化學汽相沉積裝置和利用該裝置制造半導體器件的方法與流程

本發明實施例總體涉及半導體領域，更具體地，涉及化學汽相沉積(cvd)裝置以及使用該裝置制造半導體器件的方法。

背景技術：

隨著電路變得更小和更快，器件驅動電流的改善變得更加重要。器件電流與柵極長度、柵極電容和載流子遷移率密切相關。縮短多晶硅柵極長度、增大柵極電容和增加載流子遷移率能夠改善器件電流性能。正在努力減少柵極長度，以縮小電路尺寸。增大柵極電容也通過諸如減小柵極介電層厚度、增大柵極介電常數等努力得以實現。為了進一步地改善器件電流，對提高載流子遷移率也進行了探索。

在提高載流子的遷移率的努力中，形成應變的硅溝道是已知的實踐。應變能增強體電子(bulkelectron)和空穴遷移率。應變也能夠通過在fet器件上方形成誘發應變的接觸蝕刻停止層(cesl)而施加至溝道區域。當沉積這樣的接觸蝕刻停止層時，由于cesl與下面的層之間的晶格間距失配，發展平面內的應力以匹配晶格間距。

技術實現要素：

根據本發明的一個方面，提供了一種用于制造半導體器件的方法，包括：在襯底上形成晶體管；提供來自化學汽相沉積(cvd)裝置的噴頭的前體氣體以形成覆蓋所述晶體管和所述襯底的接觸蝕刻停止層(cesl)；以及將所述噴頭的溫度控制在約70℃至約100℃的范圍內以控制所述前體氣體的溫度。

根據本發明的另一方面，提供了一種用于制造半導體器件的方法，包括：在襯底上形成晶體管；以及將前體氣體從噴頭引入化學汽相沉積(cvd)室內以通過使用cvd工藝來形成覆蓋所述晶體管和所述襯底的接觸蝕刻停止層(cesl)，其中所述cvd室具有至少一個側壁，并且所述側壁限定容納空間以容納所述襯底；以及將所述側壁的溫度調控在約70℃至約100℃的范圍內以加熱所述前體氣體。

根據本發明的又一方面，提供了一種化學汽相沉積(cvd)裝置，包括：cvd室，具有至少一個側壁，其中，所述側壁限定容納空間以容納襯底；底座，設置在所述cvd室中以支撐所述襯底；噴頭，設置在所述cvd室中和所述底座上面以將前體氣體提供至所述cvd室內以在所述襯底上形成接觸蝕刻停止層(cesl)；以及溫度控制系統，連接至所述噴頭以將所述噴頭的溫度控制在約70℃至約100℃的范圍內。

附圖說明

當結合附圖進行閱讀時，從以下詳細描述可最佳地理解本發明的各個方面。應該注意，根據工業中的標準實踐，各個部件未按比例繪制。實際上，為了清楚的討論，各種部件的尺寸可以被任意增大或減小。

圖1a至圖1d是根據本發明的一些實施例的用于制造半導體器件的方法在各個制造階段的截面圖。

圖2是根據一些實施例的化學汽相沉積(cvd)裝置的示意圖。

具體實施方式

以下公開內容提供了許多用于實現所提供主題的不同特征的不同實施例或實例。下面描述了組件和布置的具體實例以簡化本發明。當然，這些僅僅是實例，而不旨在限制本發明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件以直接接觸的方式形成的實施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之間可以形成額外的部件，從而使得第一部件和第二部件可以不直接接觸的實施例。此外，本發明可在各個實例中重復參考標號和/或字符。該重復是為了簡單和清楚的目的，并且其本身不指示所討論的各個實施例和/或配置之間的關系。

而且，為了便于描述，在此可以使用諸如“在…下方”、“在…下面”、“下”、“在…之上”、“上”等空間相對術語以描述如圖所示的一個元件或部件與另一個(或另一些)元件或部件的關系。除了圖中所示的方位外，空間相對術語旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。裝置可以以其他方式定向(旋轉90度或在其他方位上)，并且在此使用的空間相對描述符可以同樣地作出相應的解釋。

除非另有規定，本文使用的所有術語(包括技術術語和科學術語)具有如本發明所屬領域的普通技術人員通常理解的相同的含義。還應該理解，諸如常用字典定義的那些術語應該解釋為具有與它們在相關領域和本發明的上下文中的含義一致的含義，而不應該解釋為理想化的或過于正式的含義，除非本文明確地加以定義。

圖1a至圖1d是根據本發明的一些實施例的制造半導體器件的方法在各個制造階段的截面圖。參考圖1a。提供襯底110。襯底110包括兩個區域：用于形成n型場效應晶體管(nfet)器件的區域i和用于形成p型場效應晶體管(pfet)器件的區域ii。在一些實施例中，襯底110可以包括硅(si)。可選地，襯底110可以包括鍺(ge)、硅鍺、砷化鎵(gaas)或其他合適的半導體材料。另外可選地，襯底110可以包括外延層。例如，襯底110可以具有覆蓋塊狀半導體的外延層。此外，襯底110可以為改善性能而受到應變。例如，外延層可以包括與塊狀半導體的材料不同的半導體材料，諸如通過包括選擇性外延生長(seg)的工藝而形成的覆蓋塊狀硅的硅鍺層或覆蓋塊狀硅鍺的硅層。此外，襯底110可以包括絕緣體上半導體(soi)結構，諸如掩埋介電層。另外可選地，襯底110可以包括掩埋介電層，諸如埋氧(box)層，諸如通過被稱為注氧隔離(simox)技術、晶圓接合、seg方法或其他適當的方法形成的掩埋介電層。在不同實施例中，可以包括不同襯底結構和材料的任一個。

襯底110還包括不同的摻雜區域，諸如通過適當技術(諸如離子注入)形成的n阱和p阱。襯底110還包括各個隔離部件，諸如形成在襯底110中以將各個器件分離(即，分離區域i和ii)的淺溝槽隔離(sti)120。sti120的形成可以包括在襯底110中蝕刻溝槽并且通過諸如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅的絕緣材料填充溝槽。填充的溝槽可以具有多層結構，諸如熱氧化物襯層以及填充溝槽的氮化硅。在一些實施例中，可以使用以下工藝順序來形成sti120，諸如：生長墊氧化物；形成低壓化學汽相沉積(lpcvd)氮化物層；使用光刻膠和掩蔽來圖案化sti開口；在襯底110中蝕刻溝槽；可選地生長熱氧化物溝槽襯層以改善溝槽界面；用cvd氧化物填充溝槽以及使用化學機械平坦化(cmp)以去除多余的介電層。

在圖1a中，在區域i中形成包括柵介質132n和柵電極134n的柵疊件130n。類似地，在區域ii中形成包括柵介質132p和柵電極134p的柵疊件130p。在一些實施例中，為了形成柵疊件130n和130p，在襯底110上形成柵極介電層，隨后形成柵電極層。然后，圖案化柵極介電層和柵電極層，從而分別在區域i和ii中形成柵介質132n和132p以及柵電極134n和134p。如本領域已知，出于工藝原因，可以柵疊件130n和130p上形成硬掩模(未示出)，其中硬掩模可以包括氮化硅。

柵介質132n和132p可以包括各種已知的材料，諸如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。可選地，柵介質132n和132p可以具有高介電常數(hk)值。在一些實施例中，柵極介電質132n和132p包括hfo2。可選地，柵介質132n和132p可以包括hfsio、hfsion、hftao、hftio、hfzro、氧化鋯、氧化鋁、二氧化鉿-氧化鋁(hfo2-al2o3)合金、其他合適的hk介電材料或它們的組合。能夠通過諸如原子層沉積的合適的工藝來形成柵介質132n和132p。形成柵介質132n和132p的其他方法包括金屬有機化學汽相沉積(mocvd)、物理汽相沉積(pvd)、紫外臭氧氧化或分子束外延(mbe)。柵電極134n和134p能夠由多晶硅或其他合適的材料制成。

在柵疊件130n和130p的側壁上分別形成多個柵極間隔件140。柵極間隔件可以包括密封(seal)間隔件142和主間隔件144。柵極間隔件140包括一種或多種介電材料，諸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或它們的組合。密封間隔件142形成在柵疊件130n和130p的側壁上并且主間隔件144形成在密封間隔件142上。在一些實施例中，柵極間隔件140包括額外的層。例如，介電層(未示出)形成在密封間隔件142上然后主間隔件144形成在介電層上。在一些實施例中，密封間隔件142包括氮化硅，介電層包括氧化硅，以及主間隔件144包括氮化硅。以已知的方式，通過沉積、光刻和蝕刻工藝來形成密封間隔件142、主間隔件144和介電層。

通過合適的技術，諸如一次或多次離子注入來形成多個源極和漏極(s/d)區域150。在區域i中的兩個s/d區域150限定了柵疊件130n下面的溝道區域112a，并且在區域ii中的兩個s/d區域150限定了在柵疊件130p下面的溝道區域112p。在一些實施例中，還可在s/d區域150上形成硅化物部件160以減小接觸電阻。可以通過被稱為自對準硅化物的技術來形成硅化物部件160，該技術包括：在襯底110上沉積金屬(諸如沉積鎳)；進行熱退火，以使金屬與硅發生反應而形成硅化物(nisi)；去除未反應金屬的蝕刻。在一些實施例中，s/d區域150還可包括與密封間隔件142基本上對準的輕摻雜(ldd)區域和與主間隔件144基本上對準的重摻雜區域。

在s/d區域150的形成之后，可以執行一次或多次退火工藝以激活s/d區域150。退火工藝包括快速熱退火(rta)、激光退火工藝或其他合適的退火工藝。作為一些實例，高溫熱退火步驟可以施加在900℃至1100℃范圍內的溫度，雖然一些其他的實施例可以使用在不同范圍內的溫度。作為一些其他的實例，高溫退火包括具有很短持續時間的“尖峰”退火工藝。

在其他一些實施例中，s/d區域150可以包括外延生長的半導體材料以用于適當的應力效應，從而增強溝道112n和112p中的載流子遷移率。在一些實施例中，碳化硅外延地生長在用于nfet的區域i的s/d區域150中，而硅鍺外延地生長在用于pfet的區域ii的s/d區域150中。形成應變的結構的方法包括：蝕刻以在襯底110中形成凹槽；外延生長以在凹槽中形成晶體半導體材料。

在圖1a中，柵疊件130n、柵極間隔件140和區域i中的s/d區域150形成n型場效應晶體管(nfet)t1，而柵疊件130p、柵極間隔件140和區域ii中的s/d區域150形成p型場效應晶體管(pfet)t2。

參考圖1b。在一些實施例中，在nfetti和pfett2形成在襯底110上之后，諸如nfett1、pfett2和襯底110上的移動粒子的缺陷，將作為反應前體物質的成核位點因此在后續的化學汽相沉積(參見圖1c和圖1d)期間導致形成比這些缺陷大得多的缺陷。后來形成的缺陷對于形成在襯底上的器件可能會變為致命缺陷。在一些實施例中，圖1a的結構能夠設置在cvd裝置200中以在cvd沉積之前執行等離子體處理。參考圖2，圖2是根據一些實施例的化學汽相沉積(cvd)裝置200的示意圖。cvd裝置200包括cvd室210、底座220、噴頭230和溫度控制系統240。cvd室210具有至少一個側壁212。側壁212在cvd室210中限定容納空間214以容納圖1b的襯底110，在襯底110上已經形成nfett1和pfett2。底座220設置在cvd室210中以支撐襯底110。噴頭230設置在cvd室210中和底座220上方以將反應氣體提供至cvd室210內。溫度控制系統240連接至噴頭230以將噴頭230的溫度控制在約70℃至約100℃的范圍內。

在一些實施例中，cvd裝置200還包括等離子體生成器260。等離子體生成器260包括rf源262和偏置元件264。rf源262連接至噴頭230，并且偏置元件264連接至底座220。由rf源262提供的rf信號能夠施加至噴頭230，噴頭230因此作為電極。偏置元件264與rf源262關聯使得rf功率在噴頭230和底座220之間分割。期望的電壓和電源由rf源262施加以使噴頭230與底座220之間的反應氣體放電并且形成等離子體305(參見圖1b)。

在一些實施例中，可以使用氧化亞氮(n2o)等離子體來實施等離子體處理。其他的氣體，諸如例如氬、氮、氧和氦，也可以在等離子體處理工藝中使用。工藝結果已經示出對正處于處理中的襯底110的等離子體處理減少隨后沉積的膜中的缺陷的數量。缺陷的數量的減少是因為等離子體處理減少了襯底110上的產生缺陷的成核位點。

在一些實施例中，等離子體是n2o。n2o可以在約2.5托至約3.5托的壓力，約400瓦至至約600瓦的功率和約7000sccm至約15000sccm的流速下輸送。n2o能夠將隨后形成的cesl170(參見圖1d)的缺陷數量從約3至約4(這是當使用其他類型的等離子體時的結果)減小至約0.1至約0.5。

在一些實施例中，等離子體處理之后可以是抽吸操作(pumpingoperation)以在cvd沉積操作之前除掉等離子體處理中使用的等離子體。在其他的一些實施例中，用于等離子體操作的等離子體305之后可以直接是用于沉積操作的等離子體。

參考圖1c和圖1d。通過使用化學汽相沉積(cvd)工藝將接觸蝕刻停止層(cesl)170形成在nfett1、pfett2和襯底110上。在一些實施例中，cesl170是拉伸接觸(tensile-contact)cesl，但是保護的范圍不限于這方面中。拉伸接觸cesl在柵疊件130n和130p下面的溝道區域112n和112p中提供拉伸應力。可以使用cvd裝置200形成cesl170。噴頭230還可用于提供前體氣體310至cvd室，使得前體氣體310能夠沉積在襯底110上并且在襯底110上形成接觸蝕刻停止層(cesl)170。在一些實施例中，噴頭230能夠非常靠近底座220。例如，噴頭230能夠位于距底座220的12毫米處。

在圖1c、圖1d和圖2中，從噴頭230提供前體氣體310以形成接觸蝕刻停止層(cesl)170以覆蓋nfett1、pfett2和襯底110。噴頭230的溫度被控制(或增大)，使得前體氣體310的溫度被相應地控制(或增大)。由于噴頭230被加熱，流過其中的前體氣體310被相應地加熱。加熱的前體氣體310沉積在襯底110上，從而覆蓋nfett1、pfett2和襯底110以形成cesl170。由于噴頭230具有高溫，即，在約70℃至約100℃的范圍內，加熱的前體氣體310也具有高溫。由高溫前體氣體310制成的cesl170能夠提高對nfett1、pfett2和襯底110的粘附。因此，cesl170不容易從襯底110剝離，并且半導體器件的器件性能能夠提高。在一些實施例中，cesl170可以由氮化硅制成，但是可選擇使用諸如氮化物、氮氧化物、氮化硼或它們的組合等其他材料。

cvd裝置200能夠以兩個模式中的任一模式工作，熱模式和等離子體增強模式。在熱模式中，前體氣體310與襯底110的加熱的表面反應。例如，電功率源將功率提供至連接至底座220的加熱元件250以加熱底座220，因此，將襯底110加熱至足以熱激活cvd反應的溫度。在等離子體增強模式中，前體氣體310經受電磁能量以便將前體氣體310轉化為反應等離子體。其他的cvd工藝包括apcvd(常壓化學汽相沉積)和lpcvd(低壓化學汽相沉積)。雖然apcvd具有高設備產量、良好的均勻性和處理大直徑晶圓的能力，apcvd系統消耗大量的工藝氣體并且經常呈現出不良的階梯覆蓋(stepcoverage)。lpcvd通常用于在前端制程(feol)工藝的晶圓表面沉積氮化物、teos氧化物和多晶硅膜。

在圖2中，噴頭230被配置為將來自供應裝置(未示出)的前體氣體310噴射至其中安裝了襯底110的cvd室210內。前體氣體310的各元素沉積在襯底110的表面上，從而形成cesl170，并且一些不期望的副產品以氣體形式被抽離。例如，未反應的前體氣體和不期望的副產品徑向向外流至抽氣通道216。相應地，前體氣體310和它的反應副產品從噴頭230的中心流過襯底110的整個表面并且流向底座220的外圍，直至流至抽氣通道216以被抽出。

噴頭230包括至少一個入口路徑232并且具有連接至入口路徑232的多個孔234，使得由源容器(未示出)提供的前體氣體能夠沿著入口路徑232流動并且從孔234流出。在一些實施例中，噴涂230能夠噴射單一類型的前體氣體310，并且入口路徑232能夠連接至所有的孔234。因此，前體氣體310從所有的孔234流出。在其他的一些實施例中，噴頭230能夠噴射多種類型的前體氣體310，并且兩個或多個入口路徑(未示出)能夠形成在噴頭230中。入口路徑彼此隔離。入口路徑的一個連接至孔234的一些，并且另一個入口路徑連接至余下的孔234。一種類型的前體氣體310能夠沿著一個入口路徑流動并且從一些孔234流出，而另一種類型的前體氣體310能夠沿著另一個入口路徑流動并且從余下的孔234流出。因此，兩種前體氣體310未混合在一起并且沒有發生反應，直至它們進入cvd室210。

在圖2中，噴頭230的溫度由溫度控制系統240控制。在一些實施例中，噴頭230由不銹鋼或其他合適的材料(諸如鋼、鋁、鎂、玻璃、陶瓷)以及期望的這樣的材料的組合制成。在一些實施例中，溫度控制系統240是熱交換器，它可以包括流體循環242和控制器244。控制器244被配置為感測噴頭230的溫度以及調節或控制進入噴頭230的流體的流速以便控制其溫度。流體可以是水或其他的合適的流體。防止流體進入cvd室210因為非常小量的流體，例如，十億分之幾就能夠破壞cvd工藝。流體進入cvd室210內能夠導致半導體器件的排斥，以及由諸如修理和完全清理cvd室的處理而造成的昂貴的停機時間。

在cvd工藝期間，噴頭230的溫度能夠被控制為基本上低于底座220的溫度，以便抑制對噴頭230的損壞以及促進前體氣體310的反應化學物質沉積在底座220而不是噴頭230表面本身。因此，溫度控制系統240能夠用于將噴頭230的內部表面保持在基本上低于底座220的溫度。將噴頭230保持在基本上低于底座220的溫度減少空氣泄漏至cvd室并且趨于增強整個噴頭230的前體氣體注入的均勻性。流體可以經由工廠設施連接輸送，并且在最后冷卻之后在環境壓力和/或環境溫度下沿著流體循環242用盡。能夠通過調節流體的流速改變噴頭230的溫度。因此，噴頭230的溫度能夠保持在約70℃至約100℃的范圍內以提高cesl170的粘附。

在一些實施例中，噴頭230和側壁212是熱連接的。即，側壁212的溫度能夠通過控制噴頭230的溫度來控制。在一些實施例中，側壁212的溫度能夠控制(或增加)至約70℃至約100℃的范圍內以提高cesl170的粘附。在一些實施例中，側壁212可以由不銹鋼或其他合適的材料制成。

在一些實施例中，多種載氣320輸送至cvd室210內。在一些實施例中，載氣320能夠通過噴頭230噴入室210。可以基于使用什么前體氣體310來選擇這些載氣320。使用載氣320的化學處理可以執行1秒至10分鐘并且可以作為單次工藝或二至十次的多次工藝執行。在載氣320首先噴入室210后的給定時間，噴射前體氣體310以形成cesl170。

一些氣體分布噴射器提供在cvd工藝期間幫助提供層流氣流的覆蓋(shroud)或載氣320，調節和保持在cvd室210中的一致的流動條件，其中，載氣320不參與cvd工藝。在一些實施例中，載氣320能夠從設置在噴頭230中的入口232噴入cvd室210。在其他的一些實施例中，載氣320能夠從其他的入口噴入cvd室，但保護的范圍不限于這方面。在一些實施例中，載氣320可以是惰性氣體，諸如he、ne、ar、kr、xe或rn，但保護的范圍不限于這方面。

在圖2中，底座220被配置為支撐襯底110。在cvd工藝期間，底座220還將襯底110升高至接近噴頭230，使得從噴頭230噴射的前體氣體能夠分散在襯底上。在一些實施例中，底座220能夠由金屬和合適的材料制成。

在圖2中，cvd裝置220還可包括連接至底座220的加熱元件250。能夠通過加熱元件250來加熱底座220，加熱元件250可以由耐火金屬(諸如但不限于例如鉬、鎢、錸等)或非金屬(諸如石墨等)制成，加熱元件250可以分成多個加熱區域。可以基于要執行的反應和適用于特定反應器和cvd室250的加熱特性來選擇用于加熱元件250的金屬。隔熱罩(未示出)可以設置在加熱元件250和底座220下面。加熱元件250可通過外部的自動或手動控制器來控制。在一些實施例中，底座220由加熱元件250加熱至約200℃的期望的溫度，使得底座220的溫度高于噴頭230的溫度和側壁212的溫度。換言之，噴頭230和側壁212的溫度均低于底座220的溫度。

參考圖1c、圖1d和圖2。圖1的結構設置在cvd裝置200的底座220上。然后從噴頭230提供前體氣體310。在一些實施例中，前體氣體310可以是sih4、n2o或o2,，并且一些載氣可以引入cvd室210。噴頭230的溫度被控制(增加)在約70℃至約100℃的范圍內以控制氣體310的溫度。因此，加熱的前體氣體310沉積在襯底110上并且覆蓋nfett1、pfett2和襯底110以形成cesl170。

根據實施例，從噴頭提供前體氣體以形成覆蓋半導體器件的晶體管和襯底的接觸蝕刻停止層(cesl)。噴頭和cvd室的側壁的溫度受到控制(或增加)以控制(或增加)前體氣體的溫度。由于噴頭加熱至約70℃至約100℃的范圍，流過噴頭的前體氣體相應地加熱。加熱的前體氣體沉積在襯底上，從而覆蓋晶體管和襯底以形成cesl。由于噴頭具有高溫，即，在約70℃至約100℃的范圍內，加熱的前體氣體也具有高溫。由高溫前體氣體制成的cesl能夠提高至半導體器件的晶體管和襯底的粘附。因此，cesl不容易從襯底剝離，并且半導體器件的器件性能能夠提高。

根據一些實施例，用于制造半導體器件的方法包括在襯底上形成晶體管。前體氣體從化學汽相沉積(cvd)裝置的噴頭提供以形成覆蓋晶體管和襯底的接觸蝕刻停止層(cesl)。噴頭的溫度控制在約70℃制約100℃的范圍內以控制前體氣體的溫度。

在一些實施例中，所述cvd裝置包括具有至少一個側壁的cvd室，所述側壁限定容納空間以在形成所述cesl時容納所述襯底，并且所述方法還包括：控制所述cvd室的所述側壁的溫度至約70℃至約100℃。

在一些實施例中，控制所述噴頭的溫度包括：提供至所述噴頭內的流體。

在一些實施例中，該方法還包括：加熱底座以加熱所述襯底。

在一些實施例中，當形成所述cesl時，所述底座的溫度高于所述噴頭的溫度。

在一些實施例中，該方法還包括：對所述晶體管和所述襯底執行等離子體處理以減少所述晶體管和所述襯底上的缺陷。

在一些實施例中，所述等離子體處理的等離子體氣體是n2o。

在一些實施例中，形成所述cesl包括：將載氣引入所述cvd裝置的所述cvd室，其中，所述載氣被配置為調節在所述cvd室中的流動條件。根據一些實施例，用于制造半導體器件的方法包括形成在襯底上的晶體管。來自噴頭的前體氣體引入至cvd室內以通過使用化學汽相沉積(cesl)工藝來形成覆蓋晶體管和襯底的接觸蝕刻停止層(cesl)。cvd室具有至少一個側壁，并且側壁限定容納空間以容納襯底。側壁的溫度調控在約70℃至約100℃的范圍內以加熱前體氣體。

在一些實施例中，該方法還包括：在所述cvd工藝期間，控制底座的溫度，所述襯底安裝在所述底座上。

在一些實施例中，所述側壁的溫度低于所述底座的溫度。

在一些實施例中，該方法還包括：將所述噴頭的溫度增大至約70℃至約100℃的范圍內。

在一些實施例中，該方法還包括：在形成所述cesl之前提供n2o等離子體。

根據一些實施例，化學汽相沉積(cvd)裝置包括cvd室、底座、噴頭和溫度控制系統。cvd室具有至少一個側壁。側壁限定容納空間以容納襯底。底座設置在cvd室內以支撐襯底。噴頭設置在cvd室內和底座上面以提供至cvd室內的前體氣體以在襯底上形成接觸蝕刻停止層(cesl)。溫度控制系統連接至噴頭以將噴頭的溫度控制在約70℃至約100℃的范圍內。

在一些實施例中，所述溫度控制系統是熱交換器。

在一些實施例中，所述溫度控制系統包括：流體循環；以及控制器，用于控制所述流體循環的流體的流速。

在一些實施例中，所述噴頭和所述側壁熱連接。

在一些實施例中，該cvd裝置還包括；等離子體生成器，用于生成所述cvd室中的等離子體。

在一些實施例中，所述等離子體由n2o制成。

在一些實施例中，該cvd裝置還包括：加熱元件，連接至所述底座以加熱所述底座。

以上論述了若干實施例的特征，使得本領域技術人員可以更好地理解本發明的各方面。本領域技術人員應該理解，他們可以容易地使用本發明作為基礎來設計或修改用于實施與本文所介紹的實施例相同的目的和/或實現相同優點的其他工藝和結構。本領域技術人員也應該意識到，這種等同構造并不背離本發明的精神和范圍，并且在不背離本發明的精神和范圍的情況下，本文中他們可以做出多種變化、替換以及改變。