本發明涉及發光二極管技術領域，更為具體的說，涉及一種倒裝高壓LED芯片。
背景技術：
LED（Light Emitting Diode，發光二極管）是一種利用載流子復合時釋放能量形成發光的半導體器件，LED芯片具有耗電低、色度純、壽命長、體積小、響應時間快、節能環保等諸多優勢。近年來，隨著對LED芯片研究的不斷深入，LED芯片的發光效率得到的極大的提高，目前已經被廣泛應用于顯示等各個領域。倒裝高壓芯片在大功率芯片的應用市場中，有廣闊的空間。但是，如何提高倒裝高壓芯片的出光效率已成為倒裝高壓芯片大規模生產需要解決的問題。
技術實現要素：
有鑒于此，本發明提供了一種倒裝高壓LED芯片，提高倒裝高壓LED芯片的出光效率。
為實現上述目的，本發明提供的技術方案如下：
一種倒裝高壓LED芯片，包括：
襯底；
發光微結構，所述發光微結構包括位于所述襯底表面的N型氮化鎵層，位于所述N型氮化鎵層表面的有源層和N型電極，位于所述有源層表面的P型氮化鎵層，位于所述P型氮化鎵層表面的金屬反射層，位于所述金屬反射層表面的P型電極, N型電極與P型電極之間相互絕緣；
連接電極，所述連接電極將相連的發光微結構的N型電極和P型電極導電連接形成串聯結構；
分布布拉格反射層，所述分布布拉格反射層覆蓋在所述發光微結構表面、且延伸覆蓋至所述襯底表面；
N型焊盤，所述N型焊盤位于在所述分布布拉格反射層表面形，且與所述N型電極連接；
P型焊盤，所述P型焊盤位于在所述分布布拉格反射層表面形，且與所述P型電極連接。
優選的，所述發光微結構為梯形結構。
優選的，所述發光微結構具有預設區域即為形成所述N型電極的區域，其中，N型電極的面積小于預設區域的面積，避免N型電極與有源層、P型氮化鎵層等疊層接觸。
優選的，在所述分布布拉格反射層對應所述N型電極的區域內形成一導電通孔，而后通過所述導電通孔的兩端分別連接所述N型電極和所述N型焊盤，以使所述N型電極與所述N型焊盤電連接；同樣的，在所述分布布拉格反射層對應所述P型電極的區域內形成一導電通孔，而后通過所述導電通孔的兩端分別連接第所述P型電極和所述P型焊盤，以使所述P型電極與所述P型焊盤電連接。
優選的，所述分布布拉格反射層具有高鈍化性能和高反射性能。
相較于現有技術，本發明提供的技術方案至少具有以下優點：
本發明提供的一種倒裝高壓LED芯片，在發光微結構表面形成分布布拉格反射層，一方面將有源區發出的光反射回芯片的正面，提高芯片的出光效率，另一方面將N型電極、P型電極和N型焊盤、P型焊盤隔絕起來，起到良好的鈍化保護作用。
附圖說明
為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據提供的附圖獲得其他的附圖。
圖1為本申請實施例提供的一種倒裝高壓LED芯片的結構示意圖。
具體實施方式
下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。
實施例一
本實施例提供了一種防倒裝高壓LED芯片，如圖1所示，包括：
襯底100；
發光結構200，發光結構200位于襯底100表面包括：位于襯底100表面的N型氮化鎵層201，位于N型氮化鎵層201表面的有源層202和N型電極205，位于有源層202表面的P型氮化鎵層203，位于P型氮化鎵層203表面的金屬反射層204，位于金屬反射層204表面的P型電極205；
連接電極210，連接電極210將相連的發光微結構200的N型電極205和P型電極206導電連接形成串聯結構；
分布布拉格反射層300，分布布拉格反射層300覆蓋在發光微結構200表面、且延伸覆蓋至襯底100表面；
N型焊盤401，N型焊盤401位于在分布布拉格反射層300表面形，且與N型電極205連接；
P型焊盤402，P型焊盤402位于在分布布拉格反射層300表面形，且與P型電極206連接。
具體的，所述發光微結構300為梯形結構。
優選的，所述發光微結構300具有預設區域即為形成所述N型電極205的區域，其中，N型電極205的面積小于預設區域的面積，避免N型電極205與有源層202、P型氮化鎵層203等疊層接觸。
優選的，在所述分布布拉格反射層300對應所述N型電極205的區域內形成一導電通孔，而后通過所述導電通孔的兩端分別連接所述N型電極205和所述N型焊盤401，以使所述N型電極205與所述N型焊盤401電連接；同樣的，在所述分布布拉格反射層300對應所述P型電極206的區域內形成一導電通孔，而后通過所述導電通孔的兩端分別連接第所述P型電極206和所述P型焊盤402，以使所述P型電極206與所述P型焊盤402電連接。
優選的，所述分布布拉格反射層300具有高鈍化性能和高反射性能。
由上述內容可知，本申請實施例提供的技術方案，在發光微結構表面形成分布布拉格反射層，一方面將有源區發出的光反射回芯片的正面，提高芯片的出光效率，另一方面將N型電極、P型電極和N型焊盤、P型焊盤隔絕起來，起到良好的鈍化保護作用。
對所公開的實施例的上述說明，使本領域專業技術人員能夠實現或使用本發明。對這些實施例的多種修改對本領域的專業技術人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發明的精神或范圍的情況下，在其它實施例中實現。因此，本發明將不會被限制于本文所示的這些實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一致的最寬的范圍。