保護膜覆蓋方法與流程

本發明涉及在半導體晶片等晶片的正面上覆蓋保護膜的保護膜覆蓋方法。

背景技術：

如本領域技術人員已知的那樣，在半導體器件制造工藝中，在硅等半導體基板的正面上通過呈格子狀排列的分割預定線劃分出多個區域，在該劃分出的區域內形成有ic、lsi等器件。關于這樣形成的半導體晶片，通過沿著分割預定線進行切斷而制造出各個器件芯片。并且，在光器件晶片中，在藍寶石基板等的正面上通過呈格子狀形成的分割預定線劃分出多個區域，在該劃分出的區域內層疊有氮化鎵類化合物半導體等并形成有光器件，沿著分割預定線將該光器件晶片分割成各個發光二極管、激光二極管等光器件芯片并廣泛地應用在電子設備中。

作為沿著分割預定線對這樣的半導體晶片或光器件晶片等晶片進行分割的方法，提出了如下的方法：通過沿著形成在晶片上的分割預定線照射脈沖激光光線來形成激光加工槽，并沿著該激光加工槽借助機械切割裝置來割斷晶片。

與切削加工相比，激光加工能夠加快加工速度，并且即使是由如藍寶石那樣硬度較高的材料構成的晶片也能夠比較容易地進行加工。但是，當沿著晶片的分割預定線照射激光光線時，在所照射的區域內因熱量集中而產生碎屑，該碎屑附著在器件的正面而產生使器件的品質降低的新的問題。

為了解決因上述碎屑而導致的問題，提出了如下的激光加工機：在晶片的加工面上覆蓋聚乙烯醇(pva)等保護膜，并通過保護膜向晶片照射激光光線。(例如，參照專利文獻1。)

適用于在上述專利文獻1中公開的激光加工機的保護膜的覆蓋方法是所謂的旋涂法，通過向保持在旋轉工作臺上的晶片的中心部提供聚乙烯醇(pva)等水溶性樹脂，并使旋轉工作臺旋轉而借助離心力來使水溶性樹脂朝向晶片的外周移動，在晶片的正面上形成保護膜。

專利文獻1：日本特開2004-322168公報

然而，由于保護帶被安裝在環狀的框架上，晶片在粘接在該保護帶的正面并保持在旋轉工作臺上的狀態下形成保護膜，所以水溶性樹脂飛散并附著在環狀的框架的上表面。因此，存在如下的問題：在對經由保護帶被支承于環狀的框架的晶片進行搬送時，附著在環狀的框架的上表面的液狀樹脂如粘合劑那樣發生作用而使環狀的框架不能從搬送單元脫離。

并且，雖然也提出了在通過保護膜覆蓋單元在晶片的正面上覆蓋了保護膜之后，向分散在環狀的框架的上表面的水溶性樹脂提供清洗水而將水溶性樹脂從環狀的框架的上表面去除的方案，但存在如下的問題：為了可靠地去除附著在環狀的框架的上表面的水溶性樹脂而需要相當的時間，且不能進行順暢的激光加工。

技術實現要素：

本發明是鑒于上述事實而完成的，其主要的技術課題在于，提供保護膜覆蓋方法，能夠容易地將附著在經由保護帶對晶片進行支承的環狀的框架的上表面的液狀樹脂去除。

為了解決上述主要的技術課題，根據本發明，提供保護膜覆蓋方法，利用水溶性樹脂在晶片的正面上覆蓋保護膜，該晶片在正面上呈格子狀形成有多條分割預定線并且在由該多條分割預定線劃分出的多個區域內形成有器件，該保護膜覆蓋方法的特征在于，

具有如下的工序：

晶片支承工序，在具有對晶片進行收容的開口的環狀的框架的該開口中經由粘合帶而粘接晶片的背面，從而利用環狀的框架對晶片進行支承；

晶片保持工序，在經由粘合帶將晶片支承在環狀的框架上的狀態下以晶片的正面作為上側而保持在旋轉工作臺上；

保護膜覆蓋工序，一邊使旋轉工作臺旋轉一邊向旋轉工作臺所保持的晶片的正面中央區域滴下水溶性樹脂，從而在晶片的正面上覆蓋由水溶性樹脂形成的保護膜；以及

水溶性樹脂去除工序，將在該保護膜覆蓋工序中飛散到環狀的框架的上表面的水溶性樹脂去除，

在該水溶性樹脂去除工序中，一邊使旋轉工作臺旋轉一邊將清洗噴嘴定位在旋轉工作臺所保持的環狀的框架的上表面而向環狀的框架的上表面提供清洗水，并且將空氣噴嘴與該清洗噴嘴相鄰地定位在旋轉方向下游側，提供空氣以使該空氣逆著被提供到環狀的框架的上表面的清洗水的移動而使清洗水暫時滯留并且將清洗水排出到環狀的框架的外側。

本發明的保護膜覆蓋方法，包含將在該保護膜覆蓋工序中飛散到環狀的框架的上表面的水溶性樹脂去除的水溶性樹脂去除工序。由于在該水溶性樹脂去除工序中，一邊使旋轉工作臺旋轉一邊將清洗噴嘴定位在旋轉工作臺所保持的環狀的框架的上表面而向環狀的框架的上表面提供清洗水，并且將空氣噴嘴與該清洗噴嘴相鄰地定位在旋轉方向下游側，提供空氣以使該空氣逆著被提供到環狀的框架的上表面的清洗水的移動而使清洗水暫時滯留并且將清洗水排出到環狀的框架的外側，所以通過所滯留的清洗水來溶解附著在環狀的框架的上表面的水溶性樹脂而提高清洗效果，并能夠在短時間內有效地去除水溶性樹脂。因此，在對經由保護帶被環狀的框架支承的晶片進行搬送時，解決了附著在環狀的框架的上表面的水溶性樹脂如粘合劑那樣發生作用而使環狀的框架不能從搬送單元脫離的問題。

附圖說明

圖1是具有用于實施本發明的保護膜覆蓋方法的保護膜覆蓋裝置的激光加工機的立體圖。

圖2是對裝備于圖1所示的激光加工機的保護膜覆蓋裝置的一部分進行斷裂而示出的立體圖。

圖3是示出將圖2所示的保護膜覆蓋裝置的旋轉工作臺定位在被加工物搬入/搬出位置的狀態的剖視圖。

圖4是示出將圖2所示的保護膜覆蓋裝置的旋轉工作臺定位在作業位置的狀態的剖視圖。

圖5是作為被加工物的半導體晶片的立體圖。

圖6是實施了晶片支承工序的半導體晶片的立體圖。

圖7的(a)和(b)是示出保護膜覆蓋工序的說明圖。

圖8的(a)和(b)是示出水溶性樹脂去除工序的說明圖。

圖9的(a)～(c)是示出通過圖1所示的激光加工機所實施的激光加工槽形成工序的說明圖。

標號說明

1：激光加工機；2：裝置外殼；3：卡盤工作臺；4：激光光線照射單元；42：聚光器；5：拍攝單元；6：顯示單元；7：保護膜覆蓋裝置；71：旋轉工作臺機構；711：旋轉工作臺；74：水溶性樹脂提供單元；741：樹脂提供噴嘴；75：清洗水提供單元；751：清洗水噴嘴；76：空氣提供單元；760：空氣噴嘴；10：半導體晶片；101：分割預定線；102：器件；110：保護膜；11：環狀的框架；12：粘合帶；13：盒；14：暫放單元；15：被加工物搬出/搬入單元；16：第1被加工物搬送單元；17：第2被加工物搬送單元。

具體實施方式

以下，參照附圖對本發明的保護膜覆蓋方法的優選的實施方式進行詳細地說明。

在圖1中示出了裝備有用于實施本發明的保護膜覆蓋方法的保護膜覆蓋裝置的激光加工機的立體圖。

圖1所示的激光加工機1具有大致長方體狀的裝置外殼2。在該裝置外殼2內配設有作為對被加工物進行保持的被加工物保持單元的卡盤工作臺3，該卡盤工作臺3能夠在作為切削進給方向的箭頭x所示的方向上移動。卡盤工作臺3具有吸附卡盤支承臺31和安裝在該吸附卡盤支承臺31上的吸附卡盤32，并通過未圖示的吸引單元將作為被加工物的例如圓盤狀的半導體晶片保持在作為該吸附卡盤32的正面的載置面上。并且，卡盤工作臺3構成為能夠通過未圖示的旋轉機構而轉動。在這樣構成的卡盤工作臺3的吸附卡盤支承臺31上配設有用于對后述的環狀的框架進行固定的夾具34。

圖示的激光加工機1具有激光光線照射單元4。激光光線照射單元4具有激光光線振蕩單元41和對由該激光光線振蕩單元振蕩出的激光光線進行會聚的聚光器42。

激光加工機1具有拍攝單元5，該拍攝單元5對保持在上述卡盤工作臺3的吸附卡盤32上的被加工物的正面進行拍攝，并對由從上述激光光線照射單元4的聚光器41照射的激光光線加工的區域進行檢測。在本實施方式中，該拍攝單元5除了具有通過可見光來進行拍攝的通常的拍攝元件(ccd)之外，還包含：紅外線照明單元，其對被加工物照射紅外線；光學系統，其對由該紅外線照明單元照射的紅外線進行捕捉；以及拍攝元件(紅外線ccd)等，其輸出與由該光學系統捕捉到的紅外線對應的電信號，該拍攝單元5將拍攝得到的圖像信號發送到后述的控制單元。并且，圖示的激光加工機具有對由拍攝單元5拍攝的圖像進行顯示的顯示單元6。

激光加工機1具有在作為加工前的被加工物的晶片的正面(加工面)上覆蓋保護膜的保護膜覆蓋裝置7。參照圖2到圖4對該保護膜覆蓋裝置7進行說明。保護膜覆蓋裝置7具有旋轉工作臺機構71和包圍該旋轉工作臺機構71而配設的清洗水接收單元72。旋轉工作臺機構71具有：旋轉工作臺711；電動機712，其對該旋轉工作臺711進行旋轉驅動；支承機構713，其將該電動機712支承為能夠在上下方向上移動。旋轉工作臺711具有吸附卡盤711a，該吸附卡盤711a的由多孔性材料形成的上表面作為對被加工物進行保持的保持面，該吸附卡盤711a與未圖示的吸引單元連通。因此，關于旋轉工作臺711，將作為被加工物的晶片載置在吸附卡盤711a上并通過未圖示的吸引單元作用負壓，由此，將晶片保持在吸附卡盤711上。另外，旋轉工作臺711的外徑形成為比后述的環狀的框架的內周大且比其外周小，因此，當將后述的環狀的框架保持在旋轉工作臺711的上表面上時，環狀的框架的外周部成為從旋轉工作臺711的外周向外側突出的狀態。上述電動機712的驅動軸712a的上端與上述旋轉工作臺711連結。上述支承機構713由多條(在本實施方式中為3條)支承腿713a和分別與該支承腿713a連結并安裝在電動機712上的多個(在本實施方式中為3個)氣缸713b構成。關于這樣構成的支承機構713，通過使氣缸713b進行動作而將電動機712和旋轉工作臺711定位在圖3所示的上方位置即被加工物搬入/搬出位置和圖4所示的下方位置即作業位置。

上述清洗水接收單元72具有：清洗水接收容器721；3條(在圖2中示出了兩條)支承腿722，它們對該清洗水接收容器721進行支承；以及罩蓋部件723，其安裝在上述電動機712的驅動軸712a上。如圖3和圖4所示，清洗水接收容器721由圓筒狀的外側壁721a、底壁721b和內側壁721c構成。在底壁721b的中央部設置有供上述電動機712的驅動軸712a貫穿插入的孔721d，并形成有從該孔721d的周緣向上方突出的內側壁721c。并且，如圖2所示，在底壁721b上設置有排液口721e，該排液口721e與排水軟管724連接。上述罩蓋部件723形成為圓盤狀，并具有從其外周緣向下方突出的罩蓋部723a。當電動機712和旋轉工作臺711定位在圖4所示的作業位置處時，這樣構成的罩蓋部件723被定位成罩蓋部723a與構成上述清洗水接收容器721的內側壁721c的外側具有間隙而重合。

保護膜覆蓋裝置7具有水溶性樹脂提供單元74，該水溶性樹脂提供單元74向保持在上述旋轉工作臺711上的作為加工前的被加工物的晶片的加工面提供液狀的水溶性樹脂。水溶性樹脂提供單元74具有：樹脂提供噴嘴741，其向保持在旋轉工作臺711上的加工前的晶片的加工面提供水溶性樹脂；能夠進行正轉/反轉的電動機742，其使該樹脂提供噴嘴741搖動，樹脂提供噴嘴741與未圖示的水溶性樹脂液提供源連接。樹脂提供噴嘴741由水平延伸的噴嘴部741a和從該噴嘴部741a朝向下方延伸的支承部741b構成，支承部741b以貫穿插入到設置于構成上述清洗液回收容器721的底壁721b的未圖示的貫穿插入孔中的方式配設并與未圖示的水溶性樹脂液提供源連接。

保護膜覆蓋裝置7具有清洗水提供單元75，該清洗水提供單元75用于向保持在上述旋轉工作臺711上的后述的環狀的框架和加工后的晶片提供清洗水。清洗水提供單元75具有：清洗噴嘴751，其提供對附著在保持于旋轉工作臺711上的后述的環狀的框架的水溶性樹脂進行清洗的清洗水，并且向保持在旋轉工作臺711上的加工后的晶片提供清洗水；以及能夠進行正轉/反轉的電動機752，其使該清洗噴嘴751搖動，該清洗噴嘴751與未圖示的清洗水提供源連接。清洗噴嘴751由水平延伸且前端部朝向下方彎曲的噴嘴部751a和從該噴嘴部751a的基端朝向下方延伸的支承部751b構成，支承部751b以貫穿插入到設置于構成上述清洗液回收容器721的底壁721b的未圖示的貫穿插入孔中的方式配設并與未圖示的清洗水提供源連接。

并且，如圖2所示，保護膜覆蓋裝置7具有用于向保持在上述旋轉工作臺711上的后述的環狀的框架提供空氣的空氣提供單元76。空氣提供單元76具有：空氣噴嘴760，其向保持在上述旋轉工作臺711上的后述的環狀的框架的上表面提供空氣；以及能夠進行正轉/反轉的電動機(未圖示)，其使該空氣噴嘴760搖動，該空氣噴嘴760與未圖示的空氣提供源連接。空氣噴嘴760由噴嘴部761和從該噴嘴部761的基端朝向下方延伸的支承部762構成，其中，該噴嘴部761的前端部朝向下方傾斜并且在前端具有多個噴出口761a，支承部762以貫穿插入到設置于構成上述清洗液回收容器721的底壁721b的未圖示的貫穿插入孔中的方式配設并與未圖示的空氣提供源連接。另外，噴嘴部761的多個噴出口761a在水平方向上排列并分別被設置成稍微朝向下方傾斜。

當回到圖1繼續進行說明時，激光加工機1具有對盒進行載置的盒載置部13a，該盒對作為被加工物即晶片的后述的半導體晶片進行收容。在盒載置部13a上配設有能夠通過未圖示的升降單元來上下移動的盒工作臺131，在該盒工作臺131上載置有盒13。

激光加工機1具有：被加工物搬出/搬入單元15，其將收納在上述盒13中的加工前的半導體晶片搬出到配設于暫放部14a的暫放單元14上并且將加工后的半導體晶片搬入到盒13中；第1被加工物搬送單元16，其將搬出到暫放單元14上的加工前的半導體晶片搬送到保護膜覆蓋裝置7上并且將借助保護膜覆蓋裝置7在正面上覆蓋了保護膜的半導體晶片10搬送到上述卡盤工作臺3上；以及第2被加工物搬送單元17，其將在卡盤工作臺3上進行了激光加工后的半導體晶片10搬送到保護膜覆蓋裝置7上。

激光加工機1如以上所述的那樣構成，以下，對使用激光加工機1在作為被加工物的晶片的正面上覆蓋保護膜而實施激光加工的晶片的加工方法進行說明。在圖5中示出了作為被加工物即晶片的半導體晶片的立體圖。圖5所示的半導體晶片10由硅晶片構成，在正面10a上由呈格子狀形成的多條分割預定線101劃分出多個區域，在該劃分出的區域內形成有ic、lsi等器件102。

要想在上述半導體晶片10的正面上覆蓋保護膜而沿著分割預定線101實施激光加工，首先實施晶片支承工序，經由粘合帶將晶片的背面粘接在具有對晶片進行收容的開口的環狀的框架的該開口中而利用環狀的框架對晶片進行支承。即，如圖6所示，將半導體晶片10的背面10b粘接在粘合帶12的正面上，該粘合帶12的外周部被安裝成覆蓋環狀的框架11的內側開口部。因此，半導體晶片10經由粘合帶12被環狀的框架11支承。另外，在圖6所示的實施方式中，雖然示出了將半導體晶片10的背面粘接在外周部被安裝在環狀的框架11上的粘合帶12的正面上的例子，但也可以將粘合帶12粘接在半導體晶片10的背面上并且同時將粘合帶12的外周部安裝在環狀的框架11上。這樣經由粘合帶12被環狀的框架11支承的半導體晶片10以作為加工面的正面10a為上側而被收容在圖1所示的激光加工機1的盒13中。

如上述那樣，為了在收容在盒13中的經由粘合帶12被環狀的框架11支承的加工前的半導體晶片10(以下，簡稱為半導體晶片10)的正面上覆蓋水溶性樹脂的保護膜，通過未圖示的升降單元使盒工作臺131進行上下動作從而將收容在規定的位置處的半導體晶片10定位在搬出位置。接著，被加工物搬出/搬入單元15進行進退動作而將位于搬出位置的半導體晶片10搬出到配設于暫放部14a的暫放單元14。搬出到暫放單元14的半導體晶片10通過暫放單元14而被對位到規定的位置。接著，通過暫放單元14而被對位后的加工前的半導體晶片10通過第1被加工物搬送單元16的旋轉動作而被搬送到構成保護膜覆蓋裝置7的旋轉工作臺711的吸附卡盤711a上，并以經由粘合帶12被環狀的框架11支承的狀態被吸引保持在該吸附卡盤711a上(晶片保持工序)。此時，旋轉工作臺711被定位在圖3所示的被加工物搬入/搬出位置，水溶性樹脂提供單元74的樹脂提供噴嘴741和清洗水提供單元75的清洗噴嘴751以及上述空氣提供單元76的空氣噴嘴760如圖2和圖3所示被定位在與旋轉工作臺711的上方分離的待機位置。

在實施了將加工前的半導體晶片10保持在保護膜覆蓋裝置7的旋轉工作臺711上的晶片保持工序之后，將旋轉工作臺711定位在作業位置，并且如圖7的(a)所示對構成水溶性樹脂提供單元74的樹脂提供噴嘴741的電動機742進行驅動而將樹脂提供噴嘴741的噴嘴部741a的噴出口定位在保持于旋轉工作臺711上的半導體晶片10的中心部上方。然后，使旋轉工作臺711按照箭頭a所示的方向以規定的旋轉速度(例如60rpm)以規定的時間(例如100秒)旋轉，并且以規定的量(例如4～5毫升/分鐘左右)從樹脂提供噴嘴741的噴嘴部741a滴下液狀的水溶性樹脂100。另外，作為水溶性樹脂，在圖示的實施方式中使用聚乙烯醇(pva：polyvinylalcohol)。

這樣，以4～5毫升/分鐘左右向保持在旋轉工作臺711上的激光加工前的半導體晶片10的正面10a(加工面)的中央區域滴下聚乙烯醇等水溶性樹脂100，并使旋轉工作臺711以60rpm的旋轉速度旋轉100秒，由此，如圖7的(b)所示，在半導體晶片10的正面10a(加工面)上覆蓋厚度為0.2μm～1μm的保護膜110(保護膜覆蓋工序)。在該保護膜覆蓋工序中，水溶性樹脂100因離心力而朝向環狀的框架11流動乃至飛散，如圖7的(b)所示，水溶性樹脂100附著在環狀的框架11的上表面。

在實施了上述的保護膜覆蓋工序之后，實施水溶性樹脂去除工序，將附著在環狀的框架11的上表面的水溶性樹脂100去除。即，如圖8的(a)所示，對清洗水提供單元75的電動機752進行驅動而將清洗噴嘴751的噴嘴部751a的噴出口定位在保持于旋轉工作臺711上的環狀的框架11的上方。并且，對空氣提供單元76的未圖示的電動機進行驅動而將構成空氣噴嘴760的噴嘴部761的具有多個噴出口761a(參照圖2)的前端部與清洗噴嘴751的噴嘴部751a相鄰而定位在旋轉工作臺711的旋轉方向下游側。此時，為了不損傷覆蓋在半導體晶片10的正面上的保護膜110而將設置于噴嘴部761的前端部的多個噴出口761a(參照圖2)定位成從環狀的框架11的內側斜著朝向外側。然后，一邊使旋轉工作臺711按照箭頭a所示的方向以例如90rpm的旋轉速度旋轉，一邊從噴嘴部751a的噴出口以140毫升/分鐘提供清洗水77并且以3升/分鐘以15秒的時間從空氣噴嘴760的噴嘴部761提供空氣。其結果是，提供到環狀的框架11的上表面的清洗水77因從旋轉工作臺711的旋轉方向下游側逆著移動而從空氣噴嘴760的噴嘴部761提供的空氣而暫時滯留并被排出到環狀的框架11的外側。因此，通過所滯留的清洗水來溶解附著在環狀的框架11的上表面的水溶性樹脂而提高清洗效果，如圖8的(b)所示，能夠在短時間內有效地將附著在環狀的框架11的上表面的水溶性樹脂去除。

如上述那樣在作為半導體晶片10的加工面的正面10a上形成保護膜110，并且將附著在環狀的框架11的上表面的水溶性樹脂去除了之后，將旋轉工作臺711定位在圖3所示的被加工物搬入/搬出位置，并解除對保持在旋轉工作臺711上的半導體晶片10的吸引保持。然后，旋轉工作臺711上的半導體晶片10被第1被加工物搬送單元16搬送到卡盤工作臺3的吸附卡盤32上。此時，第1被加工物搬送單元16對經由粘合帶12對半導體晶片10進行支承的環狀的框架11的上表面進行吸引保持而將其搬送到卡盤工作臺3上，由于附著在環狀的框架11的上表面的水溶性樹脂如上述那樣被去除，所以解決了水溶性樹脂如粘合劑那樣進行作用而使環狀的框架11不能從第1被加工物搬送單元16脫離的問題。

如上述的那樣，在將經由粘合帶12被環狀的框架11支承的半導體晶片10搬送到卡盤工作臺3的吸附卡盤32上之后，通過使未圖示的吸引單元動作，將粘接有半導體晶片10的粘合帶12側吸引保持在該吸附卡盤32上。并且，通過夾具34將環狀的框架11固定。此時，由于附著在環狀的框架11的上表面的水溶性樹脂如上述那樣被去除，所以水溶性樹脂不會如粘合劑那樣進行作用而粘住夾具34。這樣，通過未圖示的移動單元將對半導體晶片10進行吸引保持的卡盤工作臺3定位在配設于激光光線照射單元4的拍攝單元5的正下方。

當將卡盤工作臺3定位在拍攝單元5的正下方時，通過拍攝單元5和未圖示的控制單元來執行圖形匹配等圖像處理，并完成激光光線照射位置的對準，其中，該圖形匹配等圖像處理用于進行形成在半導體晶片10的第1方向的分割預定線101與激光光線照射單元4的聚光器42的對位，該激光光線照射單元4沿著分割預定線101照射激光光線。并且，對于形成在半導體晶片10上的相對于上述第1方向呈直角延伸的分割預定線101，也同樣地完成激光光線照射位置的對準。此時，雖然在半導體晶片10的形成有分割預定線101的正面10a上形成有保護膜110，但在保護膜110不透明的情況下能夠利用紅外線進行拍攝而從正面進行對準。

如以上所述的那樣，對形成在保持于卡盤工作臺3上的半導體晶片10的分割預定線101進行檢測并進行了激光光線照射位置的對準之后，如圖9的(a)所示將卡盤工作臺3移動至照射激光光線的激光光線照射單元4的聚光器42所位于的激光光線照射區域，并將規定的分割預定線101定位在聚光器42的正下方。此時，如圖9的(a)所示，半導體晶片10被定位成分割預定線101的一端(圖9的(a)中的左端)位于聚光器42的正下方。另外，在圖9的(a)和(b)中，省略了對環狀的框架11進行固定的夾具34。接著，一邊從激光光線照射單元4的聚光器42照射脈沖激光光線一邊使卡盤工作臺3按照圖9的(a)中箭頭x1所示的方向以規定的加工進給速度移動。然后，如圖9的(b)所示，在分割預定線101的另一端(圖9的(b)中的右端)到達了聚光器42的正下方位置之后，停止脈沖激光光線的照射并且停止卡盤工作臺3的移動。在該激光加工槽形成工序中，將脈沖激光光線的聚光點p對位在分割預定線101的正面附近。

通過實施上述的激光加工槽形成工序，如圖9的(c)所示，在半導體晶片10的分割預定線101上形成激光加工槽120。此時，即使因激光光線的照射而產生碎屑130，該碎屑130也被保護膜110遮擋，不會附著于器件102和鍵合點等。然后，對半導體晶片10的全部的分割預定線101實施上述的激光加工槽形成工序。

在沿著半導體晶片10的全部的分割預定線101實施了上述的激光加工槽形成工序之后，對半導體晶片10進行保持的卡盤工作臺3返回到最初對半導體晶片10進行吸引保持的位置，在這里解除對半導體晶片10的吸引保持并且解除夾具34對環狀的框架11的固定。然后，半導體晶片10被第2被加工物搬送單元17搬送到構成保護膜覆蓋裝置7的旋轉工作臺711的吸附卡盤711a上并被該吸附卡盤711a吸引保持。此時，第2被加工物搬送單元17對經由粘合帶12對半導體晶片10進行支承的環狀的框架11的上表面進行吸引保持而將其搬送到構成保護膜覆蓋裝置7的旋轉工作臺711上，由于附著在環狀的框架11的上表面的水溶性樹脂如上述那樣被去除，所以解決了水溶性樹脂如粘合劑那樣進行作用而使環狀的框架11不能從第2被加工物搬送單元17脫離的問題。另外，如圖2和圖3所示，水溶性樹脂提供單元74的樹脂提供噴嘴741和清洗水提供單元75的清洗噴嘴751以及上部空氣提供單元76的空氣噴嘴760被定位在與旋轉工作臺711的上方分離的待機位置。

在將加工后的半導體晶片10保持在保護膜覆蓋裝置7的旋轉工作臺711上之后，執行對半導體晶片10進行清洗的清洗工序。即，將旋轉工作臺711定位在作業位置，并且對清洗水提供單元75的未圖示的電動機進行驅動而將清洗噴嘴751的噴嘴部751a的噴出口定位在保持于旋轉工作臺711上的半導體晶片10的中心部上方。然后，一邊使旋轉工作臺711以例如800rpm的旋轉速度旋轉一邊從噴嘴部751a的噴出口噴出例如0.2mpa左右的清洗水，對半導體晶片10的作為加工面的正面10a進行清洗。此時，未圖示的電動機進行驅動而使從清洗水提供噴嘴751的噴嘴部751a的噴出口噴出的清洗水在所需的角度范圍內搖動，該所需的角度范圍從相當于旋轉工作臺711所保持的半導體晶片10的中心的位置直到相當于外周部的位置為止。其結果是，由于覆蓋在半導體晶片10的正面10a上的保護膜110如上述那樣由水溶性的樹脂形成，所以能夠容易地洗去保護膜110并且還能將在激光加工時產生的碎屑130去除。

在上述的清洗工序結束之后，執行對被清洗的半導體晶片10進行干燥的干燥工序。即，將清洗噴嘴751定位在待機位置，并使旋轉工作臺711以例如3000rpm的旋轉速度旋轉15秒左右，由此，對半導體晶片10的正面進行旋轉干燥。

如上述那樣，在實施了清洗工序和干燥工序之后，停止旋轉工作臺711的旋轉，并將旋轉工作臺711定位在圖3所示的被加工物搬入/搬出位置，并且解除對保持在旋轉工作臺711上的半導體晶片10的吸引保持。接著，旋轉工作臺711上的加工后的半導體晶片10被第1被加工物搬送單元16搬送到配設于暫放部14a的暫放單元14上。通過被加工物搬出單元15將搬送到暫放單元14上的加工后的半導體晶片10收納在盒13的規定的位置。