襯底處理裝置及使用所述襯底處理裝置的襯底處理方法與流程

本發明涉及一種襯底處理裝置及使用所述襯底處理裝置的襯底處理方法，且更具體而言，涉及一種能夠改善參與襯底處理工藝的工藝氣體的流量的襯底處理裝置及使用所述襯底處理裝置的襯底處理方法。

背景技術：

大體而言，襯底處理裝置被分類成能夠處理一個襯底的單晶片型處理裝置及能夠同時處理多個襯底的批次型襯底處理裝置。這種單晶片型襯底處理裝置具有簡單的結構，但生產率低。因此，能夠大量生產襯底的批次型襯底處理裝置被廣泛地使用。

在根據現有技術的批次型襯底處理裝置中，垂直地裝載多個襯底以執行處理工藝。因此，可在裝載位置處在襯底的上側及下側中界定具有預定距離的預定空間，以使傳送模塊的末端執行器(end-effector)將襯底中的每一個放置于裝載空間中。此處，上部空間可提供襯底裝載路徑及工藝氣體所流經的空間，且下部空間可提供供末端執行器放置襯底且接著脫離襯底裝載空間時所經由的空間。此處，下部空間可具有具預定高度的裝載空間，以使末端執行器放置襯底且接著脫離襯底裝載空間。因此，工藝氣體所流經的上部空間的擴展可受到限制。若不能確保充足的上部空間，則工藝氣體就無法沿襯底的整個表面均勻地流動，且因此，工藝薄膜就無法具有均勻的厚度。

為確保充足的上部空間，由于在下部空間的高度被確保至預定高度或高于預定高度的狀態下擴展上部空間，因此襯底舟的總高度可增加。因此，襯底處理裝置的大小可增大且價格可升高。

[現有技術文獻]

[專利文獻]韓國專利公開案第10-2005-0116247號

技術實現要素：

本發明提供一種襯底處理裝置及使用所述襯底處理裝置的襯底處理方法，在所述襯底處理裝置中，通過確保裝載空間中的襯底之上的空間來改善參與襯底處理工藝中的工藝氣體的流量，以改善襯底的整個表面上的工藝均勻性。

根據示例性實施例，一種襯底處理裝置包括：預腔室，襯底被載送至所述預腔室中；工藝腔室，與所述預腔室連通且在所述工藝腔室中執行襯底處理工藝；襯底舟，包括多個分隔板以分隔裝載空間，并進行升降，所述襯底被裝載至所述裝載空間中；氣體供應單元，用以經由設置于所述工藝腔室中的多個噴射噴嘴將工藝氣體供應至所述襯底；排放單元，用以經由設置于所述工藝腔室中的多個抽吸孔來排放氣體；以及交換引導構件，設置于所述預腔室中并用以將被載送至所述預腔室中的所述襯底放置于經所述多個分隔板分隔的所述裝載空間中。

所述交換引導構件可包括：支撐部件，在所述支撐部件上支撐所述襯底；以及驅動部件，連接至所述支撐部件以移動所述支撐部件。

所述支撐部件可在所述支撐部件的在上面支撐所述襯底的端部上包括對齊臺階式部件。

所述分隔板中的每一個可包括引導狹槽，當所述襯底舟被升降時，所述交換引導構件的至少一部分穿過所述引導狹槽。

所述引導狹槽的面積可對應所述分隔板的面積的0.1％至10％。

所述襯底舟可進一步包括用以支撐所述分隔板的連接桿，且所述連接桿或所述分隔板可包括襯底支撐尖端，自所述交換引導構件傳送來的所述襯底放置于所述襯底支撐尖端上。

所述襯底處理裝置可進一步包括蓋板，所述蓋板安置于所述襯底舟之下以通過所述襯底舟的上升來阻擋所述預腔室與所述工藝腔室之間的路徑。

所述預腔室可包括門狹縫，所述襯底經由所述門狹縫被載送至所述預腔室中以及經由所述門狹縫自所述預腔室中被取出，且所述交換引導構件可安置于與所述門狹縫對應的高度。

根據另一示例性實施例，一種使用襯底處理裝置的襯底處理方法，所述襯底處理裝置包括：預腔室，襯底被載送至所述預腔室中；工藝腔室，與所述預腔室連通且在所述工藝腔室中執行襯底處理工藝；襯底舟，用于將所述襯底裝載于被分隔成多個級的裝載空間中；以及多個交換引導構件，用于將所述襯底放置于所述裝載空間中，所述襯底處理方法包括：將所述襯底載送至所述預腔室中；在所述多個交換引導構件上傳送所述襯底；提起所述襯底舟以將所述襯底放置于所述裝載空間中；以及將所述襯底移動至所述工藝腔室。

所述襯底舟可包括：多個分隔板，對所述裝載空間進行分隔；以及多個連接桿，支撐所述多個分隔板，其中在提起所述襯底舟時，所述襯底可放置于在所述多個連接桿中的每一個或所述多個分隔板中的每一個上形成的襯底支撐尖端上。

所述多個分隔板中的每一個可包括引導狹槽，所述多個交換引導構件的至少一部分穿過所述引導狹槽，且在提起所述襯底舟時，所述多個交換引導構件中的每一個可通過所述襯底舟的上升而穿過所述引導狹槽。

所述襯底處理方法可進一步包括調整所述多個交換引導構件之間的距離。

附圖說明

結合附圖閱讀以下說明，可更詳細地理解示例性實施例，其中：

圖1是根據示例性實施例的襯底處理裝置的側面剖視圖；

圖2是根據示例性實施例的襯底處理裝置的剖視圖；

圖3A及圖3B是根據示例性實施例的交換引導構件的附圖；

圖4A及圖4B是解釋根據示例性實施例的分隔板的引導狹槽的附圖；

圖5A及圖5B是根據示例性實施例的襯底舟的襯底支撐尖端的附圖；

圖6是說明在根據另一示例性實施例的襯底處理方法中，其中襯底被載送至預腔室中的狀態的附圖；

圖7是說明在根據另一示例性實施例的襯底處理方法中，其中多個交換引導構件之間的距離是窄的的狀態的示意圖；

圖8是說明在根據另一示例性實施例的襯底處理方法中，其中在所述多個交換引導構件上支撐襯底的狀態的附圖；

圖9是說明在根據另一示例性實施例的襯底處理方法中，其中末端執行器將襯底傳送至所述多個交換引導構件上且接著末端執行器被移除的狀態的附圖；

圖10是說明在根據另一示例性實施例的襯底處理方法中，其中襯底舟上升的狀態的附圖；

圖11是說明在根據另一示例性實施例的襯底處理方法中，其中襯底被裝載于襯底舟的最末裝載空間中的狀態的附圖；

圖12是說明在根據另一示例性實施例的襯底處理方法中，其中襯底舟移動至工藝腔室的狀態的附圖。

附圖標號說明：

10：襯底；

20：末端執行器；

100：襯底處理裝置；

111：工藝腔室；

112：預腔室；

113：門狹縫；

114：反應管；

120：襯底舟；

121：分隔板；

121a：引導狹槽；

121b：對齊突出部；

122：連接桿；

123、123a、123b：襯底支撐尖端；

124：蓋板；

124a：密封構件；

130：氣體供應單元；

131：噴射噴嘴；

140：排放單元；

141：抽吸孔；

150：交換引導構件；

151：支撐部件；

151a：對齊臺階式部件；

152：驅動部件；

161：旋轉驅動單元；

162：升降驅動單元；

171：加熱單元；

200：傳送腔室；

210：流入孔；

220：門閥。

具體實施方式

以下，將參照附圖更詳細地闡述具體實施例。然而，本發明可以不同的形式實施，而不應被視為僅限于本文中所述的實施例。確切而言，提供這些實施例是為了使本發明透徹及完整，并向所屬領域中的技術人員充分傳達本發明的范圍。在本說明中，相同的元件由相同的參考編號加以指示。在圖中，為說明清晰起見，夸大了各層及各區的尺寸。通篇中相同的參考編號指代相同的元件。

在批次型襯底處理裝置中，垂直地裝載多個襯底以執行處理工藝。因此，可在裝載位置處在襯底的上側及下側中界定具有預定距離的預定空間，以使傳送模塊的末端執行器將襯底中的每一個放置于裝載空間中。此處，上部空間可提供襯底裝載路徑及工藝氣體所流經的空間，且下部空間可提供供末端執行器放置襯底且接著脫離襯底裝載空間時所經由的空間。根據現有技術，可需要具有預定高度的下部空間，末端執行器經由所述下部空間放置襯底且接著脫離襯底裝載空間。因此，工藝氣體所流經的上部空間的擴展可受到限制。因此，無法充分地確保上部空間，從而造成以下限制：工藝氣體不會在襯底的整個表面上均勻地流動，且工藝薄膜不會具有均勻的厚度。

圖1是根據示例性實施例的襯底處理裝置的側面剖視圖，且圖2是根據示例性實施例的襯底處理裝置的剖視圖。

參照圖1及圖2，根據示例性實施例的襯底處理裝置100可包括：預腔室112，襯底10被載送至預腔室112中；工藝腔室111，與預腔室112連通且在所述工藝腔室111中執行襯底處理工藝；襯底舟120，包括多個分隔板121以分隔裝載空間并進行升降，襯底10被裝載至所述裝載空間中；氣體供應單元130，經由設置于工藝腔室111中的多個噴射噴嘴131將工藝氣體供應至襯底10；排放單元140，經由設置于工藝腔室111中的多個抽吸孔141來排放氣體；以及交換引導構件150，設置于預腔室112中以將被載送至預腔室112中的襯底10放置于經多個分隔板121分隔的裝載空間中。

預腔室112可具有矩形盒形狀或圓柱形狀。可自傳送腔室200載送襯底10，且可將所載送的襯底10裝載至襯底舟120中。預腔室112可包括門狹縫113，門狹縫113與傳送腔室200連通以載送(或放入)襯底10及取出襯底10。因此，襯底10可經由門狹縫113自傳送腔室200被載送至預腔室112。流入孔210可界定于傳送腔室200的一側中以對應于門狹縫113。門閥220可安置于門狹縫113與流入孔210之間。因此，傳送腔室200的內部空間與預腔室112的內部空間可通過門閥220而彼此隔離。門狹縫113與流入孔210之間的空間可利用門閥220而打開或關閉以放入及取出襯底10。

工藝腔室111可具有矩形盒形狀或圓柱形狀，以對應于預腔室112并與預腔室112連通。另外，可執行使裝載于襯底舟120中的襯底10移動的處理工藝。工藝腔室111可包括反應管114及外部管(未示出)。

反應管114可界定在其中容納襯底舟120的內部容納空間，并執行對裝載于襯底舟120中的襯底10進行的處理工藝。反應管114可具有圓柱形狀。另外，反應管114可在其上部部分閉合的狀態下具有開放的下部部分。在這種情形中，當襯底舟120被容納于反應管114的容納空間中或垂直地升降以脫離反應管114的容納空間時，襯底舟120可通過反應管114的開口而插入至反應管114的容納空間或自反應管114的容納空間抽出。另外，反應管114的下部部分可包括自反應管114的圓周向外突出并連接至外部管(未示出)或工藝腔室111的突出部以使反應管114連接至外部管(未示出)的內壁或工藝腔室111且由外部管(未示出)的內壁或工藝腔室111支撐。

另外，反應管114可提供執行襯底處理工藝的襯底處理區。當襯底舟120改變位置至工藝位置時，襯底舟120可安置于襯底處理區中，且襯底處理區的體積可減小。在這種情形中，工藝氣體的使用量可被最小化，且另外，工藝氣體可集中至裝載于襯底舟120中的襯底10上。

反應管114可由陶瓷、石英或金屬上涂布有陶瓷的材料形成。另外，反應管114可在反應管114的側壁的圓周中具有通孔以對應于噴射噴嘴131及抽吸孔141。此處，噴射噴嘴131或抽吸孔141可被插入至通孔中以從中穿過。

外部管(未示出)可具有圓柱形狀且可安置于具有開放的上部部分的預腔室112之上或工藝腔室111中。外部管可安置于工藝腔室111與反應管114之間。外部管(未示出)可具有容納反應管114的內部空間且還可具有開放的下部部分，其中在反應管114中執行襯底處理工藝。此處，外部管(未示出)的內壁及反應管114的外壁可彼此間隔開以在外部管(未示出)與反應管114之間形成空間。然而，示例性實施例并非限制外部管(未示出)的結構及形狀。舉例而言，外部管可具有各種結構及形狀。

襯底10可被載送及裝載至預腔室112中且接著可經由襯底舟120來進行升降，以被移動至工藝腔室111。接著，可在工藝腔室111中對襯底10進行處理。因此，預腔室112的內部可提供裝載位，在所述裝載位上裝載襯底10，且工藝腔室111的內部可提供襯底處理空間。預腔室112與工藝腔室111可與彼此成一體以彼此連通。示例性實施例并非限制預腔室112及工藝腔室111中的每一個的結構及形狀。舉例而言，預腔室112及工藝腔室111中的每一個可具有各種結構及形狀。

襯底舟120可分多個級(或在垂直方向上)裝載所述多個襯底10，從而以批次型方式執行襯底處理工藝。另外，襯底舟120可在彼此連通的預腔室112及工藝腔室111內被升降以裝載襯底或執行處理工藝。舉例而言，襯底舟120可分多個級來裝載22片襯底10。在襯底舟120定位于設置于預腔室112中的裝載空間中(或裝載位置處)時，襯底10可被裝載至襯底舟120中。更詳細而言，當一個襯底10被裝載于襯底舟120的一個級上時，襯底舟120可上升以使另一襯底10被裝載于在襯底10所裝載的級之下安置的級上。當多個襯底10被完全地裝載至襯底舟120中時，襯底舟120可移動至工藝腔室111的內部(或工藝位置)以在反應管114的容納空間中執行襯底處理工藝。

另外，襯底舟120可包括多個分隔板121，所述多個分隔板121對其中裝載襯底10的裝載空間進行分隔。所述多個分隔板121可界定其中分別裝載所述多個襯底10的多個各別裝載空間，以在所述裝載空間中的每一個中各別地處理所述多個襯底10。也就是說，襯底舟120可在垂直方向上具有多級裝載空間，且可在所述裝載空間中的每一個中裝載一個襯底10。因此，用于處理襯底10的區可被各別地界定于襯底舟120的裝載空間中以防止噴射至襯底10的每一個上的工藝氣體對上部襯底及下部襯底產生影響。可使用陶瓷、石英、合成石英等作為分隔板121中的每一個的材料。

在根據現有技術的批次型襯底處理裝置中，所述多個襯底可垂直地堆疊以執行襯底處理工藝。如此一來，附著于襯底的底表面的粒子可在所述襯底處理工藝之前的單晶片型工藝或其他工藝中自傳送模塊的末端執行器(end-effector)分離，以在放入或取出襯底的同時或在所述工藝期間落于下部襯底的層形成表面上，從而起到使所要生長的層(以下，稱為“生長層”)的品質劣化的作用。

然而，在根據示例性實施例的襯底處理裝置100中，包括所述多個分隔板121的襯底舟120可用以獨立地分離所述多個襯底10，從而防止附著于襯底10的底表面的粒子落于下部襯底的層形成表面上且因此防止生長層在品質方面發生劣化。

另外，由于根據現有技術的批次型襯底處理裝置包括一個工藝氣體供應管線，因此只能控制被供應至反應管中的工藝氣體的量，而供應至襯底中的每一個上的工藝氣體的量則無法被各別地控制。也就是說，供應至襯底的每一個上的工藝氣體的濃度未受到控制。如此一來，無法控制形成于襯底上的生長層的厚度，進而形成具有彼此不同的厚度的襯底。另外，為解決這個限制，盡管提供其中設置有多級氣體供應噴嘴及氣體排放孔以向所述襯底中的每一個獨立地供應氣體的系統，然而由于襯底舟在各襯底之間具有開放結構，因此無法對襯底舟內的所述多個襯底執行襯底處理。也就是說，即使經由與所述襯底中的每一個對應的氣體供應噴嘴(或噴射噴嘴)供應預定量的工藝氣體，工藝氣體也可對安置于對應位置處的襯底及安置于在對應位置上所安置的所述襯底的上方及下方的襯底產生影響。因此，無法均勻地處理襯底舟內的多個襯底。

然而，在根據示例性實施例的襯底舟120中，可在各襯底10之間安裝分隔板121以獨立地分離多個襯底10，從而防止噴射至襯底10的每一個上的工藝氣體對上部襯底及下部襯底產生影響。

另外，襯底舟120可進一步包括連接桿122，連接桿122支撐分隔板121。可設置多個連接桿122。因此，可在多個連接桿122中界定供多個分隔板121插入的多個插入槽。此處，可在多個連接桿122中的每一個中垂直地界定所述多個插入槽，且所述多個分隔板121可分別插入至插入槽中并耦合至所述插入槽。在這種情形中，各分隔板121之間的距離(或高度)可通過以下簡單的方法來簡單地調整：將分隔板121插入至插入槽或自插入槽抽出。

連接桿122可將多個分隔板121連接至彼此。在連接桿122穩定地支撐所述多個分隔板121以執行襯底處理工藝的同時，連接桿122可防止所述多個分隔板121傾斜且可防止所述裝載空間中的每一個發生變形。另外，多個連接桿122可成一體地耦合至襯底舟120的組件(例如多個分隔板121)。

另外，多個連接桿122可在襯底10的載送方向(裝載方向)上對稱地安置。可對稱地安置多個連接桿122以穩定地支撐多個分隔板121及襯底10。當連接桿122鋪設于襯底10的載送方向上時，由于會在裝載(載送)襯底10時出現干涉而無法裝載襯底10，因此連接桿122可相對于襯底10的載送方向對稱地安置。

此處，彼此對稱的且最靠近門狹縫113的各連接桿122之間的距離可大于襯底10的區域。即使多個連接桿122相對于襯底10的載送方向對稱地安置，若彼此對稱的且最靠近門狹縫113的各連接桿122之間的距離小于襯底10的區域，則襯底的裝載可能受到干涉，且因此，也可能無法裝載襯底10。因此，彼此對稱的且最靠近門狹縫113的各連接桿122之間的距離可等于襯底10的區域。若各連接桿122之間的距離等于襯底10的區域，則由于可能難以裝載襯底10，因此可稍微增大各連接桿122之間的距離。此處，為使彼此對稱的且最靠近門狹縫113的各連接桿122之間的距離進一步增大，則安置于比靠近門狹縫113的位置遠的位置處的所述多個連接桿122須被偏置地安置。如此一來，所述多個連接桿122可被偏置地安置于遠離門狹縫113的部分。

如上所述，當多個連接桿122在襯底10的載送方向上彼此對稱地安置，以使彼此對稱的且最靠近門狹縫113的各連接桿之間的距離大于襯底10的區域時，在裝載襯底10時可容易地裝載襯底而不發生干涉。另外，由于多個連接桿122彼此對稱地安置，因此多個分隔板121及襯底10可被穩定地支撐。此外，當在襯底10的載送方向上供應工藝氣體時，由于工藝氣體無干涉地流動至排放單元140，因此工藝氣體可順暢地流動，且因此，層可有效地生長于襯底10上。

另外，經分隔板121分隔的裝載空間的高度可針對每一裝載空間及工藝條件而變化。此處，分隔板121之間的距離可通過界定于連接桿122中的多個耦合槽來簡單地調整。工藝氣體的流量可根據所述裝載空間中的每一個的高度而變化。另外，所述裝載空間中的每一個的高度可根據所述裝載空間中的每一個中的工藝氣體的供應條件而變化。舉例而言，當各噴射噴嘴131具有彼此不同的直徑時，若噴射噴嘴131的直徑逐漸增大，則由于工藝氣體的噴射角度增大，因此可根據噴射噴嘴131的直徑來調整裝載空間的高度以防止工藝氣體對相鄰的裝載空間產生影響。此處，裝載空間中的每一個的高度可與噴射噴嘴131的直徑成比例。

工藝氣體可根據裝載空間(或處理位置等)而在原材料氣體、蝕刻氣體、載氣、及摻雜劑氣體的比率(或濃度)方面發生變化。此處，當原材料氣體、蝕刻氣體、載氣、及摻雜劑氣體的比率發生變化時，由于工藝氣體的流量變化，因此可根據原材料氣體、蝕刻氣體、載氣、及摻雜劑氣體的比率來調整由分隔板121分隔的裝載空間中的每一個的高度以調整工藝氣體的流量。因此，多個裝載空間可在高度方面彼此不同。

氣體供應單元130可經由設置于工藝腔室111中的噴射噴嘴131將含有原材料氣體及蝕刻氣體的工藝氣體供應至多個襯底10上。此處，噴射噴嘴131可為一個線性噴射噴嘴或線性安置的多個噴射噴嘴。在多個噴射噴嘴131為線性安置的情形中，可為經多個分隔板121劃分的每一裝載空間(即為所述多個分隔板之間的空間中的每一個)設置噴射噴嘴131。在這種情形中，由于一個襯底10是經由一個噴射噴嘴131進行處理，因此可在襯底10中的每一個上形成均勻的生長層。另外，由于工藝氣體是被獨立地供應至襯底10中的每一個，因此可根據襯底10中的每一個的位置來控制所要供應的工藝氣體的量。因此，可在最佳條件下對襯底10中的每一個執行處理工藝，且因此，生長層的品質可得到改善。

另外，可垂直地安置經線性安置的所述多個噴射噴嘴131。另外，多個噴射噴嘴131的直徑可在遠離氣體供應源(未示出)的方向上逐漸增大。舉例而言，當工藝氣體經由單個氣體供應管線自較低的一側向上供應時，上部噴射噴嘴131a的直徑可大于下部噴射噴嘴131b的直徑。

詳細而言，在接近氣體供應源的噴射噴嘴131的情形中，工藝氣體可自相鄰的位置供應且因此其易于被引入。另一方面，在遠離氣體供應源的噴射噴嘴131a的情形中，工藝氣體可自較遠的位置供應，且因此，相比于相鄰的噴射噴嘴131b，可能難以供應工藝氣體。因此，當工藝氣體經由單個氣體供應管線供應且接著由多個噴射噴嘴131分配時，自接近氣體供應源的下部噴射噴嘴131b噴射的工藝氣體的量及自遠離氣體供應源的上部噴射噴嘴131a噴射的工藝氣體的量可彼此不同。因此，可減小接近氣體供應源的噴射噴嘴131的直徑以減少所要噴射的工藝氣體的量。另外，可增大遠離氣體供應源的噴射噴嘴131a的直徑以增加所要噴射的工藝氣體的量。也就是說，可調整噴射噴嘴131的直徑以經由接近氣體供應源安置的噴射噴嘴131及遠離氣體供應源的噴射噴嘴131a來供應均勻量的工藝氣體。因此，均勻量的工藝氣體可被供應至襯底10中的每一個以改善工藝效率。

根據示例性實施例的襯底處理裝置100可為選擇性外延生長(selective epitaxial growth，SEG)設備。在選擇性外延生長設備中，可將少量的蝕刻氣體與原材料氣體混合，且接著可供應上述混合物。因此，在襯底上可涉及與沉積反應一起進行的蝕刻反應。沉積反應及蝕刻反應可在多晶層(polycrystalline layer)及外延層上以相對不同的反應速率同時發生。在沉積工藝期間，盡管在現有多晶層或非晶層(amorphous layer)沉積于至少一個第二層上的同時在單晶表面上形成外延層，然而所沉積的多晶層一般而言可以比外延層處大的速率受到蝕刻。因此，當蝕刻劑氣體的濃度變化時，凈選擇性工藝(net selective process)可引起外延材料的沉積以及多晶材料的受限沉積或不受限沉積。舉例而言，在選擇性外延生長設備中，由含硅材料形成的外延層可在不使所沉積的材料保留在間隔壁上的情況下形成于單晶硅表面上。

在根據示例性實施例的襯底處理裝置100中，可在襯底10上形成外延層。此處，襯底處理裝置100可為選擇性外延生長裝置。一般而言，可在襯底處理設備中執行傳送工藝、清潔工藝、及外延工藝。由于執行外延工藝比執行清潔工藝花費更多時間，因此可通過多個襯底處理裝置100來改善制造產率。襯底處理裝置100可執行外延工藝。當執行外延工藝時，可向所有處理空間中供應工藝氣體。工藝氣體可包括原材料氣體(例如硅氣體)、蝕刻氣體、摻雜劑氣體、及載氣中的至少一個。各種氣體可以各種比率混合，且接著可供應所述混合物以控制襯底10上的薄膜的厚度。由于各種氣體具有彼此不同的分子量，因此工藝氣體的流量可根據所述各種氣體的配給量而變化。因此，在外延工藝中，工藝氣體的流量可為確定襯底10上的薄膜的厚度及組成的重要因素。

外延工藝可通過化學氣相沉積來執行。可執行外延工藝以在外延表面上形成外延層。舉例而言，襯底10上的外延表面可暴露于包含硅氣體(例如，SiCl4、SiHCl3、SiH2Cl2、SiH3Cl、Si2H6或SiH4)及載氣(例如，N2和/或H2)的工藝氣體。另外，當外延層76需要含有摻雜劑時，硅氣體可進一步包含摻雜劑氣體(例如AsH3、PH3、B2H6)。

氣體供應單元130可經由噴射噴嘴131將含有原材料氣體及蝕刻氣體的工藝氣體供應至多個襯底10上。工藝氣體可包括原材料氣體(例如，硅氣體(例如SiCl4、SiHCl3、SiH2Cl2、SiH3Cl、Si2H6及SiH4))及蝕刻氣體。可使用甲硅烷(SiH4)及二氯硅烷(DCS：SiH2Cl2)作為原材料氣體，且可使用氯化氫(hydrogen chloride，HCl)作為蝕刻氣體。工藝氣體可進一步包括載氣。載氣可稀釋原材料氣體或蝕刻氣體的濃度。另外，可使用氮氣(N2)及氫氣(H2)中的至少一個作為載氣。因此，可控制所供應的載氣的量以控制原材料氣體或蝕刻氣體的濃度。原材料氣體、蝕刻氣體及載氣可易于彼此混合是因原材料氣體、蝕刻氣體、及載氣具有彼此不同的分子量。然而，工藝氣體并非僅限于此。舉例而言，工藝氣體可進一步包括例如摻雜劑氣體等各種氣體。選擇性外延生長工藝涉及沉積反應及蝕刻反應。若外延層需要包括摻雜劑，則可含有摻雜劑氣體(例如AsH3、PH3或B2H6)。可將包含氯化氫(HCl)的蝕刻氣體用于清潔以及用于蝕刻。

另外，氣體供應單元130可將彼此不同的工藝氣體供應至襯底10中的每一個上。大體而言，在批次型襯底處理裝置中，可將相同的工藝氣體供應至襯底中的每一個以對襯底10中的每一個執行相同的襯底處理工藝。然而，根據示例性實施例，可將彼此不同的工藝氣體供應至襯底10中的每一個來通過單個工藝在單個腔室中形成各種類型的生長層。此處，工藝氣體可針對每一襯底10為不同的，可僅在多個襯底10中的一部分上為不同的，或可針對每一群組為不同的。另外，可經由彼此不同的氣體供應管線將工藝氣體供應至襯底舟120的裝載空間中的每一個。因此，可分別將工藝氣體供應至襯底10。若工藝氣體針對每一群組為不同的，則可針對每一群組使用相同的氣體供應管線。多個噴射噴嘴131可安置于彼此不同的高度，以單獨地供應氣體至襯底舟120的裝載空間中的每一個。此處，與下部裝載空間接觸的噴射噴嘴131b可安置于相對低的高度，且與上部裝載空間接觸的噴射噴嘴131a可安置于相對高的高度。舉例而言，多個噴射噴嘴131可沿反應管114的圓周呈螺旋形安置。在這種情形中，多個噴射噴嘴131可自安置于最低高度的噴射噴嘴131b至安置于最高高度的噴射噴嘴131a相繼地安置。因此，當具有彼此不同的高度的多個噴射噴嘴131a規則地安置時，當與其中所述多個噴射噴嘴131不規則地安置的情形相比時，空間效率可得到改善。另外，當需要時，可經由線性安置的多個噴射噴嘴131而將彼此不同的工藝氣體選擇性地供應至襯底10。因此，可經由單個工藝在單個腔室中形成各種類型的生長層。

如上所述，在氣體供應單元130中，可分別將噴射噴嘴131設置于襯底舟120的多個裝載空間中，以各別地控制裝載空間中的每一個中的工藝氣體。

氣體供應單元130可進一步包括分別針對經多個分隔板121分隔的所述多個裝載空間設置的多個輔助噴嘴(未示出)。所述多個輔助噴嘴(未示出)可在襯底處理工藝中供應輔助氣體至經多個分隔板121分隔的所述多個裝載空間中。此處，所述多個輔助噴嘴可供應不同于工藝氣體的氣體。所述多個輔助噴嘴可供應摻雜劑氣體、載氣、及蝕刻氣體中的至少一個。摻雜劑氣體可與原材料氣體(例如，硅氣體)混合以在襯底10上沉積薄膜，且載氣可稀釋原材料氣體或蝕刻氣體的濃度。如此一來，當在處理襯底10的各裝載空間中的每一個內的摻雜劑氣體的濃度受到控制時，可各別地控制生長層(例如，硅薄膜)的摻雜濃度。另外，當被供應至裝載空間中的每一個中的載氣的供應量受到控制時，可針對每一裝載空間而各別地控制原材料氣體或蝕刻氣體的濃度。因此，經由所述多個輔助噴嘴可選擇性地使用摻雜劑氣體、載氣、及蝕刻氣體以針對每一裝載空間選擇襯底處理工藝。也就是說，當經由所述多個輔助噴嘴僅供應蝕刻氣體時，裝載空間內的蝕刻氣體的混合比率可增大以執行蝕刻工藝，從而在襯底10上實現選擇性外延生長。另外，當僅供應摻雜劑氣體時，裝載空間內的摻雜劑氣體的混合比率可增大，且因此，原材料氣體及摻雜劑氣體可彼此混合以在襯底10上形成薄膜。另外，以不同的比率(這是由于相對于氣體供應源的距離的差異而導致的)供應至裝載空間中的工藝氣體可被控制成以相同的組分及分子量被供應至裝載空間。

在針對選擇性外延生長的詳細說明中，當僅供應蝕刻氣體或僅供應蝕刻氣體及載氣時，工藝氣體及經由所述多個輔助噴嘴供應的氣體可彼此混合，且因此，裝載空間內的蝕刻氣體的比率可增加。因此，在生長出薄膜之前，可在薄膜緩慢生長的部分處通過蝕刻氣體移除薄膜。另一方面，可在通過蝕刻氣體移除薄膜之前對層進行沉積以在薄膜快速生長的部分處形成薄膜。如上所述，可通過所述多個輔助噴嘴來控制蝕刻氣體的濃度以執行選擇性外延工藝。

此處，當停止經由所述多個輔助噴嘴供應氣體時，可通過噴射噴嘴131供應工藝氣體以在裝載空間內的襯底10上形成薄膜(例如，硅薄膜)。另外，可經由彼此不同的氣體供應管線將氣體供應至輔助噴嘴中的每一個中。因此，可針對裝載空間中的每一個選擇性地供應摻雜劑氣體、載氣、及蝕刻氣體。另外，所述多個輔助噴嘴可彼此安置于不同的高度以將氣體單獨地供應至襯底舟120的裝載空間中的每一個。此處，與下部裝載空間接觸的輔助噴嘴可安置于相對低的高度，且與上部裝載空間接觸的輔助噴嘴可安置于相對高的高度。舉例而言，所述多個輔助噴嘴可沿反應管114的圓周呈螺旋形地安置。在這種情形中，所述多個輔助噴嘴可自安置于最高高度的輔助噴嘴至安置于最低高度的輔助噴嘴相繼地安置。因此，當與其中多個輔助噴嘴以彼此不同的高度不規則地安置的結構相比時，空間效率可得到改善。

排放單元140可經由設置于工藝腔室111中的多個抽吸孔141來排放殘留氣體。此處，工藝腔室111內的工藝殘留物可得到排放以在工藝腔室111中形成真空。可界定多個抽吸孔141以與多個噴射噴嘴131對應。抽吸孔141可與噴射噴嘴131對稱安置，且抽吸孔141可具有與噴射噴嘴131相同的數目及形狀。排放單元140可排放工藝腔室111內的工藝殘留物。此處，工藝殘留物可包括非反應氣體及反應副產物。當設置多個噴射噴嘴131時，可設置多個抽吸孔141。此處，當與多個噴射噴嘴131對稱地界定多個抽吸孔141時，可有效地排放包括非反應氣體及反應副產物的工藝殘留物，以有效地控制工藝氣體的流動。也就是說，可調整排放速率(或排放強度)以控制在襯底10上所生長的層的生長速率。可界定多個抽吸孔141的高度與多個噴射噴嘴131的高度不同，且抽吸孔141中的每一個可具有狹槽型橫截面以實現有效抽吸。

反應管114可安置于反應管114的圓周上以穩定地支撐氣體供應管線及排放管線。因此，可在反應管114上設置具有環形形狀的支撐構件(未示出)以支撐氣體供應管線及排放管線。然而，示例性實施例并非限制反應管114的結構及形狀。舉例而言，反應管114可具有各種結構及形狀。

交換導引構件150可設置于預腔室112中。交換引導構件150可主要支撐被載送至預腔室112中的襯底10，以將襯底10放置于經多個分隔板121分隔的裝載空間中，從而將襯底10裝載于襯底舟120中。此處，襯底舟120可上升以將襯底10放置于裝載空間中。作為另外一種選擇，可對交換引導構件150進行垂直地升降以將襯底10放置于裝載空間中。此處，為使交換引導構件150垂直地升降，交換引導構件150在結構上可為完整的。因此，為實現簡單的結構，襯底舟120可利用襯底舟120的升降功能來上升，以將襯底10放置于裝載空間中。

根據現有技術，僅利用傳送模塊的末端執行器將襯底裝載于裝載空間中。此處，由于末端執行器僅利用末端執行器的一側來支撐襯底，因此末端執行器可具有厚的厚度并接觸寬的面積以支撐襯底從而耐受襯底的載荷。因此，當末端執行器將襯底裝載于裝載空間中且接著被水平地移除而不下降時，末端執行器可對襯底的接觸表面造成損壞。因此，可需要具有預定高度的下部空間來提供末端執行器脫離裝載空間時所經由的空間。因此，工藝氣體所流經的上部空間的擴展可受到限制。若沒有確保充足的上部空間，則工藝氣體無法沿襯底的整個表面均勻地流動，且因此，工藝薄膜就無法具有均勻的厚度。另外，為確保充足的上部空間，由于在下部空間的高度被確保成預定高度或高于預定高度的狀態下擴展上部空間，因此襯底舟的總高度可增大。因此，襯底處理裝置的大小可能會增大且價格可能會升高。

然而，根據示例性實施例，在傳送模塊的末端執行器20經由下部空間脫離裝載空間的狀態下，通過交換引導構件150來主要地支撐被載送至預腔室112中的襯底10。在傳送模塊的末端執行器20脫離裝載空間之后，襯底舟120可上升，或可對交換引導構件150進行垂直地升降以將襯底10放置于襯底舟120的裝載空間中。因此，被裝載于襯底舟120的裝載空間中的襯底10的裝載位置可降低。更詳細而言，由于交換引導構件150在其彼此對稱安置(例如在雙向上)的狀態下支撐襯底10，因此交換引導構件150中的每一個的厚度可小于傳送模塊的末端執行器20的厚度小，并通過小的接觸面積來支撐襯底10。如此一來，多個交換引導構件150可僅接觸襯底10的邊緣的小的面積來支撐襯底。因此，即使多個交換引導構件150將襯底10放置于裝載空間中，且多個交換引導構件150被水平地移除而不下降，交換引導構件150仍可不對襯底10造成損壞。因此，可僅在水平方向上移除多個交換引導構件150。另外，由于交換引導構件150中的每一個的厚度小于傳送模塊的末端執行器20的厚度，因此襯底10之下的空間的高度可對應于小于傳送模塊的末端執行器20的厚度的交換引導構件150的厚度。因此，可在工藝氣體沿襯底10的整個表面流經所述空間，不改變襯底舟120的裝載空間的高度或襯底舟120的總高度的條件下，確保襯底10之上具有充足的空間。如此一來，參與襯底處理工藝的工藝氣體的流量可得到改善，以改善襯底10的整個表面上的均勻性。另外，提高裝載空間的高度及襯底舟的總高度來確保襯底10之上具有充足的空間所需要的成本可減少。

可在左側及右側(兩側)上逐一(或依次多個)地設置多個交換引導構件150。此處，交換引導構件150可移動至或旋轉至彼此對應的左側及右側以調整其之間的距離。此處，各交換引導構件150之間的距離可減小以支撐襯底10且在襯底舟120移動至工藝腔室111時增大。當交換引導構件150安置于兩側上時，可提供移動空間，以使傳送模塊的末端執行器20借由所述移動空間來支撐交換引導構件150上的襯底10且接著脫離裝載空間。此處，為防止交換引導構件150在裝載或卸載襯底10時與襯底10發生干涉，交換引導構件150可安置成避開門狹縫113的裝載或卸載襯底10所經由的位置。舉例而言，交換引導構件150可安置于與裝載或卸載襯底10的方向交叉的方向上。

另外，交換引導構件150可安置于與門狹縫113對應的高度。因此，可由交換引導構件150經由傳送模塊的末端執行器20來支撐襯底10，而無需對交換引導構件150進行垂直提升，且末端執行器20的移動路徑可被最小化。

圖3A及圖3B是根據示例性實施例的交換引導構件的附圖，圖3A是立體圖，且圖3B是側視圖。

參照圖3A及圖3B，交換引導構件150可包括支撐襯底10的支撐部件151及連接至支撐部件151以移動支撐部件151的驅動部件152。

支撐部件151可為用以支撐襯底10的一部分。可通過驅動部件152來調整支撐部件151的長度或移動支撐部件151。支撐部件151的一側可具有叉形形狀。在這種情形中，由于襯底10被穩定地支撐，因此襯底10可利用小的面積而被穩定地支撐。因此，以下將闡述的引導狹槽121a的面積可被最小化。另外，當多個交換引導構件150之間的距離減小以支撐襯底10時，支撐部件151可被設置成避開連接桿122而不與襯底舟120的連接桿122發生干涉。

另外，對齊臺階式部件151a可安置于在上面支撐襯底10的支撐部件151的端部上。對齊臺階式部件151a可提供對齊位置以使襯底10被穩定地支撐且也被支撐于準確位置處。襯底10可由對齊臺階式部件151a的下端支撐。襯底10的側表面可緊貼對齊臺階式部件151a的側壁以防止襯底10在水平方向(例如左方向/右方向)上搖動。另外，對齊臺階式部件151a可被形成為與襯底10的大小及形狀相匹配。因此，襯底被對齊臺階式部件151a的下端支撐且接著被對齊。

驅動部件152可連接至支撐部件151以移動支撐部件151。此處，驅動部件152可在水平方向上移動支撐部件151或調整支撐部件151的長度。驅動部件152可包括線性馬達(linear motor，LM)系統。可使用驅動馬達或空氣氣缸(air cylinder)來作為驅動部件152的驅動源。線性馬達系統可被設置成滾珠絲桿型或氣缸型。

舉例而言，交換引導構件150可基本上由線性馬達、滾珠絲桿及磁密封件構成或由空氣氣缸、套筒(bush)及托架構成。交換引導構件150可基于線性運動或旋轉運動來移動。另外，交換引導構件150可由例如石英、鋁或不銹鋼(例如SUS316L)等金屬材料形成。然而，示例性實施例并非限制交換引導構件150的所述結構及形狀。舉例而言，交換引導構件150可具有各種結構及形狀。

圖4A及圖4B是解釋根據示例性實施例的分隔板的引導狹槽的附圖，圖4A是具有引導狹槽的分隔板的平面圖，且圖4B是說明交換引導構件150安置于分隔板的引導狹槽中的狀態的平面圖。

參照圖4A及圖4B，分隔板121可包括在襯底舟120被升降時，交換引導構件150的至少一部分所穿過的引導狹槽121a。當襯底舟120被升降時，交換引導構件150的至少一部分可穿過引導狹槽121a。此處，交換引導構件150的支撐部件151可穿過引導狹槽121a。另外，引導狹槽121a可提供交換引導構件150的通過空間以使襯底舟120被升降，而無需當襯底舟120被升降時在交換引導構件150的支撐部件151設置于襯底舟120的裝載空間中的狀態下移動交換引導構件150。因此，在由交換引導構件150支撐襯底的狀態下，襯底舟120可上升以將襯底放置于襯底舟120的裝載空間中。因此，當襯底舟120上升時，交換引導構件150可將襯底設置于下一裝載空間中。

另外，通過引導狹槽121a，襯底10的裝載位置可在襯底舟120的裝載空間中最大程度地降低。當襯底10的裝載位置最大程度地降低時，可將襯底10放置于分隔板121的頂表面上。也就是說，由于交換引導構件150通過引導狹槽121a而與分隔板121安置于同一條線上或安置于分隔板121之下，因此可將襯底10安置于分隔板121的頂表面上。

因此，可在工藝氣體沿襯底10的整個表面流經所述空間，而無需改變襯底舟120的裝載空間的高度或襯底舟120的總高度下，確保襯底10之上具有充足的空間。另外，參與襯底處理工藝的工藝氣體的流量可得到改善，以改善襯底10的整個表面上的工藝均勻性。另外，提高裝載空間的高度及襯底舟120的總高度來確保襯底10之上具有充足的空間所需要的成本可減少。

另外，當經由引導狹槽121a將襯底10裝載至每一級的裝載空間中時，交換引導構件150可不一直移動。因此，襯底10的裝載工藝可得到簡化。

因此，可主要地支撐經由交換引導構件150而被載送至預腔室112中的襯底10，且可在交換引導構件150的一部分穿過引導狹槽121a的同時對襯底舟120進行升降。如此一來，可通過引導狹槽121a而在裝載空間中的低位置處裝載襯底10而無需移動交換引導構件150，且在工藝氣體沿襯底10的整個表面流經所述空間下，可確保襯底10之上具有充足的空間。另外，可將交換引導構件150設置于襯底舟120的下一裝載空間中而無需移動交換引導構件150，且因此，裝載工藝所需的時間可減少。

另外，引導狹槽121a的面積可對應于分隔板121的面積的0.1％至10％。當引導狹槽121a的面積比分隔板121的面積的0.1％小時，可能難以使交換引導構件150的一部分從中穿過。另外，盡管交換引導構件150的所述一部分會從中穿過，然而由于用于支撐襯底10的面積減小，因此無法穩定地支撐襯底10。舉例而言，當引導狹槽121a具有小的面積時，由于難以將交換引導構件150與引導狹槽121a對齊，因此可能由于交換引導構件150與引導狹槽121a未對齊而導致交換引導構件150難以穿過。因此，襯底10的裝載工藝可由于交換引導構件150與引導狹槽121a未對齊而發生故障。另一方面，當引導狹槽121a的面積比分隔板121的面積的10％大時，在執行襯底處理工藝時，工藝氣體可對安置于對應位置處的襯底10及經由引導狹槽121a而安置于所述襯底之上及之下的另一襯底產生影響。因此，由于難以在處理空間中的每一個中獨立地執行襯底處理工藝，因此無法對襯底舟120內的多個襯底10均勻地執行襯底處理。因此，分隔板121的使用可能無意義，且本發明通過分隔板121來解決難以確保襯底之上的空間此一限制的效果可劣化。

圖5A及圖5B是根據示例性實施例的襯底舟的襯底支撐尖端的附圖，圖5A是安置于分隔板上的襯底支撐尖端的附圖，且圖5B是安置于連接桿上的襯底支撐尖端的附圖。

參照圖5A及圖5B，分隔板121或連接桿122可包括襯底支撐尖端123，在襯底支撐尖端123上放置自交換引導構件150傳送來的襯底10。可將自交換引導構件150傳送來的(或交換來的)襯底10放置于襯底支撐尖端123上。此處，可升降交換引導構件150以將襯底10放置于襯底支撐尖端123上，或者可升降襯底舟120以將襯底10放置于襯底支撐尖端123上。此處，若交換引導構件150具有水平移動功能及升降功能，則交換引導構件150在結構上便可完整。因此，為實現簡單的結構，襯底舟120可利用襯底舟120的升降功能來上升以將襯底10放置于襯底支撐尖端123上。

如圖5A所示，可根據需要對安置于分隔板121的邊緣上的襯底支撐尖端123a的高度進行調整。此處，可根據所要沉積的生長層的厚度及形狀來確定所述高度以與工藝相匹配。另外，可根據襯底10的厚度或形狀來對襯底支撐尖端123a的位置進行調整。此處，可根據襯底10的厚度來對所述高度進行調整，且可根據襯底10的形狀來對支撐位置進行調整。另外，襯底支撐尖端123a可被設置成點型突出部(spot-type protrusion)的形式以防止襯底10在襯底處理工藝期間結合至分隔板121。

當襯底支撐尖端123a安置于分隔板121的邊緣上時，分隔板121可進一步包括對齊突出部121b以穩定地支撐襯底10并將襯底10對齊。對齊突出部121b可提供支撐位置以將襯底10對齊。襯底10的側表面可緊貼對齊突出部121b以防止襯底10在襯底處理工藝期間水平地移動。

如圖5B所示，可根據需要對安置于連接桿122上的襯底支撐尖端123b的高度進行調整。此處，可根據所要沉積的生長層的厚度及形狀來確定所述高度以與工藝相匹配。另外，可根據襯底10的厚度或形狀來對襯底支撐尖端123b的位置進行調整。此處，可根據襯底10的厚度來對所述高度進行調整，且可根據襯底10的形狀對支撐位置進行調整。另外，襯底支撐尖端123b可被設置成在尖端的端部上形成的點型突出部(未示出)的形式，以防止襯底10在襯底處理工藝期間結合至襯底支撐尖端123b。

由于襯底10的裝載位置的降低是受襯底支撐尖端123b的厚度限制，因此襯底支撐尖端123a可安置于分隔板121的邊緣上。然而，示例性實施例并非僅限于此。舉例而言，襯底支撐尖端123可根據上部空間的所需高度來恰當地選擇。

根據示例性實施例的襯底處理裝置100可進一步包括蓋板124，蓋板124安置于襯底舟120之下，以通過襯底舟120的上升來阻擋預腔室112與工藝腔室111之間的路徑，從而將工藝腔室111自預腔室112分隔開。蓋板124可具有圓形板形狀及比分隔板121的直徑大的直徑。蓋板124可安置于襯底舟120之下以通過襯底舟120的上升來對工藝腔室111進行密封。也就是說，當執行襯底處理工藝時，反應管114的開放的下部部分或外部管(未示出)可關閉。另外，具有O形環形狀的密封構件124a可安置于蓋板124與外部管(未示出)之間或蓋板124與反應管114之間。因此，當執行襯底處理工藝時，反應管114的內部可與預腔室112隔離，以防止工藝腔室111內的工藝氣體被引入至預腔室112中或防止預腔室112內的異物被引入至工藝腔室111中。然而，示例性實施例并非限制蓋板124的結構及形狀。舉例而言，蓋板124可具有各種結構及形狀。

另外，旋轉驅動單元161可設置于襯底舟120之下。旋轉驅動單元161可安置于襯底舟120之下以對襯底舟120進行旋轉。此處，旋轉驅動單元161可在分隔板121的垂直方向上相對于中心軸線對襯底舟120進行旋轉。當執行襯底處理工藝時，被供應至反應管114的一側的工藝氣體可穿過裝載于襯底舟120中的襯底10且接著被泄放至反應管114的另一側。此處，當通過旋轉驅動單元161的操作來旋轉襯底舟120時，穿過襯底舟120的氣體可彼此混合，且因此在襯底10的整個表面上均勻地分布。因此，沉積于襯底10上的層的品質可得到改善。

升降驅動單元162可安置于預腔室112及工藝腔室111中的一者之下。升降驅動單元191可利用垂直延伸的軸連接至襯底舟120的下部部分以垂直地升降襯底舟120。所述軸可支撐襯底舟120。舉例而言，襯底舟120可通過升降驅動單元162的操作而向下移動且接著安置于預腔室112中(或裝載位置處)。自傳送腔室200裝載至預腔室112的襯底10可裝載至安置于預腔室112中的襯底舟120中。接著，當多個襯底完全裝載至襯底舟120中時，襯底舟120可通過升降驅動單元162向上移動以移動至工藝腔室111(工藝位置)。因此，可對反應管114的容納空間中的襯底10執行外延工藝。

加熱單元171設置于工藝腔室111中并安置成環繞反應管114的側表面及上部部分。加熱單元171可向反應管114提供熱能以對反應管114的內部空間進行加熱。另外，加熱單元171可將反應管114的內部空間的溫度調整至能夠實現外延工藝的溫度。

圖6至圖12是根據另一示例性實施例的襯底處理方法的附圖。圖6是說明在根據另一示例性實施例的襯底處理方法中，其中襯底被載送至預腔室中的狀態的附圖。圖7是說明在根據另一示例性實施例的襯底處理方法中，其中多個交換引導構件之間的距離是窄的的狀態的示意圖。圖8是說明在根據另一示例性實施例的襯底處理方法中，其中襯底被支撐于所述多個交換引導構件上的狀態的附圖。圖9是說明在根據另一示例性實施例的襯底處理方法中，其中末端執行器將襯底傳送至所述多個交換引導構件上且接著被移除的狀態的附圖。圖10是說明在根據另一示例性實施例的襯底處理方法中，其中襯底舟上升的狀態的附圖。圖11是說明在根據另一示例性實施例的襯底處理方法中，其中襯底被裝載于襯底舟的最末裝載空間中的狀態的附圖。圖12是說明在根據另一示例性實施例的襯底處理方法中，其中襯底舟移動至工藝腔室的狀態的附圖。

將參照圖6至圖12闡述根據另一示例性實施例的襯底處理方法。在根據另一示例性實施例的襯底處理方法的說明中，將不再對關于根據示例性實施例的襯底處理裝置100的說明予以贅述。

在根據另一示例性實施例的襯底處理方法中，提供使用襯底處理裝置100的襯底處理方法，襯底處理裝置100包括：預腔室112，襯底10被載送至預腔室112中；工藝腔室111，與預腔室112連通且在工藝腔室111中執行襯底處理工藝；襯底舟120，在襯底舟120中將襯底10裝載至被分隔成多個級的裝載空間中；以及多個交換引導構件150，用于將襯底10放置于所述裝載空間中，所述襯底處理方法可包括：將襯底10載送至預腔室112中的工藝(S100)；在多個交換引導構件150上傳送襯底10的工藝(S200)；提起襯底舟120以將襯底10放置于所述裝載空間中的工藝(S300)；以及將襯底舟120移動至工藝腔室111的工藝(S400)。

上述工藝可不在時間上依序地執行。上述工藝中的至少一個工藝(例如，S100至S300)可被執行兩次或更多次。

首先，如圖6中所示，將襯底10載送至預腔室112中(S100)。此處，可通過傳送模塊的末端執行器20將襯底10載送至預腔室112中。

接下來，在多個交換引導構件150上傳送襯底10(S200)。如圖7中所示，可通過傳送模塊的末端執行器20將襯底10傳送至多個交換引導構件150。如圖8中所示，所載送的襯底10可被支撐于多個交換引導構件150上。當襯底10受到支撐時，如圖9中所示，可自預腔室112的內部移除末端執行器20。

所述襯底處理方法可進一步包括調整多個交換引導構件150之間的距離的工藝(S50)。可在傳送襯底的工藝(S200)之前或在移動襯底舟的工藝(S400)之前執行調整多個交換引導構件之間的距離的工藝(S50)。

當在傳送襯底的工藝(S200)之前執行工藝(S50)時，如圖7中所示，可調整多個交換引導構件150之間的距離以支撐由傳送模塊的末端執行器20載送并傳送至預腔室112中的襯底10，從而減小多個交換引導構件150之間的距離(S150)。由于減小多個交換引導構件150之間的距離以將多個交換引導構件150提供至裝載空間中，因此被載送至預腔室112中的襯底10可由交換引導構件150支撐。交換引導構件150可設置于預腔室112中并在水平方向上移動。此處，可減小各交換引導構件150之間的距離以主要地支撐被載送至預腔室112中的襯底10，并將襯底10放置于經多個分隔板121分隔的裝載空間中，從而將襯底10裝載至襯底舟120中。

接著，如圖10中所示，通過提起襯底舟120(S300)來將襯底10放置于襯底舟120的裝載空間中。此處，襯底10的裝載位置可最大程度地降低。當襯底10的裝載位置降低時，且工藝氣體沿襯底10的整個表面均勻地流經所述空間，襯底10之上的空間可得到確保。因此，參與襯底處理工藝的工藝氣體的流動可得到改善以改善襯底10的整個表面上的工藝均勻性。

襯底舟120可進一步包括分隔裝載空間的多個分隔板121及支撐多個分隔板121的多個連接桿122。在多個連接桿122中可形成多個插入槽。因此，由于多個分隔板121分別地插入至所述多個插入槽中，因此多個連接桿122與多個分隔板121可耦合至彼此。多個連接桿122可將多個分隔板121連接至彼此。此處，多個連接桿122可穩定地支撐多個分隔板121。因此，在執行襯底處理工藝的同時，連接桿122可防止多個分隔板121傾斜且可防止所述裝載空間中的每一個發生變形。另外，多個連接桿122可成一體地耦合至襯底舟120的組件(例如所述多個分隔板121)。

多個分隔板121可界定分別裝載多個襯底10的多個各別裝載空間，以在所述裝載空間中的每一個中各別地處理多個襯底10。也就是說，襯底舟120可在垂直方向上具有多級裝載空間，且可在所述裝載空間中的每一個中裝載一個襯底10。因此，用于處理襯底10的區可被各別地界定于襯底舟120的裝載空間中以防止噴射至襯底10的每一個上的工藝氣體對上部襯底及下部襯底產生影響。可使用陶瓷、石英、合成石英等作為分隔板121中的每一個的材料。

在提起襯底舟的工藝(S300)中，可將襯底10放置于在多個連接桿122或多個分隔板121上形成的襯底支撐尖端123上。當襯底10被放置于襯底支撐尖端123上時，可防止在執行處理工藝的同時襯底10結合至分隔板121。

因此，在傳送模塊的末端執行器20脫離裝載空間所經由的下部空間的狀態下，可通過交換引導構件150來主要地支撐被載送至預腔室112中的襯底10。在傳送模塊的末端執行器20脫離裝載空間之后，可將襯底10放置于襯底舟120的裝載空間中。因此，可在襯底舟120的裝載空間中降低襯底10的裝載位置。由于襯底10之下的空間僅須具有與交換引導構件150中的每一個的寬度對應的距離，因此工藝氣體沿襯底10的整個表面流經所述空間而無需改變襯底舟120的裝載空間的高度或襯底舟120的總高度，可確保襯底10之上具有充足的空間。因此，參與襯底處理工藝的工藝氣體的流量可得到改善以改善襯底10的整個表面上的工藝均勻性。另外，增大裝載空間的高度及襯底舟的總高度來確保襯底10之上具有充足的空間所需的成本可減少。

另外，多個分隔板121中的每一個可包括引導狹槽121a，交換引導構件150的至少一部分穿過引導狹槽121a。引導狹槽121a可提供交換引導構件150的通過空間以對襯底舟120進行升降，而無需當襯底舟120升降時在其中交換引導構件150的所述至少一部分設置于襯底舟120的裝載空間中的狀態下移動交換引導構件150。因此，在襯底10由交換引導構件150支撐的狀態下，可通過提起襯底舟120將襯底10放置于襯底舟120的裝載空間中。且可通過襯底舟120的上升而將交換引導構件150設置于下一裝載空間中。

在提起襯底舟的工藝(S300)中，多個交換引導構件150中的每一個可通過襯底舟120的上升而穿過引導狹槽121a。當通過引導狹槽121a將襯底10放置(或裝載)于每一級的裝載空間中時，可不移動交換引導構件150。因此，襯底10的裝載工藝可得到簡化。另外，襯底10的裝載位置可通過引導狹槽121a而在襯底舟120的裝載空間中最大程度地降低。當襯底10的裝載位置被最大程度地降低時，可將襯底10放置于分隔板121的頂表面上。也就是說，由于交換引導構件150通過引導狹槽121a而與分隔板121安置于同一條線上或安置于分隔板121之下，因此可將襯底10放置于分隔板121的頂表面上。

襯底處理方法可進一步包括提起襯底舟120的工藝(S310)，以將多個交換引導構件150定位于與放置襯底10的裝載空間不同的裝載空間中。

另外，襯底舟120上升以將多個交換引導構件150定位于與放置襯底10的裝載空間不同的裝載空間中(310)。此處，可將襯底10放置于襯底舟120的裝載空間中，且接著，襯底舟120可進一步上升以將多個交換引導構件150定位于放置襯底10的所述裝載空間之下的裝載空間中。在這種情形中，襯底舟120可僅上升一次來相繼地執行工藝S300至工藝S310。因此，將襯底10裝載于襯底舟120中所花費的時間可減少。可相繼地將襯底10裝載至各裝載空間中，且因此，如在圖11中所示，可將多個襯底裝載至第一襯底舟120至最末襯底舟120中。

在將各襯底定位于彼此不同的裝載空間中的工藝(S310)中，多個交換引導構件150可通過襯底舟120的升降而穿過引導狹槽121a。當經由引導狹槽121a而將襯底10裝載至每一級的裝載空間中時，可不移動交換引導構件150。因此，襯底10的裝載工藝可得到簡化。

因此，可主要地支撐經由交換引導構件150而被載送至預腔室112中的襯底10，且可在交換引導構件150的一部分穿過引導狹槽121a的同時對襯底舟120進行升降。如此一來，可通過引導狹槽121a而在裝載空間的低位置處裝載襯底10而無需移動交換引導構件150，且工藝氣體沿襯底10的整個表面流經所述空間，可確保襯底10之上具有充足的空間，。另外，可將交換引導構件150設置于襯底舟120的下一裝載空間中而無需移動交換引導構件150，且因此，裝載工藝所需的時間可減少。

在將襯底10裝載至襯底舟120中之后，襯底舟120移動至工藝腔室111(S500)。此處，如圖12中所示，在將多個襯底10完全裝載至襯底舟120的裝載空間中之后，襯底舟120可升降以移動至工藝腔室111。當襯底舟120移動至工藝腔室111時，被裝載至襯底舟120中以進行移動的襯底10可在工藝腔室111中得到處理。

當在移動襯底舟的工藝(S400)之前執行調整所述多個交換引導構件之間的距離的工藝(S50)時，多個交換引導構件150之間的距離可增大以將多個交換引導構件150移動至襯底舟120的外部(S350)。當使用通過襯底舟120的上升來對工藝腔室111進行密封的蓋板124時，多個交換引導構件150之間的距離可增大，以防止多個交換引導構件150與蓋板124發生干涉且接著將多個交換引導構件150移動至襯底舟120的外部。另外，為防止襯底舟120的上部板與下部板彼此發生干涉，多個交換引導構件150之間的距離可增大以將多個交換引導構件150移動至襯底舟120的外部。

如上所述，襯底舟可在支撐被裝載于交換引導構件上的襯底之后上升，以將襯底放置于襯底舟的裝載空間中，且因此，可確保襯底之上的空間而無需改變裝載空間的高度及襯底舟的總高度。因此，參與襯底處理工藝的工藝氣體的流量可被改善以改善襯底的整個表面上的工藝均勻性。另外，增大裝載空間的高度及襯底舟的總高度所需的成本可減少。另外，可在分隔板中界定引導狹槽，以當交換引導構件對應于引導狹槽安置時通過僅升降襯底舟而無需移動交換引導構件來將所述多個襯底裝載至襯底舟中。因此，可將襯底裝載于襯底舟中而無需用于升降交換引導構件的復雜結構，且另外，可充分地確保襯底之上的空間。此外，由于氣體是通過分隔板而被獨立地供應至襯底中的每一個上，因此可控制根據襯底中的每一個的位置而供應的氣體的量。因此，可在最佳條件下對襯底中的每一個執行處理工藝以改善生長層的品質。

在根據示例性實施例的襯底處理裝置中，襯底舟可在支撐被裝載于交換引導構件上的襯底之后上升以將襯底放置于襯底舟的裝載空間中，且因此，可確保襯底之上的空間而無需改變裝載空間的高度及襯底舟的總高度。因此，參與襯底處理工藝的工藝氣體的流量可得到改善以改善襯底的整個表面上的工藝均勻性。另外，增大裝載空間的高度及襯底舟的總高度所需的成本可減少。

另外，可在分隔板中界定引導狹槽以當交換引導構件對應于引導狹槽安置時，通過僅升降襯底舟而無需移動交換引導構件來將多個襯底裝載至襯底舟中。因此，可將襯底裝載于襯底舟中而無需用于升降交換引導構件的復雜結構，且另外，可充分地確保襯底之上的空間。

此外，由于氣體是通過分隔板而被獨立地供應至襯底中的每一個上，因此可控制根據襯底中的每一個的位置而供應的氣體的量。因此，可在最佳條件下對襯底中的每一個執行處理工藝以改善生長層的品質。

盡管己參照本發明的多個說明性實施例闡述了本發明，然而本發明并非僅限于上述實施例，且因此應理解，所屬領域中的技術人員可設想出落于本發明原理的精神及范圍內的諸多其它修改及實施例。由此，本發明的真正保護范圍應由隨附權利要求的技術范圍來確定。