有機發光裝置及其制造方法與流程

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本申請要求于2015年11月2日在韓國知識產權局提交的第10-2015-0153260號韓國專利申請的優先權和利益，其全部內容通過引用并入本文。

技術領域

本公開的實施方式的一個或更多個方面涉及有機發光裝置及其制造方法。

背景技術：

有機發光裝置(OLED)為具有寬視角、高對比度和短響應時間的自發光裝置。此外，OLED表現出高亮度、低驅動電壓和快響應速度特征，并且可以產生全色圖像。

OLED可以包括布置(例如，放置)在基板上的第一電極，以及在第一電極上順序布置的空穴傳輸區、發光層、電子傳輸區和第二電極。從第一電極提供的空穴例如可以通過空穴傳輸區向發光層移動，并且從第二電極提供的電子例如可以通過電子傳輸區向發光層移動。諸如空穴和電子的載流子可以然后在發光層中復合以產生激子。這些激子從激發態變為基態，從而產生光。

技術實現要素：

本公開的示例實施方式的一個或更多個方面涉及具有高效率和長壽命的有機發光裝置。

另外的方面將在下面的描述中部分列出并且部分會從描述顯而易見，或可通過實施本發明實施方式而了解。

根據一個或多個實施方式，有機發光裝置包括：

第一電極；

面對第一電極的第二電極；

在第一電極和第二電極之間的發光層；

在第一電極和發光層之間的空穴傳輸區；和

在發光層和第二電極之間的電子傳輸區，電子傳輸區包括電子輔助層，

其中空穴傳輸區包括選自以下的至少一種共聚物：第一化合物和第二化合物的第一共聚物以及第三化合物和第四化合物的第二共聚物，

第一化合物和第二化合物各自獨立地選自由式1表示的化合物，第三化合物和第四化合物各自獨立地選自由式2表示的化合物，以及

電子輔助層包括金屬氧化物：

式1

式2

其中，在式1和2中，

L₁至L₃和L₁₁至L₁₃各自獨立地選自取代的或未取代的C₃-C₁₀亞環烷基、取代的或未取代的C₁-C₁₀亞雜環烷基、取代的或未取代的C₃-C₁₀亞環烯基、取代的或未取代的C₁-C₁₀亞雜環烯基、取代的或未取代的C₆-C₆₀亞芳基、取代的或未取代的C₁-C₆₀亞雜芳基、取代的或未取代的二價非芳族稠合多環基團和取代的或未取代的二價非芳族稠合雜多環基團；

a1至a3和a11至a13各自獨立地為選自0至3的整數；

R₁至R₃和R₁₁至R₁₃各自獨立地選自由式A至D中任一個表示的基團、氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、羧酸基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、取代的或未取代的C₁-C₆₀烷基、取代的或未取代的C₂-C₆₀烯基、取代的或未取代的C₂-C₆₀炔基、取代的或未取代的C₁-C₆₀烷氧基、取代的或未取代的C₃-C₁₀環烷基、取代的或未取代的C₁-C₁₀雜環烷基、取代的或未取代的C₃-C₁₀環烯基、取代的或未取代的C₁-C₁₀雜環烯基、取代的或未取代的C₆-C₆₀芳基、取代的或未取代的C₆-C₆₀芳氧基、取代的或未取代的C₆-C₆₀芳硫基、取代的或未取代的C₁-C₆₀雜芳基、取代的或未取代的單價非芳族稠合多環基團、取代的或未取代的單價非芳族稠合雜多環基團和-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)；

R₂₁至R₂₉各自獨立地選自氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、羧酸基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、取代的或未取代的C₁-C₆₀烷基、取代的或未取代的C₂-C₆₀烯基、取代的或未取代的C₂-C₆₀炔基、取代的或未取代的C₁-C₆₀烷氧基、取代的或未取代的C₃-C₁₀環烷基、取代的或未取代的C₁-C₁₀雜環烷基、取代的或未取代的C₃-C₁₀環烯基、取代的或未取代的C₁-C₁₀雜環烯基、取代的或未取代的C₆-C₆₀芳基、取代的或未取代的C₆-C₆₀芳氧基、取代的或未取代的C₆-C₆₀芳硫基、取代的或未取代的C₁-C₆₀雜芳基、取代的或未取代的單價非芳族稠合多環基團、取代的或未取代的單價非芳族稠合雜多環基團和-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)；

b1至b3和b11至b13各自獨立地為選自1至5的整數,

其中當b1為2或更大時，多個R₁任選地連接以形成飽和或不飽和環，當b2為2或更大時，多個R₂任選地連接以形成飽和或不飽和環，并且當b3為2或更大時，多個R₃任選地連接以形成飽和或不飽和環，以及

當b11為2或更大時，多個R₁₁任選地連接以形成飽和或不飽和環，當b12為2或更大時，多個R₁₂任選地連接以形成飽和或不飽和環，且當b13為2或更大時，多個R₁₃任選地連接以形成飽和或不飽和環；

選自R₁至R₃中的至少一個為由式A表示的基團；

選自R₁₁至R₁₃中的至少一個為由式B至D中的一個表示的基團；以及

所述取代的C₃-C₁₀亞環烷基、取代的C₁-C₁₀亞雜環烷基、取代的C₃-C₁₀亞環烯基、取代的C₁-C₁₀亞雜環烯基、取代的C₆-C₆₀亞芳基、取代的C₁-C₆₀亞雜芳基、取代的二價非芳族稠合多環基團、取代的二價非芳族稠合雜多環基團、取代的C₁-C₆₀烷基、取代的C₂-C₆₀烯基、取代的C₂-C₆₀炔基、取代的C₁-C₆₀烷氧基、取代的C₃-C₁₀環烷基、取代的C₁-C₁₀雜環烷基、取代的C₃-C₁₀環烯基、取代的C₁-C₁₀雜環烯基、取代的C₆-C₆₀芳基、取代的C₆-C₆₀芳氧基、取代的C₆-C₆₀芳硫基、取代的C₁-C₆₀雜芳基、取代的單價非芳族稠合多環基團和取代的單價非芳族稠合雜多環基團中的至少一個取代基可以選自由以下組成的組：

氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、和C₁-C₆₀烷氧基，

各自被選自以下的至少一個取代的C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、和C₁-C₆₀烷氧基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、C₃-C₁₀環烷基、C₁-C₁₀雜環烷基、C₃-C₁₀環烯基、C₁-C₁₀雜環烯基、C₆-C₆₀芳基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₁-C₆₀雜芳基、單價非芳族稠合多環基團、單價非芳族稠合雜多環基團、-Si(Q₁₁)(Q₁₂)(Q₁₃)、-N(Q₁₄)(Q₁₅)和-B(Q₁₆)(Q₁₇)，

C₃-C₁₀環烷基、C₁-C₁₀雜環烷基、C₃-C₁₀環烯基、C₁-C₁₀雜環烯基、C₆-C₆₀芳基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₁-C₆₀雜芳基、單價非芳族稠合多環基團、單價非芳族稠合雜多環基團、聯苯基和三聯苯基，

各自被選自以下的至少一個取代的C₃-C₁₀環烷基、C₁-C₁₀雜環烷基、C₃-C₁₀環烯基、C₁-C₁₀雜環烯基、C₆-C₆₀芳基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₁-C₆₀雜芳基、單價非芳族稠合多環基團、單價非芳族稠合雜多環基團、聯苯基和三聯苯基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₁₀環烷基、C₁-C₁₀雜環烷基、C₃-C₁₀環烯基、C₁-C₁₀雜環烯基、C₆-C₆₀芳基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₁-C₆₀雜芳基、單價非芳族稠合多環基團、單價非芳族稠合雜多環基團、-Si(Q₂₁)(Q₂₂)(Q₂₃)、-N(Q₂₄)(Q₂₅)和-B(Q₂₆)(Q₂₇)，以及

-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₄)(Q₃₅)和-B(Q₃₆)(Q₃₇)，

其中Q₁至Q₃、Q₁₁至Q₁₇、Q₂₁至Q₂₇、和Q₃₁至Q₃₇可以各自獨立地選自氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₁₀環烷基、C₁-C₁₀雜環烷基、C₃-C₁₀環烯基、C₁-C₁₀雜環烯基、C₆-C₆₀芳基、C₁-C₆₀雜芳基、單價非芳族稠合多環基團、單價非芳族稠合雜多環基團、聯苯基和三聯苯基。

根據一個或多個實施方式，制造有機發光裝置的方法包括：

制備基板；

在基板上形成第一電極；

在第一電極上形成空穴傳輸區化合物，空穴傳輸區化合物包括選自以下的至少一種共聚物：第一化合物和第二化合物的第一共聚物以及第三化合物和第四化合物的第二共聚物，其中第一化合物和第二化合物各自獨立地選自由式1表示的化合物，以及第三化合物和第四化合物各自獨立地選自由式2表示的化合物；

在空穴傳輸區上形成發光層；

在發光層上形成電子傳輸區，電子傳輸區包括包含金屬氧化物的電子輔助層；以及

在電子傳輸區上形成第二電極。

附圖說明

結合附圖，這些和/或其它方面會由實施方式的下列描述變得顯而易見且更易理解。圖1是根據本公開的實施方式的有機發光裝置的示意圖。

具體實施方式

現在將詳細地參考實施方式，其實例于附圖中闡述，其中相同的參考數字通篇是指相同的元件。在這方面，本發明實施方式可以具有不同形式并且不應解釋為限于本文列出的描述。因此，通過參閱附圖僅在下面描述實施方式以解釋本說明的各方面。本文所使用的術語“和/或”包括一個或更多個相關的列出條款的任何和所有組合。諸如“中的至少一個”、“中的一個”和“選自”的表述，在一列元件之后或之前時，修飾整列元件，而不是修飾該列中的單個元件。此外，“可以”的使用在描述本發明的實施方式時是指“本發明的一個或多個實施方式”。

根據本公開的實施方式的有機發光裝置可以包括第一電極、面對第一電極的第二電極、在第一電極和第二電極之間的發光層、在第一電極和發光層之間的空穴傳輸區和在發光層和第二電極之間的電子傳輸區，其中所述電子傳輸區包括電子輔助層。

第一電極可以為陽極。第二電極可以為陰極。第一電極和第二電極的描述可以通過參考本文提供的其描述來理解。

空穴傳輸區可以包括選自以下的至少一種共聚物：第一化合物和第二化合物的第一共聚物以及第三化合物和第四化合物的第二共聚物，

其中第一化合物和第二化合物可以各自獨立地選自由式1表示的化合物，并且第三化合物和第四化合物可以各自獨立地選自由式2表示的化合物：

式1

式2

在式1和2中，

L₁至L₃和L₁₁至L₁₃可以各自獨立地選自取代的或未取代的C₃-C₁₀亞環烷基、取代的或未取代的C₁-C₁₀亞雜環烷基、取代的或未取代的C₃-C₁₀亞環烯基、取代的或未取代的C₁-C₁₀亞雜環烯基、取代的或未取代的C₆-C₆₀亞芳基、取代的或未取代的C₁-C₆₀亞雜芳基、取代的或未取代的二價非芳族稠合多環基團和取代的或未取代的二價非芳族稠合雜多環基團。

在一些實施方式中，L₁至L₃和L₁₁至L₁₃可以各自獨立地選自由以下組成的組：

亞苯基、亞戊搭烯基、亞茚基、亞萘基、亞薁基、亞庚搭烯基、亞引達省基、亞苊基、亞芴基、螺-亞芴基、亞苯并芴基、亞二苯并芴基、亞非那烯基、亞菲基、亞蒽基、亞熒蒽基、亞苯并菲基、亞芘基、亞屈基、亞并四苯基、亞苉基、亞苝基、亞戊芬基、亞并六苯基、亞并五苯基、亞玉紅省基、亞蔻基、亞卵苯基、亞吡咯基、亞噻吩基、亞呋喃基、亞硅雜環戊二烯基、亞吲哚基、亞異吲哚基、亞苯并呋喃基、亞苯并噻吩基、亞苯并硅雜環戊二烯基、亞咔唑基、亞二苯并呋喃基、亞二苯并噻吩基、亞二苯并硅雜環戊二烯基、亞苯并咔唑基、和亞二苯并咔唑基，以及

各自被選自以下的至少一個取代的亞苯基、亞戊搭烯基、亞茚基、亞萘基、亞薁基、亞庚搭烯基、亞引達省基、亞苊基、亞芴基、螺-亞芴基、亞苯并芴基、亞二苯并芴基、亞非那烯基、亞菲基、亞蒽基、亞熒蒽基、亞苯并菲基、亞芘基、亞屈基、亞并四苯基、亞苉基、亞苝基、亞戊芬基、亞并六苯基、亞并五苯基、亞玉紅省基、亞蔻基、亞卵苯基、亞吡咯基、亞噻吩基、亞呋喃基、亞硅雜環戊二烯基、亞吲哚基、亞異吲哚基、亞苯并呋喃基、亞苯并噻吩基、亞苯并硅雜環戊二烯基、亞咔唑基、亞二苯并呋喃基、亞二苯并噻吩基、亞二苯并硅雜環戊二烯基、亞苯并咔唑基、和亞二苯并咔唑基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、庚搭烯基、引達省基、苊基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉紅省基、蔻基、卵苯基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、硅雜環戊二烯基、吲哚基、異吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并硅雜環戊二烯基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并硅雜環戊二烯基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、聯苯基、三聯苯基和-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)，

其中Q₃₁至Q₃₃可以各自獨立地選自C₁-C₁₀烷基、C₁-C₁₀烷氧基、苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、庚搭烯基、引達省基、苊基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉紅省基、蔻基、卵苯基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、硅雜環戊二烯基、吲哚基、異吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并硅雜環戊二烯基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并硅雜環戊二烯基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、聯苯基和三聯苯基。

根據實施方式，L₁至L₃和L₁₁至L₁₃可以各自獨立地選自由式3-1至3-41表示的基團，但實施方式并不限于此：

在式3-1至3-41中，

Y₁可以選自O、S、C(Z₃)(Z₄)、N(Z₅)和Si(Z₆)(Z₇)；

Z₁至Z₇可以各自獨立地選自氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、苯基、萘基、芴基、螺-芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、吡咯基、呋喃基、噻吩基、吲哚基、異吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并硅雜環戊二烯基、聯苯基、三聯苯基和-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)，

其中Q₃₁至Q₃₃可以各自獨立地選自C₁-C₁₀烷基、C₁-C₁₀烷氧基、苯基、萘基、芴基、螺-芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、吡咯基、呋喃基、噻吩基、吲哚基、異吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并硅雜環戊二烯基、聯苯基和三聯苯基；

d2可以為選自1和2的整數；

d3可以為選自1至3的整數；

d4可以為選自1至4的整數；

d5可以為選自1至5的整數；

d6可以為選自1至6的整數；

d8可以為選自1至8的整數；以及

*和*'可以各自指示與相鄰原子的結合位點。

根據另一實施方式，L₁至L₃和L₁₁至L₁₃可以各自獨立地選自由式4-1至4-35表示的基團，但實施方式并不限于此：

在式4-1至4-35中，*和*'各自指示與相鄰原子的結合位點，且“D”可以是指氘。

a1至a3和a11至a13可以各自獨立地為選自0至3的整數。式1中的a1指示L₁的數目。當a1為2或更大時，多個L₁可以彼此相同或不同。例如，當a1為0時，*-(L₁)_a1-*'可以為單鍵。a2、a3和a11至a13的描述可以通過參考對于a1的描述以及式1和2的相應結構來各自獨立地理解。

根據實施方式，a1至a3和a11至a13可以各自獨立地為0或1，但實施方式并不限于此。

在式1和2中，R₁至R₃和R₁₁至R₁₃可以各自獨立地選自由式A至D表示的基團、氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、羧酸基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、取代的或未取代的C₁-C₆₀烷基、取代的或未取代的C₂-C₆₀烯基、取代的或未取代的C₂-C₆₀炔基、取代的或未取代的C₁-C₆₀烷氧基、取代的或未取代的C₃-C₁₀環烷基、取代的或未取代的C₁-C₁₀雜環烷基、取代的或未取代的C₃-C₁₀環烯基、取代的或未取代的C₁-C₁₀雜環烯基、取代的或未取代的C₆-C₆₀芳基、取代的或未取代的C₆-C₆₀芳氧基、取代的或未取代的C₆-C₆₀芳硫基、取代的或未取代的C₁-C₆₀雜芳基、取代的或未取代的單價非芳族稠合多環基團、取代的或未取代的單價非芳族稠合雜多環基團和-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)，

在一些實施方式中，R₁至R₃和R₁₁至R₁₃可以各自獨立地選自由以下組成的組：

由式A至D表示的基團、氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、羧酸基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、C₁-C₂₀烷基和C₁-C₂₀烷氧基，

苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、庚搭烯基、引達省基、苊基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉紅省基、蔻基、卵苯基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、異吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、咔唑基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、異苯并噻唑基、苯并噁唑基、異苯并噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并硅雜環戊二烯基、噻二唑基、咪唑并吡啶基和咪唑并嘧啶基，以及

各自被選自以下的至少一個取代的苯基、聯苯基、三聯苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、庚搭烯基、引達省基、苊基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉紅省基、蔻基、卵苯基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、異吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、咔唑基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、異苯并噻唑基、苯并噁唑基、異苯并噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并硅雜環戊二烯基、噻二唑基、咪唑并吡啶基和咪唑并嘧啶基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、環戊基、環己基、環庚基、環戊烯基、環己烯基、苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、庚搭烯基、引達省基、苊基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉紅省基、蔻基、卵苯基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、異吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、咔唑基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、異苯并噻唑基、苯并噁唑基、異苯并噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、聯苯基、三聯苯基和-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)，

R₂₁至R₂₉各自獨立地選自氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、羧酸基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、C₁-C₂₀烷基和C₁-C₂₀烷氧基，

其中Q₃₁至Q₃₃可以各自獨立地選自C₁-C₁₀烷基、C₁-C₁₀烷氧基、苯基、萘基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、咔唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并硅雜環戊二烯基、聯苯基和三聯苯基，但本公開的實施方式并不限于此。

根據實施方式，R₁至R₃和R₁₁至R₁₃可以各自獨立地選自氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、羧酸基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、由式A至D表示的基團和由式5-1至5-79表示的基團，R₂₁至R₂₉可以各自獨立地選自氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、羧酸基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、由式5-1至5-79表示的基團，但實施方式并不限于此：

在式5-1至5-79中，

Y₃₁和Y₃₂可以各自獨立地選自O、S、C(Z₃₃)(Z₃₄)、N(Z₃₅)和Si(Z₃₆)(Z₃₇)；以及

Z₃₁至Z₃₇可以各自獨立地選自氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、苯基、聯苯基、三聯苯基、萘基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基、屈基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、三嗪基和-Si(Q₃₃)(Q₃₄)(Q₃₅)，

其中Q₃₃至Q₃₅可以各自獨立地選自C₁-C₁₀烷基、C₁-C₁₀烷氧基、苯基、聯苯基、三聯苯基和萘基；

e2可以為選自1和2的整數；

e3可以為選自1至3的整數；

e4可以為選自1至4的整數；

e5可以為選自1至5的整數；

e6可以為選自1至6的整數；

e7可以為選自1至7的整數；

e9可以為選自1至9的整數；以及

*指示與相鄰原子的結合位點。

根據另一實施方式，R₁至R₃和R₁₁至R₁₃可以各自獨立地選自氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、羧酸基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、由式A至D表示的基團和由式6-1至式6-44表示的基團，R₂₁至R₂₉可以各自獨立地選自氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、羧酸基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽和由式6-1至式6-44表示的基團：

在式6-1至6-44中，*指示與相鄰原子的結合位點，且“D”可以是指氘。

在式1和2中，b1至b3和b11至b13可以各自獨立地為選自1至5的整數。式1中的b1指示R₁的數目。當b1為2或更大時，多個R₁可以彼此相同或不同。b2、b3和b11至b13的描述可以通過參考對于b1的描述以及式1和2的相應結構來各自獨立地理解。

根據實施方式，b1至b3和b11至b13可以各自獨立地為1或2。

當b1為2或更大時，多個R₁可以任選地連接以形成飽和或不飽和環；當b2為2或更大時，多個R₂可以任選地連接以形成飽和或不飽和環；當b3為2或更大時，多個R₃可以任選地連接以形成飽和或不飽和環；當b11為2或更大時，多個R₁₁可以任選地連接以形成飽和或不飽和環；當b12為2或更大時，多個R₁₂可以任選地連接以形成飽和或不飽和環；且當b13為2或更大時，多個R₁₃可以任選地連接以形成飽和或不飽和環。

選自R₁至R₃中的至少一個可以為由式A表示的基團，且選自R₁₁至R₁₃中的至少一個可以為由式B至D中的一個表示的基團。根據實施方式，選自R₁至R₃中的一個可以為由式A表示的基團，且選自R₁₁至R₁₃中的一個可以為由式B至D中的一個表示的基團。

第一化合物和第二化合物可以各自為可光固化單體，其可以在其分子結構中包括由式A表示的可光固化官能團。例如，因為第一化合物和第二化合物在其分子結構中包括可光固化官能團，當包括第一化合物和第二化合物的組合物暴露于光時，可以使第一化合物和第二化合物交聯。交聯的第一化合物和第二化合物可以形成第一共聚物。

第三化合物和第四化合物可以各自為熱固性單體，其可以在其分子結構中包括由式B至D中的一個表示的熱固性官能團。在一些實施方式中，因為第三化合物和第四化合物在其分子結構中包括熱固性官能團，當熱處理包括第三化合物和第四化合物的組合物時，可以使第三化合物和第四化合物交聯。交聯的第三化合物和第四化合物可以形成第二共聚物。

在一些實施方式中，第一化合物和第二化合物可以各自獨立地由式1A至1E中的一個表示，并且第三化合物和第四化合物可以各自獨立地由式2A至2E中的一個表示：

在式1A至1E和2A至2E中，R₁至R₃和R₁₁至R₁₃可以與本文所述的相同；

R_1a和R_1b的描述可以各自獨立地與本文結合R₁提供的描述相同；

R_2a和R_2b的描述可以各自獨立地與本文結合R₂提供的描述相同；

R_11a和R_11b的描述可以各自獨立地與本文結合R₁₁提供的描述相同；以及

R_12a和R_12b的描述可以各自獨立地與本文結合R₁₂提供的描述相同。

在一些實施方式中，第一化合物和第二化合物可以各自獨立地選自化合物HTa-1至HTa-7，并且第三化合物和第四化合物可以各自獨立地選自化合物HTb-1至HTb-7：

根據實施方式，第一化合物和第二化合物可以彼此相同或不同，并且第三化合物和第四化合物可以彼此相同或不同。

根據實施方式，空穴傳輸區可以包括空穴傳輸層以及在第一電極和空穴傳輸層之間的空穴注入層；并且選自第一共聚物和第二共聚物中的至少一個可以包括于空穴傳輸層中。

根據另一實施方式，空穴傳輸區可以包括空穴傳輸層以及在第一電極和空穴傳輸層之間的空穴注入層；并且空穴傳輸層可以包括第一空穴傳輸層和第二空穴傳輸層，第二空穴傳輸層在發光層和第一空穴傳輸層之間。

在一些實施方式中，第一共聚物可以包括于第一空穴傳輸層中，并且第二共聚物可以包括于第二空穴傳輸層中；或第二共聚物可以包括于第一空穴傳輸層中，并且第一共聚物可以包括于第二空穴傳輸層中。

根據實施方式，電子輔助層可以直接接觸發光層；電子傳輸區還可以包括電子傳輸層以及在電子輔助層和第二電極之間的電子注入層；并且金屬氧化物可以包括于電子輔助層中。

根據實施方式，金屬氧化物可以選自氧化鋅(ZnO)、氧化鋅-錫(ZTO)、氧化鎵-銦-鋅-鋯(ZTOZr)、氧化銦鋅(IZO)和氧化鎵-銦-鋅(GIZO)。根據另一實施方式，金屬氧化物可以為氧化鋅(ZnO)，但實施方式并不限于此。

在下文，將參考附圖描述根據本公開的實施方式的有機發光裝置。

圖1為根據實施方式的有機發光裝置(OLED)10的示意橫截面視圖。

圖1中的OLED 10可以包括第一電極110、空穴傳輸區130、發光層150、電子傳輸區170和第二電極190，它們以陳述的次序層疊。電子傳輸區170可以包括電子輔助層。電子輔助層可以直接接觸發光層150。

參考圖1，基板可以另外布置(例如，放置)在第一電極110之下或在第二電極190之上。基板可以為玻璃基板和/或透明塑料基板，各自具有優異的機械強度、熱穩定性、透明度、表面光滑度、易操作性和/或耐水性。

第一電極110可通過在基板上沉積或濺射用于形成第一電極110的材料而形成。當第一電極110為陽極時，用于形成第一電極110的材料可以選自具有高功函以促進空穴注入的材料。第一電極110可以為反射電極、半透射電極、或透射電極。用于形成第一電極110的材料可以為透明且高導電材料，且此類材料的非限制性實例包括氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化錫(SnO₂)和氧化鋅(ZnO)。當第一電極110為半透射電極或反射電極時，選自鎂(Mg)、鋁(Al)、鋁-鋰(Al-Li)、鈣(Ca)、鎂-銦(Mg-In)和鎂-銀(Mg-Ag)中的至少一個可以用作用于形成第一電極110的材料。

第一電極110可以具有單層結構、或包括多個層的多層結構。在一些實施方式中，第一電極110可以具有ITO/Ag/ITO的三層結構，但實施方式并不限于此。

從第一電極110注入的空穴可以通過空穴傳輸區130運輸至發光層150。

空穴傳輸區130可以具有單層結構、或包括兩個或更多個層的多層結構。空穴傳輸區130可以包括單種材料或者兩種或更多種不同材料。

例如，空穴傳輸區130可以具有空穴注入層/空穴傳輸層的結構、空穴注入層/空穴傳輸層/電子阻擋層的結構、空穴注入層/空穴傳輸層/緩沖層/電子阻擋層的結構、空穴注入層/電子阻擋層的結構、空穴注入層/緩沖層/電子阻擋層的結構、空穴傳輸層/電子阻擋層的結構和空穴傳輸層/緩沖層/電子阻擋層的結構，其中每種結構的層以這種說明的次序從第一電極110順序堆疊，但實施方式并不限于此。在一些實施方式中，空穴傳輸區130可以包括僅空穴注入層或僅空穴傳輸層。

空穴傳輸區130可以包括選自以下的至少一種共聚物：第一化合物和第二化合物的第一共聚物以及第三化合物和第四化合物的第二共聚物。第一化合物、第二化合物、第三化合物、第四化合物、第一共聚物和第二共聚物可以與本文所述的相同。

除了第一共聚物和第二共聚物之外，空穴傳輸區130可以包括選自聚苯胺/十二烷基苯磺酸(PANI/DBSA)、聚(3,4-亞乙基二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟腦磺酸(PANI/CSA)和聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(PANI/PSS)中的至少一種。

空穴傳輸區130的厚度可以在約至約例如約至約的范圍內。當空穴傳輸區130包括空穴注入層和空穴傳輸層時，空穴注入層的厚度可以在約至小于約且在一些實施方式中，約至約的范圍內；空穴傳輸層的厚度可以在約至約且在一些實施方式中，約至約的范圍內。當空穴傳輸區130、空穴注入層和空穴傳輸層的厚度在任意這些范圍內時，可以在驅動電壓沒有顯著增加下獲得優異的(或適合的)空穴傳輸特征。

除了空穴注入層和空穴傳輸層之外，空穴傳輸區130還可以包括選自緩沖層和電子阻擋層中的至少一個。因為緩沖層可根據由發光層發射的光的波長來補償光學共振距離，因此可改善所得到的有機發光裝置的發光效率。空穴傳輸區中包括的材料中的任一種可以用作緩沖層中包括的材料。在一些實施方式中，電子阻擋層可以用來防止或減少電子從電子傳輸區170注入。

根據實施方式，空穴傳輸區130可以包括空穴注入層和空穴傳輸層，其中空穴注入層可以包括選自聚苯胺/十二烷基苯磺酸(PANI/DBSA)、聚(3,4-亞乙基二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟腦磺酸(PANI/CSA)和聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(PANI/PSS)中的至少一種；并且空穴傳輸層可以包括選自第一共聚物和第二共聚物中的至少一種，但本公開的實施方式并不限于此。

當空穴傳輸區130包括空穴傳輸層時，空穴傳輸層可以直接接觸發光層150，但實施方式并不限于此。

發光層150可以在空穴傳輸區130上方(例如，之上)形成。

當有機發光裝置10為全色有機發光裝置時，根據子像素可將發光層圖案化為紅色發光層、綠色發光層和/或藍色發光層。在一些實施方式中，發光層可以具有紅色發光層、綠色發光層和藍色發光層的堆疊結構，或可以包括紅光發光材料、綠光發光材料和藍光發光材料，它們于單層中彼此混合，從而發白光。

根據實施方式，發光層150中包括的發光材料可以為聚合物發光材料或低分子量發光材料。

發光層150可以包括主體和摻雜劑。

主體可以包括，例如TPBi、TBADN、ADN(本文也被稱為“DNA”)、CBP、CDBP、TCP、聚(N-乙烯基咔唑(PVK)：2-4-聯苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(PBD)，和選自化合物101至106中的至少一種：

在一些實施方式中，主體還可以包括由式301表示的化合物：

式301

Ar₃₀₁-[(L₃₀₁)_xb1-R₃₀₁]_xb2。

在式301中，

Ar₃₀₁可以選自由以下組成的組：

萘基、庚搭烯基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基和茚并蒽基，以及

各自被選自以下的至少一個取代的萘基、庚搭烯基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、屈基，并四苯基、苉基、苝基、戊芬基和茚并蒽基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₁₀環烷基、C₁-C₁₀雜環烷基、C₃-C₁₀環烯基、C₁-C₁₀雜環烯基、C₆-C₆₀芳基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₁-C₆₀雜芳基、單價非芳族稠合多環基團、單價非芳族稠合雜多環基團和-Si(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)(Q₃₀₃)，其中Q₃₀₁至Q₃₀₃可以各自獨立地選自氫、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₆-C₆₀芳基、和C₁-C₆₀雜芳基；

L₃₀₁的描述可以與本文結合L₁提供的描述相同；

R₃₀₁可以選自由以下組成的組：

C₁-C₂₀烷基和C₁-C₂₀烷氧基，

各自被選自以下的至少一個取代的C₁-C₂₀烷基和C₁-C₂₀烷氧基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、苯基、萘基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基、屈基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基和三嗪基，

苯基、萘基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基、屈基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基和三嗪基，以及

各自被選自以下的至少一個取代的苯基、萘基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基、屈基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基和三嗪基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、苯基、萘基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基、屈基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基和三嗪基；

xb1可以選自0、1、2和3；以及

xb2可以選自1、2、3和4。

在一些實施方式中，在式301中，

L₃₀₁可以選自由以下組成的組：

亞苯基、亞萘基、亞芴基、螺-亞芴基、亞苯并芴基、亞二苯并芴基、亞菲基、亞蒽基、亞芘基和亞屈基，以及

各自被選自以下的至少一個取代的亞苯基、亞萘基、亞芴基、螺-亞芴基、亞苯并芴基、亞二苯并芴基、亞菲基、亞蒽基、亞芘基和亞屈基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、苯基、萘基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基、和屈基；

R₃₀₁可以選自由以下組成的組：

C₁-C₂₀烷基和C₁-C₂₀烷氧基，

各自被選自以下的至少一個取代的C₁-C₂₀烷基和C₁-C₂₀烷氧基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、苯基、萘基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基和屈基，

苯基、萘基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基和屈基，以及

各自被選自以下的至少一個取代的苯基、萘基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基、和屈基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、苯基、萘基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基和屈基，但本公開的實施方式并不限于此。

在一些實施方式中，主體可以包括由式301A表示的化合物：

式301A

式301A的取代基的描述可以與本文結合其的那些相同。

由式301表示的化合物可以包括選自化合物H1至H42中的至少一種化合物，但實施方式并不限于此：

在一些實施方式中，主體可以包括選自化合物H43至H49中的至少一種，但實施方式并不限于此：

在一些實施方式中，主體可以包括選自以下化合物的至少一種，但實施方式并不限于此：

摻雜劑可以包括選自熒光摻雜劑和磷光摻雜劑中的至少一種。

磷光摻雜劑可以包括由式401表示的有機金屬絡合物：

式401

在式401中，

M可以選自銥(Ir)、鉑(Pt)、鋨(Os)、鈦(Ti)、鋯(Zr)、鉿(Hf)、銪(Eu)、鋱(Tb)和銩(Tm)，

X₄₀₁至X₄₀₄可以各自獨立地為氮或碳；

A₄₀₁和A₄₀₂環可以各自獨立地選自取代的或未取代的苯、取代的或未取代的萘、取代的或未取代的芴、取代的或未取代的螺-芴、取代的或未取代的茚、取代的或未取代的吡咯、取代的或未取代的噻吩、取代的或未取代的呋喃、取代的或未取代的咪唑、取代的或未取代的吡唑、取代的或未取代的噻唑、取代的或未取代的異噻唑、取代的或未取代的噁唑、取代的或未取代的異噁唑、取代的或未取代的吡啶、取代的或未取代的吡嗪、取代的或未取代的嘧啶、取代的或未取代的噠嗪、取代的或未取代的喹啉、取代的或未取代的異喹啉、取代的或未取代的苯并喹啉、取代的或未取代的喹喔啉、取代的或未取代的喹唑啉、取代的或未取代的咔唑、取代的或未取代的苯并咪唑、取代的或未取代的苯并呋喃、取代的或未取代的苯并噻吩、取代的或未取代的異苯并噻吩、取代的或未取代的苯并噁唑、取代的或未取代的異苯并噁唑、取代的或未取代的三唑、取代的或未取代的噁二唑、取代的或未取代的三嗪、取代的或未取代的二苯并呋喃和取代的或未取代的二苯并噻吩，

其中所述取代的苯、取代的萘、取代的芴、取代的螺-芴、取代的茚、取代的吡咯、取代的噻吩、取代的呋喃、取代的咪唑、取代的吡唑、取代的噻唑、取代的異噻唑、取代的噁唑、取代的異噁唑、取代的吡啶、取代的吡嗪、取代的嘧啶、取代的噠嗪、取代的喹啉、取代的異喹啉、取代的苯并喹啉、取代的喹喔啉、取代的喹唑啉、取代的咔唑、取代的苯并咪唑、取代的苯并呋喃、取代的苯并噻吩、取代的異苯并噻吩、取代的苯并噁唑、取代的異苯并噁唑、取代的三唑、取代的噁二唑、取代的三嗪、取代的二苯并呋喃和取代的二苯并噻吩中的至少一個取代基可以選自由以下組成的組：

氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、和C₁-C₆₀烷氧基、

各自被選自以下的至少一個取代的C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、和C₁-C₆₀烷氧基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、C₃-C₁₀環烷基、C₁-C₁₀雜環烷基、C₃-C₁₀環烯基、C₁-C₁₀雜環烯基、C₆-C₆₀芳基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₁-C₆₀雜芳基、單價非芳族稠合多環基團、單價非芳族稠合雜多環基團、-N(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)、-Si(Q₄₀₃)(Q₄₀₄)(Q₄₀₅)和-B(Q₄₀₆)(Q₄₀₇)，

C₃-C₁₀環烷基、C₁-C₁₀雜環烷基、C₃-C₁₀環烯基、C₁-C₁₀雜環烯基、C₆-C₆₀芳基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₁-C₆₀雜芳基、單價非芳族稠合多環基團和單價非芳族稠合雜多環基團，

各自被選自以下的至少一個取代的C₃-C₁₀環烷基、C₁-C₁₀雜環烷基、C₃-C₁₀環烯基、C₁-C₁₀雜環烯基、C₆-C₆₀芳基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₁-C₆₀雜芳基、單價非芳族稠合多環基團和單價非芳族稠合雜多環基團：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₁₀環烷基、C₁-C₁₀雜環烷基、C₃-C₁₀環烯基、C₁-C₁₀雜環烯基、C₆-C₆₀芳基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₁-C₆₀雜芳基、單價非芳族稠合多環基團、單價非芳族稠合雜多環基團、-N(Q₄₁₁)(Q₄₁₂)、-Si(Q₄₁₃)(Q₄₁₄)(Q₄₁₅)和-B(Q₄₁₆)(Q₄₁₇)，以及

-N(Q₄₂₁)(Q₄₂₂)、-Si(Q₄₂₃)(Q₄₂₄)(Q₄₂₅)和-B(Q₄₂₆)(Q₄₂₇)，

其中Q₄₀₁至Q₄₀₇、Q₄₁₁至Q₄₁₇、和Q₄₂₁至Q₄₂₇的描述可以各自獨立地與本文結合Q₁提供的描述相同；

L₄₀₁可以為有機配體；

xc1可以選自1、2和3；以及

xc2可以選自0、1、2和3。

在一些實施方式中，L₄₀₁可以為任何適合的單價、二價或三價有機配體。例如，L₄₀₁可以選自鹵素配體(例如，Cl和/或F)、二酮配體(例如，乙酰丙酮化物、1,3-二苯基-1,3-丙二酮酸鹽、2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸鹽和/或六氟丙酮酸鹽)、羧酸配體(例如，吡啶甲酸鹽、二甲基-3-吡唑羧酸鹽和/或苯甲酸鹽)、一氧化碳配體、異腈配體、氰基配體和磷配體(例如，膦和/或亞磷酸鹽)，但實施方式并不限于此。

當式401中的A₄₀₁具有多個取代基時，A₄₀₁的多個取代基可以連接以形成飽和或不飽和環。

當式401中的A₄₀₂具有多個取代基時，A₄₀₂的多個取代基可以連接以形成飽和或不飽和環。

當式401中的xc1為二或更大時，式401中的多個配體可以彼此相同或不同。在式401中，當xc1為2或更大時，一個配體的A₄₀₁和A₄₀₂可以各自獨立地直接(例如，經由鍵諸如單鍵)或經由連接基團(例如，C₁-C₅亞烷基基團、-N(R')-(其中R'為C₁-C₁₀烷基或C₆-C₂₀芳基)，和/或-C(＝O)-)連接(例如，偶合)至另一相鄰配體的各自A₄₀₁和A₄₀₂。

磷光摻雜劑可以包括選自化合物PD1至PD74中的至少一種，但實施方式并不限于此：

在一些實施方式中，磷光摻雜劑可以包括PtOEP：

熒光摻雜劑可以包括選自DPVBi、DPAVBi、TBPe、DCM、DCJTB、香豆素6和C545T中的至少一種：

在一些實施方式中，熒光摻雜劑可以包括由式501表示的化合物：

式501

在式501中，

Ar₅₀₁可以選自由以下組成的組：

各自被選自以下的至少一個取代的萘基、庚搭烯基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基和茚并蒽基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₁₀環烷基、C₁-C₁₀雜環烷基、C₃-C₁₀環烯基、C₁-C₁₀雜環烯基、C₆-C₆₀芳基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₁-C₆₀雜芳基、單價非芳族稠合多環基團、單價非芳族稠合雜多環基團和-Si(Q₅₀₁)(Q₅₀₂)(Q₅₀₃)，其中Q₅₀₁至Q₅₀₃可以各自獨立地選自氫、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₆-C₆₀芳基、和C₁-C₆₀雜芳基；

L₅₀₁至L₅₀₃的描述可以各自獨立地與本文結合L₂₀₁提供的描述相同；

R₅₀₁和R₅₀₂可以各自獨立地選自由以下組成的組：

苯基、萘基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基、屈基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、和二苯并噻吩基，以及

各自被選自以下的至少一個取代的苯基、萘基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基、屈基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、和二苯并噻吩基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、苯基、萘基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基、屈基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、和二苯并噻吩基；

xd1至xd3可以各自獨立地選自0、1、2和3；并且

xd4可以選自1、2、3和4。

熒光摻雜劑可以包括選自化合物FD1至FD9中的至少一種：

基于100重量份的主體，發光層中摻雜劑的量可以例如在約0.01重量份至約15重量份的范圍內，但實施方式并不限于此。

發光層的厚度可以在約至約且在一些實施方式中，約至約的范圍內。當發光層的厚度在任意這些范圍內時，可以在驅動電壓沒有顯著增加下實現優異的(或適合的)發光特征。

電子傳輸區170可以放置在發光層150上方(例如，之上)。電子傳輸區170可以包括電子輔助層。電子輔助層可以包括金屬氧化物。電子輔助層可以直接接觸發光層150。電子輔助層可以用來促進電子向發光層注入。

電子輔助層的厚度可以在約至約的范圍內。當電子輔助層的厚度在該范圍內時，可以在驅動電壓沒有顯著增加下實現優異的(或適合的)電子注入平衡特性。

除了電子輔助層之外，電子傳輸區170可以包括選自電子傳輸層和電子注入層中的至少一個，但本公開的實施方式并不限于此。

在一些實施方式中，電子傳輸區170可以包括布置(例如，放置)在電子輔助層和第二電極190之間的電子傳輸層和電子注入層，但實施方式并不限于此。

在一些實施方式中，電子傳輸層可以包括選自由式601表示的化合物和由式602表示的化合物中的至少一種：

式601

Ar₆₀₁-[(L₆₀₁)_xe1-E₆₀₁]_xe2。

在式601中，

Ar₆₀₁可以選自由以下組成的組：

各自被選自以下的至少一個取代的萘基、庚搭烯基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基和茚并蒽基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₁₀環烷基、C₁-C₁₀雜環烷基、C₃-C₁₀環烯基、C₁-C₁₀雜環烯基、C₆-C₆₀芳基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₁-C₆₀雜芳基、單價非芳族稠合多環基團、單價非芳族稠合雜多環基團和-Si(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)(Q₃₀₃)，其中Q₃₀₁至Q₃₀₃可以各自獨立地選自氫、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₆-C₆₀芳基和C₁-C₆₀雜芳基；

L₆₀₁的描述可以與本文結合L₂₀₁提供的描述相同；

E₆₀₁可以選自由以下組成的組：

吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、異吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、咔唑基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、異苯并噻唑基、苯并噁唑基、異苯并噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、咪唑并吡啶基和咪唑并嘧啶基，以及

各自被選自以下的至少一個取代的吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、異吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、咔唑基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、異苯并噻唑基、苯并噁唑基、異苯并噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、咪唑并吡啶基和咪唑并嘧啶基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、庚搭烯基、引達省基、苊基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉紅省基、蔻基、卵苯基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、異吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、咔唑基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、異苯并噻唑基、苯并噁唑基、異苯并噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、咪唑并吡啶基和咪唑并嘧啶基；

xe1可以選自0、1、2和3；以及

xe2可以選自1、2、3和4。

式602

在式602中，

X₆₁₁可以為N或C-(L₆₁₁)_xe611-R₆₁₁，X₆₁₂可以為N或C-(L₆₁₂)_xe612-R₆₁₂，X₆₁₃可以為N或C-(L₆₁₃)_xe613-R₆₁₃，且選自X₆₁₁至X₆₁₃中的至少一個可以為N；

L₆₁₁至L₆₁₆的描述可以各自獨立地與本文結合L₁提供的描述相同；

R₆₁₁至R₆₁₆可以各自獨立地選自由以下組成的組：

各自被選自以下的至少一個取代的苯基、萘基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基、屈基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基和三嗪基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、苯基、萘基、薁基、芴基、螺-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基、屈基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基和三嗪基；以及

xe611至xe616可以各自獨立地選自0、1、2和3。

由式601表示的化合物和由式602表示的化合物可以各自獨立地選自化合物ET1至ET15：

在一些實施方式中，電子傳輸層可以包括選自BCP、Bphen、Alq₃、BAlq、TAZ和NTAZ中的至少一種：

電子傳輸層的厚度可以在約至約且在一些實施方式中，約至約的范圍內。當電子傳輸層的厚度在任意這些范圍內時，可以在驅動電壓沒有顯著增加下實現優異的(或適合的)電子傳輸特性。

除了上文所述的材料之外，電子傳輸層還可以包括含金屬材料。

含金屬材料可以包括Li絡合物。Li絡合物可以包括例如化合物ET-D1(8-羥基喹啉鋰，LiQ)和/或化合物ET-D2：

電子傳輸區可以包括促進電子從第二電極190注入的電子注入層。

電子注入層可以包括選自LiF、NaCl、CsF、Li₂O、BaO和LiQ中的至少一種。

電子注入層的厚度可以在約至約且在一些實施方式中，約至約的范圍內。當電子注入層的厚度在任意這些范圍內時，可以在驅動電壓沒有顯著增加下實現優異的(或適合的)電子注入特性。

第二電極190可以放置在電子傳輸區170上。第二電極190可以為陰極，例如，其是電子注入電極。在這方面，用于形成第二電極190的材料可以為具有低功函的材料，例如金屬、合金、導電性化合物或其混合物。用于形成第二電極190的材料的非限制性實例可以包括鋰(Li)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鋁-鋰(Al-Li)、鈣(Ca)、鎂-銦(Mg-In)和鎂-銀(Mg-Ag)。在一些實施方式中，用于形成第二電極190的材料可以為ITO和/或IZO。第二電極190可以為半透射電極或透射電極。

在下文，將描述制造有機發光裝置的方法。

制造有機發光裝置的方法可以包括制備基板；在基板上方(例如，之上)形成第一電極；在第一電極上形成包括選自以下的至少一種共聚物的空穴傳輸區：第一化合物和第二化合物的第一共聚物以及第三化合物和第四化合物的第二共聚物，其中第一化合物和第二化合物可以各自獨立地選自由式1表示的化合物，且第三化合物和第四化合物可以各自獨立地選自由式2表示的化合物；在空穴傳輸區上形成發光層；在發光層上形成包括電子輔助層的電子傳輸區，所述電子輔助層包括金屬氧化物；以及在電子傳輸區上形成第二電極。

根據實施方式，空穴傳輸區的形成可以包括在第一電極上提供包括第一化合物和第二化合物的第一共聚物形成組合物；以及暴露第一共聚物形成組合物于光以形成第一共聚物。

在第一電極上提供包括第一化合物和第二化合物的第一共聚物形成組合物可以包括制備包括第一化合物和第二化合物的第一共聚物形成組合物；以及在第一電極上涂布第一共聚物形成組合物。

根據實施方式，第一共聚物形成組合物還可以包括有機溶劑。在一些實施方式中，有機溶劑可以選自苯、甲苯和氯苯，但本公開的實施方式并不限于此。

根據實施方式，在第一電極上涂布第一共聚物形成組合物可以使用濕法工藝來進行。在一些實施方式中，在第一電極上涂布第一共聚物形成組合物可以通過旋轉涂布、噴墨打印、絲網印刷、浸漬涂布、刮刀涂布(doctor-blading)和/或激光誘導的熱成像(LITI)來進行，但實施方式并不限于此。

暴露第一共聚物形成組合物于光可以通過照射具有在約1W至約500W范圍內的強度和在約250nm至約350nm范圍內的波長的光(例如，通過用光照射第一共聚物形成組合物)來進行。

根據實施方式，形成空穴傳輸區可以包括在第一電極上提供包括第三化合物和第四化合物的第二共聚物形成組合物；以及熱處理第二共聚物形成組合物以形成第二共聚物。

在第一電極上提供包括第三化合物和第四化合物的第二共聚物形成組合物可以包括制備包括第三化合物和第四化合物的第二共聚物形成組合物；以及在第一電極上涂布第二共聚物形成組合物。

根據實施方式，第二共聚物形成組合物還可以包括有機溶劑。在一些實施方式中，有機溶劑可以選自苯、甲苯和氯苯，但實施方式并不限于此。

根據實施方式，在第一電極上涂布第二共聚物形成組合物可以使用濕法工藝來進行。在一些實施方式中，在第一電極上涂布第一共聚物形成組合物可以通過旋轉涂布、噴墨打印、絲網印刷、浸漬涂布、刮刀涂布和/或LITI來進行，但實施方式并不限于此。

熱處理第二共聚物形成組合物以形成第二共聚物可以在約80℃至約220℃范圍內的溫度下進行，但實施方式并不限于此。

根據實施方式，空穴傳輸層可以包括第一空穴傳輸層，和在發光層和第一空穴傳輸層之間的第二空穴傳輸層。

形成空穴傳輸區可以包括通過在第一電極上提供包括第一化合物和第二化合物的第一共聚物形成組合物以及暴露第一共聚物形成組合物于光以形成第一共聚物來形成第一空穴傳輸層；以及通過在第一空穴傳輸層上提供包括第三化合物和第四化合物的第二共聚物形成組合物以及熱處理第二共聚物形成組合物以形成第二共聚物來形成第二空穴傳輸層。

在一些實施方式中，空穴傳輸層可以包括第一空穴傳輸層，和在發光層和第一空穴傳輸層之間的第二空穴傳輸層；并且空穴傳輸區的形成可以包括通過在第一電極上提供包括第三化合物和第四化合物的第二共聚物形成組合物以及熱處理第二共聚物形成組合物以形成第二共聚物來形成第一空穴傳輸層，以及通過在第一空穴傳輸層上提供包括第一化合物和第二化合物的第一共聚物形成組合物以及暴露第一共聚物形成組合物于光以形成第一共聚物來形成第二空穴傳輸層。

當空穴傳輸區包括空穴傳輸層，和在第一電極和空穴傳輸層之間的空穴注入層時，通過使用一種或多種適合方法諸如真空沉積、旋轉涂布、澆鑄、朗繆爾-布羅基特(LB)法、噴墨打印、激光打印、和/或LITI可以在第一電極110上形成空穴注入層。

當空穴注入層通過真空沉積形成時，例如，考慮到待沉積的用于形成空穴注入層的化合物和待形成的空穴注入層的結構，真空沉積可以在約100℃至約500℃的沉積溫度、在約10^-8托至約10^-3托的真空度下、和以約至約范圍內的真空-沉積速率下進行。

當空穴注入層通過旋轉涂布形成時，例如，通過考慮待沉積的用于形成空穴注入層的化合物和待形成的空穴注入層的結構，旋轉涂布可以在約2000轉每分鐘(rpm)至約5000rpm的涂布速率和約80℃至200℃的溫度下進行。

通過使用一種或多種適合方法諸如真空沉積、旋轉涂布、澆鑄、LB法、噴墨打印、激光打印和/或LITI可在第一電極110或空穴傳輸區上形成發光層。當發光層通過真空沉積和/或旋轉涂布形成時，用于發光層的沉積和涂布條件可以與用于空穴注入層的沉積和涂布條件類似。

形成電子傳輸區可以包括通過在發光層上涂布包括金屬氧化物納米顆粒的電子輔助層形成組合物來形成電子輔助層；以及通過熱處理電子輔助層形成組合物來形成金屬氧化物。

提供包括金屬氧化物納米顆粒的電子輔助層形成組合物可以包括制備包括金屬氧化物納米顆粒的電子輔助層形成組合物；以及在發光層上涂布電子輔助層形成組合物。

根據實施方式，在發光層上涂布電子輔助層形成組合物可以使用濕法工藝來進行。在一些實施方式中，在發光層上涂布電子輔助層形成組合物可以通過旋轉涂布、噴墨打印、絲網印刷、浸漬涂布、刮刀涂布和/或LITI來進行，但實施方式并不限于此。

根據實施方式，電子傳輸區可以包括電子傳輸層和電子注入層，

其中形成電子傳輸區可以包括通過真空沉積形成電子傳輸層和電子注入層。

當電子傳輸層和電子注入層通過真空沉積形成時，例如，考慮到待沉積的用于形成電子傳輸層和電子注入層的化合物和待形成的電子傳輸層和電子注入層的結構，真空沉積可在約100℃至約500℃的沉積溫度、在約10^-8托至約10^-3托的真空度下、和以約至約范圍內的真空沉積速率下進行。

在上文，已經參考附圖描述有機發光裝置10及其制造方法，但本公開的實施方式并不限于此。

本文所使用的術語“C₁-C₆₀烷基”可以是指具有1至60個碳原子的直鏈或支鏈脂族烴單價基團，且其非限制性實例為甲基、乙基、丙基、異丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、異戊基和己基。本文所使用的術語“C₁-C₆₀亞烷基”可以是指具有與C₁-C₆₀烷基相同的結構的二價基團。

本文所使用的術語“C₁-C₆₀烷氧基”可以是指由-OA₁₀₁(其中A₁₀₁為C₁-C₆₀烷基)表示的單價基團。其非限制性實例可以包括甲氧基、乙氧基和異丙氧基。

本文所使用的術語“C₂-C₆₀烯基”可以是指沿著C₂-C₆₀烷基的烴鏈的一個或多個位置處(例如，在C₂-C₆₀烷基的中間或任一末端)具有至少一個碳-碳雙鍵的烴基。其非限制性實例可以包括乙烯基、丙烯基和丁烯基。本文所使用的術語“C₂-C₆₀亞烯基”可以是指具有與C₂-C₆₀烯基相同的結構的二價基團。

本文所使用的術語“C₂-C₆₀炔基”可以是指具有沿著C₂-C₆₀烷基的烴鏈的一個或多個位置處(例如，在C₂-C₆₀烷基的中間或任一末端)具有至少一個碳-碳三鍵的烴基。其非限制性實例可以包括乙炔基和丙炔基。本文所使用的術語“C₂-C₆₀亞炔基”可以是指具有與C₂-C₆₀炔基相同的結構的二價基團。

本文所使用的術語“C₃-C₁₀環烷基”可以是指包括3至10個碳原子的單價單環飽和烴基。其非限制性實例可以包括環丙基、環丁基、環戊基、環己基和環庚基。本文所使用的術語“C₃-C₁₀亞環烷基”可以是指具有與C₃-C₁₀環烷基相同的結構的二價基團。

本文所使用的術語“C₁-C₁₀雜環烷基”可以是指包括至少一個選自N、O、Si、P和S的雜原子作為成環原子和1至10個碳原子的單價單環基團。其非限制性實例可以包括四氫呋喃基和四氫噻吩基。本文所使用的術語“C₁-C₁₀亞雜環烷基”可以是指具有與C₁-C₁₀雜環烷基相同的結構的二價基團。

本文所使用的術語“C₃-C₁₀環烯基”可以是指在其環中具有3至10個碳原子和至少一個雙鍵但為非芳香性的單價單環基團。其非限制性實例可以包括環戊烯基、環己烯基和環庚烯基。本文所使用的術語“C₃-C₁₀亞環烯基”可以是指具有與C₃-C₁₀環烯基相同的結構的二價基團。

本文所使用的術語“C₁-C₁₀雜環烯基”可以是指在其環中包括至少一個選自N、O、Si、P和S的雜原子作為成環原子、1至10個碳原子和至少一個雙鍵的單價單環基團。C₁-C₁₀雜環烯基的非限制性實例可以包括2,3-二氫呋喃基和2,3-二氫噻吩基。本文所使用的術語“C₁-C₁₀亞雜環烯基”可以是指具有與C₁-C₁₀雜環烯基相同的結構的二價基團。

本文所使用的術語“C₆-C₆₀芳基”可以是指包括具有6至60個碳原子的碳環芳族體系的單價基團。本文所使用的術語“C₆-C₆₀亞芳基”可以是指包括具有6至60個碳原子的碳環芳族體系的二價基團。C₆-C₆₀芳基的非限制性實例可以包括苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基和屈基。當C₆-C₆₀芳基和C₆-C₆₀亞芳基各自獨立地包括多個環時，各個多個環可以彼此稠合。

本文所使用的術語“C₁-C₆₀雜芳基”可以是指具有包括至少一個選自N、O、Si、P和S的雜原子作為成環原子和1至60個碳原子的芳族碳環體系的單價基團。本文所使用的術語“C₁-C₆₀亞雜芳基”可以是指具有包括至少一個選自N、O、Si、P和S的雜原子作為成環原子和1至60個碳原子的芳族碳環體系的二價基團。C₁-C₆₀雜芳基的非限制性實例可以包括吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、噠嗪基、三嗪基、喹啉基和異喹啉基。當C₁-C₆₀雜芳基和/或C₁-C₆₀亞雜芳基各自獨立地包括多個環時，各個多個環可以彼此稠合。

本文所使用的術語“C₆-C₆₀芳氧基”可以是指由-OA₁₀₂(其中A₁₀₂為C₆-C₆₀芳基)表示的單價基團。本文所使用的“C₆-C₆₀芳硫基”可以是指由-SA₁₀₃(其中A₁₀₃為C₆-C₆₀芳基)表示的單價基團。

本文所使用的術語“單價非芳族稠合多環基團”可以是指具有兩個或多個彼此稠合(例如，融合)的環、并且僅具有碳原子(例如，碳原子的數目可以為在8至60個范圍內)作為成環原子的單價基團，其中整體分子結構為非芳香性的(例如，不具有整體芳香性)。單價非芳族稠合多環基團的非限制性實例可以包括芴基。本文所使用的術語“二價非芳族稠合多環基團”可以是指具有與單價非芳族稠合多環基團相同的結構的二價基團。

本文所使用的術語“單價非芳族稠合雜多環基團”可以是指具有至少兩個或更多個彼此稠合(例如，融合)的環，除碳原子(例如，碳原子的數目可以為在2至60個范圍內)之外還具有至少一個選自N、O、Si、P和S的雜原子作為成環原子的單價基團，其中整體分子結構為非芳香性的(例如，不具有整體芳香性)。單價非芳族稠合雜多環基團的實例包括咔唑基。本文所使用的術語“二價非芳族稠合雜多環基團”可以是指具有與單價非芳族稠合雜多環基團相同的結構的二價基團。

在本說明書中，所述取代的C₃-C₁₀亞環烷基、取代的C₁-C₁₀亞雜環烷基、取代的C₃-C₁₀亞環烯基、取代的C₁-C₁₀亞雜環烯基、取代的C₆-C₆₀亞芳基、取代的C₁-C₆₀亞雜芳基、取代的二價非芳族稠合多環基團、取代的二價非芳族稠合雜多環基團、取代的C₁-C₆₀烷基、取代的C₂-C₆₀烯基、取代的C₂-C₆₀炔基、取代的C₁-C₆₀烷氧基、取代的C₃-C₁₀環烷基、取代的C₁-C₁₀雜環烷基、取代的C₃-C₁₀環烯基、取代的C₁-C₁₀雜環烯基、取代的C₆-C₆₀芳基、取代的C₆-C₆₀芳氧基、取代的C₆-C₆₀芳硫基、取代的C₁-C₆₀雜芳基、取代的單價非芳族稠合多環基團和取代的單價非芳族稠合雜多環基團中的至少一個取代基可以選自由以下組成的組：

各自被選自以下的至少一個取代的C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基和C₁-C₆₀烷氧基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、C₃-C₁₀環烷基、C₁-C₁₀雜環烷基、C₃-C₁₀環烯基、C₁-C₁₀雜環烯基、C₆-C₆₀芳基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₁-C₆₀雜芳基、單價非芳族稠合多環基團、單價非芳族稠合雜多環基團和-Si(Q₁₁)(Q₁₂)(Q₁₃)，

-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)，

其中Q₁₁至Q₁₃、Q₂₁至Q₂₃、和Q₃₁至Q₃₃可以各自獨立地選自氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸基或其鹽、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₁₀環烷基、C₁-C₁₀雜環烷基、C₃-C₁₀環烯基、C₁-C₁₀雜環烯基、C₆-C₆₀芳基、C₁-C₆₀雜芳基、單價非芳族稠合多環基團和單價非芳族稠合雜多環基團。

本文所使用的“Ph”可以是指苯基。“Me”可以是指甲基。“Et”可以是指乙基。“Ter-Bu”或“Bu^t”可以是指叔丁基。“D”可以是指氘。

在下文，將參考合成實施例和實施例更詳細地描述根據本公開的一個或多個實施方式的有機發光裝置及其制造方法。在描述實施例時使用的表述“使用B代替A”可以是指摩爾當量的A與摩爾當量的B相等。

實施例

實施例1

將15歐姆每平方厘米(Ω/cm²)ITO玻璃基板(得自康寧公司)切成50毫米(mm)×50mm×0.7mm的大小，于異丙醇和純水中超聲處理5分鐘(于每種溶劑中)，用紫外射線清潔30分鐘，然后用臭氧清潔，并且固定在真空沉積裝置上。

將PEDOT:PSS(得自Clevios^TM，P VP AI4083)溶液旋轉涂布于所得玻璃基板的ITO陽極上以形成具有約厚度的空穴注入層上。將化合物HTa-1、化合物HTa-2和氯苯以約1:1:98的重量比率混合來制備第一共聚物形成組合物。將第一共聚物形成組合物以約3,000轉每分鐘(rpm)的涂布速率在空穴注入層上旋轉涂布約40秒。然后，將具有約2mW/cm²的強度和約254nm的波長的紫外射線照射于其上約5分鐘以形成第一共聚物，從而形成具有約的厚度的空穴傳輸層。

隨后，以約1:1.5:0.25的重量比率混合PVK:PBD(作為主體)、Ir(ppy)₃(作為摻雜劑)和氯苯。然后，純化工藝使用0.2μm PTPE注入濾器來進行，從而制備發光層形成組合物。將發光層形成組合物以約2,000rpm的涂布速率在空穴傳輸層上旋轉涂布約40秒，從而形成具有約厚度的發光層。然后，在約100℃下在熱板上對其進行熱處理約30分鐘以除去殘留的氯苯。

隨后，將氧化鋅納米顆粒和1-丁醇以約2:98的重量比率混合來制備電子輔助層形成組合物。將電子輔助層形成組合物以約2,000rpm的涂布速率在發光層上旋轉涂布約40秒，從而形成具有約厚度的電子輔助層。

將Alq₃真空沉積在電子輔助層上以形成具有約厚度的電子傳輸層。然后，將LiF真空沉積于電子傳輸層上以形成具有約厚度的電子注入層，從而形成電子傳輸區。

將鋁真空沉積于電子傳輸區上以形成具有約厚度的陰極，從而完成有機發光裝置的制造。

實施例2

將15Ω/cm²ITO玻璃基板(得自康寧公司)切成50mm×50mm×0.7mm的大小，于異丙醇和純水中超聲處理5分鐘(于各種溶劑中)，用紫外射線清潔30分鐘、然后用臭氧清潔，并且固定在真空沉積裝置上。

將PEDOT:PSS(得自Clevios^TM，P VP AI4083)溶液旋轉涂布于所得玻璃基板的ITO陽極上以形成具有約厚度的空穴注入層上。然后，將化合物HTb-1、化合物HTb-3和氯苯以約1:0.5:98.5的重量比率混合來制備第二共聚物形成組合物。將第二共聚物形成組合物以約3,000rpm的涂布速率在空穴注入層上旋轉涂布約40秒。然后，在氮氣氣氛中在約200℃至約250℃范圍內的溫度下對其進行熱處理約3小時至4小時以形成第二共聚物，從而形成具有約厚度的空穴傳輸層。

隨后，以約2:1:97的重量比率混合PVK、PBD(作為主體)、Ir(ppy)₃(作為摻雜劑)和氯苯。然后，純化工藝使用0.2μm PTPE注入濾器來進行，從而制備發光層形成組合物。將發光層形成組合物以約2,000rpm的涂布速率在空穴傳輸層上旋轉涂布約40秒，從而形成具有約厚度的發光層。然后，在約100℃下在熱板上對其進行熱處理約30分鐘以除去殘留的氯苯。

將鋁真空沉積于電子傳輸區上以形成具有約厚度的陰極，從而完成有機發光裝置的制造。

比較例1

按與實施例1相同(或大致上相同)的方式制造有機發光裝置，不同的是使用共聚物A作為空穴傳輸層材料代替第一共聚物，并且未形成電子輔助層。

共聚物A

(n:m＝83:17，M_n＝45,000，M_w＝81,000)。

評價實施例1

實施例1和2以及比較例1中制造的有機發光裝置的驅動電壓、電流密度、效率和色坐標通過使用Keithley 236源測量單元(SMU)和PR650亮度計來測量。其結果于表1中示出。

表1

實施例3

將15Ω/cm²ITO玻璃基板(得自康寧公司)切成50mm×50mm×0.7mm的大小，于異丙醇和純水中超聲處理5分鐘(于每種溶劑中)，用紫外射線清潔30分鐘，然后用臭氧清潔，并且安裝在真空沉積裝置上。

將PEDOT:PSS(得自Clevios^TM，P VP AI4083)溶液旋轉涂布于所得玻璃基板的ITO陽極上以形成具有約厚度的空穴注入層。將化合物HTa-1、化合物HTa-2和氯苯以約1:1:98的重量比率混合來制備第一共聚物形成組合物。將第一共聚物形成組合物以約3,000rpm的涂布速率在空穴注入層上旋轉涂布約40秒。然后，對其照射具有約2mW/cm²強度和約254nm的波長的紫外射線約5分鐘以形成第一共聚物，從而形成具有約厚度的第一空穴傳輸層。

然后，將化合物HTb-1、化合物HTb-3和氯苯以約2:1:97的重量比率混合來制備第二共聚物形成組合物。將第二共聚物形成組合物以約3,000rpm的涂布速率在第一空穴傳輸層上旋轉涂布約40秒。然后，在氮氣氣氛中在約200℃至約250℃范圍內的溫度下對其進行熱處理約3小時至4小時以形成第二共聚物，從而形成具有約厚度的第二空穴傳輸層。

隨后，以約1:0.5:98.5的重量比率混合PVK、PBD(作為主體)、Ir(ppy)₃(作為摻雜劑)和氯苯。然后，純化工藝使用0.2μm PTPE注入濾器來進行，從而制備發光層形成組合物。將發光層形成組合物以約2,000rpm的涂布速率在空穴傳輸層上旋轉涂布約40秒，從而形成具有約厚度的發光層。然后，在約100℃下在熱板上對其進行熱處理約30分鐘以除去殘留的氯苯。

將鋁真空沉積于電子傳輸區上以形成具有約厚度的陰極，從而完成有機發光裝置的制造。

實施例4

將PEDOT:PSS(得自Clevios^TM，P VP AI4083)溶液旋轉涂布于所得玻璃基板的ITO陽極上以形成具有約厚度的空穴注入層上。將化合物HTb-1、化合物HTb-3和氯苯以約2:1:97的重量比率混合來制備第二共聚物形成組合物。將第二共聚物形成組合物以約3,000rpm的涂布速率在空穴注入層上旋轉涂布約40秒。然后，在氮氣氣氛中在約200℃至約250℃范圍內的溫度下對其進行熱處理約3小時至4小時以形成第二共聚物，從而形成具有約厚度的第一空穴傳輸層。

將化合物HTa-1、化合物HTa-2和氯苯以約1:1:98的重量比率混合來制備第一共聚物形成組合物。將第一共聚物形成組合物以約3,000rpm的涂布速率在第一空穴傳輸層上旋轉涂布約40秒。對其照射具有約2mW/cm²強度和約254nm的波長的紫外射線約5分鐘以形成第一共聚物，從而形成具有約厚度的第二空穴傳輸層。

隨后，以約1:2:97的重量比率混合PVK:PBD(作為主體)、Ir(ppy)₃(作為摻雜劑)和氯苯。然后，純化工藝使用0.2μm PTPE注入濾器來進行，從而制備發光層形成組合物。將發光層形成組合物以約2,000rpm的涂布速率在空穴傳輸層上旋轉涂布約40秒，從而形成具有約厚度的發光層。然后，在約100℃下在熱板上對其進行熱處理約30分鐘以除去殘留的氯苯。

將鋁真空沉積于電子傳輸區上以形成具有約厚度的陰極，從而完成有機發光裝置的制造。

評價實施例2

實施例3和4中制造的有機發光裝置的驅動電壓、電流密度、效率和色坐標通過使用Keithley 236SMU和PR650亮度計來測量。其結果于表2中示出。

表2

參考表1和2中所示的結果，可以發現，實施例1至4中制備的有機發光裝置相較于比較例1中制備的有機發光裝置表現出低驅動電壓和高效率。

如上所述，根據實施方式，有機發光裝置可以具有高效率和長壽命。

本文所使用的術語“使用(use)”、“正在使用(using)”和“所使用的(used)”可被認為分別與術語“利用(utilize)”、“正在利用(utilizing)”和“所利用的(utilized)”同義。

此外，本文所使用的術語“大致上”、“約”和類似術語作為近似術語而不是作為程度術語來使用，并且意圖解釋本領域普通技術人員公認的測量值或計算值的固有偏差。

應理解，當諸如層、膜、區或基板等的元件被稱為在另一元件“上方”或“之上”時，其可直接在另一個元件之上或也可存在中間元件。相比之下，當元件被稱為“直接在另一元件上”或“直接接觸另一元件”時，不存在中間元件。

同樣，本文列舉的任何數值范圍意圖包括納入所列舉范圍內的相同數值精度的所有子范圍。例如，“1.0至10.0”的范圍意圖包括在所列舉的最小值1.0與所列舉的最大值10.0之間(且包括端值)的，即，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值的所有子范圍，諸如，例如，2.4至7.6。本文列舉的任何最大數值限制意圖包括被納入其中的所有較低的數值限制并且在本說明書中列舉的任何最小數值限制意圖包括被納入其中的所有較高的數值限制。因此，申請人保留修改本說明書(包括權利要求)的權利，以明確列舉被納入本文明確列舉的范圍內的任何子范圍。

應理解，本文所述的實施方式應被認為僅是描述性含義而非限制的目的。在每個實施方式內的特征或方面的描述通常應被認為可用于其它實施方式中的其他類似的特征或方面。

盡管已經參考附圖描述本發明的一個或多個實施方式，但是本領域普通技術人員會理解，可在不偏離如通過權利要求及其等效形式限定的本公開的精神和范圍下對本文在形式和細節上作出各種變化。

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