技術總結
本發明提供了一種N溝道增強型MOS晶體管器件，包括：絕緣體上硅（SOI），所述絕緣體上硅為P型硅且具有背離掩埋氧化層的表面；在所述絕緣體上硅內通過離子注入或原位摻雜選擇性外延生長形成的N型漏區和N型源區，所述漏區和源區的頂面與所述表面共面；位于所述漏區和源區之間的柵極結構，其包括柵極氧化層和位于柵極氧化層之上的鋁柵極，其中，所述柵極氧化層為部分嵌入所述絕緣體上硅的楔形結構，嵌入深度由漏區向源區依次遞減。
技術研發人員：王漢清
受保護的技術使用者：南通沃特光電科技有限公司
文檔號碼：201611037814
技術研發日：2016.11.23
技術公布日：2017.05.31