔斷器組件57。熔斷器組件57以相同的材料與上部電極膜313的焊盤區域313B一體形成。多個電極膜部分331～339與1個或多個熔斷器組件57一體形成，經由這些熔斷器組件57與焊盤區域313B連接，并經由該焊盤區域313B與第1外部電極53電連接。面積較小的電極膜部分331～336通過一個熔斷器組件57而與焊盤區域313B連接，面積較大的電極膜部分337～339經由多個熔斷器組件57而與焊盤區域313B連接。不需要使用全部的熔斷器組件57，在本實施方式中，一部分的熔斷器組件57處于未使用狀態。
            熔斷器組件57包含：用于與焊盤區域313B進行連接的第1幅寬部57A和用于與電極膜部分331～339進行連接的第2幅寬部57B；以及對第1以及第2幅寬部57A、57B之間進行連接的幅窄部57C。幅窄部57C構成為能通過激光進行切斷(熔斷)。由此，能將電極膜部分331～339當中不需要的電極膜部分通過熔斷器組件57的切斷而從第1以及第2外部電極53、54電氣式隔出。
            盡管在圖18以及圖20中省略了圖示，但如圖19所示，包含上部電極膜313的表面在內的芯片電容器51的表面由鈍化膜59覆蓋。鈍化膜59例如由氮化膜構成，形成為：不僅在芯片電容器51的上表面，還延伸至基板52的側面，覆蓋該側面。進而，在鈍化膜59之上形成有由聚酰亞胺樹脂等構成的樹脂膜310。樹脂膜310形成為：覆蓋芯片電容器51的上表面，進而延伸至基板52的側面，覆蓋該側面上的鈍化膜59。
            鈍化膜59以及樹脂膜310是對芯片電容器51的表面進行保護的保護膜。在這些膜，在與第1外部電極53以及第2外部電極54對應的區域分別形成有焊盤開口321，322。焊盤開口321，322分別按照使上部電極膜313的焊盤區域313B的一部分的區域、下部電極膜311的焊盤區域311B的一部分的區域露出的方式貫通鈍化膜59以及樹脂膜310。進而，在本實施方式中，與第2外部電極54對應的焊盤開口322還貫通電容膜312。
            在焊盤開口321，322，分別埋入有第1外部電極53以及第2外部電極54。由此，第1外部電極53與上部電極膜313的焊盤區域313B接合，第2外部電極54與下部電極膜311的焊盤區域311B接合。第1以及第2外部電極53，54形成為從樹脂膜310的表面突出。由此，能將芯片電容器51相對于安裝基板進行倒裝芯片接合。
            在本實施方式中，基板52例如使用了由半導體形成的半導體基板(例如p型硅基板)。故而，若參照圖19來進行說明，則在第1外部電極53的正下方，在該第1外部電極53與基板52之間，形成對絕緣膜58以及電容膜312進行夾持的寄生電容。另外，在第2外部電極54的正下方，在該第2外部電極54與基板52之間，形成夾持絕緣膜58的寄生電容。而且，這些寄生電容將經由基板52而串聯連接于第1外部電極53以及第2外部電極54之間。而且，該寄生電容的串聯電路將相對于所述構成的電容器元件C1～C9并聯連接，對于芯片電容器51加上寄生電容，另外，尤其在要將芯片電容器51契合至期望的電容值(例如1pF以下)的情況下成為障礙。
            為此，在本實施方式中，在第1外部電極53的正下方以及焊盤區域313B的正下方的基板52的表面區域，形成有摻雜了n型雜質的n型擴散區域323。另外，在第2外部電極54的正下方以及下部電極膜311的正下方，也形成有摻雜了n型雜質的n型擴散區域324。如此，通過在基板52的表面區域形成擴散區域323，324，從而在基板52、擴散區域323以及第1外部電極53之間形成基于pn結的二極管。同樣地，在基板52、擴散區域324以及第2外部電極54之間也形成基于pn結的二極管。其結果是，芯片電容器51的電氣等效電路如圖21所示。
            在圖21中，C是芯片電容器51的本來的電容，CP1以及CP2分別是第1外部電極53以及第2外部電極54側的寄生電容。這些寄生電容CP1以及CP2通過由pn結形成的彼此逆向連接的一對二極管D1，D2而被電氣截止，對第1外部電極53以及第2外部電極54間進行連接的串聯寄生電容電路從外部電極53，54分離。
            圖22是表示芯片電容器51的內部的電氣構成的電路圖。在第1外部電極53與第2外部電極54之間并聯連接有多個電容器元件C1～C9。在各電容器元件C1～C9與第1外部電極53之間，串聯插入有分別由一個或多個熔斷器組件57構成的熔斷器F1～F9。在將熔斷器F1～F9全部進行了連接時，芯片電容器51的電容值等于電容器元件C1～C9的電容值的總和。若切斷從多個熔斷器F1～F9中選擇出的1個或2個以上的熔斷器，則與該切斷出的熔斷器對應的電容器元件被隔出，芯片電容器51的電容值減少該隔出的電容器元件的電容值那么多。
            為此，若對焊盤區域311B，313B之間的電容值(電容器元件C1～C9的總電容值)進行測量，并在其后以激光來熔斷根據期望的電容值而從熔斷器F1～F9中適當地選擇出的一個或多個熔斷器，則能進行向期望的電容值的契合(激光微調)。尤其是，若電容器元件C1～C8的電容值被設定為呈公比為2的等比數列，則能以與處于最小的電容值(該等比數列的初項的值)的電容器元件C1的電容值對應的精度而實現向目標的電容值的契合的微調整。
            例如，電容器元件C1～C9的電容值可以規定如下。C1＝0.03125pF C2＝0.0625pF C3＝0.125pF C4＝0.25pF C5＝0.5pF C6＝1pF C7＝2pF C8＝4pF C9＝4pF。在此情況下，能以0.03125pF的最小契合精度來對芯片電容器51的電容進行微調整。另外，通過從熔斷器F1～F9適當地選擇要切斷的熔斷器，能提供0.1pF～10pF之間的任意的電容值的芯片電容器51。
            如上所述，根據本實施方式，在第1外部電極53以及第2外部電極54之間，設置有能由熔斷器F1～F9隔出的多個電容器元件C1～C9。電容器元件C1～C9包含不同的電容值的多個電容器元件，更具體而言包含電容值被設定為呈等比數列的多個電容器元件。由此，通過從熔斷器F1～F9中選擇1個或多個熔斷器并以激光進行熔斷，能提供不變更設計就能對應多種電容值、且準確地契合至期望的電容值的芯片電容器51。
            關于芯片電容器51的各部的細節，以下加入說明。基板52例如可以具有俯視下0.3mm×0.15mm、0.4mm×0.2mm、或0.2mm×0.1mm等的矩形形狀(優選為0.4mm×0.2mm以下的大小)。電容器配置區域55大致成為具有相當于基板52的短邊的長度的一邊的正方形區域。基板52的厚度可以是150μm左右。基板52例如可以是通過從背面側(未形成電容器元件C1～C9的表面)起的研削或研磨而被薄型化的基板。作為基板52的材料，既可以使用以硅基板為代表的半導體基板，也可以使用玻璃基板，還可以使用樹脂薄膜。
            絕緣膜58可以是氧化硅膜等的氧化膜。其膜厚可以是左右。下部電極膜311優選是導電性膜，尤其優選是金屬膜，例如可以是鋁膜。由鋁膜構成的下部電極膜311能通過濺射法來形成。上部電極膜313也同樣，優選由導電性膜，尤其優選由金屬膜構成，可以是鋁膜。由鋁膜構成的上部電極膜313能通過濺射法來形成。用于將上部電極膜313的電容器電極區域313A分割為電極膜部分331～339且將熔斷器區域313C整形為多個熔斷器組件57的圖案化能通過光刻以及蝕刻工序來執行。
            電容膜312例如能由氮化硅膜構成，其膜厚能設為(例如)。電容膜312可以是通過等離子CVD(化學氣相生長)而形成的氮化硅膜。鈍化膜59例如能由氮化硅膜構成，例如能通過等離子CVD法來形成。其膜厚可以設為左右。樹脂膜310如前所述，能由聚酰亞胺膜以外的樹脂膜構成。
            第1以及第2外部電極53，54例如可以由將與下部電極膜311或上部電極膜313相接的鎳層、層疊于該鎳層上的鈀層、以及層疊于該鈀層上的金層進行了層疊后的層疊構造膜構成，例如能以鍍覆法(更具體而言為無電解鍍覆法)來形成。鎳層有助于對下部電極膜311或上部電極膜313的緊貼性的提高，鈀層作為對上部電極膜或下部電極膜的材料與第1以及第2外部電極53，54的最上層的金的相互擴散進行抑制的擴散防止層發揮功能。
            圖23是用于說明芯片電容器51的制造工序的一例的流程圖。作為基板52，例如準備p型硅基板。而且，在基板52的表面區域的、成為下部電極膜311的正下方的區域以及成為上部電極膜313的焊盤區域313B的正下方的區域，摻雜n型雜質，來形成n型擴散區域323，324(步驟S0)。接著，在基板52的表面，通過熱氧化法和/或CVD法，來形成由氧化膜(例如氧化硅膜)構成的絕緣膜58(步驟S1)。接下來，例如通過濺射法，將由鋁膜構成的下部電極膜311形成于絕緣膜58的表面全域(步驟S2)。下部電極膜311的膜厚可以設為左右。接下來，在該下部電極膜的表面，通過光刻來形成與下部電極膜311的最終形狀對應的抗蝕圖案(步驟S3)。將該抗蝕圖案作為掩模，通過對下部電極膜進行蝕刻，來得到圖18等所示的圖案的下部電極膜311(步驟S4)。下部電極膜311的蝕刻例如能通過反應性離子蝕刻來進行。
            接下來，例如通過等離子CVD法，在下部電極膜311上形成由氮化硅膜等構成的電容膜312(步驟S5)。在未形成下部電極膜311的區域，在絕緣膜58的表面將形成電容膜312。接著，在該電容膜312之上形成上部電極膜313(步驟S6)。上部電極膜313例如由鋁膜構成，能通過濺射法來形成。其膜厚可設為左右。接著，在上部電極膜313的表面，通過光刻來形成與上部電極膜313的最終形狀對應的抗蝕圖案(步驟S7)。通過以該抗蝕圖案為掩模的蝕刻，將上部電極膜313圖案化為最終形狀(參照圖18等)(步驟S8)。由此，上部電極膜313被整形為如下圖案：在電容器電極區域313A具有多個電極膜部分331～339，在熔斷器區域313C具有多個熔斷器組件57，并具有與這些熔斷器組件57連接的焊盤區域313B。用于上部電極膜313的圖案化的蝕刻既可以通過利用了磷酸等的蝕刻液的濕式蝕刻來進行，也可以通過反應性離子蝕刻來進行。
            其后，將檢查用探頭推到上部電極膜313的焊盤區域313B和下部電極膜311的焊盤區域311B，來測量多個電容器元件C1～C9的總電容值(步驟S9)。基于該測量出的總電容值，對應于作為目的的芯片電容器51的電容值，來選擇要隔出的電容器元件，即要切斷的熔斷器(步驟S10)。
            接著，如圖24A所示，在基板52上的整面例如形成由氮化膜構成的覆蓋膜326(步驟S11)。該覆蓋膜326的形成可以通過等離子CVD法來進行，例如可以形成膜厚左右的氮化硅膜。覆蓋膜326覆蓋經圖案化的上部電極膜313，在未形成上部電極膜313的區域覆蓋電容膜312。覆蓋膜326將在熔斷器區域313C覆蓋熔斷器組件57。
            從該狀態起，進行用于熔斷熔斷器組件57的激光微調(步驟S12)。即，如圖24B所示，對構成根據所述總電容值的測量結果而選擇出的熔斷器的熔斷器組件57投射激光327，來熔斷該熔斷器組件57的幅窄部57C。由此，對應的電容器元件被從焊盤區域313B隔出。在對熔斷器組件57投射激光327時，基于覆蓋膜326的作用，在熔斷器組件57的附近蓄積激光327的能量，由此來熔斷熔斷器組件57。
            接下來，如圖24C所示，例如通過等離子CVD法，來使氮化硅膜沉積于覆蓋膜326上，形成鈍化膜59(步驟S13)。前述的覆蓋膜326在最終形態下，與鈍化膜59一體化，構成該鈍化膜59的一部分。在熔斷器的切斷后所形成的鈍化膜59進入到在熔斷器熔斷時同時被破壞了的覆蓋膜326的開口內，保護熔斷器組件57的切斷面。因此，鈍化膜59能防止在熔斷器組件57的切斷處進入異物或浸入水分。鈍化膜59整體上例如可以形成為具有左右的膜厚。
            接下來，在鈍化膜59上形成在要形成第1以及第2外部電極53，54的位置上具有貫通孔的抗蝕圖案(步驟S14)。以該抗蝕圖案為掩模來進行鈍化膜59的蝕刻。由此，將形成使下部電極膜311在焊盤區域311B露出的焊盤開口；以及使上部電極膜313在焊盤區域313B露出的焊盤開口(步驟S15)。鈍化膜59的蝕刻可以通過反應性離子蝕刻來進行。在鈍化膜59的蝕刻之際，同樣由氮化膜形成的電容膜312也將開口，由此，下部電極膜311的焊盤區域311B將露出。
            接著，對整面涂敷樹脂膜(步驟S16)。作為樹脂膜，例如使用感光性的聚酰亞胺的涂敷膜。通過對于該樹脂膜，進行針對與所述焊盤開口對應的區域的曝光工序、以及其后的顯影工序，從而能進行基于光刻的樹脂膜的圖案化(步驟S17)。由此，形成將樹脂膜310以及鈍化膜59貫通了的焊盤開口321，322。其后，執行用于對樹脂膜進行硬化的熱處理(固化處理)(步驟S18)，進而，在焊盤開口321，322內，例如通過無電解鍍覆法，來使第1外部電極53以及第2外部電極54生長(步驟S19)。如此，得到圖18等所示的構造的芯片電容器51。
            在利用了光刻工序的上部電極膜313的圖案化中，能精度良好地形成微小面積的電極膜部分331～339，進而能形成精細的圖案的熔斷器組件57。而且，在上部電極膜313的圖案化之后，經過總電容值的測量，來決定要切斷的熔斷器。通過對該決定出的熔斷器進行切斷，能得到準確地契合至期望的電容值的芯片電容器51。
            圖25是用于說明第2參考例的第2實施方式所涉及的芯片電容器325的構成的俯視圖。在圖25中，對與前述的圖18所示的各部對應的部分賦予同一參照標號來表示。在前述的第1實施方式中，上部電極膜313的電容器電極區域313A分別被分割為帶狀的電極膜部分331～339。在此情況下，如圖18所示，在電容器配置區域55內會產生不能作為電容器元件利用的區域，不能對小的基板52上的受限的區域進行有效活用。
            為此，在圖25所示的實施方式中，多個電極膜部分331～339被分割為L字形的電極膜部分341～349。由此，例如，圖25的構成中的電極膜部分349能以圖18的構成的電極膜部分339的1.5倍的面積而與下部電極膜311對置。由此，在圖18的第1實施方式中，若設與電極膜部分339對應的電容器元件C9具有4pF的電容，則通過使用本實施方式中的電極膜部分349，電容器元件C9能具有6pF的電容。由此，能對電容器配置區域55內有效活用，以更寬的范圍來設定芯片電容器51的電容值。
            此外，在本實施方式中同樣，為了隔出寄生電容，在作為基板52的表面區域的、第1外部電極53的正下方的區域以及下部電極膜311正下方的區域形成擴散區域，形成有基于pn結的一對二極管。本實施方式所涉及的芯片電容器325的制造工序與圖23所示的工序實質上相同。但在上部電極膜313的圖案化(步驟S7，S8)中，電容器電極區域313A被分割為圖25所示的形狀的多個電極膜部分331～339。
            圖26是用于說明第2參考例的第3實施方式所涉及的芯片電容器328的構成的分解立體圖，與在前述的第1實施方式的說明中用到的圖20同樣地表現了芯片電容器328的各部。在第1實施方式中，下部電極膜311具有由跨電容器配置區域55的大致全域的連續圖案構成的電容器電極區域311A，上部電極膜313的電容器電極區域313A被分割為多個電極膜部分331～339。
            與此相對，在本實施方式中，上部電極膜313的電容器電極區域313A形成為跨電容器配置區域55的大致全域而連續的連續膜圖案，另一方面，下部電極膜311的電容器電極區域311A被分割為多個電極膜部分351～359。電極膜部分351～359既可以形成為與第1實施方式中的電極膜部分331～339同樣的形狀以及面積比，也可以形成為與第2實施方式中的電極膜部分341～349同樣的形狀以及面積比。如此，由電極膜部分351～359、電容膜312、以及上部電極膜313來構成了多個電容器元件。該多個電容器元件的至少一部分構成了電容值不同的(例如各電容值被設定為呈等比數列)電容器元件群。
            下部電極膜311進而在電容器電極區域311A與焊盤區域311B之間具有熔斷器區域311C。在熔斷器區域311C，與第1實施方式的熔斷器組件57同樣的多個熔斷器組件329沿焊盤區域311B排列成一列。各電極膜部分351～359經由一個或多個熔斷器組件329而與焊盤區域311B連接。
            基于這樣的構成，電極膜部分351～359也以彼此不同的對置面積與上部電極膜313對置，它們通過切斷熔斷器組件329而能分個隔出。因此，得到與第1實施方式的情況同樣的效果。尤其是，通過形成為使多個電極膜部分351～359的至少一部分以被設定為呈公比為2的等比數列的對置面積來與上部電極膜313對置，從而與第1實施方式的情況同樣地，能提供以高精度契合至需要的電容值的芯片電容器。
            此外，在本實施方式中也與上述的各實施方式同樣地，為了隔出寄生電容，在作為基板52的表面區域的、第1外部電極53的正下方的區域以及第2外部電極54的正下方的區域形成擴散區域，形成有基于pn結的一對二極管。本實施方式所涉及的芯片電容器328的制造工序與圖23所示的工序實質上相同。但在下部電極膜311的圖案化(步驟S3，S4)中，電容器電極區域311A被分割為電極膜部分351，359，且在熔斷器區域311C將形成多個熔斷器組件329。另外，在上部電極膜313的圖案化(步驟S7，S8)中，不進行多個電極膜部分的形成，也不能進行熔斷器組件的形成。進而，在激光微調(步驟S12)中，通過激光來切斷形成于下部電極膜311的熔斷器組件329。在激光微調之際，下部電極膜311被電容膜312覆蓋，因此能將該電容膜312用作用于蓄積激光的能量的覆蓋膜。因此，可以將在前緊挨激光微調的覆蓋膜的形成進行省略(步驟S11)。
            盡管以上針對第2參考例的實施方式進行了說明，但第2參考例還能以其他的形態來實施。例如，盡管在前述的實施方式中示出了上部電極膜以及下部電極膜當中的一者被分割為多個電極膜的構成，但上部電極膜以及下部電極膜兩者也可以均被分割為多個電極膜部分。進而，盡管在前述的實施方式中示出了上部電極膜或下部電極膜與熔斷器組件一體化的例子，但也可以是由與上部電極膜或下部電極膜不同的導體膜來形成熔斷器組件。進而，盡管在前述的實施方式中示出了包括多個電容器元件具有呈公比r(0＜r，r≠1)＝2的等比數列的電容值的多個電容器元件的例子，但該等比數列的公比也可以是2以外的數。另外，盡管在前述的實施方式中示出了在基板52的表面形成有絕緣膜58，但只要基板52是絕緣性的基板，就還能省略絕緣膜58。另外，可以使用導電性基板來作為基板52，使用該導電性基板作為下部電極，按照與導電性基板的表面相接的方式來形成電容膜312。在此情況下，可以從導電性基板的背面引出一者的外部電極。進而，在使用導電性基板的情況下，可以利用基于pn結的二極管以外的二極管，進行易于在基板與外部電極之間發生的寄生電容的隔出。
            此外，能在所述(1)第2參考例所涉及的發明的特征中所記載的事項的范圍內實施各種設計變更。例如，將在各特征B1～B25中未確定的制造的工序進行變更、省去、追加后的技術，也包含在第2參考例的范圍內。＜第3參考例所涉及的發明＞(1)第3參考例所涉及的發明的特征例如，第3參考例所涉及的發明的特征是以下的C1～C23。(C1)一種芯片電容器，包含：基板；配置于所述基板上的第1外部電極；配置于所述基板上的第2外部電極；形成于所述基板上，并連接于所述第1外部電極以及所述第2外部電極之間的多個電容器元件；以及形成于所述基板上，分別插在所述多個電容器元件與所述第1外部電極或所述第2外部電極之間，且能將所述多個電容器元件分別隔出的多個熔斷器，作為所述基板，使用了電阻率為30Ω·cm以上的基板。
            根據C1記載的發明，在配置于基板上的第1以及第2外部電極之間連接有多個電容器元件。而且，在多個電容器元件與第1或第2外部電極之間，設置有能將該多個電容器元件分別隔出的多個熔斷器。為此，通過選擇一個或多個熔斷器來切斷，能容易且迅速地對應多種電容值。換言之，能對多種電容值的芯片電容器應用公共的設計。另外，成為不受寄生電容的影響而能準確地進行電容值的契合的芯片電容器。
            更具體而言，若基板的電阻率高，則形成于第1外部電極以及第2外部電極的正下方的寄生電容不會通過基板而彼此電連接。由此，使這些寄生電容通過的電路不會在第1外部電極以及第2外部電極之間形成。由此，能將在第1外部電極以及第2外部電極與基板之間生成了的寄生電容從芯片電容器本來的電路隔出，因此即使選擇半導體來作為基板材料，也能制造無妨礙的芯片電容器。(C2)所述基板具有100Ω·cm以上的電阻率的、C1記載的芯片電容器。
            根據C2記載的發明，使用電阻率大的基板，能更可靠地分離寄生電容，即使本來的電容器電容小，也能去除寄生電容造成的影響。(C3)所述多個電容器元件具有彼此不同的電容值的、C1或C2中記載的芯片電容器。
            根據該構成，通過將電容值不同的多個電容器元件進行組合，能以公共的設計來實現各種電容值的芯片電容器。(C4)所述多個電容器元件的電容值被設定為呈等比數列的、C3中記載的芯片電容器。根據C4記載的發明，通過適當地選擇要連接于第1外部電極以及第2外部電極之間的多個電容器元件，能將芯片電容器的電容值準確地契合至期望的電容值。例如，通過將所述等比數列的公比設為2，能以該等比數列的初項(在該數列內為最小值的項)的精度來契合芯片電容器的電容值。(C5)所述多個熔斷器當中的至少一個被切斷的、C1～C4的任一項中記載的芯片電容器。
            根據C5記載的發明，契合了電容值的芯片電容器存在1個或多個熔斷器被切斷的情況。通過熔斷器的切斷，能選擇連接于第1外部電極以及第2外部電極之間的電容器元件，由此，能實現需要的電容值的芯片電容器。(C6)包含形成于所述基板上的下部電極膜、形成于所述下部電極膜上的電容膜、以及在所述電容膜上形成為與所述下部電極膜對置的上部電極膜，所述上部電極膜以及上述下部電極膜當中的一者的電極膜包含經分割得到的多個電極膜部分，所述多個電極膜部分經由所述電容膜與所述上部電極膜以及所述下部電極膜當中的另一者的電極膜對置，由此形成所述多個電容器元件的、C1～C5的任一項中記載的芯片電容器。
            根據C6記載的發明，在下部電極膜與上部電極膜之間，通過夾持電容膜來構成了電容器構造。而且，通過將上部電極膜以及下部電極膜當中的一者的電極膜分割為多個電極膜部分，從而各電極膜部分與另一者的電極膜對置，由此，多個電容器元件將被設置于基板上。(C7)所述多個電極膜部分以彼此不同的對置面積與所述另一者的電極膜對置的、C6中記載的芯片電容器。
            根據C7記載的發明，與對置面積彼此不同的多個電極膜部分對應的多個電容器元件將具有彼此不同的電容值。由此，通過將它們適當地組合，能實現多種電容值的芯片電容器。更具體而言，通過切斷與選擇出的多個電容器元件以外的電容器元件對應的熔斷器并將它們從第1以及第2外部電極之間隔出，能構成具有需要的電容值的芯片電容器。(C8)所述多個電極膜部分的所述對置面積被設定為呈等比數列的、C7中記載的芯片電容器。
            根據C8記載的發明，能將電容值被設定為呈等比數列的多個電容器元件設置于基板上。由此，能實現多種電容值的芯片電容器，且電容值的微調整也能通過熔斷器的切斷來進行。(C9)所述多個電極膜部分與所述熔斷器由相同的導電性材料的膜形成的、C6～C8的任一項中記載的芯片電容器。
            根據C9記載的發明，能將電極膜部分與熔斷器以公共的導電性材料膜來構成。而且，通過切斷與各電極膜部分對應的熔斷器，能隔出該電極膜部分。(C10)還包含覆蓋所述上部電極膜且形成為使所述第1外部電極以及所述第2外部電極露出的保護膜的、C1～C9的任一項中記載的芯片電容器。
            根據C10記載的發明，使第1以及第2外部電極露出，另一方面，使上部電極膜由保護膜進行覆蓋，由此能以公共的沒計實現多種電容值，且能提供可靠性高的芯片電容器。(C11)所述保護膜延伸至所述基板的側面且覆蓋該側面的、C10中記載的芯片電容器。
            根據C11記載的發明，還能從基板的側面進行保護，因此能進一步提高芯片電容器的可靠性。(C12)一種具有第1外部電極以及第2外部電極的芯片電容器的制造方法，包含：準備具有電阻率為30Ω·cm以上優選為100Ω·cm以上的電阻率的基板來作為所述基板的工序；在所述基板上形成多個電容器元件的工序；在所述基板上形成用于將所述多個電容器元件按照能分別隔出的方式與所述第1外部電極或第2外部電極連接的多個熔斷器的工序；以及在所述基板上形成第1外部電極以及第2外部電極的工序。
            根據C12記載的發明，通過將對應于需要的電容值而選擇出的熔斷器切斷，能在成為公共的設計的同時，制造多個電容值的芯片電容器。另外，能制造不受寄生電容的影響的芯片電容器。(C13)所述多個電容器元件形成為具有彼此不同的電容值的、C12中記載的芯片電容器的制造方法。
            根據C13記載的發明，通過適當地選擇多個電容器元件來進行組合，能實現多種電容值。(C14)所述多個電容器元件的電容值被設定為呈等比數列的、C13中記載的芯片電容器的制造方法。根據C14記載的發明，通過適當地選擇多個電容器元件來進行組合，能實現多種電容值，且還能實現針對期望的電容值的微調整(契合)。例如，通過將所述等比數列的公比設為2，能以該等比數列的初項(在該數列內為最小值的項)的精度來契合芯片電容器的電容值。(C15)還包含將所述多個熔斷器當中的至少一個切斷的熔斷器切斷工序的、C12～C14的任一項中記載的芯片電容器的制造方法。
            根據C15記載的發明，通過適當地選擇要切斷的熔斷器，能將芯片電容器的電容值契合至期望的電容值。即，通過適當地選擇要連接于第1以及第2外部電極的電容器元件，并切斷與除此以外的電容器元件對應的熔斷器，能制造契合至期望的電容值的芯片電容器。(C16)還包含對所述多個電容器元件的總電容值進行測量的工序、以及基于所述測量出的總電容值來選擇應進行所述切斷的熔斷器的工序，且在所述熔斷器切斷工序中，切斷選擇出的所述熔斷器的、C15中記載的芯片電容器的制造方法。
            根據C16記載的發明，對多個電容器元件的總電容值進行測量，并基于其測量結果來選擇要切斷的熔斷器，因此能使芯片電容器的電容值可靠地成為目的的電容值。(C17)還包含在切斷了所述熔斷器后，形成覆蓋所述熔斷器的切斷部的保護膜的工序的、C15或C16中記載的芯片電容器的制造方法。
            根據C17記載的發明，熔斷器的切斷部被保護膜覆蓋，因此能避免異物或水分對切斷部的侵入，故不僅能以公共的設計來實現多種電容值，而且能制造可靠性高的芯片電容器。(C18)形成所述多個電容器元件的工序包含：在所述基板上形成下部電極膜的工序；在所述下部電極膜上形成電容膜的工序；在所述電容膜上按照與所述下部電極膜對置的方式形成上部電極膜的工序；以及將所述上部電極膜以及所述下部電極膜當中的一者的電極膜分割為多個電極膜部分的(例如通過光刻來分割)的工序，所述多個電極膜部分經由所述電容膜與所述上部電極膜以及下部電極膜當中的另一者的電極膜對置，由此形成所述多個電容器元件的、C12～C17的任一項中記載的芯片電容器的制造方法。
            根據C18記載的發明，能形成在下部電極膜與上部電極膜之間夾持電容膜的電容器構造。而且，通過將上部電極膜以及下部電極膜當中的一者分割為多個電極膜部分，能在基板上形成在該分割出的電極膜部分與另一者的電極膜之間夾持電容膜的構造的多個電容器元件。(C19)按照所述多個電極膜部分以彼此不同的對置面積與所述另一者的電極膜的對置的方式來分割所述一者的電極膜的、C18中記載的芯片電容器的制造方法。
            根據C19記載的發明，多個電極膜部分以彼此不同的對置面積與另一者的電極膜對置，從而能將電容值不同的多個電容器元件形成于基板上。因此，通過適當地選擇不同的電容值的電容器元件來進行組合，能制造多種電容值的芯片電容器。(C20)所述多個電極膜部分的所述對置面積被設定為呈等比數列的、C18中記載的芯片電容器的制造方法。
            根據C20記載的發明，能將電容值被設定為呈等比數列的多個電容器元件形成于基板上。由此，通過適當地選擇多個電容器元件來進行組合，能提供多種電容值的芯片電容器，且能實現到期望的電容值的準確的契合。(C21)所述一者的電極膜與所述熔斷器由相同的導電性材料的膜形成的、C18～C20的任一項中記載的芯片電容器的制造方法。
            根據C21記載的發明，能將電極膜部分與熔斷器以相同的導電性材料的膜來形成，因此能將它們從同一膜進行圖案化而形成。由此，制造工序變得簡單。(C22)一種芯片電容器，包含：具有30Ω·cm以上的電阻率的基板；形成于所述基板上的絕緣膜；形成于所述絕緣膜上的下部電極膜；形成于所述下部電極膜上的電容膜；在所述電容膜上形成為與所述下部電極膜對置的上部電極膜；配置于所述絕緣膜上且與所述下部電極膜連接的第1外部電極；以及配置于所述絕緣膜上且與所述上部電極膜連接的第2外部電極。(C23)所述基板具有100Ω·cm以上的電阻率的、C22記載的芯片電容器。
            根據C22，23記載的發明，對于基板能使用半導體，且成為不受寄生電容的影響而能準確地進行電容值的契合的芯片電容器。(2)第3參考例所涉及的發明的實施方式以下，參照附圖來詳細說明第3參考例的實施方式。圖27是第3參考例的第1實施方式所涉及的芯片電容器的俯視圖，圖28是其斷面圖，示出了從圖27的切斷面線XXVIII-XXVIII觀察的切斷面。進而，圖29是將所述芯片電容器的一部分的構成分離出來表示的分解立體圖。
            芯片電容器61具備：基板62；配置于基板62上的第1外部電極63；以及同樣配置于基板62上的第2外部電極64。基板62在本實施方式中具有俯視下將四個角倒角后的矩形形狀。矩形形狀例如為0.3mm×0.15mm左右的尺寸。在基板62的長邊方向兩端部分別配置有第1外部電極63以及第2外部電極64。第1外部電極63以及第2外部電極64在本實施方式中具有在基板62的短邊方向上延伸的大致矩形的平面形狀，在與基板62的角對應的各2處具有倒角部。在基板62上，在第1外部電極63以及第2外部電極64之間的電容器配置區域65內，配置有多個電容器元件C1～C9。多個電容器元件C1～C9經由多個熔斷器組件67而分別與第1外部電極63電連接。
            如圖28以及圖29所示，在基板62的表面形成有絕緣膜68，在絕緣膜68的表面形成有下部電極膜411。下部電極膜411形成為：不僅跨電容器配置區域65的大致全域，而且延伸至第2外部電極64的正下方的區域。更具體而言，下部電極膜411具有：作為電容器元件C1～C9的公共的下部電極而發揮功能的電容器電極區域411A、以及用于外部電極引出的焊盤區域411B。電容器電極區域411A位于電容器配置區域65，焊盤區域411B位于第2外部電極64的正下方。
            在電容器配置區域65，按照覆蓋下部電極膜411(電容器電極區域411A)的方式形成有電容膜(電介質膜)412。電容膜412跨電容器電極區域411A的全域而連續，在本實施方式中，進而延伸至第1外部電極63的正下方的區域，覆蓋了電容器配置區域65外的絕緣膜68。在電容膜412之上，形成有上部電極膜413。在圖27中，為了明確，對上部電極膜413附小圓點來表示。上部電極膜413具有：位于電容器配置區域65的電容器電極區域413A、位于第1外部電極63的正下方的焊盤區域413B、以及配置于焊盤區域413B與電容器電極區域413A之間的熔斷器區域413C。
            在電容器電極區域413A中，上部電極膜413被分割為多個電極膜部分431～439。在本實施方式中，各電極膜部分431～439均形成為矩形形狀，從熔斷器區域413C起朝著第2外部電極64帶狀地延伸。多個電極膜部分431～439以多種對置面積夾持電容膜412而與下部電極膜411對置。更具體而言，電極膜部分431～439相對于下部電極膜411的對置面積可以規定為1∶2∶4∶8∶16∶32∶64∶128∶128。即，多個電極膜部分431～439包含對置面積不同的多個電極膜部分，更具體而言，包含具有被設定為呈公比為2的等比數列的對置面積的多個電極膜部分431～438(或431～437，439)。由此，由各電極膜部分431～439和夾持電容膜412而對置的下部電極膜411分別構成的多個電容器元件C1～C9包含具有彼此不同的電容值的多個電容器元件。在電極膜部分431～439的對置面積之比如前所述的情況下，電容器元件C1～C9的電容值之比等于該對置面積之比，成為1∶2∶4∶8∶16∶32∶64∶128∶128。即，多個電容器元件C1～C9將包含電容值被設定為呈公比為2的等比數列的多個電容器元件C1～C8(或C1～C7，C9)。
            在本實施方式中，電極膜部分431～435形成為寬度相等、且長度之比設定為1∶2∶4∶8∶16的帶狀。另外，電極膜部分435，436，437，438，439形成為長度相等、且寬度之比設定為1∶2∶4∶8∶8的帶狀。電極膜部分435～439延伸形成為跨從電容器配置區域65的第1外部電極63側的端緣起延伸至第2外部電極64側的端緣為止的范圍，電極膜部分431～434形成得比其短。
            焊盤區域413B形成為與第1外部電極63為大致相似形，具有包含與基板62的角部對應的2個倒角部的大致矩形的平面形狀。沿該焊盤區域413B的一個長邊(相對于基板62的周緣為內方側的長邊)配置有熔斷器區域413C。熔斷器區域413C包含沿焊盤區域413B的所述1個長邊而排列的多個熔斷器組件67。熔斷器組件67以相同的材料與上部電極膜413的焊盤區域413B一體形成。多個電極膜部分431～439與1個或多個熔斷器組件67一體形成，經由這些熔斷器組件67與焊盤區域413B連接，并經由該焊盤區域413B與第1外部電極63電連接。面積較小的電極膜部分431～436通過一個熔斷器組件67而與焊盤區域413B連接，面積較大的電極膜部分437～439經由多個熔斷器組件67而與焊盤區域413B連接。不需要使用全部的熔斷器組件67，在本實施方式中，一部分的熔斷器組件67處于未使用狀態。
            熔斷器組件67包含：用于與焊盤區域413B進行連接的第1幅寬部67A和用于與電極膜部分431～439進行連接的第2幅寬部67B；以及對第1以及第2幅寬部67A、67B之間進行連接的幅窄部67C。幅窄部67C構成為能通過激光進行切斷(熔斷)。由此，能將電極膜部分431～439當中不需要的電極膜部分通過熔斷器組件67的切斷而從第1以及第2外部電極63、64電氣式隔出。
            盡管在圖27以及圖29中省略了圖示，但如圖28所示，包含上部電極膜413的表面在內的芯片電容器61的表面由鈍化膜69覆蓋。鈍化膜69例如由氮化膜構成，形成為：不僅在芯片電容器61的上表面，還延伸至基板62的側面，覆蓋該側面。進而，在鈍化膜69之上形成有由聚酰亞胺樹脂等構成的樹脂膜410。樹脂膜410形成為：覆蓋芯片電容器61的上表面，進而延伸至基板62的側面，覆蓋該側面上的鈍化膜69。
            鈍化膜69以及樹脂膜410是對芯片電容器61的表面進行保護的保護膜。在這些膜，在與第1外部電極63以及第2外部電極64對應的區域分別形成有焊盤開口414，415。焊盤開口414，415分別按照使上部電極膜413的焊盤區域413B的一部分的區域、下部電極膜411的焊盤區域411B的一部分的區域露出的方式貫通鈍化膜69以及樹脂膜410。進而，在本實施方式中，與第2外部電極64對應的焊盤開口415還貫通電容膜412。
            在焊盤開口414，415，分別埋入有第1外部電極63以及第2外部電極64。由此，第1外部電極63與上部電極膜413的焊盤區域413B接合，第2外部電極64與下部電極膜411的焊盤區域411B接合。第1以及第2外部電極63，64形成為從樹脂膜410的表面突出。由此，能將芯片電容器61相對于安裝基板進行倒裝芯片接合。
            在本實施方式所涉及的構成的芯片電容器61，會產生寄生電容。若參照圖28來進行說明，則在第1外部電極63的正下方，在該第1外部電極63與基板62之間，形成對絕緣膜68以及電容膜412進行夾持的寄生電容CP1。另外，在第2外部電極64的正下方，在該第2外部電極64與基板62之間，形成夾持絕緣膜68的寄生電容CP2。而且，這些寄生電容CP1，CP2將經由基板62而串聯連接于第1外部電極63以及第2外部電極64之間。而且，該寄生電容的串聯電路將相對于所述構成的電容器元件C1～C9并聯連接，使芯片電容器61整體的電容值下降，另外，將妨礙芯片電容器61契合至期望的電容值。
            但是，在本實施方式中，使用了具有30Ω·cm以上更優選為100Ω·cm以上的電阻率的基板62來作為基板62，因此能分離寄生電容CP1，CP2，能去除寄生電容CP1，CP2對本來的電容器電容造成的影響。更具體地，參照圖30來進行說明。
            圖30(A)是芯片電容器61的電氣等效電路。在圖30(A)中，C是芯片電容器61本來的電容，CP1以及CP2分別是第1外部電極63以及第2外部電極64側的寄生電容。另外，R是與芯片電容器61的本來的電容器電路串聯存在的電阻。另一方面，Rs是基板62的電阻。
            圖30(A)的等效電路能重寫為圖30(B)所示的等效電路。在圖30(B)中，Cp表示寄生電容CP1以及CP2的合成電容。在圖30(B)的等效電路中，R與C的串聯電路是阻抗Z0的芯片電容器61固有的值，合成電容Cp與基板62的電阻Rs的串聯電路能表現為阻抗Zp。
            為此，如圖30(C)所示，在包含寄生電容Cp以及基板電阻Rs在內的等效電路中，設Cp＝0.3pF，R＝0.5Ω，以C＝0.2pF，1pF，10pF的方式變化，且使Rs以10Ω～10MΩ的方式變化，確認了f＝5GHz時的阻抗特性。
            圖31是表示頻率f＝5GHz時的僅R以及C的阻抗(Z0)特性、以及在對Cp，Rs進行了合成的情況下的阻抗(Z0//Zp)特性的曲線圖。從圖31能確認：為了使芯片電容器61在電容0.2pF以上時不受寄生電容的影響，需要使基板62的電阻值至少為1KΩ以上。
            關于為了使基板62的電阻值為1KΩ以上而所需的基板62的電阻率，若將基板62的有效電阻區域設想為圖32所示的尺寸，即1邊為0.15mm的立方體芯片的情形，則電阻率p(Ω·cm)需要設為ρ*10/0.15*10/0.15*0.15/10＝Rs*66.7＞1KΩ。
            由此，ρ＞15Ω·cm成為基板62的最低電阻率。關于本實施方式的芯片電容器61，基板62的大小為圖32中說明的尺寸的約2倍，因此用于芯片電容器61的基板62的電阻率為30Ω·cm以上即可。
            此外，在本實施方式的芯片電容器61中，即使是0.2pF的低電容，為了不受寄生電容的影響，也使用電阻率100Ω·cm以上的硅基板來進行了制造。圖33是表示芯片電容器61的內部的電氣構成的電路圖。在第1外部電極63與第2外部電極64之間并聯連接有多個電容器元件C1～C9。在各電容器元件C1～C9與第1外部電極63之間，串聯插入有由一個或多個熔斷器組件67分別構成的熔斷器F1～F9。
            在將熔斷器F1～F9全部進行了連接時，芯片電容器61的電容值等于電容器元件C1～C9的電容值的總和。若切斷從多個熔斷器F1～F9中選擇出的1個或2個以上的熔斷器，則與該切斷出的熔斷器對應的電容器元件被隔出，芯片電容器61的電容值減少該隔出的電容器元件的電容值那么多。
            為此，若對焊盤區域411B，413B之間的電容值(電容器元件C1～C9的總電容值)進行測量，并在其后以激光來熔斷根據期望的電容值而從熔斷器F1～F9中適當地選擇出的一個或多個熔斷器，則能進行向期望的電容值的契合(激光微調)。尤其是，若電容器元件C1～C8的電容值被設定為呈公比為2的等比數列，則能以與處于最小的電容值(該等比數列的初項的值)的電容器元件C1的電容值對應的精度而實現向目標的電容值的契合的微調整。
            例如，電容器元件C1～C9的電容值可以規定如下。C1＝0.03125pF C2＝0.0625pF C3＝0.125pF C4＝0.25pF C5＝0.5pF C6＝1pF C7＝2pF C8＝4pF C9＝4pF。在此情況下，能以0.03125pF的最小契合精度來對芯片電容器61的電容進行微調整。另外，通過從熔斷器F1～F9適當地選擇要切斷的熔斷器，能提供0.1pF～10pF之間的任意的電容值的芯片電容器61。
            如上所述，根據本實施方式，在第1外部電極63以及第2外部電極64之間，設置有能由熔斷器F1～F9隔出的多個電容器元件C1～C9。電容器元件C1～C9包含不同的電容值的多個電容器元件，更具體而言包含電容值被設定為呈等比數列的多個電容器元件。由此，通過從熔斷器F1～F9中選擇1個或多個熔斷器并以激光進行熔斷，能提供不變更設計就能對應多種電容值、且能準確地契合至期望的電容值的芯片電容器61。
            關于芯片電容器61的各部的細節，以下加入說明。基板62例如可以具有俯視下0.3mm×0.15mm、0.4mm×0.2mm、或0.2mm×0.1mm等的矩形形狀(優選為0.4mm×0.2mm以下的大小)。電容器配置區域65大致成為具有相當于基板62的短邊的長度的一邊的正方形區域。基板62的厚度可以是150μm左右。基板62例如可以是通過從背面側(未形成電容器元件C1～C9的表面)起的研削或研磨而被薄型化的基板。作為基板62的材料，既可以使用以硅基板為代表的半導體基板，也可以使用玻璃基板，還可以使用樹脂薄膜。
            絕緣膜68可以是氧化硅膜等的氧化膜。其膜厚可以是左右。下部電極膜411優選是導電性膜，尤其優選是金屬膜，例如可以是鋁膜。由鋁膜構成的下部電極膜411能通過濺射法來形成。上部電極膜413也同樣，優選由導電性膜，尤其優選由金屬膜構成，可以是鋁膜。由鋁膜構成的上部電極膜413能通過濺射法來形成。用于將上部電極膜413的電容器電極區域413A分割為電極膜部分431～439且將熔斷器區域413C整形為多個熔斷器組件67的圖案化能通過光刻以及蝕刻工序來執行。
            電容膜412例如能由氮化硅膜構成，其膜厚能設為(例如)。電容膜412可以是通過等離子CVD(化學氣相生長)而形成的氮化硅膜。鈍化膜69例如能由氮化硅膜構成，例如能通過等離子CVD法來形成。其膜厚可以設為左右。樹脂膜410如前所述，能由聚酰亞胺膜以外的樹脂膜構成。
            第1以及第2外部電極63，64例如可以由將與下部電極膜411或上部電極膜413相接的鎳層、層疊于該鎳層上的鈀層、以及層疊于該鈀層上的金層進行了層疊后的層疊構造膜構成，例如能以鍍覆法(更具體而言為無電解鍍覆法)來形成。鎳層有助于對下部電極膜411或上部電極膜413的緊貼性的提高，鈀層作為對上部電極膜或下部電極膜的材料與第1以及第2外部電極63，64的最上層的金的相互擴散進行抑制的擴散防止層發揮功能。
            圖34是用于說明芯片電容器61的制造工序的一例的流程圖。作為基板62，例如準備電阻率為100Ω·cm以上的基板。接著，在基板62的表面，通過熱氧化法和/或CVD法，來形成由氧化膜(例如氧化硅膜)構成的絕緣膜68(步驟S1)。接下來，例如通過濺射法，將由鋁膜構成的下部電極膜411形成于絕緣膜68的表面全域(步驟S2)。下部電極膜411的膜厚可以設為左右。接下來，在該下部電極膜的表面，通過光刻來形成與下部電極膜411的最終形狀對應的抗蝕圖案(步驟S3)。將該抗蝕圖案作為掩模，通過對下部電極膜進行蝕刻，來得到圖27等所示的圖案的下部電極膜411(步驟S4)。下部電極膜411的蝕刻例如能通過反應性離子蝕刻來進行。
            接下來，例如通過等離子CVD法，在下部電極膜411上形成由氮化硅膜等構成的電容膜412(步驟S5)。在未形成下部電極膜411的區域，在絕緣膜68的表面將形成電容膜412。接著，在該電容膜412之上形成上部電極膜413(步驟S6)。上部電極膜413例如由鋁膜構成，能通過濺射法來形成。其膜厚可設為左右。接著，在上部電極膜413的表面，通過光刻來形成與上部電極膜413的最終形狀對應的抗蝕圖案(步驟S7)。通過以該抗蝕圖案為掩模的蝕刻，將上部電極膜413圖案化為最終形狀(參照圖27等)(步驟S8)。由此，上部電極膜413被整形為如下圖案：在電容器電極區域413A具有多個電極膜部分431～439，在熔斷器區域413C具有多個熔斷器組件67，并具有與這些熔斷器組件67連接的焊盤區域413B。用于上部電極膜413的圖案化的蝕刻既可以通過利用了磷酸等的蝕刻液的濕式蝕刻來進行，也可以通過反應性離子蝕刻來進行。
            其后，將檢查用探頭推到上部電極膜413的焊盤區域413B和下部電極膜411的焊盤區域411B，來測量多個電容器元件C1～C9的總電容值(步驟S9)。基于該測量出的總電容值，對應于作為目的的芯片電容器61的電容值，來選擇要隔出的電容器元件，即要切斷的熔斷器(步驟S10)。
            接著，如圖35A所示，在基板62上的整面例如形成由氮化膜構成的覆蓋膜416(步驟S11)。該覆蓋膜416的形成可以通過等離子CVD法來進行，例如可以形成膜厚左右的氮化硅膜。覆蓋膜416覆蓋經圖案化的上部電極膜413，在未形成上部電極膜413的區域覆蓋電容膜412。覆蓋膜416將在熔斷器區域413C覆蓋熔斷器組件67。
            從該狀態起，進行用于熔斷熔斷器組件67的激光微調(步驟S12)。即，如圖35B所示，對構成根據所述總電容值的測量結果而選擇出的熔斷器的熔斷器組件67投射激光417，來熔斷該熔斷器組件67的幅窄部67C。由此，對應的電容器元件被從焊盤區域413B隔出。在對熔斷器組件67投射激光417時，基于覆蓋膜416的作用，在熔斷器組件67的附近蓄積激光417的能量，由此來熔斷熔斷器組件67。
            接下來，如圖35C所示，例如通過等離子CVD法，來使氮化硅膜沉積于覆蓋膜416上，形成鈍化膜69(步驟S13)。前述的覆蓋膜416在最終形態下，與鈍化膜69一體化，構成該鈍化膜69的一部分。在熔斷器的切斷后所形成的鈍化膜69進入到在熔斷器熔斷時同時被破壞了的覆蓋膜416的開口內，保護熔斷器組件67的切斷面。因此，鈍化膜69能防止在熔斷器組件67的切斷處進入異物或浸入水分。鈍化膜69整體上例如可以形成為具有左右的膜厚。
            接下來，在鈍化膜69上形成在要形成第1以及第2外部電極63，64的位置上具有貫通孔的抗蝕圖案(步驟S14)。以該抗蝕圖案為掩模來進行鈍化膜69的蝕刻。由此，將形成使下部電極膜411在焊盤區域411B露出的焊盤開口；以及使上部電極膜413在焊盤區域413B露出的焊盤開口(步驟S15)。鈍化膜69的蝕刻可以通過反應性離子蝕刻來進行。在鈍化膜69的蝕刻之際，同樣由氮化膜形成的電容膜412也將開口，由此，下部電極膜411的焊盤區域411B將露出。
            接著，對整面涂敷樹脂膜(步驟S16)。作為樹脂膜，例如使用感光性的聚酰亞胺的涂敷膜。通過對于該樹脂膜，進行針對與所述焊盤開口對應的區域的曝光工序、以及其后的顯影工序，從而能進行基于光刻的樹脂膜的圖案化(步驟S17)。由此，形成將樹脂膜410以及鈍化膜69貫通了的焊盤開口414，415。其后，執行用于對樹脂膜進行硬化的熱處理(固化處理)(步驟S18)，進而，在焊盤開口414，415內，例如通過無電解鍍覆法，來使第1外部電極63以及第2外部電極64生長(步驟S19)。如此，得到圖27等所示的構造的芯片電容器61。
            在利用了光刻工序的上部電極膜413的圖案化中，能精度良好地形成微小面積的電極膜部分431～439，進而能形成精細的圖案的熔斷器組件67。而且，在上部電極膜413的圖案化之后，經過總電容值的測量，來決定要切斷的熔斷器。通過對該決定出的熔斷器進行切斷，能得到準確地契合至期望的電容值的芯片電容器61。
            圖36是用于說明第3參考例的第2實施方式所涉及的芯片電容器418的構成的俯視圖。在圖36中，對與前述的圖27所示的各部對應的部分賦予同一參照標號來表示。在前述的第1實施方式中，上部電極膜413的電容器電極區域413A分別被分割為帶狀的電極膜部分431～439。在此情況下，如圖27所示，在電容器配置區域65內會產生不能作為電容器元件利用的區域，不能對小的基板62上的受限的區域進行有效活用。
            為此，在圖36所示的實施方式中，多個電極膜部分431～439被分割為L字形的電極膜部分441～449。由此，例如，圖36的構成中的電極膜部分449能以圖27的構成的電極膜部分439的1.5倍的面積而與下部電極膜411對置。由此，在圖27的第1實施方式中，若設與電極膜部分439對應的電容器元件C9具有4pF的電容，則通過使用本實施方式中的電極膜部分449，電容器元件C9能具有6pF的電容。由此，能對電容器配置區域65內有效活用，以更寬的范圍來設定芯片電容器418的電容值。
            此外，在本實施方式中同樣，為了不受寄生電容的影響，基板62具有100Ω·cm以上的電阻率。本實施方式所涉及的芯片電容器418的制造工序與圖34所示的工序實質上相同。但在上部電極膜413的圖案化(步驟S7，S8)中，電容器電極區域413A被分割為圖34所示的形狀的多個電極膜部分431～439。
            圖37是用于說明第3參考例的第3實施方式所涉及的芯片電容器419的構成的分解立體圖，與在前述的第1實施方式的說明中用到的圖29同樣地表現了芯片電容器419的各部。在第1實施方式中，下部電極膜411具有由跨電容器配置區域65的大致全域的連續圖案構成的電容器電極區域411A，上部電極膜413的電容器電極區域413A被分割為多個電極膜部分431～439。
            與此相對，在本實施方式中，上部電極膜413的電容器電極區域413A形成為跨電容器配置區域65的大致全域而連續的連續膜圖案，另一方面，下部電極膜411的電容器電極區域411A被分割為多個電極膜部分451～459。電極膜部分451～459既可以形成為與第1實施方式中的電極膜部分431～439同樣的形狀以及面積比，也可以形成為與第2實施方式中的電極膜部分441～449同樣的形狀以及面積比。如此，由電極膜部分451～459、電容膜412、以及上部電極膜413來構成了多個電容器元件。該多個電容器元件的至少一部分構成了電容值不同的(例如各電容值被設定為呈等比數列)電容器元件群。
            下部電極膜411進而在電容器電極區域411A與焊盤區域411B之間具有熔斷器區域411C。在熔斷器區域411C，與第1實施方式的熔斷器組件67同樣的多個熔斷器組件420沿焊盤區域411B排列成一列。各電極膜部分451～459經由一個或多個熔斷器組件420而與焊盤區域411B連接。
            基于這樣的構成，電極膜部分451～459也以彼此不同的對置面積與上部電極膜413對置，它們通過切斷熔斷器組件420而能分個隔出。因此，得到與第1實施方式的情況同樣的效果。尤其是，通過形成為使多個電極膜部分451～459的至少一部分以被設定為呈公比為2的等比數列的對置面積來與上部電極膜413對置，從而與第1實施方式的情況同樣地，能提供以高精度契合至需要的電容值的芯片電容器。
            此外，在本實施方式中同樣，為了不受寄生電容的影響，基板62具有100Ω·cm以上的電阻率。本實施方式所涉及的芯片電容器419的制造工序與圖34所示的工序實質上相同。但在下部電極膜411的圖案化(步驟S3，S4)中，電容器電極區域411A被分割為電極膜部分451，459，且在熔斷器區域411C將形成多個熔斷器組件420。另外，在上部電極膜413的圖案化(步驟S7，S8)中，不進行多個電極膜部分的形成，也不能進行熔斷器組件的形成。進而，在激光微調(步驟S12)中，通過激光來切斷形成于下部電極膜411的熔斷器組件420。在激光微調之際，下部電極膜411被電容膜412覆蓋，因此能將該電容膜412用作用于蓄積激光的能量的覆蓋膜。因此，可以省略在前緊挨激光微調的覆蓋膜的形成(步驟S11)。
            盡管以上針對第3參考例的實施方式進行了說明，但第3參考例還能以其他的形態來實施。例如，盡管在前述的實施方式中示出了上部電極膜以及下部電極膜當中的一者被分割為多個電極膜的構成，但上部電極膜以及下部電極膜兩者也可以均被分割為多個電極膜部分。進而，盡管在前述的實施方式中示出了上部電極膜或下部電極膜與熔斷器組件一體化的例子，但也可以是由與上部電極膜或下部電極膜不同的導體膜來形成熔斷器組件。進而，盡管在前述的實施方式中示出了包括多個電容器元件具有呈公比r(0＜r，r≠1)＝2的等比數列的電容值的多個電容器元件的例子，但該等比數列的公比也可以是2以外的數。另外，盡管在前述的實施方式中示出了在基板62的表面形成有絕緣膜68，但只要基板62是絕緣性的基板，就還能省略絕緣膜68。另外，可以使用導電性基板來作為基板62，使用該導電性基板作為下部電極，按照與導電性基板的表面相接的方式來形成電容膜412。在此情況下，可以從導電性基板的背面引出一者的外部電極。進而，在使用導電性基板的情況下，為了不受寄生電容的影響，基板62由具有30Ω·cm以上優選為100Ω·cm以上的電阻率的半導體形成為好。
            此外，能在所述(1)第3參考例所涉及的發明的特征中所記載的事項的范圍內實施各種設計變更。例如，將在各特征C1～C23中未確定的制造的工序進行變更、省去、追加后的技術，也包含在第3參考例的范圍內。＜第4參考例所涉及的發明＞(1)第4參考例所涉及的發明的特征例如，第4參考例所涉及的發明的特征是以下的D1～D22。(D1)一種芯片電容器，包含：具有形成有溝槽的表面的基板、以及具有對所述基板的表面進行仿形的電容膜的電容器構造。
            根據D1記載的發明，在基板的表面形成有溝槽，電容膜被設置成對形成有該溝槽的表面進行仿形，由此形成了電容器構造。因此，基板的表面積大于與基板的主面垂直的俯視下的外觀上的表面積。與之相應，對基板的表面進行仿形的電容膜具有大的面積，因此電容器構造能具有大的電容值。如此，能提供兼顧了基板的小型化和大電容化的芯片電容器。(D2)所述電容器構造具有多個電容器元件，還包含：設置于所述基板的第1外部電極；設置于所述基板的第2外部電極；以及形成于所述基板上，且分別被插在所述多個電容器元件與所述第1外部電極或所述第2外部電極之間，能將所述多個電容器元件分別隔出的多個熔斷器的、D1中記載的芯片電容器。
            在D2記載的發明中，在配置于基板上的第1以及第2外部電極之間連接有多個電容器元件。而且，在多個電容器元件與第1或第2外部電極之間，設置有能將該多個電容器元件分別隔出的多個熔斷器。為此，通過選擇一個或多個熔斷器來切斷，能容易且迅速地對應多種電容值。換言之，能對多種電容值的芯片電容器應用公共的設計。(D3)所述多個電容器元件具有彼此不同的電容值的、D2中記載的芯片電容器。
            根據D3記載的發明，通過對電容值不同的多個電容器元件進行組合，能以公共的設計來實現各種電容值的芯片電容器。(D4)所述多個電容器元件的電容值被設定為呈等比數列的、D3中記載的芯片電容器。根據D4記載的發明，通過適當地選擇要連接于第1外部電極以及第2外部電極之間的多個電容器元件，能將芯片電容器的電容值準確地契合至期望的電容值。例如，通過將所述等比數列的公比設為2，能以該等比數列的初項(在該數列內為最小值的項)的精度來契合芯片電容器的電容值。(D5)所述多個熔斷器當中的至少一個被切斷的、D2～D4的任一項中記載的芯片電容器。
            契合了電容值的芯片電容器存在1個或多個熔斷器被切斷的情況。通過熔斷器的切斷，能選擇連接于第1外部電極以及第2外部電極之間的電容器元件，由此，能實現需要的電容值的芯片電容器。(D6)所述電容器構造包含夾持所述電容膜而對置的下部電極以及上部電極，所述下部電極相對于所述電容膜而配置于所述基板側，所述上部電極相對于所述電容膜而配置于所述基板的相反側，所述下部電極以及所述上部電極當中的一者的電極包含與所述多個電容器元件各自對應的多個電極膜部分的、D2～D5的任一項中記載的芯片電容器。
            根據D6記載的發明，通過在下部電極與上部電極之間夾持電容膜，來構成了電容器構造。而且，通過將上部電極以及下部電極當中的一者的電極分割為多個電極膜部分，從而各電極膜部分與另一者的電極對置，由此，多個電容器元件將被設置于基板上。(D7)所述多個電極膜部分以彼此不同的對置面積與所述下部電極以及所述上部電極當中的另一者的電極對置的、D6中記載的芯片電容器。
            根據D7記載的發明，與對置面積彼此不同的多個電極膜部分對應的多個電容器元件將具有彼此不同的電容值。由此，通過將它們適當地組合，能實現多種電容值的芯片電容器。更具體而言，通過將與選擇出的多個電容器元件以外的電容器元件對應的熔斷器切斷來將它們從第1以及第2外部電極之間隔出，能構成具有需要的電容值的芯片電容器。(D8)所述多個電極膜部分的所述對置面積被設定為呈等比數列的、D7中記載的芯片電容器。
            根據D8記載的發明，能將被設定為電容值呈等比數列的多個電容器元件設置于基板上。由此，能實現多種電容值的芯片電容器，且電容值的微調整也能通過熔斷器的切斷來進行。(D9)所述上部電極是所述一者的電極的、D6～D8的任一項中記載的芯片電容器。(D10)所述基板是導電性基板，所述電容膜形成為與所述基板的表面相接，所述基板構成了所述下部電極的、D6～D9的任一項中記載的芯片電容器。
            根據D10記載的發明，在制造時，即使上部電極相對于設計的位置形成得有些錯位，也能使上部電極整體可靠地與下部電極對置。故而，能使各電容器元件的電容值的精度得以提高。另外，能使各電容器元件的構造簡單。進而，能與溝槽的形成同時地形成下部電極，因此還能簡化制造工序。(D11)所述第1外部電極以及所述第2外部電極當中的一者與所述基板的背面接合的、D10記載的芯片電容器。
            根據D11記載的發明，在導電性基板的表面，還能將要形成第1外部電極以及第2外部電極當中的一者的區域作為上部電極的形成空間來有效利用。其結果，能最大限度地利用導電性基板的表面的面積，因此能謀求進一步的大電容化。(D12)所述上部電極是所述一者的電極，且所述下部電極包含對所述基板的表面進行仿形而形成的導電性膜的、D6～D8的任一項中記載的芯片電容器。(D13)在所述基板的表面形成有絕緣膜，且在所述絕緣膜的表面形成有所述導電性膜的、D12中記載的芯片電容器。(D14)所述電極膜部分與所述熔斷器是由相同的導電性材料的膜來形成的、D6～D13的任一項中記載的芯片電容器。
            在D14記載的發明中，能將電極膜部分和熔斷器以公共的導電性材料膜來構成。而且，通過切斷與各電極膜部分對應的熔斷器，能隔出該電極膜部分。(D15)所述上部電極由表面平坦形成的電極膜構成的、D6～D13的任一項中記載的芯片電容器。
            根據D15記載的發明，能使針對上部電極的表面的成膜性得以提高，因此例如在上部電極之上，能精度良好地形成絕緣膜或金屬膜(追加的電極膜等)。(D16)所述多個電容器元件包含共有一個所述溝槽的至少2個電容器元件的、D2～D15的任一項中記載的芯片電容器。
            根據D16記載的發明，能維持多個電容器元件間的俯視下的外觀上的表面積的比率不變地，以相同的比率來增大各電容器構造的電容值。(D17)所述多個電容器元件包含：配置于形成有所述溝槽的區域的至少1個電容器元件、以及配置于未形成所述溝槽的區域的至少1個電容器元件的、D2～D16的任一項中記載的芯片電容器。
            根據D17記載的發明，期望大電容化的電容器元件通過配置于形成有溝槽的區域，能增大該電容器元件的電容值。另一方面，針對是小電容也可以的電容器元件，通過配置于未形成溝槽的區域來不使其大電容化，從而在切斷熔斷器來設計芯片電容器的電容值之際，能作為用于對電容值進行微調整的要素來使用。(D18)一種芯片電容器的制造方法，包含：在基板的表面形成溝槽的工序；以及在形成有所述溝槽的基板的表面，形成具有對所述基板的表面進行仿形的電容膜的電容器構造的工序。
            根據D18記載的發明，能制造兼顧了基板的小型化與大電容化的芯片電容器。(D19)所述芯片電容器包含設置于所述基板的第1外部電極以及第2外部電極，形成所述電容器構造的工序包含形成多個電容器元件的工序，還包含：在所述基板上形成將所述多個電容器元件以能分別隔出的方式與所述第1外部電極或所述第2外部電極連接的多個熔斷器的工序；以及形成所述第1外部電極以及所述第2外部電極的工序的、D18中記載的芯片電容器的制造方法。
            根據D19記載的發明，通過將對應于需要的電容值而選擇出的熔斷器切斷，能在成為公共的設計的同時，制造多個電容值的芯片電容器。(D20)還包含切斷所述多個熔斷器當中的至少一個的熔斷器切斷工序的、D18或D19中記載的芯片電容器的制造方法。
            根據D20記載的發明，通過適當地選擇要切斷的熔斷器，能將芯片電容器的電容值契合至期望的電容值。即，通過適當地選擇要連接于第1以及第2外部電極的電容器元件，并切斷與除此以外的電容器元件對應的熔斷器，能制造契合至期望的電容值的芯片電容器。(D21)還包含對所述多個電容器元件的總電容值進行測量的工序、以及基于所述測量出的總電容值來選擇應進行所述切斷的熔斷器的工序，且在所述熔斷器切斷工序中，切斷選擇出的所述熔斷器的、D20中記載的芯片電容器的制造方法。
            根據D21記載的發明，對多個電容器元件的總電容值進行測量，并基于其測量結果來選擇要切斷的熔斷器，因此能使芯片電容器的電容值可靠地成為目的的電容值。(D22)還包含在切斷了所述熔斷器后，形成覆蓋所述熔斷器的切斷部的保護膜的工序的、D20或D21中記載的芯片電容器的制造方法。
            根據D22記載的發明，熔斷器的切斷部被保護膜覆蓋，因此能避免異物或水分對切斷部的侵入，故不僅能以公共的設計來實現多種電容值，而且能制造可靠性高的芯片電容器。(2)第4參考例所涉及的發明的實施方式以下，參照附圖來詳細說明第4參考例的實施方式。
            圖38是第4參考例的第1實施方式所涉及的芯片電容器的俯視圖，圖39是其斷面圖，示出了從圖38的切斷面線XXXIX-XXXIX觀察的切斷面。進而，圖40是將所述芯片電容器的一部分的構成分離出來表示的分解立體圖。芯片電容器71具備：基板72、配置于基板上的第1外部電極73、同樣配置于基板72上的第2外部電極74、以及多個電容器元件C0～C9。
            基板72在本實施方式中是導電性基板(例如，具有5mΩ·cm以下的電阻率的硅基板)，具有俯視下將四個角倒角后的矩形形狀。在基板72的長邊方向兩端部分別配置有第1外部電極73以及第2外部電極74。第1外部電極73以及第2外部電極74在本實施方式中具有在基板72的短邊方向上延伸的大致矩形的平面形狀，在與基板72的角對應的各2處具有倒角部。
            另外，基板72具有：作為多個電容器元件C0～C9的公共的下部電極而發揮功能的電容器電極區域72A、以及用于外部電極引出的焊盤區域72B。電容器電極區域72A在本實施方式中包含：第1外部電極73的正下方的區域、以及第1外部電極73以及第2外部電極74之間的區域。電容器元件C0位于電容器電極區域72A中的第1外部電極73的正下方的區域，對于第1外部電極73直接電連接。另一方面，電容器元件C1～C9位于電容器電極區域72A中的第1外部電極73以及第2外部電極74之間的區域，經由多個熔斷器組件77而分別與第1外部電極73電連接。
            在基板72，在電容器電極區域72A內，形成有多個溝槽76。在圖38中，為了明確，以斜陰影線示出了溝槽76。多個溝槽76選擇性地形成于電容器電極區域72A的一部分。由此，電容器電極區域72A還包含溝槽形成區域516和溝槽非形成區域517。溝槽形成區域516以及溝槽非形成區域517在本實施方式中按照對第1外部電極73以及第2外部電極74之間的區域進行2分割的方式，例如，與基板72的短邊方向彼此相鄰地形成。
            在溝槽形成區域516中，多個溝槽76形成為彼此平行的條狀。各溝槽76在跨溝槽形成區域516以及溝槽非形成區域517的方向(在本實施方式中，基板72的短邊方向)上朝著溝槽非形成區域517延伸。多個溝槽76的間距、以及各溝槽76的深度或寬度等能按照芯片電容器71所要求的電容值來適當設計。
            在基板72的表面，在電容器電極區域72A按照與基板72的表面相接的方式形成有電容膜(電介質膜)512。電容膜512跨電容器電極區域72A的全域而連續，其一表面以及另一面是對基板72的表面進行仿形(跟隨)而形成的。由此，多個溝槽76的內面被電容膜512覆蓋。另外，電容膜512在本實施方式中形成為使焊盤區域72B露出。在該露出的焊盤區域72B上，形成有下部電極膜511。下部電極膜511與基板72的焊盤區域72B直接電連接。
            在電容膜512之上，形成有上部電極膜513。在圖38中，為了明確，著色示出了上部電極膜513。上部電極膜513具有：其表面平坦形成，且位于電容器電極區域72A的第1外部電極73以及第2外部電極74之間的區域的電容器電極區域；位于電容器電極區域72A的第1外部電極73的正下方的焊盤區域513B；以及配置于焊盤區域513B與電容器電極區域513A之間的熔斷器區域513C。
            在電容器電極區域513A中，上部電極膜513被分割為多個電極膜部分531～539。在本實施方式中，各電極膜部分531～539當中，電極膜部分534～539配置于溝槽形成區域516，電極膜部分531～533配置于溝槽非形成區域517。配置于溝槽形成區域516的電極膜部分534～539形成為矩形形狀，從熔斷器區域513C起橫跨多個溝槽76地朝著第2外部電極74帶狀地延伸。換言之，多個溝槽76分別跨多個電極膜部分534～539地與它們正交。由此，各溝槽76被至少2個電容器元件C4～C9共有。
            多個電極膜部分534～539以多種對置面積夾持電容膜512而與基板72的電容器電極區域513A對置。更具體而言，電極膜部分534～539相對于電容器電極區域513A的、與基板72的主面垂直的俯視下的外觀上的對置面積可以規定為1∶2∶4∶8∶16∶32。即，多個電極膜部分534～539包含對置面積不同的多個電極膜部分，更具體而言，包含具有被設定為呈公比為2的等比數列的對置面積的多個電極膜部分534～539。另外，多個電極膜部分534～539在溝槽76被埋設于電容膜512的內側，在各溝槽76也夾持電容膜512而與電容器電極區域513A對置。
            由此，由各電極膜部分534～539和夾持電容膜512而對置的基板72分別構成的多個電容器元件C4～C9包含具有彼此不同的電容值的多個電容器元件。在電極膜部分534～539的對置面積之比如前所述的情況下，電容器元件C4～C9的電容值之比等于該對置面積之比，成為1∶2∶4∶8∶16∶32。即，多個電容器元件C4～C9將包含電容值被設定為呈公比為2的等比數列的多個電容器元件C4～C9。
            在本實施方式中，電極膜部分534～536形成為寬度相等、且長度之比設定為1∶2∶4的帶狀。另外，電極膜部分536～539形成為長度相等、且寬度之比被設定為1∶2∶4∶8的帶狀。電極膜部分536～539延伸形成為跨從電容器電極區域72A的第1外部電極73側的端緣起至第2外部電極74側的端緣為止的范圍，電極膜部分534，535形成得比其短。
            另一方面，配置于溝槽非形成區域517的電極膜部分531～533形成為L字形。在是像電極膜部分534～539那樣形成為帶狀的構成的情況下，如圖38所示，會在溝槽形成區域516內產生不能作為電容器元件利用的區域，不能有效地活用小的基板72上的受限的區域。為此，通過像電極膜部分531～533那樣設為L字形，能對溝槽非形成區域517內有效地活用，能以更寬的范圍來設定芯片電容器71的電容值。此外，這樣的L字形電極還能應用于配置于溝槽形成區域516的電極膜部分534～539。反之，可以將配置于溝槽非形成區域517的電極膜部分531～533形成為帶狀。
            焊盤區域513B形成為與第1外部電極73為大致相似形，具有包含與基板72的角部對應的2個倒角部的大致矩形的平面形狀。如圖39所示，焊盤區域513B中的上部電極膜513的上表面與第1外部電極73相接。焊盤區域513B中的上部電極膜513作為電極膜部分540發揮功能。電極膜部分540夾持電容膜512而與基板72的電容器電極區域72A對置。電極膜部分540、電容膜512以及基板72的電容器電極區域72A構成了前述的電容器元件C0。
            根據該構成，不僅在該基板72的表面側形成有電容器構造(電容器元件C1～C9)，而且在第1外部電極73正下方的區域也形成有電容器構造(電容器元件C0)。故而，在芯片電容器71中，還利用了第1外部電極73的正下方的區域，謀求了電容值的增大。由此，能最大限度地利用基板72的表面的面積來謀求大電容化，因此能提供兼顧了小型化以及大電容化的芯片電容器71。
            熔斷器區域513C包含沿焊盤區域513B的所述1個長邊而排列的多個熔斷器組件77。熔斷器組件77由與上部電極膜513的焊盤區域513B相同的材料來一體形成。多個電極膜部分531～539與1個或多個熔斷器組件77一體形成，并經由這些熔斷器組件77與焊盤區域513B連接，且經由該焊盤區域513B與第1外部電極73電連接。面積較小的電極膜部分531～537通過一個熔斷器組件77而與焊盤區域513B連接，面積較大的電極膜部分538，539通過多個熔斷器組件77而與焊盤區域513B連接。不需要使用全部的熔斷器組件77，在本實施方式中，一部分的熔斷器組件77處于未使用狀態。
            熔斷器組件77包含：用于與焊盤區域513B進行連接的第1幅寬部77A和用于與電極膜部分531～539進行連接的第2幅寬部77B；以及對第1以及第2幅寬部77A、77B之間進行連接的幅窄部77C。幅窄部77C構成為能通過激光進行切斷(熔斷)。由此，能將電極膜部分531～539當中不需要的電極膜部分通過熔斷器組件77的切斷而從第1以及第2外部電極73、74電氣式隔出。
            盡管在圖38以及圖40中省略了圖示，但如圖39所示，包含上部電極膜513的表面在內的芯片電容器71的表面被鈍化膜79覆蓋。鈍化膜79例如由氮化膜構成，形成為：不僅在芯片電容器71的上表面，而且延伸至基板72的側面，覆蓋該側面。進而，在鈍化膜79之上，形成有由聚酰亞胺樹脂等構成的樹脂膜510。樹脂膜510形成為：覆蓋芯片電容器71的上表面，進而延伸至基板72的側面，覆蓋該側面上的鈍化膜79。
            鈍化膜79以及樹脂膜510是保護芯片電容器71的表面的保護膜。在這些膜，在與第1外部電極73以及第2外部電極74對應的區域，分別形成有焊盤開口514，515。焊盤開口514，515分別按照使上部電極膜513的焊盤區域513B的一部分的區域、下部電極膜511的一部分的區域露出的方式貫通鈍化膜79以及樹脂膜510。
            在焊盤開口514，515，分別埋入有第1外部電極73以及第2外部電極74。由此，第1外部電極73與上部電極膜513的焊盤區域513B接合，第2外部電極74與下部電極膜511接合。第1以及第2外部電極73，74形成為從樹脂膜510的表面突出。由此，能將芯片電容器71相對于安裝基板進行倒裝芯片接合。
            圖41是表示芯片電容器71的內部的電氣構成的電路圖。在第1外部電極73與第2外部電極74之間并聯連接有多個電容器元件C0～C9。在各電容器元件C1～C9與第1外部電極73之間，串聯插入有由一個或多個熔斷器組件77分別構成的熔斷器F1～F9。另一方面，在電容器元件C0與第1外部電極73之間，未插入熔斷器，電容器元件C0對第1外部電極73直接連接。
            在將熔斷器F1～F9全部進行了連接時，芯片電容器71的電容值等于電容器元件C1～C9的電容值的總和。若切斷從多個熔斷器F1～F9中選擇出的1個或2個以上的熔斷器，則與該切斷出的熔斷器對應的電容器元件被隔出，芯片電容器71的電容值減少該隔出的電容器元件的電容值那么多。在將熔斷器F1～F9的全部切斷了的情況下，芯片電容器71的電容值成為電容器元件C0的電容值。
            為此，若對下部電極膜511與焊盤區域513B之間的電容值(電容器元件C1～C9的總電容值)進行測量，并在其后以激光來熔斷根據期望的電容值而從熔斷器F1～F9中適當地選擇出的一個或多個熔斷器，則能進行向期望的電容值的契合(激光微調)。尤其是，若電容器元件C1～C8的電容值被設定為呈公比為2的等比數列，則能以與處于最小的電容值(該等比數列的初項的值)的電容器元件C1的電容值對應的精度而實現向目標的電容值的契合的微調整。
            例如，電容器元件C1～C9的電容值可以規定如下。C0＝5pF C1＝0.25pF C2＝0.5pF C3＝1pF C4＝2pF C5＝4pF C6＝8pF C7＝16pF C8＝32pF C9＝64pF。在此情況下，能以0.25pF的最小契合精度來對芯片電容器71的電容進行微調整。另外，通過從熔斷器F1～F9中適當地選擇要切斷的熔斷器，能提供0.1pF～10pF之間的任意的電容值的芯片電容器71。
            如上所述，根據本實施方式，在第1外部電極73以及第2外部電極74之間，設置有能由熔斷器F1～F9隔出的多個電容器元件C1～C9。進而，在第1外部電極73的正下方，設置有與第1外部電極73直接連接的電容器元件C0。電容器元件C1～C9包含不同的電容值的多個電容器元件，更具體而言，電容值被設定為呈等比數列的多個電容器元件。由此，通過從熔斷器F1～F9中選擇1個或多個熔斷器并以激光進行熔斷，能提供不變更設計就能對應多種電容值、且能準確地契合至期望的電容值的芯片電容器71。
            而且，在基板72形成有多個溝槽76，對形成有該溝槽76的表面進行仿形地設置電容膜，由此形成了電容器構造(電容器元件C4～C9)。因此，在溝槽形成區域516中，基板72的表面積大于與基板72的主面垂直的俯視下的外觀上的表面積。與之相應，對基板72的表面進行仿形的電容膜512具有大的面積，因此電容器元件C4～C9能具有大的電容值。如此，能提供兼顧了基板72的小型化和大電容化的芯片電容器。
            另外，基板72還兼作電容器構造(電容器元件C0～C9)公共的下部電極，因此在制造時，即使上部電極513相對于設計的位置形成得有些錯位，也能使上部電極513整體可靠地與下部電極(基板72)對置。故而，能使各電容器元件C0～C9的電容值的精度得以提高。另外，能使各電容器元件C0～C9的構造簡單。進而，能與溝槽76的形成同時地形成下部電極，因此還能簡化制造工序。
            另外，上部電極膜513雖被埋設于溝槽76，但由于其表面形成得平坦，因此能使鈍化膜79以及樹脂膜510對上部電極膜513的成膜性得以提高。另外，溝槽76在多個電容器元件C4～C9被共有，因此能維持多個電容器元件C4～C9間的俯視下的外觀上的表面積的比率不變地，以相同的比率來增大各電容器構造的電容值。
            進而，溝槽76選擇性地形成于基板72的電容器電極區域72A的一部分，因此期望大電容化的電容器元件(在本實施方式中，C4～C9)通過配置于溝槽形成區域516，能增大該電容器元件的電容值。另一方面，針對是小電容也可以的電容器元件(在本實施方式中，C1～C3)，通過配置于溝槽非形成區域517來不使其大電容化，從而在切斷熔斷器來設計芯片電容器71的電容值之際，能作為用于對電容值進行微調整的要素來使用。
            關于芯片電容器71的各部的細節，以下加入說明。基板72例如可以具有俯視下0.3mm×0.15mm、0.4mm×0.2mm、或0.2mm×0.1mm等的矩形形狀(優選為0.4mm×0.2mm以下的大小)。基板72的厚度可以是150μm左右。基板72例如可以是通過從背面側(未形成電容器元件C0～C9的表面)起的研削或研磨而被薄型化的基板。
            下部電極膜511優選是導電性膜，尤其優選是金屬膜，例如可以是鋁膜。由鋁膜構成的下部電極膜511能通過濺射法來形成。上部電極膜513也同樣，優選由導電性膜，尤其優選由金屬膜構成，可以是鋁膜。由鋁膜構成的上部電極膜513能通過濺射法來形成。用于將上部電極膜513的電容器電極區域513A分割為電極膜部分531～539且將熔斷器區域513C整形為多個熔斷器組件77的圖案化能通過光刻以及蝕刻工序來執行。
            電容膜512例如能由氮化硅膜構成，其膜厚能設為(例如)。電容膜512可以是通過等離子CVD(化學氣相生長)而形成的氮化硅膜。鈍化膜79例如能由氮化硅膜構成，例如能通過等離子CVD法來形成。其膜厚可以設為左右。樹脂膜510如前所述，能由聚酰亞胺膜以外的樹脂膜構成。
            第1以及第2外部電極73，74例如可以由將與下部電極膜511或上部電極膜513相接的鎳層、層疊于該鎳層上的鈀層、以及層疊于該鈀層上的金層進行了層疊后的層疊構造膜構成，例如能以鍍覆法(更具體而言為無電解鍍覆法)來形成。鎳層有助于對下部電極膜511或上部電極膜513的緊貼性的提高，鈀層作為對上部電極膜或下部電極膜的材料與第1以及第2外部電極73，74的最上層的金的相互擴散進行抑制的擴散防止層發揮功能。
            圖42是用于說明芯片電容器71的制造工序的一例的流程圖。通過將基板72從表面起進行蝕刻，來形成條狀的溝槽76(步驟S1)。接下來，例如通過等離子CVD法，從而將由氮化硅膜等構成的電容膜512形成于基板72上(步驟S2)。電容膜512以其一表面以及另一面對基板72的表面進行仿形而形成。在電容膜512的形成后，通過對電容膜512進行圖案化，從而露出基板72的焊盤區域72B。
            接下來，例如通過濺射法，將由鋁膜構成的上部電極膜513以及下部電極膜511的材料形成于電容膜512的表面全域(步驟S3)。在露出了焊盤區域72B的部分，該電極膜的材料形成為與焊盤區域72B相接。上部電極膜513以及下部電極膜511的膜厚可以設為左右。接下來，在該上部電極膜513以及下部電極膜511的表面，通過光刻來形成與上部電極膜513以及下部電極膜511的最終形狀對應的抗蝕圖案(步驟S4)。
            以該抗蝕圖案為掩模，對上部電極膜513以及下部電極膜511進行蝕刻，從而同時得到圖38等所示的圖案的上部電極膜513以及下部電極膜511(步驟S5)。上部電極膜513以及下部電極膜511的蝕刻例如能通過反應性離子蝕刻來進行。由此，上部電極膜513被整形為如下圖案：即，在電容器電極區域72A具有多個電極膜部分531～539，在熔斷器區域513C具有多個熔斷器組件77，并在與這些熔斷器組件77連接的焊盤區域513B具有電極膜部分540的圖案。用于上部電極膜513的圖案化的蝕刻既可以通過利用了磷酸等的蝕刻液的濕式蝕刻來進行，也可以通過反應性離子蝕刻來進行。在此，能將上部電極膜513的電極膜部分531～540與熔斷器組件77以相同的導電性材料的膜來形成，因此能將它們從同一膜進行圖案化來形成。由此，制造工序變得簡單。
            其后，將檢查用探頭推到上部電極膜513的焊盤區域513B和下部電極膜511，來測量多個電容器元件C1～C9的總電容值(步驟S6)。基于該測量出的總電容值，對應于作為目的的芯片電容器71的電容值，來選擇要隔出的電容器元件，即要切斷的熔斷器(步驟S7)。
            接著，如圖43A所示，在基板72上的整面例如形成由氮化膜構成的覆蓋膜518(步驟S8)。該覆蓋膜518的形成可以通過等離子CVD法來進行，例如可以形成膜厚左右的氮化硅膜。覆蓋膜518覆蓋經圖案化的上部電極膜513以及下部電極膜511，在未形成上部電極膜513以及下部電極膜511的區域覆蓋電容膜512。覆蓋膜518將在熔斷器區域513C覆蓋熔斷器組件77。
            從該狀態起，進行用于熔斷熔斷器組件77的激光微調(步驟S9)。即，如圖43B所示，對構成根據所述總電容值的測量結果而選擇出的熔斷器的熔斷器組件77投射激光519，來熔斷該熔斷器組件77的幅窄部77C。由此，對應的電容器元件被從焊盤區域513B隔出。在對熔斷器組件77投射激光519時，基于覆蓋膜518的作用，在熔斷器組件77的附近蓄積激光519的能量，由此來熔斷熔斷器組件77。由此，能使芯片電容器71的電容值可靠地成為目的的電容值。
            接下來，如圖43C所示，例如通過等離子CVD法，來使氮化硅膜沉積于覆蓋膜518上，形成鈍化膜79(步驟S10)。前述的覆蓋膜518在最終形態下，與鈍化膜79一體化，構成該鈍化膜79的一部分。在熔斷器的切斷后所形成的鈍化膜79進入到在熔斷器熔斷時同時被破壞了的覆蓋膜518的開口內，保護熔斷器組件77的切斷面。因此，鈍化膜79能防止在熔斷器組件77的切斷處進入異物或浸入水分。鈍化膜79整體上例如可以形成為具有左右的膜厚。
            接下來，在鈍化膜79上形成在要形成第1以及第2外部電極73，74的位置上具有貫通孔的抗蝕圖案(步驟S11)。以該抗蝕圖案為掩模來進行鈍化膜79的蝕刻。由此，將形成使下部電極膜511露出的焊盤開口；以及使上部電極膜513在焊盤區域513B露出的焊盤開口(步驟S12)。鈍化膜79的蝕刻可以通過反應性離子蝕刻來進行。
            接著，對整面涂敷樹脂膜(步驟S13)。作為樹脂膜，例如使用感光性的聚酰亞胺的涂敷膜。通過對于該樹脂膜，進行針對與所述焊盤開口對應的區域的曝光工序、以及其后的顯影工序，從而能進行基于光刻的樹脂膜的圖案化(步驟S14)。由此，形成將樹脂膜510以及鈍化膜79貫通了的焊盤開口514，515。其后，執行用于對樹脂膜進行硬化的熱處理(固化處理)(步驟S15)，進而，在焊盤開口514，515內，例如通過無電解鍍覆法，來使第1外部電極73以及第2外部電極74生長(步驟S16)。如此，得到圖38等所示的構造的芯片電容器71。
            在利用了光刻工序的上部電極膜513的圖案化中，能精度良好地形成微小面積的電極膜部分531～540，進而能形成精細的圖案的熔斷器組件77。而且，在上部電極膜513的圖案化之后，經過總電容值的測量，來決定要切斷的熔斷器。通過對該決定出的熔斷器進行切斷，能得到準確地契合至期望的電容值的芯片電容器71。
            圖44是用于說明第4參考例的第2實施方式所涉及的芯片電容器520的構成的俯視圖。在圖44中，對與前述的圖38所示的各部對應的部分賦予同一參照標號來表示。在前述的第1實施方式中，配置于溝槽形成區域516的上部電極膜513的電極膜部分536～539各自形成為被設定成期望的寬度的1個帶狀。在此情況下，電極膜部分536～539的寬度彼此不同，因此在對上部電極膜513進行蝕刻來完成至最終形狀之際(圖42的步驟S4，S5)，上部電極膜513當中要以蝕刻來去除的區域會分布不規則。故而，有時會發生蝕刻的偏差。
            為此，在圖44所示的實施方式中，多個電極膜部分536～539各自被分割為彼此同一寬度的電極膜部分546～549(在本實施方式中，與電極膜部分534～536為同一寬度)。而且，電極膜部分536～539間的面積的比率分別通過電極膜部分546～549的個數的增減來進行了調整。由此，上部電極膜513當中要以蝕刻來去除的區域等間隔地規則分布，因此能減少蝕刻的偏差。
            本實施方式所涉及的芯片電容器520的制造工序與圖42所示的工序實質上相同。但在上部電極膜513的圖案化(步驟S4，S5)中，電容器電極區域513A被分割為圖44所示的形狀的多個電極膜部分546～549。圖45是用于說明第4參考例的第3實施方式所涉及的芯片電容器521的構成的斷面圖。圖46是將圖45的芯片電容器521的一部分的構成分離出來表示的分解立體圖。在圖45以及圖46中，對與在前述的圖39以及圖40所示的各部對應的部分賦予同一參照標號來表示。
            盡管在前述的第1實施方式中，基板72兼有電容器元件C0～C9的下部電極的功能，但下部電極也可以如圖45以及圖46所示構成為：使作為導電性膜的下部電極膜522形成為其一表面以及另一面對基板72的表面進行仿形(跟隨)。作為基板72的材料，既可以使用以硅基板為代表的半導體基板，也可以使用玻璃基板，還可以使用樹脂薄膜。
            在此情況下，使一表面以及另一表面對基板72的表面進行仿形而形成絕緣膜78，在絕緣膜78的表面形成有下部電極膜522。下部電極膜522更具體而言，下部電極膜522具有：作為電容器元件C1～C9的公共的下部電極而發揮功能的電容器電極區域522A、以及用于外部電極引出的焊盤區域522B。由此，多個溝槽76的內面被由絕緣膜78、下部電極膜522以及電容膜512構成的層疊膜覆蓋。此外，絕緣膜78可以是氧化硅膜等的氧化膜。其膜厚可以是左右。
            進而，在本實施方式中，上部電極膜513的電容器電極區域513A形成為跨大致全域而連續的連續膜圖案，另一方面，下部電極膜522的電容器電極區域522A被分割為多個電極膜部分541～549。電極膜部分541～549可以形成為與第1實施方式中的電極膜部分531～539同樣的形狀以及面積比。如此，由電極膜部分541～549、電容膜512、以及上部電極膜513來構成了多個電容器元件。該多個電容器元件的至少一部分構成了電容值不同的(例如各電容值被設定為呈等比數列)電容器元件群。
            下部電極膜522進而在電容器電極區域522A與焊盤區域522B之間具有熔斷器區域522C。在熔斷器區域522C，與第1實施方式的熔斷器組件77同樣的多個熔斷器組件523沿焊盤區域522B排列成一列。各電極膜部分541～549經由一個或多個熔斷器組件523而與焊盤區域522B連接。
            基于這樣的構成，電極膜部分541～549也以彼此不同的對置面積與上部電極膜513對置，它們通過切斷熔斷器組件523而能分個隔出。因此，得到與第1實施方式的情況同樣的效果。尤其是，通過形成為使多個電極膜部分541～549的至少一部分以被設定為呈公比為2的等比數列的對置面積來與上部電極膜13對置，從而與第1實施方式的情況同樣地，能提供以高精度契合至需要的電容值的芯片電容器。
            本實施方式所涉及的芯片電容器521的制造工序與圖42所示的工序實質上相同。但在電容膜512的形成(步驟S2)之前，先進行絕緣膜78的形成工序、下部電極膜522的形成工序、抗蝕圖案的形成工序以及下部電極膜522的蝕刻工序(步驟S1-2～1-5)。具體而言，在基板72形成了溝槽76(步驟S1)后，在基板72的表面，通過熱氧化法和/或CVD法來形成由氧化膜(例如氧化硅膜)構成的絕緣膜78(步驟S1-2)。接下來，例如通過濺射法，將由鋁膜構成的下部電極膜522形成于絕緣膜78的表面全域(步驟S1-3)。下部電極膜522的膜厚可以設為左右。接下來，在該下部電極膜的表面，通過光刻來形成與下部電極膜522的最終形狀對應的抗蝕圖案(步驟S1-4)。以該抗蝕圖案為掩模，對下部電極膜進行蝕刻，從而得到圖45以及圖46等所示的圖案的下部電極膜522(步驟S1-5)。下部電極膜511的蝕刻例如能通過反應性離子蝕刻來進行。其后，例如通過等離子CVD法，來將由氮化硅膜等構成的電容膜512形成于下部電極膜522上(步驟S2)。另外，在上部/下部電極膜的形成以及圖案化(步驟S3～S5)中不進行下部電極膜的形成、以及多個電極膜部分的形成，也不進行熔斷器組件的形成。進而，在激光微調(步驟S9)中，通過激光來切斷形成于下部電極膜522的熔斷器組件523。在激光微調之際，下部電極膜522被電容膜512覆蓋，因此能將該電容膜512用作用于蓄積激光的能量的覆蓋膜。因此，可以省略在前緊挨激光微調的覆蓋膜的形成(步驟S8)。
            圖47是用于說明第4參考例的第4實施方式所涉及的芯片電容器524的構成的斷面圖。在圖47中，對與前述的圖39所示的各部對應的部分賦予同一參照標號來表示。在前述的第1實施方式中，第2外部電極74隔著下部電極膜511而被配置于基板72的表面側。在此情況下，如圖38以及圖39所示，基板72的焊盤區域72B不能作為電容器元件利用，不能對小的基板72上的受限的區域進行有效地活用。
            為此，在圖47所示的實施方式中，按照與基板72的背面相接的方式形成有第2外部電極525。基于該構成，基板72的焊盤區域72B也能作為上部電極膜513的形成空間來有效利用。其結果，能最大限度地利用基板72的表面的面積，因此能謀求進一步的大電容化。另外，第1外部電極73以朝向上方的面朝上姿勢(第2外部電極525朝向下方的姿勢)將芯片電容器524在電路基板搭載多個來進行封裝，從而能實現具備多個芯片電容器524(多芯片)的半導體裝置。在此情況下，第1外部電極73例如通過引線鍵合來與電路基板的電路電連接即可。
            本實施方式所涉及的芯片電容器524的制造工序與圖42所示的工序實質上相同。但在步驟S3～S5中，僅形成上部電極膜513，在多個電容器元件C1～C9的總電容值的測量(步驟S6)之際，將檢查用探頭推到上部電極膜513的焊盤區域513B和基板72的背面。而且，第2外部電極525在第1外部電極73的生長后例如通過濺射法來形成。
            盡管以上針對第4參考例的實施方式進行了說明，但第4參考例還能以其他的形態來實施。例如，盡管在前述的實施方式中示出了上部電極膜以及下部電極膜當中的一者被分割為多個電極膜的構成，但上部電極膜以及下部電極膜兩者也可以均被分割為多個電極膜部分。進而，盡管在前述的實施方式中示出了上部電極膜或下部電極膜與熔斷器組件一體化的例子，但也可以是由與上部電極膜或下部電極膜不同的導體膜來形成熔斷器組件。進而，盡管在前述的實施方式中示出了包括多個電容器元件具有呈公比r(0＜r，r≠1)＝2的等比數列的電容值的多個電容器元件的例子，但該等比數列的公比也可以是2以外的數。另外，盡管在圖45以及圖46所示的實施方式中，在基板72的表面形成有絕緣膜78，但只要基板72是絕緣性的基板，也還能省略絕緣膜78。
            此外，能在所述(1)第4參考例所涉及的發明的特征中所記載的事項的范圍內實施各種設計變更。例如，將在各特征D1～D22中未確定的制造的工序進行變更、省去、追加后的技術，也包含在第4參考例的范圍內。＜第5參考例所涉及的發明＞(1)第5參考例所涉及的發明的特征例如，第5參考例所涉及的發明的特征是以下的E1～E22。(E1)一種芯片電容器，包含：基板；配置于基板的一表面側的第1外部電極；配置于基板的一表面側的第2外部電極；從所述第1外部電極以及所述第2外部電極之間的區域起延伸至所述第2外部電極與所述基板之間而形成于所述基板的一表面側、且具有與所述第1外部電極相接的上表面的下部電極膜；從所述第1外部電極以及所述第2外部電極之間的區域起延伸至所述第2外部電極與所述基板之間而形成于所述下部電極膜上的電容膜；以及從所述第1外部電極以及所述第2外部電極之間的區域起延伸至所述第2外部電極與所述基板之間而形成于所述電容膜上并與所述下部電極膜對置、且具有與所述第2外部電極相接的上表面的上部電極膜。
            根據E1記載的發明，第1外部電極以及第2外部電極均配置于基板的一表面側。另外，在該基板的一表面側，配置有包含下部電極膜、電容膜以及上部電極膜在內的電容器構造。基于該構成，在第2外部電極與基板之間，進入有下部電極膜、電容膜以及上部電極膜，在第2外部電極正下方的區域還形成有電容器構造。故而，還利用第2外部電極的正下方的區域，謀求了電容值的增大。由此，能最大限度地利用基板的一表面的面積來謀求大電容化，因此能提供兼顧了小型化以及大電容化的芯片電容器。(E2)所述上部電極膜以及所述下部電極膜的至少任一者被分割為多個電極膜部分，包含所述多個電極膜部分每一個在內的多個電容器元件將形成于所述基板上的、E1中記載的芯片電容器。
            根據E2記載的發明，通過將上部電極膜以及下部電極膜的至少任一者分割為多個電極膜部分，從而各電極膜部分與另一者的電極膜對置，由此多個電容器元件將被設置于基板上。(E3)能將所述多個電容器元件分別隔出的多個熔斷器形成于所述基板上的、E2中記載的芯片電容器。
            在E3記載的芯片電容器中，通過選擇一個或多個熔斷器來切斷，能容易且迅速地對應多種電容值。換言之，能對多種電容值的芯片電容器應用公共的設計。(E4)所述多個電容器元件具有彼此不同的電容值的、E3中記載的芯片電容器。
            根據E4記載的發明，通過對電容值不同的多個電容器元件進行組合，能以公共的設計實現各種電容值的芯片電容器。(E5)所述多個電容器元件的電容值被設定為呈等比數列的、E4中記載的芯片電容器。根據E5記載的發明，通過適當地選擇要連接于第1外部電極以及第2外部電極之間的多個電容器元件，能將芯片電容器的電容值準確地契合至期望的電容值。例如，通過將所述等比數列的公比設為2，能以該等比數列的初項(在該數列內為最小值的項)的精度來契合芯片電容器的電容值。(E6)還包含將所述多個熔斷器當中的至少一個切斷的熔斷器切斷工序的、E3中記載的芯片電容器的制造方法。
            根據E6記載的發明，契合了電容值的芯片電容器存在1個或多個熔斷器被切斷的情況。通過熔斷器的切斷，能選擇連接于第1外部電極以及第2外部電極之間的電容器元件，由此，能實現需要的電容值的芯片電容器。(E7)所述上部電極膜或所述下部電極膜與所述熔斷器是以相同的導電性材料的膜形成的、E3～E6的任一項中記載的芯片電容器。
            根據E7記載的發明，能將上部電極膜或下部電極膜與熔斷器以公共的導電性材料膜來構成。而且，通過將上部電極膜或下部電極膜的各電極膜部分所對應的熔斷器切斷，能隔出該電極膜部分(電容器元件)。(E8)所述上部電極膜在所述第1外部電極以及所述第2外部電極之間的區域具有被分離出的多個上部電極膜部分，所述多個上部電極膜部分經由多個熔斷器而分別與所述第2外部電極電連接，所述下部電極膜形成于避開了所述熔斷器的正下方的區域的區域的、E1中記載的芯片電容器。
            根據E8記載的發明，例如在通過照射激光來切斷熔斷器的情況下，即使基于切斷而產生了的碎片到達了熔斷器的正下方的區域，在該區域也不存在下部電極膜。因此，能避免因該碎片而造成在上部電極膜部與下部電極膜之間發生短路或對下部電極膜造成腐蝕這樣的不良狀況。另外，由于下部電極膜形成于避開了熔斷器的正下方的區域(被照射激光的區域)的區域，因此在切斷熔斷器之際，還能避免下部電極膜也被切斷從而下部電極膜受損這樣的不良狀況。(E9)所述多個上部電極膜部分以不同的對置面積來與所述下部電極膜對置的、E8中記載的芯片電容器。
            根據E9記載的發明，與對置面積彼此不同的多個上部電極膜部分對應的多個電容器元件將具有彼此不同的電容值。由此，通過將它們適當地組合，能實現多種電容值的芯片電容器。更具體而言，通過切斷與選擇出的多個電容器元件以外的電容器元件對應的熔斷器并將它們從第1以及第2外部電極之間隔出，能構成具有需要的電容值的芯片電容器。(E10)所述多個上部電極膜部分的所述對置面積被設定為呈等比數列的、E9中記載的芯片電容器。
            根據E10記載的發明，能將電容值被設定為呈等比數列的多個電容器元件設置于基板上。由此，能實現多種電容值的芯片電容器，且電容值的微調整也能通過熔斷器的切斷來進行。(E11)一種在基板上具有第1外部電極以及第2外部電極的芯片電容器的制造方法，包含：按照從所述第1外部電極以及所述第2外部電極之間的區域起延伸至所述第2外部電極與所述基板之間的方式在所述基板上形成下部電極膜的工序；按照從所述第1外部電極以及所述第2外部電極之間的區域起延伸至所述第2外部電極與所述基板之間的方式在所述下部電極膜上形成電容膜的工序；以及按照從所述第1外部電極以及所述第2外部電極之間的區域起延伸至所述第2外部電極與所述基板之間的方式在所述電容膜上形成與所述下部電極膜對置的上部電極膜的工序；按照與所述下部電極膜的上表面相接的方式形成所述第1外部電極的工序；以及按照與所述上部電極膜的上表面相接的方式形成所述第2外部電極的工序。
            根據E11記載的發明，通過不僅在第1外部電極以及第2外部電極之間的區域，還在第2外部電極正下方的區域也形成電容器構造，從而謀求芯片電容器的電容值的增大，因此能提供兼顧了小型化以及大電容化的芯片電容器。(E12)所述上部電極膜以及所述下部電極膜的至少任一者被分割為多個電極膜部分，包含所述多個電極膜部分的每一個在內的多個電容器元件被形成于所述基板上的、E11中記載的芯片電容器的制造方法。
            根據E11記載的發明，通過將上部電極膜以及下部電極膜的至少任一者分割為多個電極膜部分，能將在該分割出的電極膜部分與另一者的電極膜之間夾持電容膜的構造的多個電容器元件形成于基板上。(E13)還包含在所述基板上形成能將所述多個電容器元件分別隔出的多個熔斷器的工序的、E12中記載的芯片電容器的制造方法。
            根據E13記載的發明，通過將根據需要的電容值而選擇出的熔斷器切斷，能在成為公共的設計的同時，制造多個電容值的芯片電容器。(E14)所述多個電容器元件形成為具有彼此不同的電容值的、E13中記載的芯片電容器的制造方法。
            根據E14記載的發明，通過適當地選擇多個電容器元件來進行組合，能實現多種電容值。(E15)所述多個電容器元件的電容值被設定為呈等比數列的、E14中記載的芯片電容器的制造方法。根據E15記載的發明，通過適當地選擇多個電容器元件來進行組合，能實現多種電容值，且還能實現針對期望的電容值的微調整(契合)。例如，通過將所述等比數列的公比設為2，能以該等比數列的初項(在該數列內為最小值的項)的精度來契合芯片電容器的電容值。(E16)還包含將所述多個熔斷器當中的至少一個切斷的熔斷器切斷工序的、E13～E15的任一項中記載的芯片電容器的制造方法。
            根據E16記載的發明，通過適當地選擇要切斷的熔斷器，能將芯片電容器的電容值契合至期望的電容值。即，通過適當地選擇要連接于第1以及第2外部電極的電容器元件，并切斷與除此以外的電容器元件對應的熔斷器，能制造契合至期望的電容值的芯片電容器。(E17)還包含對所述多個電容器元件的總電容值進行測量的工序、以及基于所述測量出的總電容值來選擇應進行所述切斷的熔斷器的工序，且在所述熔斷器切斷工序中，切斷選擇出的所述熔斷器的、E16中記載的芯片電容器的制造方法。
            根據E17記載的發明，對多個電容器元件的總電容值進行測量，并基于其測量結果來選擇要切斷的熔斷器，因此能使芯片電容器的電容值可靠地成為目的的電容值。(E18)還包含在切斷了所述熔斷器后，形成覆蓋所述熔斷器的切斷部的保護膜的工序的、E16或E17中記載的芯片電容器的制造方法。
            根據E18記載的發明，熔斷器的切斷部被保護膜覆蓋，因此能避免異物或水分對切斷部的侵入，故不僅能以公共的設計來實現多種電容值，而且能制造可靠性高的芯片電容器。(E19)將所述上部電極膜或所述下部電極膜與所述熔斷器以相同的導電性材料的膜來形成的、E13～E18的任一項中記載的芯片電容器的制造方法。
            根據E19記載的發明，能將上部電極膜或下部電極膜的電極膜部分與熔斷器以相同的導電性材料的膜來形成，因此能將它們從同一膜進行圖案化而形成。由此，制造工序變得簡單。(E20)所述上部電極膜在所述第1外部電極以及所述第2外部電極之間的區域具有被分離出的多個上部電極膜部分，還包含形成將所述多個上部電極膜部分分別以可隔出的方式與所述第2外部電極連接的多個熔斷器的工序，所述下部電極膜形成于避開了所述熔斷器的正下方的區域的區域的、E11中記載的芯片電容器的制造方法。
            根據E20記載的發明，例如在通過照射激光來切斷熔斷器的情況下，即使基于切斷而產生的碎片到達了熔斷器的正下方的區域，在該區域也不存在下部電極膜。因此，能避免因該碎片而造成在上部電極膜部與下部電極膜之間發生短路或對下部電極膜造成腐蝕這樣的不良狀況。另外，由于下部電極膜形成于避開了熔斷器的正下方的區域(被照射激光的區域)的區域，因此在切斷熔斷器之際，還能避免下部電極膜也被切斷從而下部電極膜受損這樣的不良狀況。(E21)所述多個上部電極膜部分形成為以不同的對置面積來與所述下部電極膜對置的、E20中記載的芯片電容器。
            根據E21記載的發明，通過使多個上部電極膜部分以彼此不同的對置面積與下部電極膜對置，能將電容值不同的多個電容器元件形成于基板上。因此，通過適當地選擇不同的電容值的電容器元件來進行組合，能制造多種電容值的芯片電。(E22)所述多個上部電極膜部分的所述對置面積被設定為呈等比數列的、E21中記載的芯片電容器的制造方法。
            根據E22記載的發明，通過使多個上部電極膜部分以彼此不同的對置面積來與下部電極膜對置，能將電容值不同的多個電容器元件形成于基板上。因此，通過適當地選擇不同的電容值的電容器元件來進行組合，能制造多種電容值的芯片電容器。(2)第5參考例所涉及的發明的實施方式以下，參照附圖來詳細說明第5參考例的實施方式。
            圖48是第5參考例的第1實施方式所涉及的芯片電容器的俯視圖，圖49是其斷面圖，示出了從圖48的切斷面線XLIX-XLIX觀察的切斷面。進而，圖50是將所述芯片電容器的一部分的構成分離出來表示的分解立體圖。芯片電容器81具備：基板82、配置于基板82上(基板82的一表面82A側)的第1外部電極83、以及同樣配置于基板82上的第2外部電極84。基板82在本實施方式中，具有俯視下將四個角倒角后的矩形形狀。在基板82的長邊方向兩端部分別配置有第1外部電極83以及第2外部電極84。第1外部電極83以及第2外部電極84在本實施方式中具有在基板82的短邊方向上延伸的大致矩形的平面形狀，在與基板82的角對應的各2處具有倒角部。在基板82的一表面82A上，在第1外部電極83以及第2外部電極84之間的第1電容器配置區域85內，配置有多個電容器元件C1～C9。多個電容器元件C1～C9經由多個熔斷器組件87(熔斷器)而分別與第2外部電極84電連接。另外，在基板82上，在第2外部電極84的正下方(俯視下與第2外部電極84重疊的位置)的第2電容器配置區域85B，配置有電容器元件C0。電容器元件C0對于第2外部電極84直接電連接。在此，將第1電容器配置區域85A以及第2電容器配置區域85B的整體稱為“電容器配置區域85”。
            如圖49以及圖50所示，在基板82的一表面82A形成有絕緣膜88，在絕緣膜88的表面形成有下部電極膜611。下部電極膜611跨電容器配置區域85的大致全域。故而，下部電極膜611形成為從第1電容器配置區域85A起延伸至第2外部電極84與基板82之間的第2電容器配置區域85B。進而，下部電極膜611形成為延伸至第1外部電極83的正下方的區域。更具體而言，下部電極膜611具有：在第1電容器配置區域85A作為電容器元件C1～C9的公共的下部電極而發揮功能的第1電容器電極區域611A；在第2電容器配置區域85B作為電容器元件C0的下部電極而發揮功能的第2電容器電極區域611B；以及用于外部電極引出的焊盤區域611C。第1電容器電極區域611A位于第1電容器配置區域85A，第2電容器電極區域611B位于第2電容器配置區域85B(第2外部電極84的正下方)，焊盤區域611C位于第1外部電極83的正下方。焊盤區域611C的上表面611J與第1外部電極83相接。
            在下部電極膜611，在第1電容器電極區域611A與第2電容器電極區域611B的交界，形成有多個開口616(參照圖50)。多個開口616被配置為沿著基板82的短邊方向而空出間隔(參照圖50)。各開口616將下部電極膜611在厚度方向上貫通。第1電容器電極區域611A和第2電容器電極區域611B在形成有開口616的區域不連續(參照圖49)，但在未形成開口616的區域連續(參照圖50)。
            在電容器配置區域85按照覆蓋下部電極膜611(第1電容器電極區域611A以及第2電容器電極區域611B)的方式形成有電容膜(電介質膜)612。電容膜612跨第1電容器電極區域611A(第1電容器配置區域85A)以及第2電容器電極區域611B(第2電容器配置區域85B)的全域而連續。故而，電容膜612按照從第1電容器配置區域85A起延伸至第2外部電極84與基板82之間的第2電容器配置區域85B的方式形成于下部電極膜611上。電容膜612在本實施方式中還覆蓋電容器配置區域85外以及各開口616內的絕緣膜88。
            在電容膜612之上，形成有上部電極膜613。在圖48中，為了明確，著色示出了上部電極膜613。上部電極膜613具有：位于第1外部電極83以及第2外部電極84之間的第1電容器配置區域85A的電容器電極區域613A；位于第2外部電極84的正下方(第2電容器配置區域85B)的焊盤區域613B；以及配置于電容器電極區域613A與焊盤區域613B之間的熔斷器區域613C。故而，上部電極膜613按照從第1電容器配置區域85A起延伸至第2外部電極84與基板82之間的第2電容器配置區域85B的方式形成于電容膜612上(參照圖49)。
            在電容器電極區域613A中，上部電極膜613被分割(分離)為多個電極膜部分(上部電極膜部分)731～739。在本實施方式中，各電極膜部分731～739均形成為矩形形狀，從熔斷器區域613C起朝著第1外部電極83帶狀地延伸。多個電極膜部分731～739以多種對置面積夾持電容膜612而與下部電極膜611對置。更具體而言，電極膜部分731～739相對于下部電極膜611的對置面積可以規定為1∶2∶4∶8∶16∶32∶64∶128∶128。即，多個電極膜部分731～739包含對置面積不同的多個電極膜部分，更具體而言，包含具有被設定為呈公比為2的等比數列的對置面積的多個電極膜部分731～738(或731～737，739)。由此，由各電極膜部分731～739和夾持電容膜612而對置的下部電極膜611分別構成的多個電容器元件C1～C9包含具有彼此不同的電容值的多個電容器元件。在電極膜部分731～739的對置面積之比如前所述的情況下，電容器元件C1～C9的電容值之比等于該對置面積之比，成為1∶2∶4∶8∶16∶32∶64∶128∶128。即，多個電容器元件C1～C9將包含電容值被設定為呈公比為2的等比數列的多個電容器元件C1～C8(或C1～C7，C9)。
            在本實施方式中，電極膜部分731～735形成為寬度相等、且長度之比被設定為1∶2∶4∶8∶16的帶狀。另外，電極膜部分735，736，737，738，739形成為長度相等、且寬度之比被設定為1∶2∶4∶8∶8的帶狀。電極膜部分735～739延伸形成為跨從第1電容器配置區域85A的第2外部電極84側的端緣起至第1外部電極83側的端緣為止的范圍，電極膜部分731～734形成得比其短。
            焊盤區域613B形成為與第2外部電84為大致相似形，具有包含與基板82的角部對應的2個倒角部的大致矩形的平面形狀。如圖49所示，焊盤區域613B中的上部電極膜613的上表面613D與第2外部電極84相接。焊盤區域613B中的上部電極膜613作為電極膜部分740而發揮功能。電極膜部分740夾持電容膜612而與第2電容器電極區域611B中的下部電極膜611對置。電極膜部分740、電容膜612以及第2電容器電極區域611B中的下部電極膜611構成了前述的電容器元件C0。作為一例，電極膜部分740相對于下部電極膜611的對置面積是電極膜部分738或電極膜部分739相對于下部電極膜611的對置面積的約2倍(參照圖48)，電容器元件C0的電容值是電容器元件C8或電容器元件C9的電容值的約2倍。
            根據該構成，不僅在該基板82的一表面82A側形成有電容器構造(電容器元件C1～C9)，而且在第2外部電極84正下方的區域也形成有電容器構造(電容器元件C0)。故而，在芯片電容器81中，還利用第2外部電極84的正下方的區域，謀求了電容值的增大。由此，能最大限度地利用基板82的一表面82A的面積來謀求大電容化，因此能提供兼顧了小型化以及大電容化的芯片電容器81。
            熔斷器區域613C沿焊盤區域613B的一個長邊(相對于基板82的周緣為內方側的長邊)進行了配置。熔斷器區域613C包含沿焊盤區域613B的所述1個長邊而排列的多個熔斷器組件87。熔斷器組件87的數目與前述的下部電極膜611的開口616的數目一致(參照圖50)。1個熔斷器組件87的正下方有1個開口616。故而，下部電極膜611形成于避開了熔斷器組件87的正下方的區域(開口616)的區域。
            熔斷器組件87是以與上部電極膜613的焊盤區域613B為相同的材料來一體形成的。多個電極膜部分731～739與1個或多個熔斷器組件87一體形成，經由這些熔斷器組件87與焊盤區域613B(電極膜部分740)連接，并經由該焊盤區域613B與第2外部電極84電連接。如圖48所示，面積較小的電極膜部分731～736通過一個熔斷器組件87而與焊盤區域613B連接，面積較大的電極膜部分737～739經由多個熔斷器組件87而與焊盤區域613B連接。不需要使用全部的熔斷器組件87，在本實施方式中，一部分的熔斷器組件87處于未使用狀態。
            熔斷器組件87包含：用于與焊盤區域613B進行連接的第1幅寬部87A和用于與電極膜部分731～739進行連接的第2幅寬部87B；以及對第1以及第2幅寬部87A、87B之間進行連接的幅窄部87C。幅窄部87C構成為能通過激光進行切斷(熔斷)。由此，能將電極膜部分731～739當中不需要的電極膜部分通過熔斷器組件87的切斷而從第1以及第2外部電極83、84電氣式隔出。
            盡管在圖48以及圖50中省略了圖示，但如圖49所示，包含上部電極膜613的表面在內的芯片電容器81的表面由鈍化膜89覆蓋。鈍化膜89例如由氮化膜構成，形成為：不僅在芯片電容器81的上表面，還延伸至基板82的側面，覆蓋該側面。進而，在鈍化膜89之上形成有由聚酰亞胺樹脂等構成的樹脂膜610。樹脂膜610形成為：覆蓋芯片電容器81的上表面，進而延伸至基板82的側面，覆蓋該側面上的鈍化膜89。
            鈍化膜89以及樹脂膜610是對芯片電容器81的表面進行保護的保護膜。在這些膜，在與第1外部電極83以及第2外部電極84對應的區域分別形成有焊盤開口621，622。焊盤開口621，622分別按照使下部電極膜611的焊盤區域611C的一部分的區域、上部電極膜613的焊盤區域613B的一部分的區域露出的方式貫通鈍化膜89以及樹脂膜610。進而，在本實施方式中，與第1外部電極83對應的焊盤開口621還貫通電容膜612。
            在焊盤開口621，622，分別埋入有第1外部電極83以及第2外部電極84。由此，第1外部電極83與下部電極膜611的焊盤區域611C接合，第2外部電極84與上部電極膜613的焊盤區域613B接合。第1以及第2外部電極83，84形成為從樹脂膜610的表面突出。由此，能將芯片電容器81相對于安裝基板進行倒裝芯片接合。
            圖51是表示芯片電容器81的內部的電氣構成的電路圖。在第1外部電極83與第2外部電極84之間并聯連接有多個電容器元件C0～C9。在各電容器元件C1～C9與第2外部電極84之間，串聯插入有由一個或多個熔斷器組件87分別構成的熔斷器F1～F9。另一方面，在電容器元件C0與第2外部電極84之間，未插入熔斷器，電容器元件C0對第2外部電極84直接連接。
            在將熔斷器F1～F9全部進行了連接時，芯片電容器81的電容值等于電容器元件C0～C9的電容值的總和。若切斷從多個熔斷器F1～F9中選擇出的1個或2個以上的熔斷器，則與該切斷出的熔斷器對應的電容器元件被隔出，芯片電容器81的電容值減少該隔出的電容器元件的電容值那么多。在將熔斷器F1～F9的全部進行了切斷的情況下，芯片電容器81的電容值成為電容器元件C0的電容值。
            為此，若對焊盤區域611C，613B之間的電容值(電容器元件C0～C9的總電容值)進行測量，并在其后以激光來熔斷根據期望的電容值而從熔斷器F1～F9中適當地選擇出的一個或多個熔斷器，則能進行向期望的電容值的契合(激光微調)。尤其是，若電容器元件C1～C8的電容值被設定為呈公比為2的等比數列，則能以與處于最小的電容值(該等比數列的初項的值)的電容器元件C1的電容值對應的精度而實現向目標的電容值的契合的微調整。
            例如，電容器元件C0～C9的電容值可以規定如下。C0＝8pF C1＝0.03125pF C2＝0.0625pF C3＝0.125pF C4＝0.25pF C5＝0.5pF C6＝1pF C7＝2pF C8＝4pF C9＝4pF。在此情況下，能以0.03125pF的最小契合精度來對芯片電容器81的電容進行微調整。另外，通過從熔斷器F1～F9中適當地選擇要切斷的熔斷器，能提供10pF～18pF之間的任意的電容值的芯片電容器81。
            如上所述，根據本實施方式，在第1外部電極83以及第2外部電極84之間，設置有能由熔斷器F1～F9隔出的多個電容器元件C1～C9。進而，在第2外部電極84的正下方，設置有與第2外部電極84直接連接的電容器元件C0。電容器元件C1～C9包含不同的電容值的多個電容器元件，更具體而言，包含電容值被設定為呈等比數列的多個電容器元件。由此，通過從熔斷器F1～F9中選擇1個或多個熔斷器并以激光進行熔斷，能提供不變更設計就能對應多種電容值、且能準確地契合至期望的電容值的芯片電容器81。
            關于芯片電容器81的各部的細節，以下加入說明。參照圖48，基板82例如可以具有俯視下0.3mm×0.15mm、0.4mm×0.2mm、或0.2mm×0.1mm等的矩形形狀(優選為0.4mm×0.2mm以下的大小)。電容器配置區域85大致成為具有相當于基板82的短邊的長度的一邊的正方形區域。基板82的厚度可以是150μm左右。參照圖49，基板82例如可以是通過從背面側(未形成電容器元件C0～C9的表面)起的研削或研磨而被薄型化的基板。作為基板82的材料，既可以使用以硅基板為代表的半導體基板，也可以使用玻璃基板，還可以使用樹脂薄膜。
            絕緣膜88可以是氧化硅膜等的氧化膜。其膜厚可以是左右。下部電極膜611優選為導電性膜，尤其優選為金屬膜，例如可以是鋁膜。由鋁膜構成的下部電極膜611能通過濺射法來形成。上部電極膜613也同樣，優選由導電性膜，尤其優選由金屬膜構成，可以是鋁膜。由鋁膜構成的上部電極膜613能通過濺射法來形成。用于將上部電極膜613的電容器電極區域613A分割為電極膜部分731～739、且在焊盤區域613B形成電極膜部分740、進而將熔斷器區域613C整形為多個熔斷器組件87的圖案化能通過光刻以及蝕刻工序來進行。
            電容膜612例如能由氮化硅膜構成，其膜厚能設為(例如)。電容膜612可以是通過等離子CVD(化學氣相生長)而形成的氮化硅膜。鈍化膜89例如能由氮化硅膜構成，例如能通過等離子CVD法來形成。其膜厚可以設為左右。樹脂膜610如前所述，能由聚酰亞胺膜以外的樹脂膜構成。
            第1以及第2外部電極83，84例如可以由將與下部電極膜611或上部電極膜613相接的鎳層、層疊于該鎳層上的鈀層、以及層疊于該鈀層上的金層進行了層疊后的層疊構造膜構成，例如能以鍍覆法(更具體而言為無電解鍍覆法)來形成。鎳層有助于對下部電極膜611或上部電極膜613的緊貼性的提高，鈀層作為對上部電極膜或下部電極膜的材料與第1以及第2外部電極83，84的最上層的金的相互擴散進行抑制的擴散防止層發揮功能。
            圖52是用于說明芯片電容器81的制造工序的一例的流程圖。在基板82的表面，通過熱氧化法和/或CVD法，來形成由氧化膜(例如氧化硅膜)構成的絕緣膜88(步驟S1)。接下來，例如通過濺射法，將由鋁膜構成的下部電極膜611形成于絕緣膜88的表面全域(步驟S2)。下部電極膜611的膜厚可以設為左右。接下來，在該下部電極膜的表面，通過光刻來形成與下部電極膜611的最終形狀對應的抗蝕圖案(步驟S3)。將該抗蝕圖案作為掩模，對下部電極膜進行蝕刻，從而得到圖48等所示的具有開口616(參照圖50)的圖案的下部電極膜611(步驟S4)。下部電極膜611的蝕刻例如能通過反應性離子蝕刻來進行。
            接下來，例如通過等離子CVD法，在下部電極膜611上形成由氮化硅膜等構成的電容膜612(步驟S5)。在未形成下部電極膜611的區域(開口616的內側等)，在絕緣膜88的表面將形成電容膜612。接著，在該電容膜612之上形成上部電極膜613(步驟S6)。上部電極膜613例如由鋁膜構成，能通過濺射法來形成。其膜厚可設為左右。接著，在上部電極膜613的表面，通過光刻來形成與上部電極膜613的最終形狀對應的抗蝕圖案(步驟S7)。通過以該抗蝕圖案為掩模的蝕刻，將上部電極膜613圖案化為最終形狀(參照圖48等)(步驟S8)。由此，上部電極膜613被整形為如下圖案：在電容器電極區域613A具有多個電極膜部分731～739，在熔斷器區域613C具有多個熔斷器組件87，并具有與這些熔斷器組件87連接的焊盤區域613B，且在焊盤區域613B具有電極膜部分740。用于上部電極膜613的圖案化的蝕刻既可以通過利用了磷酸等的蝕刻液的濕式蝕刻來進行，也可以通過反應性離子蝕刻來進行。在此，由于能將上部電極膜613的電極膜部分731～740與熔斷器組件87以相同的導電性材料的膜來形成，因此能將它們從同一膜進行圖案化來形成。由此，制造工序變得簡單。
            其后，將檢查用探頭推到上部電極膜613的焊盤區域613B和下部電極膜611的焊盤區域611C，來測量多個電容器元件C0～C9的總電容值(步驟S9)。基于該測量出的總電容值，對應于作為目的的芯片電容器81的電容值，來選擇要隔出的電容器元件，即要切斷的熔斷器(步驟S10)。
            接著，如圖53A所示，在基板82上的整面例如形成由氮化膜構成的覆蓋膜626(步驟S11)。該覆蓋膜626的形成可以通過等離子CVD法來進行，例如可以形成膜厚左右的氮化硅膜。覆蓋膜626覆蓋經圖案化的上部電極膜613，在未形成上部電極膜613的區域覆蓋電容膜612。覆蓋膜626將在熔斷器區域613C覆蓋熔斷器組件87。
            從該狀態起，進行用于熔斷熔斷器組件87的激光微調(步驟S12)。即，如圖53B所示，對構成根據所述總電容值的測量結果而選擇出的熔斷器的熔斷器組件87投射激光627，來熔斷該熔斷器組件87的幅窄部87C。由此，對應的電容器元件被從焊盤區域613B隔出。在對熔斷器組件87投射激光627時，基于覆蓋膜626的作用，在熔斷器組件87的附近蓄積激光627的能量，由此來熔斷熔斷器組件87。由此，能使芯片電容器81的電容值可靠地成為目的的電容值。
            在此，如前所述，下部電極膜611形成于避開了熔斷器組件87的正下方的區域(開口616)的區域。故而，在通過激光627來切斷熔斷器組件87的情況下，即使基于切斷而產生的碎片到達了熔斷器組件87的正下方的區域，在該區域也不存在下部電極膜611。因此，能避免因該碎片而造成在上部電極膜部613與下部電極膜611之間發生短路或對下部電極膜611造成腐蝕這樣的不良狀況。另外，由于下部電極膜611形成于避開了熔斷器組件87的正下方的區域(被照射激光的區域)的區域，因此在切斷熔斷器組件87之際，還能避免下部電極膜611也被切斷從而下部電極膜611受損這樣的不良狀況。
            接下來，如圖53C所示，例如通過等離子CVD法，來使氮化硅膜沉積于覆蓋膜626上，形成鈍化膜89(步驟S13)。前述的覆蓋膜626在最終形態下，與鈍化膜89一體化，構成該鈍化膜89的一部分。在熔斷器的切斷后所形成的鈍化膜89進入到在熔斷器熔斷時同時被破壞了的覆蓋膜626的開口內，覆蓋熔斷器組件87的切斷面來進行保護。因此，鈍化膜89能防止在熔斷器組件87的切斷處進入異物或浸入水分。由此，能制造可靠性高的芯片電容器81。鈍化膜89整體上例如可以形成為具有左右的膜厚。
            接下來，在鈍化膜89上形成在要形成第1以及第2外部電極83，84的位置上具有貫通孔的抗蝕圖案(步驟S14)。以該抗蝕圖案為掩模來進行鈍化膜89的蝕刻。由此，將形成使下部電極膜611在焊盤區域611C露出的焊盤開口；以及使上部電極膜613在焊盤區域613B露出的焊盤開口(步驟S15)。鈍化膜89的蝕刻可以通過反應性離子蝕刻來進行。在鈍化膜89的蝕刻之際，同樣由氮化膜形成的電容膜612也將開口，由此，下部電極膜611的焊盤區域611C將露出。
            接著，對整面涂敷樹脂膜(步驟S16)。作為樹脂膜，例如使用感光性的聚酰亞胺的涂敷膜。通過對于該樹脂膜，進行針對與所述焊盤開口對應的區域的曝光工序、以及其后的顯影工序，從而能進行基于光刻的樹脂膜的圖案化(步驟S17)。由此，形成將樹脂膜610以及鈍化膜89貫通了的焊盤開口621，622。其后，執行用于對樹脂膜進行硬化的熱處理(固化處理)(步驟S18)，進而，在焊盤開口621，622內，例如通過無電解鍍覆法，來使第1外部電極83以及第2外部電極84生長(步驟S19)。如此，得到圖48等所示的構造的芯片電容器81。
            在利用了光刻工序的上部電極膜613的圖案化中，能精度良好地形成微小面積的電極膜部分731～740，進而能形成精細的圖案的熔斷器組件87。而且，在上部電極膜613的圖案化之后，經過總電容值的測量，來決定要切斷的熔斷器。通過對該決定出的熔斷器進行切斷，能得到準確地契合至期望的電容值的芯片電容器81。
            另外，在該芯片電容器81中，通過將第2外部電極84的正下方也作為有效電容區來進行利用，從而不易受第2外部電極84與基板82之間的寄生電容的影響，能提供精度更高的芯片電容器81。圖54是用于說明第5參考例的第2實施方式所涉及的芯片電容器631的構成的俯視圖。在圖54中，對與前述的圖48所示的各部對應的部分賦予同一參照標號來表示。
            在前述的第1實施方式中，上部電極膜613的電容器電極區域613A各自被分割為帶狀的電極膜部分731～739。在此情況下，如圖48所示，會在電容器配置區域85內產生不能作為電容器元件利用的區域，從而不能有效地活用小的基板82上的受限的區域。為此，在圖54所示的實施方式中，多個電極膜部分731～739被分割為L字形的電極膜部分741～749。由此，例如，圖54的構成中的電極膜部分749能以圖48的構成的電極膜部分739的1.5倍的面積與下部電極膜611對置。由此，在圖48的第1實施方式中，若設與電極膜部分739對應的電容器元件C9具有4pF的電容，則通過使用本實施方式中的電極膜部分749，電容器元件C9能具有6pF的電容。由此，能對電容器配置區域85內有效活用，以更寬的范圍來設定芯片電容器81的電容值。
            本實施方式所涉及的芯片電容器631的制造工序與圖52所示的工序實質上相同。但在上部電極膜613的圖案化(步驟S7，S8)中，電容器電極區域613A被分割為圖54所示的形狀的多個電極膜部分741～749。圖55是用于說明第5參考例的第3實施方式所涉及的芯片電容器641的構成的分解立體圖，與在前述的第1實施方式的說明中用到的圖50同樣地表現了芯片電容器641的各部。
            在第1實施方式中，下部電極膜611具有由跨電容器配置區域85的大致全域的連續圖案構成的第1電容器電極區域611A以及第2電容器電極區域611B，上部電極膜613的電容器電極區域613A被分割為多個電極膜部分731～739(參照圖50)。與此相對，在該第3實施方式中，上部電極膜613的電容器電極區域613A以及焊盤區域613B形成為跨電容器配置區域85的大致全域而連續的連續膜圖案，另一方面，下部電極膜611的電容器電極區域611A以及第2電容器電極區域611B被分割為多個電極膜部分751～759。電極膜部分751～759既可以形成為與第1實施方式中的電極膜部分731～739同樣的形狀以及面積比，也可以形成為與第2實施方式中的電極膜部分741～749同樣的形狀以及面積比。而且，電極膜部分751～759當中的至少任一者(在圖55中僅為電極膜部分759)在第2電容器電極區域611B延伸至第2外部電極84的正下方。如此，由電極膜部分751～759、電容膜612、以及上部電極膜613來構成了多個電容器元件。該多個電容器元件的至少一部分構成了電容值不同的(例如各電容值被設定為呈等比數列)電容器元件群。電極膜部分751～759依次構成了電容器元件C1～C9。圖55的電極膜部分759折彎成L字形，跨第2電容器配置區域85B的全域地形成。故而，能使電容器元件C9的電容值比電容器元件C8的電容值大，例如設為2倍。由此，與電容器元件C8，9的電容值相同的第1實施方式(參照圖48)不同，全部的電容器元件C1～C9的電容值能設定為呈等比數列。
            下部電極膜611進而在第1電容器電極區域611A與焊盤區域611C之間具有熔斷器區域611D。在熔斷器區域611D，與第1實施方式的熔斷器組件87同樣的多個熔斷器組件647沿焊盤區域611C而排列成一列。各電極膜部分751～759經由一個或多個熔斷器組件647與焊盤區域611Cに連接。
            基于這樣的構成，電極膜部分751～759也以彼此不同的對置面積與上部電極膜613對置，它們通過切斷熔斷器組件647而能分個隔出。因此，得到與第1實施方式的情況同樣的效果。尤其是，通過形成為使多個電極膜部分751～759的至少一部分以被設定為呈公比為2的等比數列的對置面積來與上部電極膜613對置，從而與第1實施方式的情況同樣地，能提供以高精度契合至需要的電容值的芯片電容器。
            本實施方式所涉及的芯片電容器641的制造工序與圖52所示的工序實質上相同。但在下部電極膜611的圖案化(步驟S3，S4)中，第1電容器電極區域611A以及第2電容器電極區域611B被分割為電極膜部分751～759，且在熔斷器區域611D將形成多個熔斷器組件647。另外，在上部電極膜613的圖案化(步驟S7，S8)中，不進行多個電極膜部分的形成，也不進行熔斷器組件的形成。但上部電極膜613被圖案化為俯視下與各熔斷器組件647不重疊。進而，在激光微調(步驟S12)中，通過激光來切斷形成于下部電極膜611的熔斷器組件647。在激光微調之際，下部電極膜611被電容膜612覆蓋，因此能將該電容膜612用作用于蓄積激光的能量的覆蓋膜。因此，可以將在前緊挨激光微調的覆蓋膜的形成進行省略(步驟S11)。如前所述，上部電極膜613在俯視下與各熔斷器組件647不重疊，因此上部電極膜613不會基于激光微調而被切斷。
            盡管以上針對第5參考例的實施方式進行了說明，但第5參考例還能以其他的形態來實施。例如，盡管在前述的實施方式中示出了上部電極膜以及下部電極膜當中的一者被分割為多個電極膜的構成，但上部電極膜以及下部電極膜兩者也可以均被分割為多個電極膜部分。進而，盡管在前述的實施方式中示出了上部電極膜或下部電極膜與熔斷器組件一體化的例子，但也可以是由與上部電極膜或下部電極膜不同的導體膜來形成熔斷器組件。進而，盡管在前述的實施方式中示出了包括多個電容器元件具有呈公比r(0＜r，r≠1)＝2的等比數列的電容值的多個電容器元件的例子，但該等比數列的公比也可以是2以外的數。另外，盡管在前述的實施方式中示出了在基板82的表面形成有絕緣膜88，但只要基板82是絕緣性的基板，就還能省略絕緣膜88。另外，可以使用導電性基板來作為基板82，使用該導電性基板作為下部電極，按照與導電性基板的表面相接的方式來形成電容膜612。在此情況下，可以從導電性基板的背面引出一者的外部電極。
            此外，能在所述(1)第5參考例所涉及的發明的特征中所記載的事項的范圍內實施各種設計變更。例如，將在各特征E1～E22中未確定的制造的工序進行變更、省去、追加后的技術，也包含在第5參考例的范圍內。
            標號說明
            C1～C19 電容器元件
            C21～C29 電容器元件
            C31～C34 電容器元件
            F1～F9 熔斷器
            F11～F19 熔斷器
            F21～F24 熔斷器
            1 芯片電容器
            2 基板
            2A 主面
            3 第1外部電極
            4 第2外部電極
            7 熔斷器組件
            9 鈍化膜
            10 樹脂膜
            11 第1電極膜
            12 第1電容膜
            13 第2電極膜
            131～139 電極膜部分
            141～149 電極膜部分
            151～159 電極膜部分
            16 第3電極膜
            17 第2電容膜
            181～184 電極膜部分
            25 芯片電容器
            26 芯片電容器
            27 熔斷器組件
            28 熔斷器組件
            
                        
            
                        
            
                        
            
                            
                        
            

                        
                            
                    
            
                    
            當前第1頁1 2 3 
            
                    


                     
                        
                        
                    

                
            

                
                
            
                    
            
                        網友詢問留言
                        已有0條留言
                    
            
                    
            
                        
            
                            
                            
              

                                								

						

            • 還沒有人留言評論。精彩留言會獲得點贊！
              • 


                            
            
                        
            
                        
            
                         1 
                    
            
                        
                        
            
                            
            
                              
                            
            
                            
                        
            
                    
            
                
            
            
            
            
            
                
                     
            
            
          
            
      
            
    
            
      

        

  
婷婷六月激情在线综合激情,亚洲国产大片,久久中文字幕综合婷婷,精品久久久久久中文字幕,亚洲一区二区三区高清不卡,99国产精品热久久久久久夜夜嗨
,欧美日韩亚洲综合在线一区二区,99国产精品电影,伊人精品线视天天综合,精品伊人久久久大香线蕉欧美

            

亚洲精品1区
国产成人一级
91精品国产欧美一区二区
亚洲精品乱码久久久久久下载
国产精品久久久久久久伊一
九色国产
国产精品九九视频
伊人久久成人爱综合网
欧美日韩亚洲区久久综合
欧美日本一道免费一区三区
夜夜爽一区二区三区精品
欧美日韩高清一区二区三区
国产成人av在线
国产精品对白交换绿帽视频
国产视频亚洲
国产在线欧美精品
国产精品综合网
国产日韩精品欧美一区色
国产日韩精品欧美一区喷
欧美日韩在线观看区一二
国产区精品
欧美视频日韩视频
中文字幕天天躁日日躁狠狠躁97
视频一二三区
欧美高清在线精品一区二区不卡
国产精品揄拍一区二区久久
99久久综合狠狠综合久久aⅴ
亚洲乱码视频在线观看
日韩在线第二页
亚洲精品无码专区在线播放
成人亚洲网站www在线观看
欧美三级一区二区
99久久精品免费看国产高清
91麻豆国产在线观看
最新日韩欧美不卡一二三区
成人在线观看不卡
日韩国产在线
在线亚洲精品
亚洲午夜久久久久中文字幕
国产精品成人久久久久久久
精品国产一区二区在线观看
欧美精品国产一区二区三区
中文在线播放
亚洲第一页在线视频
国产午夜精品福利久久
九色国产
精品国产九九
国产永久视频
久久精品人人做人人综合试看
国产一区二区三区免费观看
亚洲精品国产电影
9999热视频
国产精品资源在线
麻豆久久婷婷国产综合五月
国产精品免费一级在线观看
亚洲国产一区二区三区青草影视
中文在线播放
国产成人综合在线
国产在线观看色
国产亚洲三级
国产片一区二区三区
久久99精品久久久久久牛牛影视
亚洲欧美日韩国产
四虎永久免费网站
国产一毛片
国产精品视频在
九九热在线精品
99精品福利视频
色婷婷色99国产综合精品
97成人精品视频在线播放
精品久久久久久中文字幕
亚洲欧美一区二区三区孕妇
亚洲欧美成人网
日韩高清在线二区
国产尤物在线观看
在线不卡一区二区
91网站在线看
韩国精品福利一区二区
欧美日韩国产成人精品
99热精品久久
国产精品免费视频一区
高清视频一区
精品九九久久
欧美日韩在线观看免费
91欧美激情一区二区三区成人
99福利视频
亚洲国产精品91
久热国产在线
精品久久久久久中文字幕女
国产精品久久久久久久久99热
成人自拍视频网
国产精品视频久久久久久
久久影院国产
国产玖玖在线观看
99精品在线免费
亚洲欧美一区二区三区导航
久久久久久久综合
国产欧美日韩精品高清二区综合区
国产精品视频自拍
亚洲一级片免费
久久久久久九九
国产欧美自拍视频
视频一区二区在线观看
欧美日韩一区二区三区久久
中文在线亚洲
伊人热人久久中文字幕
日韩欧美亚洲国产一区二区三区
欧美亚洲国产成人高清在线
欧美日韩国产码高清综合人成
国产性大片免费播放网站
亚洲午夜综合网
91精品久久一区二区三区
国产无套在线播放
国产精品视频网站
国产成人亚洲精品老王
91在线网站
国产视频97
欧美黑人欧美精品刺激
国产一区二区三区免费在线视频
久久久国产精品免费看
99re6久精品国产首页
久久精品91
国产成人一级
国产成人精品曰本亚洲
日本福利在线观看
伊人成综合网
久久综合一本
国产综合久久久久久
久久精品成人免费看
久久福利
91精品国产91久久久久久麻豆
亚洲精品成人在线
亚洲伊人久久精品
欧美日本二区
国产永久视频
国产一区二
一区二区福利
国产一毛片
亚洲精品1区
毛片一区二区三区
伊人久久大香线蕉综合影
国产欧美在线观看一区
亚洲国产欧洲综合997久久
国产一区二区免费视频
国产91精品对白露脸全集观看
久久亚洲国产伦理
欧美成人伊人久久综合网
亚洲性久久久影院
久久99国产精一区二区三区!
91精品国产欧美一区二区
欧美日韩亚洲区久久综合
日韩精品一二三区
久久久夜色精品国产噜噜
国产在线精品福利91香蕉
久久久久久久亚洲精品
97se色综合一区二区二区
91国语精品自产拍在线观看性色
91久久国产综合精品女同我
日韩中文字幕a
国产成人亚洲日本精品
久久国产精品-国产精品
久久国产经典视频
久久国产精品伦理
亚洲第一页在线视频
国产精品久久久久三级
日韩毛片网
久久免费高清视频
麻豆国产在线观看一区二区
91麻豆国产福利在线观看
国产成人精品男人的天堂538
一区二区三区中文字幕
免费在线视频一区
欧美日韩国产成人精品
国产综合网站
国产资源免费观看
亚洲精品亚洲人成在线播放
精品久久久久久中文字幕专区
亚洲人成人毛片无遮挡
国产一起色一起爱
国产香蕉精品视频在
九九热免费观看
日韩亚洲欧美一区
九九热精品在线观看
精品久久久久久中文字幕专区
亚洲欧美自拍偷拍
国产精品每日更新
久久久久国产一级毛片高清板
久久天天躁狠狠躁夜夜中文字幕
久久精品片
日韩在线毛片
国产成人精品本亚洲
国产成人精品一区二区三区
九九热在线观看
国产r级在线观看
国产欧美日韩精品高清二区综合区
韩国电影一区二区
国产精品毛片va一区二区三区
五月婷婷伊人网
久久一区二区三区免费
一本色道久久综合狠狠躁篇
亚洲综合色站
国产尤物在线观看
亚洲一区亚洲二区
免费在线视频一区
欧洲精品视频在线观看
日韩中文字幕a
中文字幕日本在线mv视频精品
91精品在线免费视频
精品国产免费人成在线观看
精品a级片
中文字幕日本在线mv视频精品
日韩在线精品视频
婷婷丁香色
91精品国产高清久久久久
国产成人精品日本亚洲直接
五月综合视频
欧美日韩在线亚洲国产人
精液呈暗黄色
亚洲乱码一区
久久精品中文字幕不卡一二区
亚洲天堂精品在线
激情婷婷综合
国产免费久久精品久久久
国产精品亚洲二区在线
久久免费播放视频
五月婷婷丁香综合
在线亚洲欧美日韩
久久免费精品高清麻豆
精品久久久久久中文字幕
亚洲一区网站
国产精品福利社
日韩中文字幕免费
亚洲综合丝袜
91精品在线播放
国产精品18
亚洲日日夜夜
伊人久久大香线蕉综合影
亚洲精品中文字幕乱码影院
亚洲一区二区黄色
亚洲第一页在线视频
一区二区在线观看视频
国产成人福利精品视频
亚洲高清二区
国内成人免费视频
精品亚洲性xxx久久久
国产精品合集一区二区三区
97av免费视频
国产一起色一起爱
国产区久久
国产资源免费观看
99精品视频免费
国产成人一级
国产精品九九免费视频
欧美91精品久久久久网免费
99热国产免费
久久精品色
98精品国产综合久久
久久精品播放
中文字幕视频免费
国产欧美日韩一区二区三区在线
精品久久蜜桃
国产小视频精品
一本色道久久综合狠狠躁篇
91在线免费观看
亚洲精品区
伊人成综合网
伊人热人久久中文字幕
伊人黄色片
99国产精品热久久久久久夜夜嗨
久久免费精品视频
亚洲一区二区三区高清不卡
久久久久国产一级毛片高清板
国产片一区二区三区
久久狠狠干
99久久婷婷国产综合精品电影
国产99区
国产精品成人久久久久
久久狠狠干
青青国产在线观看
亚洲高清国产拍精品影院
国产精品一区二区av
九九热在线免费视频
伊人久久国产
国产精品久久久久久久久久一区
在线观看免费视频一区
国产精品自在在线午夜区app
国产精品综合色区在线观看
国产毛片久久久久久国产毛片
97国产免费全部免费观看
国产精品每日更新
国产尤物视频在线
九九视频这里只有精品99
一本一道久久a久久精品综合
久久综合给会久久狠狠狠
国产成人精品男人的天堂538
欧美一区二区高清
毛片一区二区三区
国产欧美日韩在线观看一区二区三区
在线国产二区
欧美不卡网
91在线精品中文字幕
在线国产福利
国内精品91久久久久
91亚洲福利
日韩欧美国产中文字幕
91久久精品国产性色也91久久
亚洲性久久久影院
欧美精品1区
国产热re99久久6国产精品
九九热免费观看
国产精品欧美日韩
久久久久国产一级毛片高清板
久久国产经典视频
日韩欧美亚洲国产一区二区三区
欧美亚洲综合另类在线观看
国产精品自在在线午夜区app
97中文字幕在线观看
视频一二三区
精品国产一区在线观看
国产欧美日韩在线一区二区不卡
欧美一区二三区
伊人成人在线观看
国内精品91久久久久
97在线亚洲
国产在线不卡一区
久久久全免费全集一级全黄片
国产精品v欧美精品∨日韩
亚洲毛片网站
在线不卡一区二区
99re热在线视频
久久激情网
国产毛片一区二区三区精品
久久亚洲综合色
中文字幕视频免费
国产视频亚洲
婷婷伊人久久
国产一区二区免费播放
久久99国产精品成人欧美
99国产在线视频
国产成人免费视频精品一区二区
国产不卡一区二区三区免费视
国产码欧美日韩高清综合一区
久久精品国产主播一区二区
国产一区电影
久久精品国产夜色
国产精品国产三级国产
日韩一区二区三区在线
久久97久久97精品免视看
久久国产免费一区二区三区
伊人久久大香线蕉综合电影网
99re6久精品国产首页
久久激情网
亚洲成人高清在线
国产精品网址
国产成人精品男人的天堂538
香蕉国产综合久久猫咪
国产专区中文字幕
91麻豆精品国产高清在线
久久国产经典视频
国产精品成人va在线观看
国产精品爱啪在线线免费观看
日本精品久久久久久久久免费
亚洲综合一区二区三区
久久五月网
精品国产网红福利在线观看
久久综合亚洲伊人色
亚洲国产精品久久久久久网站
在线日韩国产
99国产精品热久久久久久夜夜嗨
国产综合精品在线
国产区福利
精品亚洲综合久久中文字幕
国产制服丝袜在线
毛片在线播放网站
在线观看免费视频一区
国产精品久久久精品三级
亚洲国产电影在线观看
最新日韩欧美不卡一二三区
狠狠综合久久综合鬼色
日本精品1在线区
国产日韩一区二区三区在线播放
欧美日韩精品在线播放
亚洲欧美日韩国产一区二区三区精品
久久综合久久网
婷婷六月激情在线综合激情
亚洲乱码一区
国产专区91
97av视频在线观看
精品久久久久久中文字幕
久久五月视频
国产成人福利精品视频
国产精品网址
中文字幕视频在线
精品一区二区三区免费视频
伊人手机在线视频
亚洲精品中文字幕乱码
国产在线视频www色
色噜噜国产精品视频一区二区
精品亚洲成a人在线观看
国产香蕉尹人综合在线
成人免费一区二区三区在线观看
国产不卡一区二区三区免费视
欧美精品久久天天躁
国产专区中文字幕
久久精品国产免费中文
久久精品国产免费一区
久久无码精品一区二区三区
国产欧美另类久久久精品免费
欧美精品久久天天躁
亚洲精品在线视频
国产视频91在线
91精品福利一区二区三区野战
日韩中文字幕免费
国产精品99一区二区三区
欧美成人高清性色生活
国产精品系列在线观看
亚洲国产福利精品一区二区
国产成人在线小视频
国产精品久久久久免费
99re热在线视频
久久久久久久综合
一区二区国产在线播放
成人国产在线视频
亚洲精品乱码久久久久
欧美日韩一区二区综合
精品久久久久免费极品大片
中文字幕视频二区
激情粉嫩精品国产尤物
国产成人精品一区二区视频
久久精品中文字幕首页
亚洲高清在线
国产精品亚洲一区二区三区
伊人久久艹
中文在线亚洲
国产精品一区二区在线播放
国产精品九九免费视频
亚洲二区在线播放
亚洲狠狠婷婷综合久久久久网站
亚洲欧美日韩网站
日韩成人精品
亚洲国产一区二区三区青草影视
91精品国产福利在线观看
国产精品久久久久久久久99热
国产一区二区精品尤物
久碰香蕉精品视频在线观看
亚洲日日夜夜
在线不卡一区二区
国产午夜亚洲精品
九九热在线视频观看这里只有精品
伊人手机在线视频
91免费国产精品
日韩欧美中字
91精品国产91久久久久
国产全黄三级播放
视频一区二区三区免费观看
国产开裆丝袜高跟在线观看
国产成人欧美
激情综合丝袜美女一区二区
国产成人亚洲综合无
欧美精品一区二区三区免费观看
欧美亚洲国产日韩
日韩亚州
国产欧美日韩精品高清二区综合区
亚洲午夜国产片在线观看
精品久久久久久中文字幕
欧美精品1区
久久伊人久久亚洲综合
亚洲欧美日韩精品
国产成人精品久久亚洲高清不卡
久久福利影视
国产精品99精品久久免费
久久久久免费精品视频
国产日产亚洲精品
亚洲国产午夜电影在线入口
精品无码一区在线观看
午夜国产精品视频
亚洲一级片免费
伊人久久大香线蕉综合影
国产精品久久影院
久碰香蕉精品视频在线观看
www.欧美精品
在线小视频国产
亚洲国产天堂久久综合图区
欧美一区二区三区不卡
日韩美女福利视频
九九精品免视频国产成人
不卡国产00高中生在线视频
亚洲第一页在线视频
欧美日韩在线播放成人
99re视频这里只有精品
国产精品91在线
精品乱码一区二区三区在线
国产区久久
91麻豆精品国产自产在线观看一区
日韩精品成人在线
九九热在线观看
国产精品久久不卡日韩美女
欧美一区二区三区综合色视频
欧美精品免费一区欧美久久优播
国产精品网址
国产专区中文字幕
国产精品欧美亚洲韩国日本久久
日韩美香港a一级毛片
久久精品123
欧美一区二区三区免费看
99r在线视频
亚洲精品国产字幕久久vr
国产综合激情在线亚洲第一页
91免费国产精品
日韩免费小视频
亚洲国产精品综合一区在线
国产亚洲第一伦理第一区
在线亚洲精品
国产精品一区二区制服丝袜
国产在线成人精品
九九精品免视频国产成人
亚洲国产网
欧美日韩亚洲一区二区三区在线观看
在线亚洲精品
欧美一区二区三区高清视频
国产成人精品男人的天堂538
欧美日韩在线观看区一二
亚洲欧美一区二区久久
久久精品中文字幕首页
日本高清www午夜视频
久久精品国产免费
久久999精品
亚洲国产精品欧美综合
88国产精品视频一区二区三区
91久久偷偷做嫩草影院免费看
国产精品夜色视频一区二区
欧美日韩导航
国产成人啪精品午夜在线播放
一区二区视频在线免费观看
99久久精品国产自免费
精液呈暗黄色
久久99国产精品
日本精品久久久久久久久免费
精品国产97在线观看
99re视频这里只有精品
国产视频91在线
999av视频
亚洲美女视频一区二区三区
久久97久久97精品免视看
亚洲国产成人久久三区
99久久亚洲国产高清观看
日韩毛片在线视频
综合激情在线
91福利一区二区在线观看
一区二区视频在线免费观看
激情粉嫩精品国产尤物
国产成人精品曰本亚洲78
国产成人精品本亚洲
国产精品成人免费视频
国产成人啪精品视频免费软件
久久精品国产亚洲妲己影院
国产精品成人久久久久久久
久久大香线蕉综合爱
欧美一区二区三区高清视频
99热国产免费
在线观看欧美国产
91精品视频在线播放
国产精品福利社
欧美精品一区二区三区免费观看
国产一区二区免费视频
国产午夜精品一区二区
精品视频在线观看97
91精品福利久久久
国产一区福利
国产综合激情在线亚洲第一页
国产精品久久久久久久久久久不卡
九色国产
在线日韩国产
黄网在线观看
亚洲一区小说区中文字幕
中文字幕丝袜
日本二区在线观看
日本国产一区在线观看
欧美日韩一区二区三区久久
欧美精品亚洲精品日韩专
国产日产亚洲精品
久久综合九色综合欧美播
亚洲国产欧美无圣光一区
欧美视频区
亚洲乱码视频在线观看
久久无码精品一区二区三区
九九热精品免费视频
久久99精品久久久久久牛牛影视
国产精品成久久久久三级
国产一区福利
午夜国产精品视频
日本二区在线观看
99久久网站
国产亚洲天堂
精品国产一区二区三区不卡
亚洲国产日韩在线一区
国产成人综合在线观看网站
久久免费高清视频
欧美在线导航
午夜精品久久久久久99热7777
欧美久久综合网
国产小视频精品
国产尤物在线观看
亚洲国产精品综合一区在线
欧美一区二区三区不卡视频
欧美黑人欧美精品刺激
日本福利在线观看
久久国产偷
国产手机精品一区二区
国产热re99久久6国产精品
国产高清啪啪
欧美亚洲国产成人高清在线
国产在线第三页
亚洲综合一区二区三区
99r在线视频
99精品久久久久久久婷婷
国产精品乱码免费一区二区
国产在线精品福利91香蕉
国产尤物视频在线
五月婷婷亚洲
中文字幕久久综合伊人
亚洲精品一级毛片
99国产精品电影
在线视频第一页
久久99国产精品成人欧美
国产白白视频在线观看2
成人精品一区二区www
亚洲成人网在线观看
麻豆91在线视频
色综合合久久天天综合绕视看
久久精品国产免费高清
国产不卡一区二区三区免费视
欧美国产中文
99精品欧美
九九在线精品
国产中文字幕在线免费观看
国产一区中文字幕在线观看
国产成人一级
国产精品一区二区制服丝袜
国产一起色一起爱
亚洲精品成人在线
亚洲欧美精品在线
国产欧美自拍视频
99精品久久久久久久婷婷
久99视频
国产热re99久久6国产精品
视频一区亚洲
国产精品视频分类
国产精品成在线观看
99re6久精品国产首页
亚洲在成人网在线看
亚洲国产日韩在线一区
久久国产三级
日韩国产欧美
欧美在线一区二区三区
国产精品美女一级在线观看
成人午夜免费福利视频
亚洲天堂精品在线
91精品国产手机
欧美日韩视频在线播放
狠狠综合久久综合鬼色
九一色视频
青青视频国产
亚洲欧美自拍一区
中文字幕天天躁日日躁狠狠躁97
日韩免费大片
996热视频
伊人成综合网
亚洲天堂欧美
日韩精品亚洲人成在线观看
久久综合给会久久狠狠狠
日韩精品亚洲人成在线观看
日韩国产欧美
亚洲成aⅴ人片在线影院八
亚洲精品1区
99久久精品免费
国产精品高清在线观看
国产精品久久久免费视频
在线亚洲欧美日韩
91在线看视频
国产精品96久久久久久久
欧美日韩国产成人精品
91在线亚洲
热久久亚洲
国产精品美女免费视频观看
日韩在线毛片
亚洲永久免费视频
九九免费在线视频
亚洲一区网站
日本高清二区视频久二区
精品国产美女福利在线
伊人久久艹
国产精品久久久久三级
欧美成人精品第一区二区三区
99久久精品国产自免费
在线观看日韩一区
国产中文字幕一区
成人免费午夜视频
欧美日韩另类在线
久久99国产精品成人欧美
色婷婷中文网
久久天天躁夜夜躁狠狠躁2020
欧美成人伊人久久综合网
国产精品福利资源在线
国产伦精品一区二区三区高清
国产精品亚洲综合色区韩国
亚洲一区欧美日韩
色综合视频
国语自产精品视频在线区
国产高清a
成人国内精品久久久久影
国产在线精品香蕉综合网一区
国产不卡在线看
国产成人精品精品欧美
国产欧美日韩综合精品一区二区三区
韩国电影一区二区
国产在线视频www色
91中文字幕在线一区
国产人成午夜免视频网站
亚洲综合一区二区三区
色综合视频一区二区观看
久久五月网
九九热精品在线观看
国产一区二区三区国产精品
99久热re在线精品996热视频
亚洲国产网
在线视频亚洲一区
日韩字幕一中文在线综合
国产高清一级毛片在线不卡
精品国产色在线
国产高清视频一区二区
精品日本久久久久久久久久
亚洲国产午夜精品乱码
成人免费国产gav视频在线
日韩欧美一区二区在线观看
欧美曰批人成在线观看
韩国电影一区二区
99re这里只有精品6
日韩精品一区二区三区视频
99re6久精品国产首页
亚洲欧美一区二区三区导航
欧美色图一区二区三区
午夜精品视频在线观看
欧美激情在线观看一区二区三区
亚洲热在线
成人国产精品一区二区网站
亚洲一级毛片在线播放
亚洲一区小说区中文字幕
亚洲午夜久久久久影院
国产自产v一区二区三区c
国产精品视频免费
久久调教视频
国产成人91激情在线播放
国产精品欧美亚洲韩国日本久久
久久亚洲日本不卡一区二区
91中文字幕网
成人国产在线视频
国产视频91在线
欧美成人精品第一区二区三区
国产精品福利在线
久久综合九色综合精品
欧美一区二区三区精品
久久国产综合尤物免费观看
久久99青青久久99久久
日韩精品免费
久久国产精品999
91亚洲视频在线观看
国产精品igao视频
色综合区
在线亚洲欧国产精品专区
国产一区二区三区在线观看视频
亚洲精品成人在线
一区二区国产在线播放
中文在线亚洲
亚洲精品第一国产综合野
国产一区二区精品久久
一区二区三区四区精品视频
99热精品久久
中文字幕视频二区
国产成人精品男人的天堂538
99精品影视
美女福利视频一区二区
久久午夜夜伦伦鲁鲁片
综合久久久久久久综合网
国产精品国产欧美综合一区
国产99视频在线观看
国产亚洲女在线精品
婷婷影院在线综合免费视频
国产亚洲3p一区二区三区
91成人爽a毛片一区二区
亚洲一区二区高清
国产欧美亚洲精品第二区首页
欧美日韩导航
亚洲高清二区
欧美激情观看一区二区久久
日韩毛片在线播放
亚洲欧美日韩高清中文在线
亚洲日本在线播放
国产精品一区二区制服丝袜
精品国产一区二区三区不卡
国产不卡在线看
国产欧美网站
四虎永久在线观看视频精品
国产黄色片在线观看
夜夜综合
一本色道久久综合狠狠躁篇
欧美亚洲综合另类在线观看
国产91在线看
伊人久久国产
欧美一区二区在线观看免费网站
国产精品久久久久三级
久久福利
日韩中文字幕a
亚洲午夜久久久久影院
91在线高清视频
国产亚洲一区二区三区啪
久久人精品
国产精品亚洲午夜一区二区三区
综合久久久久久
久久伊人一区二区三区四区
国产综合久久久久久
日韩一区精品视频在线看
国产精品日韩欧美制服
日本精品1在线区
99re视频
无码av免费一区二区三区试看
国产视频1区
日韩欧美中文字幕一区
日本高清中文字幕一区二区三区a
亚洲国产欧美无圣光一区
国产在线视频一区二区三区
欧美国产第一页
在线亚洲欧美日韩
日韩中文字幕第一页
在线不卡一区二区
伊人久久青青
国产精品一区二区在线播放
www.五月婷婷
麻豆久久婷婷国产综合五月
亚洲精品区
久久国产欧美另类久久久
99在线视频免费
伊人久久中文字幕久久cm
久久精品成人免费看
久久这里只有精品首页
88国产精品视频一区二区三区
中文字幕日本在线mv视频精品
国产在线精品成人一区二区三区
伊人精品线视天天综合
亚洲一区二区黄色
国产尤物视频在线
亚洲精品99久久久久中文字幕
国产一区二区三区免费观看
伊人久久大香线蕉综合电影网
国产成人精品区在线观看
日本精品一区二区三区视频
日韩高清在线二区
久久免费播放视频
一区二区成人国产精品
国产精品免费精品自在线观看
亚洲精品视频二区
麻豆国产精品有码在线观看
精品日本一区二区
亚洲欧洲久久
久久中文字幕综合婷婷
中文字幕视频在线
国产成人精品综合在线观看
91精品国产91久久久久福利
精液呈暗黄色
香蕉国产综合久久猫咪
国产专区精品
亚洲精品无码不卡
国产永久视频
亚洲成a人片在线播放观看国产
一区二区国产在线播放
亚洲一区二区黄色
欧美日韩在线观看视频
亚洲精品另类
久久国产综合尤物免费观看
国产一区二区三区国产精品
高清视频一区
国产精品igao视频
国产精品资源在线
久久综合精品国产一区二区三区
www.五月婷婷
精品色综合
99热国产免费
麻豆福利影院
亚洲伊人久久大香线蕉苏妲己
久久电影院久久国产
久久精品伊人
在线日韩理论午夜中文电影
亚洲国产欧洲综合997久久
伊人国产精品
久草国产精品
欧美一区精品二区三区
亚洲成人高清在线
91免费国产精品
日韩精品福利在线
国产一线在线观看
国产不卡在线看
久久99青青久久99久久
亚洲精品亚洲人成在线播放
99久久免费看国产精品
国产日本在线观看
青草国产在线视频
麻豆久久婷婷国产综合五月
国产中文字幕一区
91久久精品国产性色也91久久
国产一区a
国产欧美日韩成人
国产亚洲女在线精品
一区二区美女
中文字幕在线2021一区
在线小视频国产
久久这里只有精品首页
国产在线第三页
欧美日韩中文字幕
在线亚洲+欧美+日本专区
精品国产一区二区三区不卡
久久这里精品
欧美在线va在线播放
精液呈暗黄色
91精品国产手机
91在线免费播放
欧美视频亚洲色图
欧美国产日韩精品
日韩高清不卡在线
精品视频免费观看
欧美日韩一区二区三区四区
国产欧美亚洲精品第二区首页
亚洲韩精品欧美一区二区三区
国产精品视频免费
在线精品小视频
久久午夜夜伦伦鲁鲁片
国产无套在线播放
久热这里只精品99re8久
欧美久久久久
久久香蕉国产线看观看精品蕉
国产成人精品男人的天堂538
亚洲人成网站色7799在线观看
日韩在线第二页
一本色道久久综合狠狠躁篇
国产一区二区三区不卡在线观看
亚洲乱码在线
在线观看欧美国产
久久福利青草精品资源站免费
国产玖玖在线观看
在线亚洲精品
亚洲成aⅴ人在线观看
精品91在线
欧美一区二三区
日韩中文字幕视频在线
日本成人一区二区
日韩免费专区
国内精品在线观看视频
久久国产综合尤物免费观看
国产精品系列在线观看
一本一道久久a久久精品综合
亚洲免费播放
久久精品国产免费
久久人精品
亚洲毛片网站
亚洲成a人一区二区三区
韩国福利一区二区三区高清视频
亚洲精品天堂在线
一区二区三区中文字幕
亚洲国产色婷婷精品综合在线观看
亚洲国产成人久久笫一页
999国产视频
国产精品香港三级在线电影
欧美日韩一区二区三区四区
日韩国产欧美
国产精品99一区二区三区
午夜国产精品理论片久久影院
亚洲精品中文字幕麻豆
亚洲国产高清视频
久久免费手机视频
日韩a在线观看
五月婷婷亚洲
亚洲精品中文字幕麻豆
中文字幕丝袜
www国产精品
亚洲天堂精品在线
亚洲乱码一区
国产日韩欧美三级
久久999精品
伊人热人久久中文字幕
久热国产在线视频
国产欧美日韩在线观看一区二区三区
国产一二三区在线
日韩国产欧美
91精品国产91久久久久
亚洲一区小说区中文字幕
精品一区二区免费视频
国产精品视频免费
国产精品亚洲综合色区韩国
亚洲国产精品成人午夜在线观看
欧美国产日韩精品
中文字幕精品一区二区精品


            
色婷婷视频|
国产一区影视|
成人精品综合免费视频|
自拍欧美在线综合另类|
久久久久久久久中文字幕|
亚洲欧美二区三区久本道|
亚洲综合日韩精品欧美综合区
|
亚洲一区综合在线播放|
国产视频一二区|
精品一本久久中文字幕|
亚洲高清在线视频|
国产福利小视频在线播放|
国产精品免费大片|
91视频免费看|
国产精品一区二区三区在线观看|
精品欧美一区二区精品久久|
欧美国产高清欧美|
久久影视一区|
伊人久久国产精品|
91亚洲天堂|
亚洲天堂中文字幕在线观看|
国产成人精品日本亚洲11|
亚洲日本欧美日韩精品|
久热香蕉视频|
69久久夜色精品国产69小说|
91成人免费在线视频|
色综合色综合色综合|
99久久国产综合精品女不卡
|
欧美日韩综合网|
2021国产精品自产拍在线|
中文字幕一区二区区免|
国内精品伊人久久久久|
国产专区精品|
国产日韩欧美|
国产夫妻久久线观看|
亚洲国产欧美另类va在线观看|
综合欧美日韩|
91精品视频在线播放|
怡红院亚洲|
欧美视频一区二区三区精品|
国产欧美日韩看片片在线人成|
日韩亚洲欧美一区二区三区|
国产免费午夜|
国产在线拍|
四虎永久免费在线|
中文一区二区在线观看|
亚洲高清专区|
国产1区2区3区在线观看|
国产99欧美精品久久精品久久|
视频一区二区国产无限在线观看|
香蕉久久夜色精品国产尤物|
精品热久久|
亚洲国产人成在线观看|
91在线视频精品|
最新在线精品国自产拍网站|
午夜精品久久久久久|
国产精品久久久久免费a∨|
午夜成人免费视频|
日韩在线无|
日韩欧美精品中文字幕|
国产欧美亚洲另类第一页|
亚洲欧美日韩综合二区三区|
亚洲精品天堂自在久久77|
亚洲福利精品电影在线观看|
国产午夜在线观看|
亚洲精品成人在线|
99久久精品无码一区二区毛片|
无码一区二区三区视频|
亚洲一区视频在线播放|
亚洲精品美女久久久久网站|
国产日韩精品欧美一区色|
国内精品91久久久久|
国产精品一区二区三区免费|
国产精品成人va在线观看|
国产精品欧美久久久久天天影视|
日本在线视频www色|
国产综合91天堂亚洲国产|
在线五月婷婷|
欧美国产日本精品一区二区三区|
91福利一区二区三区|
亚洲精品一二三区|
国产精品喷水|
国产日韩一区二区|
亚洲精品不卡久久久久久|
精品国产区一区二区三区在线观看|
91亚洲最新精品|
99精品久久精品一区二区|
最新福利片v国产片|
五月婷婷综合色|
国产青草亚洲香蕉精品久久|
伊人国产在线视频|
国产污片在线观看|
最新日韩欧美不卡一二三区|
日韩精品一区二区三区视频网
|
久久精品99久久香蕉国产色戒|
香蕉久久久久久狠狠色|
国产精品美女在线观看|
97超频在线观看|
精品一区国产|
香蕉网在线视频|
久久精品re|
99国产精品免费视频观看|
五月婷婷之综合激情|
国产主播福利精品一区二区|
国产精品系列在线一区|
久久99久久精品久久久久久|
国产不卡网|
a亚洲欧美中文日韩在线v日本
|
久久久久亚洲精品成人网小说|
日本激情一区二区三区|
中文字幕在线看片|
久久久www免费人成看片|
国产精品一区久久|
中文字幕日韩专区|
欧美中文在线视频|
日韩精品免费一区二区|
免费视频88av在线|
国产成+人+综合+亚洲欧美|
国产精品亚洲精品日韩已满|
亚洲人成中文字幕在线观看|
精品在线一区二区三区|
国产999在线观看|
国产欧美在线观看精品一区二区|
亚洲人成在线播放网站岛国|
色丁香久久|
亚洲福利视频一区二区|
欧美激情综合亚洲一二区|
亚洲免费三级|
一区二区精品在线观看|
精品久久香蕉国产线看观看亚洲
|
丁香五月欧美成人|
中文字幕在线视频网|
日本亚洲网站|
亚洲人成电影院|
久久人精品|
中出在线|
国产91精品对白露脸全集观看
|
99久久99久久精品免观看|
欧美另类视频一区二区三区|
国产福利在线看|
国产日韩免费|
国产成人精品一区二三区|
亚洲国产天堂久久综合226|
亚洲天堂自拍|
中文字幕一区二区在线观看|
久久青草精品免费资源站|
久久性精品|
制服丝袜第一页在线|
欧美一级久久|
久久久综合视频|
亚洲日韩精品欧美一区二区一|
亚洲国产精品日韩在线观看|
婷婷丁香在线|
国产微拍精品一区|
国产国产人免费人成成免视频|
久久91av|
精品国产_亚洲人成在线高清|
国产不卡在线视频|
久久综合久久自在自线精品自|
国产在线不卡一区|
国产91在线|日韩|
激情综合网址|
久久女人天堂|
成人国产综合|
久久社区视频|
国产精品免费在线播放|
亚洲精品美女久久久久网站|
波多野结衣国产一区二区三区|
国产精品资源在线|
日韩免费毛片|
国产成人在线小视频|
麻豆国产精品有码在线观看|
99免费精品视频|
国产一区在线观看视频|
久久午夜视频|
乱码一区|
伊人久久婷婷|
在线观看亚洲成人|
五月香婷婷|
欧美日本一二三区|
国产精品日本不卡一区二区|
中文字幕在线一区二区三区|
久久亚洲欧美成人精品|
日韩欧美在线综合网高清|
亚洲伊人成综合人影院小说|
久操视频在线播放|
精品国产91在线网|
久久久久免费视频|
五月激情五月婷婷|
91福利视频网站|
欧美综合天天夜夜久久
|
日本中文字幕在线看|
91欧美精品激情在线观看|
欧美午夜视频一区二区三区|
久久精品亚洲综合一品|
久久999|
国产日韩欧美一区二区|
国产中文欧美|
国内精品视频在线|
91亚洲视频在线|
欧美亚洲国产精品蜜芽|
婷婷综合激情网|
欧美午夜在线视频|
99久久亚洲国产高清观看|
国产中文字幕视频在线观看|
国产区在线观看|
国产午夜久久影院|
91福利国产在线观看网站|
成年女人毛片免费播放人|
91精品视频免费在线观看|
国产在线播放91|
婷婷色中文|
日韩永久免费视频|
国产欧美二区三区|
亚洲高清综合|
久久99精品视免费看|
欧美日韩中文国产一区|
国产v片在线观看|
最新精品国偷自产在线91|
www久久精品|
国产成人精品亚洲日本在线|
亚洲午夜视频在线观看|
丝袜美腿亚洲一区二区图片|
亚洲五月综合|
99精品日韩|
国产一区亚洲|
九九热视频在线观看|
欧美精品1区2区|
久久综合爱|
亚洲精品**中文毛片|
国产一区2区|
亚洲国产二区三区|
国产一区在线播放|
国产视频福利一区|
尤物国产在线|
99视频精品在线|
亚洲天堂久久新|
日韩成人在线网站|
亚洲精品蜜桃久久久久久|
国产一区免费观看|
久久久国产精品va麻豆|
久久伊人免费视频|
亚洲日本欧美综合在线一|
亚洲第一页中文字幕|
波多野结衣中文字幕一区二区三区|
欧美精品在线免费观看|
精品亚洲一区二区|
亚洲首页国产精品丝袜|
久久久久久噜噜噜久久久精品|
九九热免费在线观看|
99久在线观看|
精品无码三级在线观看视频|
91av中文字幕|
成人中文字幕在线观看|
亚洲天堂男人网|
日韩久久久精品中文字幕|
欧美日韩亚洲精品国产色|
国产91久久久久久久免费|
91精品福利手机国产在线|
国产精品久久久久久|
精品无码一区在线观看|
伊人久久大香线蕉综合电影网|
丁香五月欧美成人|
日韩精品欧美在线|
91日本在线精品高清观看|
国产精品久久网|
久久激情网|
亚洲一区二区三区视频|
久久这里只有精品国产|
欧美成人一区二区三区在线电影
|
精品国产自在现线看久久|
国产精品国产三级国产专播下|
91久久国产综合精品女同我|
狠狠色婷婷综合天天久久丁香|
久久久久久一级毛片免费野外|
久草精品在线|
日韩欧美精品一区二区|
国产精品999在线|
99福利在线|
中文字幕高清在线|
国产不卡在线蜜|
国产在线不卡一区|
九九热精品在线视频|
亚洲精品国产专区91在线|
国产黄色激情视频|
国产欧美日韩中文久久|
欧美精品不卡|
亚洲精品视频在线观看免费|
国产午夜高清一区二区不卡|
91精品视频观看|
久久久久久久蜜桃|
久久免费视频网站|
在线观看精品自拍视频|
亚洲日韩欧美视频|
午夜视频网|
中文字幕66页|
久久国产精品1区2区3区网页|
亚洲欧美日韩综合精品网|
欧美色精品|
亚洲成人av|
精品一级毛片|
www亚洲免费|
国产免费一级在线观看|
四虎国产永久在线精品免费观看|
999精品视频|
亚洲欧美日韩中文字幕一区二区
|
99香蕉精品视频在线观看|
www.亚洲天堂.com|
中文字幕狠狠干|
日韩制服在线|
国产九九精品|
亚洲免费在线观看|
伊人久久大香线蕉综合亚洲|
亚洲一区免费|
99国产精品热久久久久久|
久久精品国产曰本波多野结衣|
国产一级毛片国产|
亚洲人成免费|
亚洲小视频在线播放|
麻豆成人免费视频|
欧美精品久久天天躁|
亚洲午夜久久久久中文字幕|
国产日产久久|
九九视频免费在线|
久久亚洲精品中文字幕|
久久国产网站|
97视频免费看|
亚洲人成毛片线播放|
久久久久久国产精品免费免|
国产亚洲综合精品一区二区三区|
亚洲精品在线视频|
日本不卡视频一区二区|
亚洲成人观看|
91av国产在线|
99精品视频在线播放2|
国产资源精品一区二区免费|
在线视频国产一区|
亚洲精品第一国产综合野|
一本色道久久99一综合|
久热中文|
91中文字幕在线|
久久精品视频免费播放|
国产尤物在线观看|
亚洲理论a中文字幕在线|
国产亚洲高清不卡在线观看|
91色老99久久九九爱精品|
亚洲精品在线网站|
久国产精品久久精品国产四虎
|
久久久久综合|
日本伊人色综合网|
91精品国产91久久久久久麻豆|
日韩精品999|
久久影院中文字幕|
久久精品2021国产|
国产区在线看|
精品一久久香蕉国产二月|
九九爱精品视频|
99热精品久久|
97在线|亚洲|
日韩欧美不卡视频|
亚洲婷婷综合网|
日韩欧美一区二区三区在线视频|
欧美日韩亚洲成色二本道三区|
亚洲日韩精品欧美一区二区一|
国产精品lululu在线观看|
久久午夜精品|
在线欧美一区|
亚洲热在线观看|
最新国产在线观看|
亚洲精品蜜桃久久久久久|
97视频免费在线观看|
在线播放精品一区二区啪视频|
亚洲国产欧美亚洲gif动图|
国产大伊香蕉精品视频|
欧洲亚洲一区|
91精品国产免费久久久久久青草|
久久国产经典视频|
国产成人亚洲精品蜜芽影院|
国产vr一区二区在线观看|
国产成人精品亚洲一区|
亚洲欧美偷拍视频|
永久网站色视频在线观看免费|
欧美日韩高清一区二区三区|
色婷婷影视|
99久久精品国产免费|
九九在线精品|
日韩精品首页|
国产成人久久一区二区三区|
国内精自视频品线六区免费|
久久精品这里只有精品|
欧美大色|
亚洲精品永久免费|
国产欧美va欧美va香蕉在线观看
|
国产在线干|
国产夫妻久久线观看|
精品无码三级在线观看视频|
国产丝袜久久|
在线观看精品国产福利片尤物|
九九精品视频在线观看九九|
久久久夜色精品国产噜噜|
国产日产久久|
在线一区观看|
成年女人毛片免费播放人|
亚洲乱码在线播放|
亚洲视频在线观|
日本a在线播放|
一本久久精品一区二区|
视频91在线|
久久精品视频8|
一区二区网站|
国产日韩欧美另类|
婷婷尹人香蕉久久天堂|
亚洲天堂男人网|
国产成+人+综合+欧美亚洲|
99久久成人国产精品免费|
国产在线99|
久久久久久精|
91精品欧美综合在线观看|
久久精品国产亚洲欧美|
亚洲国产成人久久精品hezyo|
在线观看视频一区二区|
欧美日韩中文字幕在线手机版本|
亚洲一区二区三区一品精|
91手机在线视频观看|
久久精品免费一区二区视|
91精品国产品国语在线不卡|
日韩一级精品视频在线观看|
国产精品久久久久电影|
亚洲一级二级三级|
最新69国产成人精品免费视频动漫
|
亚洲欧美一区二区三区另类|
欧美一二三区在线|
中文字幕成人在线|
亚洲黄色小说视频|
视频一区二区三区欧美日韩|
一区二区三区午夜|
国产精品青草久久|
福利一区福利二区|
狠狠躁夜夜躁人人爽天天3|
国产精品久久久久国产精品|
亚洲欧洲eeea在线观看|
亚洲人视频在线观看|
久久久久久91香蕉国产|
国产精品无码制服丝袜|
欧美va视频|
最新国产视频|
国产视频1区|
在线观看一区二区精品视频|
九九爱精品|
日韩亚洲一区二区三区|
国产91在线|日韩|
亚洲午夜视频在线观看|
亚洲国产精品一区二区三区久久|
伊人色综合久久天天爱|
国产精品亚洲一区二区麻|
日韩中文在线视频|
亚洲日本乱码在线观看|
久久国产欧美另类久久久|
97国产精品国产品国语字幕
|
四虎永久免费网站|
久久久久免费精品视频|
欧美另类在线视频|
久久乐国产综合亚洲精品|
国产乱在线观看视频|
久久网精品视频|
国产中文字幕免费|
亚洲视频在线免费看|
精品国产亚洲人成在线|
亚洲国产片高清在线观看|
国产成人综合在线|
亚洲国产综合久久精品|
亚洲一区二区影视|
久久精品国产400部免费看|
亚洲精品福利你懂|
韩国福利一区|
国产一区二区精品尤物|
91av官网|
亚洲精品理论电影在线观看|
欧美久久综合网|
亚洲欧美一区二区三区二厂|
国产特级毛片aaaaaa毛片|
在线观看国产麻豆|
亚洲a成人7777777久久|
亚洲一级理论片|
欧美日韩亚洲国产|
色妇色综合久久夜夜|
国产精品第1页在线观看|
天天操中文字幕|
亚洲三级一区|
国产一级毛片卡|
一区二三国产|
99国产精品九九视频免费看|
亚洲第一页综合|
中文字幕一区在线播放|
日本美女一区二区三区|
欧美亚洲国产一区二区|
欧美一级特黄视频|
99久久综合狠狠综合久久aⅴ|
国产乱人视频免费播放|
久久精品天天爽夜夜爽|
91精品国产调教在线观看|
国产在线综合视频|
中文在线视频|
亚洲国产日韩欧美|
亚洲成人精品久久|
久久久亚洲国产精品主播|
国产免费a级片|
91人成网站色www免费|
欧美不卡二区|
精品久久久久香蕉网|
五月婷婷中文|
乱码一区|
538国产在线|
国产日韩视频一区|
欧美日韩亚洲二区在线|
视频一区二区国产无限在线观看|
中文字幕日韩一区|
久久不卡精品|
亚洲激情成人|
91久久|
日韩一区二区三区电影在线观看|
久久狠狠干|
国产亚洲一区二区三区啪|
91精品中文字幕|
国产精品无码久久av|
久久国产三级|
国产一线在线观看|
视频二区国产|
亚洲日韩精品欧美一区二区|
国产一区二区免费视频|
精品久久久久久久一区二区手机版|
亚洲精品中文字幕无乱码麻豆|
日本在线免费观看|
亚洲狠狠婷婷综合久久久久网站|
亚洲国产成人精品久久|
国产日韩欧美综合在线|
亚洲人成7777|
久久99国产精品视频|
日本www在线|
精品国产中文字幕|
九九精品久久久久久噜噜中文|
亚洲精品第1页|
视频91在线|
亚洲综合婷婷|
日韩午夜高清福利片在线观看|
国产伦精品一区二区三区视频小说
|
日韩欧美色综合|
国产精品欧美一区二区|
亚洲欧美激情精品一区二区|
亚洲欧美国产日韩制服bt|
国产亚洲综合一区在线|
亚洲欧美人成综合导航|
狠狠色噜噜狠狠狠狠色综合网|
黄网在线观看网址入口|
亚洲丁香婷婷综合久久六月|
久久久久免费精品国产|
一二三区免费视频|
国产免费专区|
久久精品国产第一区二区|
国产在线播放一区|
亚洲一区不卡|
国产精品欧美一区二区三区不卡|
欧美精品一区视频|
国产精品不卡在线观看|
国产综合色在线视频区色吧图片|
99成人免费视频|
综合久青草视频|
伊人性伊人情综合网|
亚洲精品国产电影|
在线观看国产视频|
国产欧美综合在线观看第七页
|
国产一区中文字幕在线观看|
在线亚洲色图|
亚洲精品福利你懂|
国产精品一页|
国产污片在线观看|
亚洲欧美日本综合一区二区三区
|
婷婷中文在线|
欧美一区亚洲|
亚洲视频在线观看免费|
亚洲国产天堂久久综合|
国产日日夜夜|
国产精品久久久精品视频|
色综合综合|
久久99精品国产99久久|
成人国产亚洲|
中文字幕精品亚洲无线码二区|
日本在线www|
久久亚洲精品中文字幕二区|
青青草久久久|
四虎永久精品视频在线|
欧洲一区二区三区在线观看|
久久亚洲国产|
久久国产美女免费观看精品|
9久9久女女免费精品视频在线观看|
免费久久久久|
第一区免费在线观看|
夜色精品国产一区二区|
色综合免费视频|
国产精品视频偷伦精品视频|
亚洲欧洲日本国产|
久久国产三级|
国产人成午夜免视频网站|
国产原创91|
亚洲狠狠婷婷综合久久久久网站|
www.欧美精品|
国产三级国产精品国产普男人|
成人久久久久|
九色国产|
色综合色综合色综合|
国产成人精品日本亚洲11|
激情综合久久|
亚洲愉拍一区二区精品|
国产精品综合色区在线观看|
国产全黄三级播放|
国产成人乱码一区二区三区|
久久精品无遮挡一级毛片|
久久国产自偷自免费一区100|
一本一道久久综合狠狠老|
麻豆成人在线|
日韩中文欧美|
亚洲一级片免费|
国产视频97|
欧美亚洲国产日韩|
伊人久久大香线蕉综合亚洲|
日本伊人色综合网|
97r久久精品国产99国产精
|
色婷婷色婷婷|
伊人热久久|
日韩中文字幕网|
国产精品视频一区二区噜噜|
色中色综合网|
久久久久久国产精品视频|
国产一二三区视频|
亚洲一区中文字幕在线电影网|
久久精品re|
日本精品视频一区二区|
91伊人久久|
久久精品一本到99热免费|
国产福利在线观看第二区|
亚洲视频在线一区二区|
久久综合亚洲|
精品国产福利|
国产福利在线导航|
午夜精品亚洲|
亚洲福利网站|
中文字幕欧美在线|
日本一道本在线视频|
亚洲一欧洲中文字幕在线|
91久国产在线观看|
欧美日韩综合精品一区二区三区|
日韩a一级欧美一级|
国产一区福利|
日韩欧美一区二区久久黑人|
中文字幕在线免费观看视频|
一区二区三区精品|
国产v片免费播放|
综合久久综合久久|
综合色在线|
精品a级片|
久久综合九九亚洲一区|
欧美在线日韩在线|
亚洲欧美日韩另类|
亚洲日本欧美在线|
国产精品久久久久久久伊一|
91精品国产高清久久久久久io|
亚洲精品一二三|
99视频国产精品|
91精品国产免费青青碰在线观看|
久久亚洲欧美综合激情一区|
久热这里只有精|
国产欧美精品|
亚洲欧美视频一区|
久久综久久美利坚合众国|
在线亚洲色图|
久久久精品国产四虎影视|
久久精品亚洲综合一品|
国产成+人+综合+亚洲欧美|
久久天天躁狠狠躁夜夜不卡|
国产精品999|
国产在线麻豆精品|
免费网站成人亚洲|
四虎精品久久|
91久久精品一区二区|
欧美日韩精品高清一区二区|
91资源在线视频|
久久91精品国产91久久|
亚洲日韩精品欧美一区二区一|
国产成人一区免费观看|
亚洲欧美日韩国产综合|
欧美曰批人成在线观看|
久久国产精品-国产精品|
伊人干综合网|
亚洲精品网站在线|
国产综合一区|
日本一道本在线|
久久久精品2021免费观看|
精品国产91在线网|
91中文字幕网|
欧美日韩在线观看一区|
亚洲综合色站|
国产欧美亚洲精品第一页久久肉|
99精品一区二区免费视频|
中文国产欧美在线观看|
亚洲激情久久|
在线观看精品国产福利片87|
国产高清在线精品一区二区app|
国产丝袜不卡一区二区|
成人免费aa在线观看|
激情综合网址|
国产成人综合久久精品下载|
久久影院国产|
久草精品在线|
在线观看日韩一区|
国产亚洲美女精品久久久|
亚洲国产精品专区|
亚洲性视频在线|
色www永久免费视频|
丝袜诱惑一区二区|
日本久久99|
一区二区三区精品视频|
国产成人综合怡春院精品|
日韩在线一区二区三区|
99在线观看国产|
久久亚洲国产|
99久久精品99999久久|
国产区二区|
2022国产成人精品视频人|
国产精品第一页在线|
精品中文字幕不卡在线视频|
一级毛片免费看|
国产精品成人免费观看|
97成人精品视频在线播放|
99re6在线精品视频免费播放|
久久国产精品一区|
色综合久久久久久久久五月|
亚洲欧美日产综合在线看|
精品国产免费久久久久久婷婷
|
99久久精品国内|
亚洲精品系列|
欧美日韩亚洲综合在线一区二区
|
亚洲精品第五页中文字幕|
综合久久久|
亚洲天堂h|
日韩精品亚洲人成在线观看|
国产精品男人的天堂|
亚洲免费成人在线|
国产91电影|
欧美视频一区二区专区|
国产在线观看自拍|
精品国产91久久久久久久a|
精品一区二区三区在线|
日本在线视频一区二区|
日本香蕉一区二区在线观看|
免费国产成人18在线观看|
91精品国产调教在线观看|
99re在线精品视频|
亚洲视频一区在线播放|
精品视频一区二区三区四区|
欧美精品日韩|
婷婷丁香亚洲|
亚洲欧美在线视频免费|
99久热成人精品视频|
免费国产精品视频|
久久国内精品|
欧美日韩一区二区三区四区在线观看|
亚洲不卡视频在线|
99综合网|
8av国产精品爽爽ⅴa在线观看|
97国产精品视频观看一|
日韩精品免费观看|
亚洲成人第一页|
成人国产精品999视频|
黄色国产在线|
国产成人亚洲精品91专区高清|
91精品国产自产在线观看|
亚洲国产成人久久77|
欧美日韩中文字幕久久伊人|
99久久国产免费-99久久国产免费|
久久免费精品国产72精品剧情
|
欧美专区第一页|
亚洲精品国产成人99久久|
精品国产区一区二区三区在线观看
|
日本中文字幕在线精品|
欧美久久网|
亚色精品|
欧美国产日韩久久久|
久久精品国产一区二区|
久久精品123|
色综合视频一区二区观看|
国内精品在线视频|
这里只有精品免费视频|
欧美日本一道高清免费3区|
亚洲第一国产|
精精国产www视频在线观看免费|
国产精品久久久久久久久久久久久久|
永久免费毛片在线播放|
国产精品欧美日韩精品|
日韩h在线|
国产成人啪精品午夜在线观看|
亚洲成人一级|
国产免费久久精品|
亚洲国产精品第一区二区三区|
成人精品|
欧美综合自拍亚洲综合网
|
日本中文字幕永久在线|
亚洲精品无码不卡|
久久er热在这里只有精品85|
久久香蕉国产精品一区二区三|
国产一二三视频|
欧美视频一区|
欧美操片|
国产成人精品一区二区免费|
日韩在线二区全免费|
欧美在线香蕉在线现视频|
亚洲国产片高清在线观看|
精品性久久|
久久久久久久国产视频|
国产精品va免费视频|
精品久久久99大香线蕉|
91久久精品国产91性色tv|
久久99热不卡精品免费观看|
国产成人在线综合|
99久久国产视频|
亚洲视频欧美|
久久综合九色综合精品|
欧美精品国产一区二区三区|
亚洲欧美日韩精品久久亚洲区色播|
久久精品操|
99riav视频国产在线看|
国产婷婷成人久久av免费高清|
亚洲国产小视频|
伊人婷婷|
婷婷综合久久狠狠色99h|
国产99热在线观看|
免费国产成高清人在线视频|
成人中文在线|
日韩毛片在线免费观看|
久久这里只有精品2|
亚洲精品三区|
国产精品视频ccav|
亚洲精品视频在线观看视频|
五月婷综合网|
日韩精品成人a在线观看|
久久精品人人做人人综合试看
|
亚洲码在线观看|
在线亚洲欧美日韩|
91精品免费视频|
亚洲国产欧美在线|
国产成人综合网在线观看|
日韩欧美亚洲天堂|
欧美精品国产|
亚洲一区日本|
成人国产综合|
欧美黑人在线色天天久久|
免费视频国产|
天天色天天射综合网|
国产精品夜色视频一级区|
国产91页|
综合久久综合久久|
亚洲精品456|
精品亚洲成a人片在线观看下载
|
色综合久久久久久久久久久|
久久精品99|
九九热亚洲精品综合视频|
亚洲一区二区三区网站|
国产伦精品一区二区三区|
亚洲欧美综合另类|
精品一区二区三区在线观看|
亚洲一区精品在线|
国产在线观看成人|
日本青青草视频|
日韩丝袜亚洲国产欧美一区|
国产精品第7页|
亚洲成人在线免费观看|
欧美日韩国产亚洲一区二区|
亚洲欧美一区二区三区在线观看|
亚洲第一网站在线观看|
中文字幕视频在线|
国产在线导航|
99热这里只有精品国产免费|
九九精品视频一区二区三区|
久久国产综合精品欧美|
91麻豆国产精品91久久久|
亚洲天天干|
亚洲涩综合|
亚洲第一区视频|
国产精品欧美一区二区在线看|
国产女人久久精品|
91国内在线视频|
国产高清不卡一区二区|
久久官网|
亚洲精品第一综合99久久|
欧美久久超级碰碰碰二区三区|
日本免费一区视频|
日本视频中文字幕|
福利一区二区在线观看|
亚洲激情综合网|
国产夫妻精品|
欧美成人免费在线|
欧美视频一区|
欧美专区一区|
国产成人综合怡春院精品|
日韩欧美亚洲国产高清在线|
91在线亚洲综合在线|
亚洲一二三在线|
久久蜜视频|
亚洲精品高清在线|
成人久久久久久|
国产91最新在线|
激情综合色综合久久综合|
狠狠亚洲狠狠欧洲2019|
制服师生一区二区三区在线|
精品久久久久久久免费加勒比|
成人欧美精品大91在线|
日本一区二区视频在线|
欧美第二区|
日韩精品视频免费在线观看|
青青草视频免费在线|
99精品视频在线观看|
日韩免费大片|
国产高清a|
日韩视频精品在线|
久久99精品免费视频|
国产一区二区三区精品久久呦|
久久国产精品亚洲|
亚洲欧美日韩在线一区二区三区|
亚洲免费网址|
日韩亚洲综合精品国产|
国产福利不卡视频|
国产69精品久久久久99|
奇米一区二区三区四区久久|
成人精品一区二区不卡视频|
国产精品一区二区av|
亚洲日韩欧洲无码av夜夜摸
|
欧美日韩中文字幕一区二区高清|
国产二区视频在线观看|
国产一级自拍|
午夜精品福利视频|
日本高清免费不卡视频|
国产99热在线观看|
国产日韩美国成人|
97免费在线视频|
久久国产美女|
国产精品手机在线亚洲|
狠狠亚洲丁香综合久久|
2020国产精品久久久久|
国产精品久久久久久久久99热|
欧美色图一区二区三区|
亚洲国产精品第一页|
日韩精品专区|
91福利国产在线观看一区二区|
欧美日韩精品福利在线观看|
激情欧美日韩一区二区|
国产视频一区二区|
欧美亚洲777|
亚洲国产97在线精品一区|
国产精品福利无圣光一区二区|
日韩欧美高清|
日韩欧美视频在线|
久久丝袜|
国产一区二区在线观看app|
国产精品久久久久久久久久妇女|
久久久久久久国产精品影院|
91精品久久|
国产一区二区三区在线视频|
国产成人精品曰本亚洲|
日本在线不卡一区|
一区毛片|
国产精品一级毛片不收费|
欧美国产一区二区三区
|
亚洲精品午夜在线观看|
国产黄a三级三级看三级|
欧美在线观看免费一区视频|
色综合合久久天天给综看|
精品成人免费播放国产片|
国产一区二区丝袜女高跟鞋|
伊人色综|
国产精品国产三级国产普通话一|
一级毛片免费看|
久久精品免费|
一级爱做片免费观看久久|
欧美日韩亚洲国产综合|
亚洲精品自在线拍|
99精品观看|
亚洲专区一区|
久久精品2019www中文|
日本精品视频一视频高清|
久久久久久久久综合影视网|
四虎在线看|
中文字幕久久综合伊人|
黄色一级短视频|
国产人成久久久精品|
国产调教视频在线观看|
九九在线精品|
久久久综合视频|
91在线视频网址|
亚洲国产欧美在线人成aaaa20|
国产精品久久久久毛片|
亚洲三级网址|
在线亚洲国产精品区|
亚洲综合日韩|
中文字幕亚洲综合|
久久久国产精品福利免费|
99久久国产综合精品swag超清|
九九热在线精品视频|
综合久久久久久|
欧美精品一区二区三区免费播放|
99色精品|
久久99爰这里有精品国产|
亚洲国产另类精品|
99免费观看视频|
亚洲免费成人在线|
伊人网站在线观看|
欧美极品在线|
亚洲视频第一页|
99久久精品国产一区二区|
视频一二三区|
黄色毛片在线播放|
日韩欧美一区二区三区不卡在线
|
亚洲欧美一|
欧美日韩精品一区二区在线播放|
尤物精品在线|
久久精品人人做人人看|
国产久草视频在线|
韩国亚洲伊人久久综合影院|
久久精品vr中文字幕|
免费精品久久|
欧美精品伊人久久|
亚洲美女一区|
香蕉色综合|
亚洲视频一二区|
亚洲精品高清国产一线久久97
|
色135综合网|
国产区第一页|
亚洲动漫第一页|
日韩精品影院|
国产精品久久久久久久久久影院
|
日韩激情无码免费毛片|
国产精品99久久久久久夜夜嗨|
亚洲综合在线一区|
视频在线一区二区三区|
制服丝袜国产精品|
欧美亚洲第一区|
亚洲国产欧洲综合997久久|
亚洲美女精品视频|
亚洲一区免费看|
亚洲毛片网站|
日本中文字幕不卡|
色婷婷久久综合中文久久一本|
六月婷婷综合网|
久久久久亚洲国产|
在线观看精品一区|
欧美丝袜一区|
日本一区免费在线观看|
久久91精品国产91|
国产成人综合久久精品尤物|
亚洲成a人一区二区三区|
欧美激情精品久久久久|
亚洲欧美日韩精品在线|
国产韩国精品一区二区三区|
男人的天堂a在线|
在线观看视频一区二区|
欧美日韩在线视频一区|
午夜精品久久久久久久久|
韩国精品一区二区三区在线观看|
日本美女一区二区三区|
久草青青在线|
成人在线一区二区三区|
91福利国产在线观一区二区|
精品国产电影网久久久久婷婷|
激情视频一区|
视频二区中文字幕欧美|
欧美日韩不卡中文字幕在线|
亚洲怡红院在线|
麻豆国产高清精品国在线|
九九热视频精品|
六月婷婷在线|
视频国产一区|
日本不卡视频在线视频观看|
精品国产a|
成年视频国产免费观看|
欧美国产日本精品一区二区三区|
国产丝袜久久|
一区二区三区四区精品视频|
日本激情一区二区三区|
亚洲字幕在线观看|
亚洲精品视频免费|
精品欧美一区二区在线观看欧美熟|
天天躁夜夜躁狠狠躁2021|
欧美国产一区二区三区|
国产精品亚洲第一区二区三区|
国产欧美一区二区精品性色tv|
欧美在线视频一区|
精品久久久久久婷婷|
狠狠综合久久久久综合|
综合欧美亚洲|
九九成人免费视频|
国内精品伊人久久久久|
婷婷精品视频|
2021国产精品自产拍在线|
欧洲国产成人精品91铁牛tv|
成人国产亚洲|
99精品欧美一区二区三区|
国产午夜精品久久久久小说|
日韩在线毛片|
国产精品视频二区不卡|
国产欧美日韩另类|
99久久er热在这里都是精品99|
日本三级一区二区三区|
久久精品123|
亚洲欧美日本国产一区二区三区|
中文字幕在线色|
日韩精品福利片午夜免费|
久久免费高清视频|
91精品一区二区三区在线播放|
日本一区二区视频在线|
国产精品第三页在线看|
色综合久久久久久久久久久|
久久99热这里只有精品国产|
国产精品福利在线观看秒播|
亚洲国产美女精品久久久久|
久久婷婷国产麻豆91天堂|
亚洲天堂婷婷|
青青国产成人久久91|
中文字幕在线网|
欧美一区二区三区在线观看免费|
久久999|
91成人在线观看|
久久国产精品二国产精品|
在线成人中文字幕|
欧美精品国产一区二区|
亚洲视频日韩|
久久激情免费视频|
自拍偷拍国语对白|
国产成人久久精品激情|
欧美综合图区亚洲综合图区|
精品国产欧美精品v|
亚洲一级二级三级|
亚洲国产精品人久久|
天天躁夜夜躁狠狠躁躁|
四虎影院久久久|
亚洲精品二区|
视频二区日韩|
亚洲欧美日韩在线观看|
九九精品视频免费|
久久国产视频精品|
在线免费黄网|
日日夜夜狠狠|
国产亚洲一区二区三区不卡|
亚洲国产精品久久久久666|
精品视频一区二区三区四区五区|
日本中文字幕永久在线|
国产欧美日韩看片片在线人成|
狠狠色婷婷综合天天久久丁香|
婷婷精品在线|
欧美日韩亚洲二区在线|
国产青青草视频|
精品乱久久|
亚洲日本中文字幕区|
国产调教视频|
九九精品视频在线|
日本一区二区视频|
亚洲精品乱码久久久久久下载|
婷五月综合|
国产精品视_精品国产免费|
日韩乱视频|
亚洲日韩中文字幕|
免费国产高清精品一区在线|
91系列在线|
亚洲精品国产电影|
99久久国产综合精品女不卡
|
91伊人久久|
久久午夜视频|
国产亚洲欧美在在线人成|
国产成人精品久久|
亚洲一级毛片在线播放|
国产大片一区|
天天操天天干天天爽|
国产九九热视频|
日本亚洲欧洲免费无线码|
国产swag在线观看|
亚洲网在线|
亚洲精品社区|
久久这里精品|
精品在线观看一区|
91久久国产成人免费观看资源|
亚洲国产精品二区久久|
视频二区国产|
91福利专区|
国产成人自拍|
国产在线精品成人一区二区三区|
国产主播福利一区二区|
精品乱久久|
国产欧美日韩一区二区三区在线
|
精品在线观看一区|
最新日本免费一区二区三区中文|
国产精品视频第一页|
99久久免费精品视频|
日本一区二区视频|
激情一区二区三区|
色婷婷5月精品久久久久|
综合色网站|
色www永久免费网站国产|
亚洲精品高清在线|
久草国产精品视频|
在线观看日韩一区|
国产精品1024永久观看|
欧美青青草|
久久最新精品|
国产黄色片在线观看|
免费人成在线水蜜桃视频|
97精品在线视频|
国产一级片观看|
国产啪在线91|
日韩在线第一区|
一区视频在线播放|
久久久久伊人|
九九国产在线视频|
亚洲成人免费在线观看|
91亚洲精品在看在线观看高清|
日韩精品久久久久久久电影|
精品国产91久久久久久久|
日韩免费福利视频|
欧美精品v|
久久99免费|
亚洲一区综合|
视频一区二区三区在线观看|
国产综合欧美|
精品国产福利一区二区在线|
亚洲自拍偷拍视频|
欧美精品一区二区三区免费观看
|
国内精品免费视频|
日韩欧美一区二区三区四区|
成人a毛片久久免费播放|
亚洲天堂第一页|
中文无码日韩欧免费视频|
a级毛片免费观看在线播放|
亚洲高清视频在线观看|
欧美在线成人怡红院|
456亚洲视频|
精品国产一区二区|
国产在线不卡|
亚洲精品视频专区|
国产成人精品一区二区视频|
国产自在自线午夜精品视频在|
久久精品中文字幕久久|
91精品国产亚一区二区三区|
国产91在线视频观看|
97国产精品视频|
亚洲精品在线免费看|
久久久www成人免费精品|
99视频一区|
国产精品单位女同事在线|
j8又粗又硬又大又爽视频|
亚洲综合色婷婷在线观看|
亚洲七七久久精品中文国产|
亚洲免费小视频|
欧美精品第三页|
国产日韩欧美在线|
天堂网在线网站成人午夜网站|
色综合精品|
热久久中文字幕|
欧美精品一区二区三区在线播放|
亚洲涩涩精品专区|
欧美国产日韩第一页|
国产精品合集一区二区三区|
亚洲精品在线视频|
国产91丝袜在线播放网站|
亚洲一区二区观看|
国产欧美日韩灭亚洲精品|
婷婷久久综合九色综合88|
免费国产成人高清在线观看不卡|
欧美一区二区三区免费高|
91进入蜜桃臀在线播放|
成人久久久久久|
日韩在线高清|
日本精品久久久久久久|
中文字幕在线不卡视频|
亚洲人成免费|
在线亚洲不卡|
国产精品久久久久秋霞影视|
在线免费观看a视频|
欧美久久天天综合香蕉伊|
欧美午夜精品久久久久免费视|
a级在线观看免费|
国产精品欧美一区二区|
日本欧美不卡一区二区三区在线|
精品国产福利一区二区在线|
中文字幕在线网|
欧美一级欧美三级在线观看|
99久久精品国产9999高清|
成人日韩欧美|
欧美日韩一区二区三区久久|
日本中文一二区有码在线观看|
伊人色综合久久天天伊|
亚洲自偷自拍另类图片|
久久精品久久久久|
国产精品亚洲欧美日韩区|
国产亚洲自在精品久久|
久久夜色精品国产亚洲噜噜|
九九精品成人免费国产片|
国产欧美日韩在线观看|
九九这里有精品|
欧美精品一区二区三区免费播放|
亚洲欧美日韩国产综合|
色综合国产|
亚洲精品自在在线观看|
中文字幕天天躁日日躁狠狠躁免费|
91精品国产99久久|
亚洲涩综合|
午夜免费视频网站|
亚洲福利视频一区二区|
亚洲乱亚洲乱妇无码|
a天堂视频在线观看|
国产在线干|
亚洲欧美日韩国产精品|
成人精品国产亚洲欧洲|
久久精品屋|
色伊人网|
国产99视频精品免视看7|
91精品国产91久久久久|
欧美制服丝袜在线|
国产人成午夜免电影观看|
麻豆国产精品va在线观看不卡
|
色性综合|
国产激情网|
亚洲国产网|
99视频精品全部免费免费观|
在线观看国产精品麻豆|
亚洲日本一区二区三区在线不卡|
久久久久久久久性潮|
国产亚洲欧美日韩在线观看一区二区|
性欧美极品xxxx欧美一区二区|
国产一区a|
亚洲天堂网在线播放|
日韩精品第一区|
91香蕉国产视频|
亚洲国产成人在线观看|
91久久天天躁狠狠躁夜夜|
欧美亚洲国产精品久久高清|
久久精品国产曰本波多野结衣|
久久激情免费视频|
国产精品一区二区久久沈樵|
日韩亚洲欧美综合一区二区三区|
成人精品视频网站|
97久久精品国产成人影院
|
亚洲三级久久|
在线不卡一区|
免费观看又污又黄网站日本|
色综合视频|
国产精品国偷自产在线|
国产欧美日本|
在线五月婷婷|
日韩欧美国产亚洲|
99国产精品一区二区|
日韩一区二区三区四区不卡|
久久久久久久久中文字幕|
一区二区视频免费观看|
99久久久国产精品免费播放器|
久久精品久久精品久久精品|
国产精品视频网址|
在线不卡福利|
久久精品这里|
国产成人精品aaaa视频一区|
色婷婷久|
中文字幕亚洲一区|
91视频一区|
欧美日韩国产综合一区二区三区|
久久99精品久久久久久野外|
国产真实一区二区三区|
91亚洲专区|
自拍偷拍一区|
亚洲一区二区免费|
色综合区|
www亚洲一区|
欧美福利精品|
国产欧美日韩精品专区|
亚洲精品中文字幕无乱码麻豆|
一区二区三区在线免费观看视频|
亚洲欧美二区三区久本道|
国产综合自拍|
国内精品久久久久久影院老狼|
欧美精品一区二区|
亚洲深夜视频|
亚洲一二三区视频|
欧美视频精品一区二区三区|
亚洲视频不卡|
欧美日韩国产综合一区二区三区|
久久www免费人成一看片|
91精品成人|
日韩欧美一区二区三区不卡视频|
国产另类在线观看|
精品国产福利在线观看91啪|
国产视频久久|
久久精品国产一区二区|
制服丝袜一区在线|
亚洲精品国产国语|
婷婷综合激情|
久久久久久久成人午夜精品福利|
日韩欧美亚洲天堂|
国产三级精品视频|
国产精品高清全国免费观看|
欧美日韩在线成人|
亚洲成a人片在线观|
99精品视频在线观看免费播放|
欧美日韩国产在线一区|
日韩欧美视频一区二区|
精品久久久久久久久久香蕉|
国产黄视频在线观看|
日韩欧美亚洲国产高清在线|
国产精品系列在线观看|
国内精品999|
天天躁夜夜躁狠狠躁2021a|
欧美va亚洲va国产综合|
国产精品一区二区在线观看|
国产午夜精品一区二区不卡|
国产精品久久久久久免费播放|
国产大伊香蕉精品视频|
久久96国产精品久久久|
99国产精品视频免费观看|
精品视频一区二区三区在线观看
|
手机看片精品高清国产日韩|
国产亚洲日韩在线三区|
亚洲免费天堂|
国语高清精品一区二区三区
|
四虎在线永久|
国产中文在线视频|
97久久精品人人澡人人爽|
欧美www在线观看|
99久久99久久免费精品小说|
亚洲国产成人久久三区|
久久精品国产一区二区小说|
高清国产精品久久久久|
青青操精品|
国产午夜高清一区二区不卡|
欧美综合网欧美色妞网|
国产三级精品91三级在专区|
日韩精品免费|
久青草视频在线|
伊人天天躁夜夜躁狠狠|
久久96国产精品久久久|
色综合一区|
国产福利麻豆精品一区|
婷婷综合视频|
九九久久久久午夜精选|
国产成人鲁鲁免费视频a|
亚洲欧洲国产经精品香蕉网|
精品视频一区二区三三区四区|
精品久久蜜桃|
91福利小视频|
成人a毛片久久免费播放|
国产精品无码久久综合网|
欧美久久伊人|
久久亚洲网站|
亚洲欧美一区二区三区不卡|
麻豆国产高清精品国在线|
国产99免费视频|
99久久国语露脸精品国产|
在线观看91精品国产不卡免费|
色综合五月天|
国产97在线视频观看|
91精品一区二区三区在线|
a亚洲欧美中文日韩在线v日本
|
亚洲免费成人|
欧美专区在线视频|
日韩精品久久一区二区三区|
亚洲成人在线网|
毛片免费在线播放|
国产一区二区日韩欧美在线|
久久免费精品|
一本色道久久综合一区|
国产在线不卡视频|
在线中文字幕|
在线国产小视频|
日韩精品中文字幕一区二区三区|
久久丝袜精品中文字幕|
国产成人啪精品午夜在线观看|
国产精品视频久久久久久|
亚洲婷婷六月|
国产三区视频在线观看|
亚洲国产成人九九综合|
欧美综合一区|
99精品视频免费|
午夜视频欧美|
最新毛片久热97免费精品视频
|
日本免费在线一区|
久久成人综合|
精品综合久久久久久98|
国产精品国色综合久久|
成人精品视频一区二区在线|
色综合成人|
久久专区|
国产一区二区三区不卡在线观看|
欧美大陆日韩一区二区三区|
久久99精品久久久久久噜噜丰满|
91精品啪在线观看国产日本|
日韩一区视频在线|
99久久网|
亚洲人精品|
91久久精品都在这里|
国产精品久久久久久免费播放|
午夜精品福利影院|
天天拍夜夜拍高清视频|
久久久www成人免费精品|
在线播放一区|
欧美精品一二三|
国产91原创|
欧美精品区|
久久97超级碰碰碰|
国产综合色在线视频|
国产香蕉尹人综合在线
|
亚洲狠狠狠一区二区三区|
国产中文字幕第一页|
久久综合九九亚洲一区|
91精品福利在线观看|
欧美日韩一区二区三区四区在线观看
|
日韩一区二区久久久久久|
国产精品九九视频|
国产欧美另类久久精品91|
久久久精品波多野结衣|
久久亚洲精品玖玖玖玖|
五月婷综合网|
国产亚洲精品美女久久久久|
日韩亚洲视频|
久久国产精品伦理|
欧美国产伦久久久久|
99精品欧美一区二区三区综合在线|
国产区综合另类亚洲欧美|
色综合久久久久|
亚洲综合婷婷|
97一区二区三区四区久久|
日韩在线一区二区三区视频|
亚洲国产欧美日韩一区二区三区|
一区二区三区免费视频www|
亚洲一区二区三区免费观看|
欧美精品国产第一区二区|
中文字幕久久久久久久系列|
国产图片一区|
国产福利在线导航|
日韩在线二区|
国产欧美综合一区二区|
国产视频一区二区在线播放|
精品一区heyzo在线播放|
国产欧美日韩看片片在线人成|
国产成人艳妇aa视频在线|
欧美日韩视频|
亚洲欧美国产高清va在线播放|
国产亚洲欧美在线视频|
亚洲欧美精品久久|
伊人久热这里只有精品视频99|
日韩成人在线网站|
国产精品三区四区|
久久精品成人免费网站|
午夜欧美精品久久久久久久|
亚洲日本一区二区三区高清在线|
久久99精品久久久|
欧美日韩精品福利在线观看|
国产欧美第一页|
日韩成人中文字幕|
久热这里只精品99re8久|
视频在线一区二区三区|
婷婷综合视频|
男人天堂综合网|
国产精品毛片无码|
免费视频一区二区性色|
亚洲成年人免费网站|
91精品国产99久久|
欧美一区二区久久精品|
99精品福利视频|
久久久久久久综合|
九九热九九热|
国产区在线免费观看|
99视频精品全部免费免费观|
91九色在线播放|
国产精品亚洲w码日韩中文|
国产成a人片在线观看视频|
亚洲天堂中文字幕在线
|
福利精品视频|
久久91亚洲精品中文字幕|
在线免费视频一区二区|
热久久只有精品|
中文字幕一区二区在线观看|
国产精品久久久久jk制服|
亚洲午夜久久久久影院|
国产免费色视频|
国产一区二区福利|
国产精品黄在线观看观看|
久一视频在线|
亚洲精品成人中文网|
国产在线极品|
国产亚洲欧美日韩在线观看一区二区|
91香蕉视频免费在线观看|
国产免费专区|
免费福利网站在线观看|
亚洲人视频在线观看|
国内精品久久久久久|
四虎影院一区二区|
国产剧情一区二区三区|
精品伊人久久久|
日韩一区二区三区精品|
91福利一区二区三区|
欧美午夜精品久久久久久黑人|
国产成人综合欧美精品久久|
国产精品视频第一页|
91欧美精品|
色综合久久综合网欧美综合网|
国产综合91天堂亚洲国产|
综合激情婷婷|
91精品国产三级在线观看|
91福利视频免费|
国产成人精品三级在线|
亚洲六月丁香色婷婷综合久久|
日本精品一二三区|
国产在线日本|
久久国产免费观看精品1|
国产一区精品视频|
久久久久久亚洲精品中文字幕|
久久综合精品视频|
久久久久久不卡|
日韩在线网址|
伊香蕉大综综综合久久|
成人午夜免费在线观看|
中文字幕日韩丝袜一区|
亚洲人成一区二区不卡|
亚洲欧美日韩一级特黄在线|
免费色网址|
久久r这里只有精品|
99久久www免费人成精品|
亚洲码专区|
在线欧美日韩精品一区二区|
午夜在线视频一区二区三区|
日本中文字幕在线播放|
国产视频久|
99在线观看精品视频|
91精品国产调教在线观看|
国产精品美女在线|
国产色婷婷免费视频|
日韩精品视频观看|
国产成人精品亚洲一区|
日韩精品视频免费网址|
麻豆综合网|
伊人欧美在线|
免费在线一级片|
69国产成人综合久久精品91|
欧美日韩亚洲国产综合|
丝袜美腿亚洲一区二区图片|
日韩久久久精品中文字幕|
91手机看片国产福利精品|
亚洲综合站|
91久久国产综合精品女同我|
亚洲欧美在线视频免费|
亚洲成人在线播放|
久久亚洲精品成人综合|
综合久久影院|
免费国产精品视频|
亚洲欧美国产视频|
成人手机在线|
99国产精品热久久久久久|
九色精品在线|
亚洲视频入口|
国内精品在线播放|
中文字幕丝袜|
欧美亚洲一二三区|
伊人不卡久久大香线蕉综合影院|
精品久久成人免费第三区|
国内在线精品|
久久免费播放视频|
久久semm亚洲国产|
99久久99久久久99精品齐|
最新亚洲情黄在线网站|
九月婷婷综合|
日本综合在线观看|
亚洲人免费|
中文字幕成人免费高清在线|
99这里只有精品在线|
亚洲三级网址|
亚洲欧美日韩综合网导航|
88国产精品视频一区二区三区|
国产资源中文字幕|
国产日产久久|
久久99视频精品|
日本精品视频在线|
91久久夜色精品国产九色|
亚洲综合首页|
亚洲欧美中文字幕高清在线一|
亚洲国产免费|
亚洲综合射|
亚洲成年网站在线观看|
久久精品9|
99久久网|
99国产在线播放|
精品欧美一区视频在线观看|
伊人网站在线观看|
亚洲欧美国产视频|
91精品91久久久久久|
欧美性受一区二区三区|
亚洲午夜一区二区三区|
2020久久精品永久免费|
日韩久久综合|
国产精品每日更新|
天堂伊人网|
精品久久久久久久九九九精品
|
亚洲午夜精品在线|
国产日本在线|
另类综合视频|
日韩欧美精品在线|
伊人网综合在线观看|
九九热国产精品视频|
日韩乱码视频|
色哟哟久久|
亚州精品永久观看视频|
亚洲第一页综合|
美女福利视频一区二区|
国产页|
久久精品国产99国产精品亚洲|
亚洲天堂中文字幕在线|
日韩精品免费在线观看|
久草精品在线观看|
久久亚洲欧美成人精品|
毛片一区二区三区|
亚洲国产青草|
99国产精品久久|
午夜亚洲一区二区福利|
久久精品7|
精品伊人久久大线蕉地址|
欧美一区二区三区久久综|
久草香蕉在线视频|
国产在线日本|
国产亚洲精品成人婷婷久久小说|
日韩国产成人资源精品视频|
久久精品a亚洲国产v高清不卡|
99在线国产|
在线日韩国产|
伊人天堂网|
综合久久综合|
国产视频精品久久|
天天躁狠狠躁|
欧美日韩中文国产|
国产精品青草久久久久福利99|
爽爽窝窝午夜精品一区二区|
最新国产精品亚洲|
亚洲婷婷天堂在线综合|
亚洲丝袜一区|
国产美女精品视频免费观看
|
国产男靠女免费视频网站|
国产福利免费观看|
亚洲欧美日本韩国|
中文字幕成人网|
精品中文字幕一区二区三区四区|
久久久久久一级毛片免费野外
|
99久久er热在这里只有精品16|
亚洲成人免费网站|
欧美激情亚洲精品日韩1区2区|
欧美自拍另类|
欧美视频在线观看第一页|
久久精品7|
59pao成国产成视频永久免费|
免费午夜网站|
亚洲欧美一级久久精品|
国产精品免费_区二区三区观看|
国产99视频精品免视看7|
伊人国产在线|
97在线|亚洲|
怡春院综合|
亚洲综人网|
日韩国产在线|
久久综合九色综合桃花|
国产91在线看|
亚洲国产美女精品久久久久∴|
亚洲日本在线免费观看|
免费在线观看亚洲|
999精品国产|
久久精品国产2020观看福利色|
免费国产成人18在线观看|
亚洲欧美专区精品久久|
丝袜美腿亚洲一区二区图片|
国产精品91在线播放|
国产在线不卡|
亚洲激情视频网|
欧美一区二区三区在线播放|
欧美日韩第三页|
日韩视频亚洲|
国产精品毛片在线更新|
欧美中文字幕在线看|
亚洲国产网|
欧美日韩另类在线|
欧美日韩中文字幕|
久久久免费精品视频|
伊人网久久网|
91制服丝袜在线|
国产一毛片|
欧美日本一道高清二区三区|
这里只有久久精品|
国产视频一二三区|
福利一区二区三区视频午夜观看|
色噜噜狠狠一区二区|
99免费视频|
欧美第一页在线|
视频一区在线观看|
一区二区三区在线|
九九精品视频一区二区三区|
欧美另类日韩|
亚洲综合视频网|
九九精品视频在线|
欧美一欧美一区二三区性|
亚洲欧美在线精品|
无码日韩精品一区二区免费|
久久99精品波多结衣一区|
国产福利一区二区麻豆|
婷婷尹人香蕉久久天堂|
精品国产高清a毛片|
国产一级在线|
久久久精品影院|
在线观看日本一区|
丁香婷婷亚洲六月综合色|
自拍偷拍国语对白|
男人天堂久久|
中文字幕在线综合|
精品无码一区在线观看|
国产欧美日韩一区二区三区|
www.日本一区二区|
国产精品久久久久影视青草|
欧美综合区自拍亚洲综合|
精品伊人久久大线蕉色首页|
国产1区二区|
99热在线观看精品|
国内精品视频一区二区三区八戒|
日本免费久久|
99热精品久久|
欧美专区在线观看|
91久久国产|
韩国美女一区二区|
国产成人99|
日韩极品视频|
精品国产中文一级毛片在线看|
在线视频三区|
国产伦子一区二区三区四区
|
婷婷色网站|
国产精品久久久久久久久鸭|
久久亚洲高清观看|
91国内精品久久久久免费影院|
精品欧美高清一区二区免费|
国产精品久久久久久久久久一区|
亚洲国产婷婷综合在线精品|
午夜啪啪福利视频|
青青热久免费精品视频精品|
日韩精品中文字幕在线|
99久久精品国内|
99九九久久|
91久久精品国产性色也91久久|
四虎影视国产精品一区二区|
国产精品无码久久av|
99热这里只有精品首页精品|
婷婷色综合久久|
国产91色在线|亚洲|
久碰香蕉精品视频在线观看|
欧美手机手机在线视频一区|
国产成人精品久久亚洲高清不卡|
亚洲天堂精品视频|
日本一区二区三区免费观看|
国产一区二区在线免费观看|
制服丝袜国产在线|
久久精品视频2|
国产精品va在线观看一|
99精品久久久久久久婷婷|
99久久精品免费看国产情侣
|
成人手机在线|
国产成人91高清精品免费|
国产女人久久精品|
亚洲欧美专区精品伊人久久|
亚洲无吗在线视频|
亚洲免费中文字幕|
久久国产美女免费观看精品|
91精品最新国内在线播放|
亚洲一区视频在线|
日韩欧美视频一区二区三区|
91在线视频免费|
日韩免费一区|
亚洲日本一区二区三区在线|
一区二区三区精品|
国产精品伦视频观看免费|
久久99国产亚洲高清|
国产小视频在线免费观看|
91香蕉在线视频|
亚洲一区中文字幕在线观看|
欧美日韩视频在线播放|
a级片在线观看视频|
香蕉久久一区二区三区|
亚洲依依成人综合网站|
国产午夜一区二区在线观看|
日韩久久久精品中文字幕|
亚洲日韩欧美视频|
久久精品国产免费|
亚洲欧美在线免费观看|
在线电影一区二区|
国产日韩欧美一区二区三区在线|
欧美乱人伦中文字幕在线不卡|
国产午夜久久精品|
国内精品久久久久久中文字幕|
91综合在线|
亚洲精品国产高清不卡在线|
久久国产精品最新一区|
精品一区二区久久久久久久网站
|
五月激情五月婷婷|
91久久青草精品38国产|
国产亚洲精品无码不卡|
99ri国产在线观看|
亚洲高清中文字幕一区二区三区|
福利一区二区在线|
国产精品美女久久久久网站|
亚洲视频精品|
亚洲综合色视频|
亚洲欧美日韩国产精品第不页|
久久免费激情视频|
成人午夜网址|
久久婷婷五综合一区二区|
久久国产经典视频|
久久综合丁香|
亚洲精品国产极品美女mm131
|
久久亚洲成人|
中日韩欧美在线观看|
精品国产综合|
国产日韩精品一区二区在线观看播放|
久久狠狠躁免费观看|
伊人久久成人成综合网222|
99久久国产综合精麻豆|
99精品久久久中文字幕|
亚洲欧美精品成人久久91|
综合婷婷|
日韩丶欧美丶国产高清不卡视频
|
中文字幕在线永久|
色成年激情久久综合|
亚洲高清在线观看|
精品亚洲综合在线第一区|
国产欧美日韩精品专区|
2022国产成人精品福利网站|
亚洲视频二区|
国产在线日韩|
国产一二三区精品|
国产视频一区二区在线观看|
这里只有精品在线播放|
亚洲aⅴ在线|
狠狠亚洲|
欧美日韩亚洲国产精品一区二区|
在线免费视频a|
亚洲成人免费看|
亚洲精品美女久久久aaa|
国产人成精品午夜在线观看|
久久精品亚洲乱码伦伦中文|
99国产精品热久久久久久夜夜嗨|
在线观看亚洲成人|
日韩精品第一区|
亚洲欧美中文在线观看4|
福利片一区|
在线亚洲播放|
在线观看中文字幕一区|
欧美日韩亚洲国产一区二区三区|
伊人天伊人天天网综合视频|
国产成人综合在线观看网站|
亚洲成aⅴ人片在线影院八|
亚洲干综合|
在线亚洲欧美日韩|
日韩欧美精品在线观看|
国产亚洲一级精品久久|
国产日韩欧美在线观看|
国内成人自拍视频|
亚洲精品视频在线观看免费|
国产精品久久久精品视频|
亚洲视频一区二区三区四区|
久久精品这里|
精品女同一区二区三区在线观看
|
国产叼嘿久久精品久久|
91免费公开视频|
综合久久久久久久综合网|
国产成人无精品久久久|
视频一区国产精品|
91色国产|
四虎国产精品免费久久麻豆|
亚洲精品在线免费看|
国产日韩综合|
综合一区|
欧美色精品天天在线观看视频|
天天插天天爽|
国产成人综合一区精品|
亚洲欧美成aⅴ人在线观看|
伊人国产在线|
亚洲伊人久久大香线焦|
成人久久网站|
日韩精品在线观看视频|
天堂精品在线|
欧美久久天天综合香蕉伊|
婷婷亚洲国产成人精品性色|
99精品视频在线播放2|
欧美日韩综合网|
国产一级爱片在线播放|
国产主播精品在线|
色婷婷久久合月综|
亚洲欧美日韩精品久久亚洲区|
亚洲精品99久久久久中文字幕|
国产精品黄页在线播放免费|
婷婷色在线|
国产色视频一区二区三区|
国产精品久久免费视频|
国产精品免费视频网站|
国产对白在线观看|
欧美成人久久久|
成人在线播放av|
中文字幕欧美一区|
国产福利在线看|
成人国产亚洲|
国产不卡免费视频|
日本久久99|
在线免费一区|
七月婷婷在线网址|
久热国产精品视频|
手机在线播放av|
99热免费精品|
国产免费久久精品|
91精品福利一区二区三区野战|
欧美精品一区二区精品久久|
国产一区二区视频在线|
国内精品久久久久久久|
亚洲欧洲精品成人久久曰|
中文字幕在线天堂|
91亚洲视频在线|
日韩亚洲综合精品国产|
国内精品久久国产大陆|
99视频在线观看视频|
制服丝袜在线第一页|
伊人影院综合网|
国产精品日韩精品|
国产一区二区在线观看免费|
宅男在线永久免费观看99|
2020国产成人精品免费视频|
亚洲一区精品伊人久久|
欧美久久伊人|
国产亚洲精品福利|
在线免费一区二区|
性做久久久久久久久男女|
国产成人永久在线播放|
色综合色综合色综合色综合|
中文字幕视频免费在线观看|
国产亚洲精品成人久久网站|
国产91综合|
91爱爱网站|
99久久99久久精品国产片果冻|
国产福利在线高清导航大全|
国产成人亚洲综合|
91中文字幕网|
久久综合视频网站|
亚洲欧美在线视频|
久久香蕉影院|
亚洲日本天堂在线|
欧美日韩亚洲国产综合|
最新欧美精品一区二区三区|
国产精品成人69xxx免费视频|
精品一区二区三区四区五区六区|
一区二区中文字幕|
久久成人国产精品|
91久国产在线观看|
日韩高清专区|
日韩欧美在线一区二区三区|
午夜精品视频在线观看|
在线观看免费视频一区|
97国产精品视频|
91久久精品国产亚洲|
五月婷在线视频|
欧美专区在线视频|
蜜桃综合|
亚洲精品中文字幕不卡在线|
久久精品99久久香蕉国产色戒|
国产精品一区二区三区久久|
国产免费一区二区在线看|
亚洲国产天堂久久综合图区|
亚洲激情在线视频|
国产日韩欧美在线一二三四|
欧美视频日韩专区午夜|
国产主播一区二区|
国产精品亚洲欧美日韩一区在线|
91高清在线视频|
成人欧美精品大91在线|
久久性精品|
国产亚洲精品无码不卡|
久青草国产在视频在线观看|
日韩一级精品视频在线观看
|
色综久久|
在线播放精品一区二区啪视频|
亚洲青草|
国产成人午夜视频|
久久噜噜|
香蕉69精品视频在线观看|
国产一级毛片在线|
久久这里只有精品23|
亚洲国产成人久久精品hezyo|
亚洲一区免费|
国产色图视频|
亚洲欧美中文日韩欧美|
国产91色综合久久免费|
尤物精品在线观看|
日韩精品一区二区三区大桥未久|
久久综合精品国产一区二区三区无|
中文字幕成人在线|
手机在线播放av|
日韩精品久久久毛片一区二区|
国产98色在线|
亚洲.国产.欧美一区二区三区|
久久人人澡|
国产九九免费视频|
一二三区免费视频|
久久免视频|
国产成+人+综合+欧美亚洲|
成人久久久久久|
高清中文字幕视频在线播|
亚洲国产人成在线观看|
国产九九在线|
久久久久久免费播放一级毛片|
国产精品伦视频观看免费|
国产在线高清精品二区色五郎|
日韩中文字幕久久精品|
欧美亚洲一区|
伊人久久大香焦|
99视频精品全部在线|
亚洲一区二区三区不卡在线播放|
一区二区在线播放视频|
成人亚洲国产综合精品91|
亚洲综合国产一区在线|
欧美成人免费在线|
亚洲精品青青草原avav久久qv|
亚洲精品一级毛片|
亚洲成人中文字幕|
亚洲综合网在线观看首页|
婷婷色综合网|
第一页在线视频|
亚洲品质自拍网站|
久久精品高清|
国产精品国产精品国产三级普|
久久精品国产免费观看99|
久久精品免费视频6|
国产亚洲一区二区三区不卡|
日韩专区在线播放|
999在线观看视频|
日韩精品欧美|
www日韩在线|
日韩精品欧美在线|
国产精品久久福利新婚之夜|
欧美精品亚洲人成在线观看|
欧美在线专区|
亚洲国产综合久久精品|
欧美日韩高清一区二区三区|
久久久免费视频播放|
九九精品在线|
狠狠色丁香婷婷综合小时婷婷|
色婷婷综合在线|
日韩一区二区三区免费体验|
韩国在线观看一区二区三区|
亚洲一区视频在线|
精品国产福利一区二区在线|
国产产一区二区三区久久毛片国语|
亚洲精品国产高清不卡在线|
欧美亚洲国产片在线观看|
99自拍视频在线观看|
免费观看国产精品视频|
国产一区亚洲|
青草国产|
日韩欧美中文字幕一区二区三区|
国产成人综合久久精品红|
99ri在线|
精品国产午夜肉伦伦影院|
热久久免费|
久久精品一区二区|
亚洲字幕在线观看|
久久精品国产无限资源|
国产高清在线视频|
性欧美高清久久久久久久|
欧美亚洲国产一区|
日韩精品亚洲电影天堂|
亚洲综合站|
精品国产成人综合久久小说|
国产成人免费网站|
日韩在线一区二区三区视频|
亚洲精品国产日韩|
免费国产高清精品一区在线|
55夜色66夜色国产亚洲精品区
|
日韩欧美在线观看综合网另类|
国产网址在线|
国产精品久久免费观看|
日韩精品第一区|
国产欧美一区二区三区观看|
国产成人永久在线播放|
国产精品综合|
欧美成a人免费观看久久|
亚洲综合伦理一区|
亚洲国产成人久久午夜|
伊人精品在线视频|
日韩欧美中文字幕在线播放|
91原创国产|
国产成人综合91精品|
日韩国产精品99久久久久久|
99精品国产免费久久久久久下载|
亚洲综合色自拍一区|
国产精品一区在线麻豆|
无国产精品白浆免费视|
午夜a级理论片在线播放一级|
国产91麻豆视频|
中文字幕精品视频在线|
亚洲线精品久久一区二区三区|
亚洲国产欧洲精品路线久久|
亚洲精品亚洲人成人网|
欧美亚洲国产人成aaa|
亚洲一区免费在线|
欧美成人一区二区三区在线视频|
日韩免费福利视频|
午夜影院一区二区|
日本欧美国产精品|
色综合久久综合欧美综合网|
国产精品色婷婷在线观看|
亚洲制服无码|
久久精品91|
亚洲国产成人在线|
国产91精品一区二区|
91香蕉成人|
99免费精品视频|
亚洲精品第五页中文字幕|
99国内精品久久久久久久|
99精品在线观看|
国产三区视频|
精品无码久久久久久久动漫|
99久免费精品视频在线观看2|
亚洲国产网站|
91在线精品中文字幕|
国产成人精品久久二区二区|
日本欧美在线视频|
亚洲国产欧美在线|
亚洲乱码视频在线观看|
国产污视频|
精品在线一区二区|
国产精品777|
福利在线看片|
亚洲福利一区二区三区|
99精品国产福利在线观看|
亚洲天堂精品在线|
久久久久久国产精品mv|
午夜欧美精品久久久久久久久|
日本一道本中文字幕|
日韩深夜视频|
国产精品视频1区|
香蕉久久网站|
亚洲综合色站|
亚洲一区精品伊人久久|
免费国产之a视频|
亚洲国产乱|
91网站在线看|
亚洲欧美日韩伦中文|
国产成人在线观看免费网站
|
麻豆va在线精品免费播放|
久久线看观看精品香蕉国产|
国内精品视频在线播放|
国产在线精品成人一区二区三区
|
欧美亚洲福利|
视频国产精品|
国产亚洲女在线线精品|
久久久婷婷|
在线成人中文字幕|
精品日韩在线观看|
久久久久久夜精品精品免费啦
|
亚洲人6666成人观看|
亚洲综合首页|
日韩在线一区二区|
日本成人一区二区三区|
91av在线视频观看|
欧美日韩在线视频不卡一区二区三区|
97在线国产视频|
国产伦精品一区二区三区高清|
韩国福利一区|
国产a精品|
久久久国产精品免费看|
精品久|
一本一道久久a久久精品综合|
日韩毛片在线免费观看|
欧美丝袜一区二区|
日韩国产精品视频|
久久婷婷伊人|
亚洲综合网国产福利精品一区|
久久免费福利视频|
亚洲天堂视频在线|
婷婷综合久久|
亚洲欧美激情精品一区二区|
亚洲综合综合在线|
久久精品国产99久久|
91亚洲精品福利在线播放|
成人国产精品免费视频|
一区在线观看视频|
怡春院一区二区|
91久久香蕉国产线看观看软件|
狠狠色丁香婷婷综合欧美|
久久一区二区三区精品|
色综合合久久天天给综看|
亚洲国产精品乱码一区二区三区|
欧美一区二区不卡视频|
国产色综合一区二区三区|
最新69堂国产成人精品视频|
亚洲视频在线一区二区三区|
最新毛片久热97免费精品视频|
亚洲国产欧美自拍|
在线电影一区二区|
日本福利在线|
91精品啪在线观看国产|
亚洲福利视频导航|
婷婷综合激情|
国产高清不卡一区二区|
国产成人综合洲欧美在线|
久久青草精品免费资源站|
久久精品国产亚洲7777|
国产大伊香蕉精品视频|
亚洲伦理精品久久|
色综合天|
久久久精品久久久久久|
2021国产精品午夜久久|
亚洲国产高清人在线|
91免费精品国自产拍在线不卡|
伊人网综合在线观看|
91视频麻豆视频|
亚洲日本中文字幕天天更新|
亚洲精品欧洲精品|
91久久精品国产性色也91久久|
欧美国产成人在线|
中文字幕在线不卡视频|
国产精品毛片一区|
在线中文字幕日韩欧美
|
五月天综合在线|
久久国产精品-久久精品|
蜜桃视频一区二区三区|
国产区一区二区三|
99精品视频在线|
免费国产一区|
国产人成午夜免电影观看
|
亚洲精品乱码久久久久久麻豆|
久久免费激情视频|
国产玖玖|
青青草国产精品久久|
久久91精品国产99久久yfo|
麻豆国产在线视频|
亚洲国产精品区|
久久久久久久久亚洲|
国产在线高清精品二区色五郎|
国产日韩久久|
久久久久亚洲视频|
国产亚洲精品美女|
久草视频福利资源站|
国产成人免费|
亚洲成人午夜电影|
亚洲国产精品一区二区三区久久|
在线免费视频一区二区|
99国产精品久久|
亚洲精品福利网站|
伊人99在线观看|
手机国产精品一区二区|
国产在线视频一区|
亚洲免费毛片|
国产成人综合久久|
久久中文字幕综合不卡一二区|
九九视频免费在线|
在线色网站|
97人人模人人爽人人喊小说|
国产福利一区视频|
综合久青草视频|
91精品视频免费在线观看|
亚洲字幕久久|
久久蜜视频|
一区二区国产精品|
四虎永久在线精品视频免费观看|
亚洲欧美日韩精品|
成年男女免费视频网站|
欧美日韩亚洲国产精品|
日韩欧美亚洲每日更新网|
亚洲精品人人|
青青青国产精品一区二区|
91视频免费观看|
精品国产91久久久久|
99热在线免费播放|
欧美午夜在线视频|
久久semm亚洲国产|
日韩高清一区|
99精品欧美|
国产精品久久久久久免费|
亚州综合网|
久久99热这里只有精品免费看|
日韩在线一区二区三区免费视频|
精品在线一区二区三区|
欧美日韩综合精品一区二区三区
|
亚洲视频一区二区|
中文字幕在线观看一区|
91国内精品线免费播放|
日本综合在线观看|
狠狠色丁香九九婷婷综合五月|
欧美日韩亚洲一区|
国产精品福利在线观看免费不卡|
性做久久久久久久久不卡|
国产美女精品视频免费观看|
福利视频三区|
亚洲一区二区高清|
亚洲乱码国产乱码精品精98|
久青草国产在视频在线观看|
色婷婷色|
亚洲视频天堂|
欧美日韩亚洲国产精品一区二区|
国产资源免费观看|
国产精品一区二区欧美视频|
欧美综合自拍亚洲综合图自拍|
日本在线观看www|
91av麻豆|
日韩免费一区二区三区|
久久精品re|
国产精品久久久久久久y|
中文字幕亚洲高清综合|
亚洲成人在线免费观看|
中文字幕亚洲专区|
日本二区视频|
91九色在线播放|
亚洲福利在线播放|
青草视频在线免费|
国产一级二级在线观看|
日韩不卡一区二区三区|
国产高清在线精品二区app|
99在线热视频只有精品免费|
国产午夜视频在线|
99精品网|
国产精品一区二区手机看片|
亚洲欧美在线中文字幕不卡|
亚洲国产日韩在线一区|
亚洲一级香蕉视频|
久久91综合国产91久久精品|
91麻豆国产自产|
91国在线啪精品一区|
国产成人精品日本亚洲直接|
在线色国产|
国产精品国产三级国产专播下|
国产一级在线免费观看|
精品一区二区国语对白|
91成人爽a毛片一区二区|
精品亚洲成a人在线播放|
亚洲六月丁香色婷婷综合久久|
欧美性色欧美a在线观看|
91色视频网站|
欧美日韩综合精品一区二区三区|
中文字幕一区二区三区久久网站|
99视频精品全部免费免费观
|
欧美综合色区|
国内精品久久久久激情影院|
国产精品对白刺激久久久|
在线人成精品免费视频|
精品一久久香蕉国产线看观看下|
国产精品第7页|
欧美在线观看一区|
国产欧美日韩综合|
欧美福利在线|
国产成人久久|
91三级视频在线观看|
亚洲日本中文字幕永久|
国产一级高清|
99r精品在线|
欧美国产在线观看|
免费伊人网|
亚洲欧美视频在线观看|
色www亚洲|
在线观看国产日韩|
一区二区三区亚洲区|
91在线激情在线观看|
日韩精品第一区|
亚洲综合一二三|
中文字幕亚洲综合久久2|
免费在线一级片|
日韩精品在线看|
欧美日韩资源|
国产精品成人影院|
亚洲免费精品视频|
亚洲黄网免费|
国产午夜精品理论片小yo奈|
色综合色狠狠天天久久婷婷基地|
成人欧美一区二区三区在线观看|
欧美精品一区二区三区免费|
国产成人精品一区|
欧美a在线|
青青操国产在线|
久久精品免费观看|
国产1区2区|
91精品福利视频|
久久精品国产免费高清|
亚洲综合社区|
日韩一区二区三区高清视频|
国产一区视频在线免费观看|
中文字幕久久网|
国产精品永久免费视频|
久久久久国产一级毛片高清板|
婷婷开心综合|
99久女女精品视频在线观看|
国产www在线播放|
综合九九|
亚洲天堂h|