具有低觸發電壓的靜電放電保護器件的制作方法

本申請主張于2015年12月21日提交的韓國專利申請號No.10-2015-0183287的優先權，該案的全部內容以引用的方式并入本文中。

技術領域

本公開的各種實施例涉及一種靜電放電(ESD)保護器件，并且，更具體地，涉及一種具有低觸發電壓的ESD保護器件。

背景技術：

總體來說，大多數半導體器件包含ESD保護電路，該ESD保護電路中的每一個耦接在信號焊盤或數據焊盤與接地焊盤之間以保護這些半導體器件的內部電路。如果半導體器件的信號焊盤或數據焊盤與帶電人體或帶電機器接觸，可能會產生靜電，靜電產生高電壓，而高電壓可以被施加到信號焊盤。在此類情況中，與信號焊盤連接的ESD保護電路可以提供旁路電流路徑以防止半導體器件的內部電路受損。在微芯片的發展中，ESD保護電路的設計技術變得越來越重要，以保護微芯片免于ESD應力并提供高度可靠的微芯片。可以將ESD保護電路稱作ESD保護器件。

柵極接地N型MOS場效晶體管GGNMOS器件已經被廣泛用作ESD保護器件。但是，如果該GGNMOS器件被用作芯片的ESD保護器件，因為GGNMOS器件占用相對大的面積，所以可能很難減小芯片大小。總體來說，GGNMOS器件的電流容限值僅僅在約5mA/μm至約10mA/μm的范圍內。因此，為了滿足諸如2安培的ESD電流的工業標準值，GGNMOS器件必須被設計為具有約200μm至約400μm的溝道寬度。此外，GGNMOS器件的漏極區域必須被設計為具有相對大的面積以獲得芯片的優良ESD特性。因此，如果GGNMOS器件被用作ESD保護器件，在設計高集成度微芯片方面會存在限制。

另外，由于被用作ESD保護器件的GGNMOS器件耦接至接地焊盤，所以該ESD保護器件可以表現出相對較高的觸發電壓。如果ESD保護器件的觸發電壓相對較高，則由靜電產生的高電壓信號可以被傳輸到芯片的內部電路。因此，芯片的內部電路可能受損并且可能導致芯片故障。

技術實現要素：

各種實施例涉及一種具有低觸發電壓的ESD保護器件。

根據一個實施例，一種ESD保護器件包括第一PN二極管、第二PN二極管以及可控硅整流器(SCR)。該第一PN二極管和該第二PN二極管串聯耦接在焊盤與接地電壓之間以提供第一放電電流路徑。該SCR耦接在該焊盤與該接地電壓之間以提供第二放電電流路徑。該SCR具有PNPN結構。

根據另一實施例，一種ESD保護器件包括：N型阱區域和P型阱區域，所述N型阱區域和P型阱區域設置在P型基板的上部部分中以彼此接觸并在相互之間提供PN結；第一P型結區域，所述第一P型結區域被設置在該N型阱區域的上部部分中并電連接至焊盤；第一N型結區域，所述第一N型結區域被設置在所述N型阱區域的上部部分中，與所述第一P型結區域間隔開；第二P型結區域，所述第二P型結區域被設置在所述P型阱區域的上部部分中以在所述N型阱區域與所述P型阱區域之間的PN結處直接接觸所述第一N型結區域；第二N型結區域，所述第二N型結區域被設置在所述P型阱區域的上部部分中，與所述第二P型結區域間隔開，并電連接至接地電壓；以及第一連接線，所述第一連接線將所述第一N型結區域電連接至所述第二P型結區域。

根據另一實施例，一種ESD保護器件包括：N型阱區域和P型阱區域，所述N型阱區域和P型阱區域被設置在P型基板的上部部分中以彼此接觸并在相互之間提供PN結；第一P型結區域，所述第一P型結區域被設置在所述N型阱區域的上部部分中并電連接至焊盤；第一N型結區域，所述第一N型結區域被設置在所述N型阱區域的上部部分中，與所述第一P型結區域間隔開，并在所述N型阱區域與所述P型阱區域之間的PN結處與所述P型阱區域直接接觸；第二N型結區域，所述第二N型結區域被設置在所述N型阱區域的上部部分中，與所述第一P型結區域和所述第一N型結區域間隔開；第三N型結區域，所述第三N型結區域被設置在所述P型阱區域的上部部分中并電連接至接地電壓；第二P型結區域，所述第二P型結區域被設置在所述P型阱區域的上部部分中，與所述第三N型結區域間隔開；以及連接線，所述連接線將所述第二N型結區域電連接至所述第二P型結區域。

根據另一實施例，一種ESD保護器件包括：N型阱區域和P型阱區域，所述N型阱區域和P型阱區域被設置在P型基板的上部部分中以彼此接觸并在相互之間提供PN結；第一P型結區域，所述第一P型結區域被設置在所述N型阱區域的上部部分中并電連接至焊盤；第一N型結區域，所述第一N型結區域被設置在所述N型阱區域的上部部分中，與所述第一P型結區域間隔開；第二N型結區域，所述第二N型結區域被設置在所述P型阱區域的上部部分中并電連接至接地電壓；第二P型結區域，所述第二P型結區域被設置在所述P型阱區域的上部部分中，與所述第二N型結區域間隔開，并在所述N型阱區域與所述P型阱區域之間的PN結處與所述N型阱區域直接接觸；第三P型結區域，所述第三P型結區域被設置在所述P型阱區域的上部部分中，與所述第二P型結區域和所述第二N型結區域間隔開；以及連接線，所述連接線將所述第一N型結區域電連接至所述第三P型結區域。

根據另一實施例，一種ESD保護器件，包括：N型阱區域和P型阱區域，所述N型阱區域和所述P型阱區域彼此接觸以在相互之間提供PN結；第一結區段和第二結區段，所述第一結區段和第二結區段被設置在所述N型阱區域中，在第一方向上彼此間隔開；以及第三結區段和第四結區段，所述第三結區段和第四結區段被設置在所述P型阱區域中，在第一方向上彼此間隔開。在所述N型阱區域和所述P型阱區域的PN結處，所述第二結區段和所述第四結區段彼此接觸。

根據另一實施例，一種ESD器件，包括：N型阱區域和P型阱區域，所述N型阱區域和P型阱區域彼此接觸以在相互之間提供PN結；第一結區段至第三結區段，所述第一結區段至第三結區段被設置在所述N型阱區域中，在第一方向上中彼此間隔開；以及第四結區段和第五結區段，所述第四結區段和第五結區段被設置在所述P型阱區域中，在第一方向上彼此間隔開。所述第一結區段被設置在第二結區段與所述第三結區段之間。在所述N型阱區域和所述P型阱區域的PN結處，所述第二結區段與所述P型阱區域接觸。

根據另一實施例，一種ESD保護器件，包括：N型阱區域和P型阱區域，所述N型阱區域和P型阱區域彼此接觸以在相互之間提供PN結；第一結區段和第二結區段，所述第一結區段和第二結區段被設置在所述N型阱區域中，在第一方向上彼此間隔開；以及第三結區段至第五結區段，所述第三結區段至第五結區段被設置在所述P型阱區域中，在第一方向上彼此間隔開。第三結區段被設置在第四結區段與第五結區段之間。在所述N型阱區域和所述P型阱區域之間的PN結處，所述第四結區段與所述N型阱區域接觸。

附圖說明

根據附圖和以下詳細描述，本公開的各種實施例將變得更加明顯，其中：

圖1是示出包含ESD保護器件的輸入/輸出(I/O)單元的方框圖。

圖2是示出根據實施例的ESD保護器件的截面圖。

圖3是圖2中所示的ESD保護器件的等效電路圖。

圖4是示出圖2中示出的ESD保護器件的操作的等效電路圖。

圖5是圖2中示出的ESD保護器件的布局圖。

圖6是沿圖5中的線II-II’截取的截面圖。

圖7是示出根據另一實施例的ESD保護器件的截面圖。

圖8是圖7中示出的ESD保護器件的等效電路圖。

圖9是在圖7中示出的ESD保護器件的布局圖。

圖10是沿圖9中的線IV-IV’截取的截面圖。

圖11是示出根據又一實施例的ESD保護器件的截面圖。

圖12是在圖11中示出的ESD保護器件的等效電路圖。

圖13是在圖11中示出的ESD保護器件的布局圖。

圖14是沿圖13中的線VI-VI’截取的截面圖。

圖15是示出根據又一實施例的ESD保護器件的截面圖。

圖16是圖15中示出的ESD保護器件的等效電路圖。

圖17是圖15中示出的ESD保護器件的布局圖。

圖18是沿圖17中的線VIII-VIII’截取的截面圖。

具體實施方式

將理解，盡管在本文中可以使用術語第一、第二、第三等來描述各種元件，但是這些元件不應受這些術語限制。這些術語僅用于將一個元件與另一個元件相區分。因此，在不偏離本公開教示的情況下，在一些實施例中的第一元件可以在其他實施例中被稱作第二元件。

還將理解，當將一元件稱作位于另一元件“下”、“下面”、“下方”、“下部”、“上”、“之上”、“上方”、“上部”、“旁邊”或“一側”，其可以直接接觸該另一元件，或者，還可以在兩者之間存在至少一個中間元件。因此，在文中使用諸如“下”、“下面”、“下方”、“下部”、“上”、“之上”、“上方”、“上部”、“旁邊”或“一側”的術語僅是出于描述特定實施例之目的，而非意在限制本公開的范圍。

還將理解，當將一元件稱作“連接”或“耦接”至另一元件時，其可以直接連接或耦接至該另一元件，或者，可以存在中間元件。相比之下，當將一元件稱作“直接連接”或“直接耦接”至另一元件時，不存在中間元件。

圖1是示出包括ESD保護器件16的輸入/輸出(I/O)單元10的方框圖。

參見圖1，芯片的I/O單元10可以包括內部電路13，內部電路13耦接在第一線11與第二線12之間，第一線11連接至電源電壓VDD，第二線12連接至接地電壓VSS。I/O單元10還可以包括緩沖器15和ESD保護器件16。

緩沖器15可以耦接在內部電路13與焊盤14之間，且ESD保護器件16可以耦接在第三線17與第二線12之間，第三線17連接至焊盤14，第二線12連接至接地電壓VSS。焊盤14可以對應于I/O焊盤。

總體而言，內部電路13和緩沖器15中的每一個可以包含多個MOS晶體管。隨著半導體芯片變得更加高度集成并且高速操作，MOS晶體管的柵極絕緣層的厚度已經減小。因此，MOS晶體管的絕緣層的擊穿電壓可以降低。即，如果高電壓信號被施加到構成緩沖器15或內部電路13的MOS晶體管的柵電極時，MOS晶體管的絕緣層可能很容易受損。因此，ESD保護器件16必須被設計為具有低的觸發電壓。以下實施例提供具有低觸發電壓的各種ESD保護器件以保護內部電路13免于ESD應力。

圖2是示出根據實施例的ESD保護器件200的截面圖。

參見圖2，ESD保護器件200可以包括在P型基板211的上部部分中設置的N型阱區域221和P型阱區域222。N型阱區域221的側壁可以接觸P型阱區域222的側壁。

第一P型結區域231和第一N型結區域232可以被設置在N型阱區域221的上部部分中，彼此間隔開。第一P型結區域231可以通過第一信號線251連接至焊盤14。第一N型結區域232的與第一P型結區域231相背的側壁可以與N型阱區域221的側壁對齊。

第二P型結區域242和第二N型結區域241可以設置在P型阱區域222的上部部分中，彼此間隔開。第二N型結區域241可以通過第二信號線252連接至接地電壓VSS。第二P型結區域242的與第二N型結區域241相背的側壁可以與P型阱區域222的側壁對齊。第一N型結區域232的側壁可以接觸第二P型結區域242的側壁。第一N型結區域232可以通過連接線253電連接至第二P型結區域242。

第一P型結區域231、N型阱區域221和第一N型結區域232、第二P型結區域242和P型阱區域222以及第二N型結區域241可以構成在第一信號線251與第二信號線252之間耦接的具有PNPN結結構的可控硅整流器(SCR)。

第一P型結區域231和N型阱區域221/第一N型結區域232可以構成第一PN二極管。第二P型結區域242/P型阱區域222和第二N型結區域241可以構成第二PN二極管。諸如第一PN二極管的第一N型結區域232的陰極可以通過信號線253連接至諸如第二PN二極管的第二P型結區域242的陽極。

圖3是在圖2中示出的ESD保護器件200的等效電路圖。

參見圖2和圖3，PNPN結構SCR可以耦接在第一信號線251與第二信號線252之間，第一信號線251連接至焊盤14，第二信號線252連接至接地電壓VSS。該PNPN結構SCR可以包括PNP雙極面結型晶體管(BJT)Q1和NPN雙極面結型晶體管(BJT)Q2。PNP BJT Q1的發射極E1可以連接至第一信號線251。PNP BJT Q1的基極B1可以通過第一節點N1連接至NPN BJT Q2的集電極C2。PNP BJT Q1的集電極C1可以通過第二節點N2連接至NPN BJT Q2的基極B2。與連接線253對應的電阻元件R1可以耦接在第一節點N1與第二節點N2之間。NPN BJT Q2的集電極C2可以通過第一節點N1連接至PNP BJT Q1的基極B1。NPN BJT Q2的基極B2可以通過第二節點N2連接至PNP BJT Q1的集電極C1。NPN BJT Q2的發射極E2可以連接至第二信號線252。

PNP BJT Q1的發射極E1、基極B1和集電極C1可以分別對應于第一P型結區域231、N型阱區域221/第一N型結區域232以及第二P型結區域242/P型阱區域222。NPN BJT Q2的集電極C2、基極B2和發射極E2可以分別對應于N型阱區域221/第一N型結區域232、第二P型結區域242/P型阱區域222，以及第二N型結區域241。

第一PN二極管D1和第二PN二極管D2可以串聯耦接在第一信號線251與第二信號線252之間。第一PN二極管D1的陽極可以連接至第一信號線251。第一PN二極管D1的陰極可以通過電阻元件R2連接至第一節點N1。第二PN二極管D2的陽極可以通過電阻元件R3連接至第一節點N1。第二PN二極管D2的陰極可以連接至第二信號線252。在第一PN二極管D1的陰極與第二PN二極管D2的陽極之間串聯耦接的電阻元件R2和R3的電阻值的總和可以對應于連接線253的電阻值。第一PN二極管D1的陽極可以對應于第一P型結區域231，而第一PN二極管D1的陰極可以對應于N型阱區域221/第一N型結區域232。第二PN二極管D2的陽極可以對應于第二P型結區域242/P型阱區域222，而第二PN二極管D2的陰極可以對應于第二N型結區域241。

圖4是示出圖2中示出的ESD保護器件200的操作的等效電路圖。在圖4中，在圖3中所用的相同的附圖標記表示相同元件。

參見圖2和圖4，如果在焊盤14處發生ESD事件，則第一ESD電流Iesd1可以從焊盤14通過第一PN二極管D1和第二PN二極管D2朝接地電壓VSS流動。即，第一ESD電流Iesd1可以流過第一P型結區域231、N型阱區域221、第一N型結區域232、連接線253、第二P型結區域242、P型阱區域222以及第二N型結區域241。如果被施加到焊盤14的電壓高于觸發電壓(所述觸發電壓與在第一信號線251與第二信號線252之間串聯耦接的第一PN二極管D1和第二PN二極管D2的開啟電壓(即閾值電壓)的總和相對應)，則可以執行產生流過第一PN二極管D1和第二PN二極管D2的第一ESD電流Iesd1的ESD操作。如果第一PN二極管D1和第二PN二極管D2的開啟電壓是0.7伏特，則ESD保護器件200的觸發電壓可以被設置為約1.4伏特的低電壓。

如果第一PN二極管D1和第二PN二極管D2導通以產生流過第一PN二極管D1和第二PN二極管D2的第一ESD電流Iesd1，則N型阱區域221和P型阱區域222的電壓電平可以被提高到高于接地電壓VSS。即，第一節點N1和第二節點N2可以具有高于接地電壓VSS的電壓電平。因此，可以將正向偏壓施加在NPN BJT Q2的發射極E2與基極B2之間，以產生注入到NPN BJT Q2的基極B2中的基極電流I_B2，并且，由于基極電流I_B2，NPN BJT Q2可以導通。如果NPN BJT Q2導通，則NPN BJT Q2的集電極電流I_C2可以流過NPN BJT Q2的集電極C2。集電極電流I_C2可以誘發流過PNP BJT Q1的基極B1的基極電流以導通PNP BJT Q1。如果PNP BJT Q1導通，則PNP BJT Q1的集電極電流I_C1可以流過PNP BJT Q1的集電極C1。PNP BJT Q1的集電極電流I_C1可以誘發NPN BJT Q2的基極電流I_B2以導通NPN BJT Q2。結果，包括PNP BJT Q1和NPNBJT Q2的PNPN結構SCR可以導通以在焊盤14與接地電壓VSS之間提供短路。因此，第二ESD電流Iesd2可以從焊盤14通過導通的PNPN結構SCR朝接地電壓VSS流動。

如上所述，如果比與第一PN二極管D1和第二PN二極管D2的開啟電壓的總和相對應的觸發電壓高的電平的電壓被施加給焊盤14，則ESD保護器件200可以執行產生第一ESD電流的ESD操作。如果第一ESD電流流過第一PN二極管D1和第二PN二極管D2，則包括第一PN二極管D1和第二PN二極管D2的PNPN結構SCR可以導通以產生第二ESD電流，該第二ESD電流流過耦接在焊盤14與接地電壓VSS之間的PNPN結構SCR。

圖5是圖2中示出的ESD保護器件200的布局圖。圖2中的截面圖與圖5中的沿線I-I’截取的截面圖相一致。

參見圖5，N型阱區域221和P型阱區域222可以被設置為使得N型阱區域221的側壁接觸P型阱區域222的側壁，以提供在N型阱區域221與P型阱區域222之間的PN結。

第一結區段310和第二結區段320可以設置在N型阱區域221中。第一結區段310和第二結區段320可以在諸如水平方向的第一方向上設置為彼此間隔開。第一結區段310和第二結區段320中的每一個可以具有在諸如與第一方向垂直的垂直方向的第二方向上延伸的條帶形狀。第二結區段320的與第一結區段310相背的側壁可以與N型阱區域221和P型阱區域222的接觸側壁(即PN結)交疊。

第三結區段330和第四結區段340可以被設置在P型阱區域222中。第三結區段330和第四結區段340可以設置為在第一方向上彼此間隔開。第三結區段330和第四結區段340中的每一個可以具有在第二方向上延伸的條帶形狀。第四結區段340的與第三結區段330相背的側壁可以與N型阱區域221和P型阱區域222的接觸側壁(即PN結)交疊。相應地，第四結區段340的側壁可以接觸第二結區段320的側壁。

第一結區段310可以包括在第二方向上交替排列的多個第一P型結區域231和多個第三N型結區域261。如在圖5中所示，如果該第一P型結區域231中的兩個分別設置在第一結區段310的兩端，則該第三N型結區域261可以設置在第一P型結區域231之間。所有的第一P型結區域231和所有的第三N型結區域261可以通過第一信號線251連接至焊盤14。

第二結區段320還可以包括在第二方向上交替排列的多個第一N型結區域232和多個第三P型結區域262。構成第二結區段320的結區域232和262的數目可以等于構成第一結區段310的結區域231和261的數目。

第二結區段320的第一N型結區域232可以設置為分別在第一方向上面向第一結區段310的第一P型結區域231。相似地，第二結區段320的第三P型結區域262可以設置為分別在第一方向上面向第一結區段310的第三N型結區域261。因此，如圖5所示，如果第一P型結區域231中的兩個分別設置在第一結區段310的兩端，則第一N型結區域232中的兩個可以分別設置在第二結區段320的兩端，并且，多個第三P型結區域262可以設置在多個第一N型結區域232之間。

所有第一N型結區域232和所有第三P型結區域262可以連接至連接線253。

第三結區段330還可以包括在第二方向上交替排列的多個第二N型結區域241和多個第四P型結區域271。構成第三結區段330的結區域241和271的數目可以等于構成第一結區段310的結區域231和261的數目或構成第二結區段320的結區域232和262的數目。

在第三結區段330中的結區域241和271的陣列配置可以與在第一結區段310中的結區域231和261的陣列配置相反。即，如圖5所示，如果第一P型結區域231中的兩個分別設置在第一結區段310的兩端，則第二N型結區域241中的兩個可以分別設置在第三結區段330的兩端，并且，第四P型結區域271可以設置在第二N型結區域241之間。所有的第二N型結區域241和所有的第四P型結區域271可以通過第二信號線252連接至接地電壓VSS。

第四結區段340還可以包括在第二方向上交替排列的多個第二P型結區域242和多個第四N型結區域272。構成第四結區段340的結區域242和272的數目可以等于構成第一結區段310、第二結區段320或第三結區段330的結區域的數目。

第四結區段340的多個第二P型結區域242可以分別在第一方向上面向第三結區段330的第二N型結區域241。相似地，第四結區段340的第四N型結區域272可以分別在第一方向上面向第三結區段330的第四P型結區域271。因此，構成第四結區段340的結區域242和272的陣列配置可以與構成第二結區段320的結區域232和262的陣列配置相反。因此，如在圖5中所示，如果第一P型結區域231中的兩個分別設置在第一結區段310的兩端，則第二P型結區域242中的兩個可以分別設置在第四結區段340的兩端，并且，多個第四N型結區域272可以設置在多個第二P型結區域242之間。

所有的第二P型結區域242和所有的第四N型結區域272可以連接至連接線253。因此，在第四結區段340中的結區域242和272可以分別接觸在第二結區段320中的結區域232和262，并且，還可以通過連接線253電連接至在第二結區段320中的結區域232和262。

如參照圖2、圖3和圖4所述，圖2圖示了沿圖5的線I-I’截取的截面圖，圖4圖示了圖2的等效電路圖，如果在焊盤14具有高于接地電壓VSS的電壓電平時發生ESD事件，則第一ESD電流Iesd1可以沿著由第一PN二極管D1、連接線253和第二PN二極管D2提供的第一放電電流路徑來流動，其中，第一PN二極管D1包括第一P型結區域231和N型阱區域221/第一N型結區域232，第二PN二極管D2包括第二P型結區域242/P型阱區域222和第二N型結區域241。

此外，如果第一ESD電流Iesd1流動，則第二ESD電流Iesd2也可以沿著由PNPN結構SCR提供的第二放電電流路徑來流動，該PNPN結構SCR包括第一P型結區域231、N型阱區域221/第一N型結區域232、第二P型結區域242/P型阱區域222和第二N型結區域241。由于該PNPN結構SCR通過流過第一PN二極管D1和第二PN二極管D2的第一ESD電流Iesd1導通，所以ESD保護器件200的觸發電壓可以被設定為第一PN二極管D1和第二PN二極管D2的開啟電壓的總和。

如果焊盤14具有低于接地電壓VSS的電壓電平，則ESD操作可以通過與上述機制不同的另一機制來執行。下文將參考圖6來描述當焊盤14具有負電壓電平時的ESD操作。

圖6是沿圖5中的線II-II’截取的截面圖。在圖6中，在圖2和圖5中所用的相同的附圖標記表示相同的元件。

參見圖6，第三N型結區域261和第三P型結區域262可以設置在N型阱區域221的上部部分中，彼此間隔開。第三N型結區域261可以通過第一信號線251連接至焊盤14。第四P型結區域271和第四N型結區域272可以設置在P型阱區域222的上部部分中，彼此間隔開。第四P型結區域271可以通過第二信號線252連接至接地電壓VSS。第四N型結區域272的側壁可以與第三P型結區域262的側壁直接接觸。即，第四N型結區域272和第三P型結區域262可以提供寄生PN二極管。第四N型結區域272和第三P型結區域262可以通過連接線253彼此電連接。

還可以在焊盤14與接地電壓VSS之間寄生地提供第三PN二極管D3。第三PN二極管D3可以包括P型阱區域222/第四P型結區域271和N型阱區域221/第三N型結區域261。第三PN二極管D3的陽極可以對應于P型阱區域222/第四P型結區域271，第三PN二極管D3的陰極可以對應于N型阱區域221/第三N型結區域261。因此，如果將低于接地電壓VSS的負電壓施加給焊盤14，則ESD電流可以從接地電壓VSS通過第三PN二極管D3朝焊盤14流動。

圖7是示出根據另一實施例的ESD保護器件400的截面圖。

參見圖7，ESD保護器件400可以包括在P型基板411的上部部分中設置的N型阱區域421和P型阱區域422。N型阱區域421的側壁可以接觸P型阱區域422的側壁以提供在N型阱區域421與P型阱區域422之間的寄生PN二極管。

第一P型結區域431、第一N型結區域432和第二P型結區域433可以設置在N型阱區域421的上部部分中，彼此間隔開。在一些實施例中，第一P型結區域431可以設置在第一N型結區域432與第二P型結區域433之間。第一P型結區域431可以通過第一信號線451連接至焊盤14。第一N型結區域432的與第一P型結區域431相背的側壁可以與N型阱區域421和P型阱區域422的接觸側壁相對齊。因此，第一N型結區域432可以與N型阱區域421和P型阱區域422的接觸側壁直接接觸。

第三N型結區域441和第二P型結區域442可以設置在P型阱區域422的上部部分中，彼此間隔開。第三N型結區域441可以通過第二信號線452連接至接地電壓VSS。第二N型結區域433可以通過連接線453電連接至第二P型結區域442。

第一P型結區域431、N型阱區域421和第一N型結區域432、第二P型結區域442和P型阱區域422，以及第三N型結區域441可以構成在第一信號線451與第二信號線452之間(即，在焊盤14與接地電壓VSS之間)耦接的具有PNPN結結構的SCR。

第一P型結區域431和N型阱區域421/第二N型結區域433可以構成第一PN二極管。第二P型結區域442/P型阱區域422和第三N型結區域441可以構成第二PN二極管。第一PN二極管的陰極(即，第二N型結區域433)可以通過連接線453連接至第二PN二極管的陽極(即，第二P型結區域442)。

圖8是圖7中所示的ESD保護器件400的等效電路圖。

參見圖7和圖8，該PNPN結構SCR可以耦接在與焊盤14連接的第一信號線451和與接地電壓VSS連接的第二信號線452之間。PNPN結構SCR可以包括NPN BJT Q3和PNP BJT Q4。NPN BJT Q3的集電極C3可以通過第一節點N1連接至PNP BJT Q4的基極B4。NPN BJT Q3的基極B3可以通過第二節點N2連接至PNP BJT Q4的集電極C4。NPN BJT Q3的發射極E3可以通過第二信號線452連接至接地電壓VSS。PNP BJTQ4的發射極E4可以通過第一信號線451連接至焊盤14。與連接線453對應的電阻元件R5可以耦接在第一節點N1與第二節點N2之間。

PNP BJT Q4的發射極E4、基極B4和集電極C4可以分別對應于第一P型結區域431、N型阱區域421/第二N型結區域433以及第二P型結區域442/P型阱區域422。NPN BJT Q3的集電極C3、基極B3和發射極E3可以分別對應于N型阱區域221/第二N型結區域433、第二P型結區域442/P型阱區域422，以及第三N型結區域441。

第一PN二極管D4和第二PN二極管D5可以串聯耦接在第一信號線451與第二信號線452之間。第一PN二極管D4的陽極可以連接至第一信號線451。第一PN二極管D4的陰極可以通過電阻元件R6連接至第一節點N1。第二PN二極管D5的陽極可以通過電阻元件R7連接至第一節點N1。第二PN二極管D5的陰極可以連接至第二信號線452。在第一PN二極管D4的陰極與第二PN二極管D5的陽極之間串聯耦接的電阻元件R6和R7的電阻值的總和可以對應于連接線453的電阻值。第一PN二極管D4的陽極可以對應于第一P型結區域431，而第一PN二極管D4的陰極可以對應于N型阱區域421/第二N型結區域433。第二PN二極管D5的陽極可以對應于第二P型結區域442/P型阱區域422，而第二PN二極管D5的陰極可以對應于第三N型結區域441。

ESD保護器件400的操作可以與參考圖4論述的ESD保護器件200的操作基本上相同。即，如果在焊盤14處發生ESD事件，則第一ESD電流可以從焊盤14通過第一PN二極管D4和第二PN二極管D5朝接地電壓VSS流動。第一ESD電流可以流過第一放電電流路徑，該第一放電電流路徑包括第一P型結區域431、N型阱區域421、第二N型結區域433、連接線453、第二P型結區域442、P型阱區域422和第三N型結區域441。如果給焊盤14施加的電壓高于觸發電壓(與所述觸發電壓與在第一信號線451與第二信號線452之間串聯耦接的第一PN二極管D4和第二PN二極管D5的開啟電壓(例如閾值電壓)的總和相對應)，則可以執行產生流過第一放電電流路徑的第一ESD電流的ESD操作。

如果第一PN二極管D4和第二PN二極管D5導通以產生流過第一放電電流路徑的第一ESD電流，則N型阱區域421和P型阱區域422的電壓電平可以提高到高于接地電壓VSS。即，第一節點N1和第二節點N2可以具有高于接地電壓VSS的電壓電平。在此情況中，包括NPN BJT Q3和PNP BJT Q4的PNPN結構SCR可以導通以提供在焊盤14與接地電壓VSS之間的短路。因此，第二ESD電流可以從焊盤14通過導通的PNPN結構SCR朝接地電壓VSS流動。

圖9是在圖7中示出的ESD保護器件400的布局圖。圖7中的截面圖與圖9中的沿線III-III’截取的截面圖相一致。

參見圖9，可以將N型阱區域421和P型阱區域422設置為使得N型阱區域421的側壁與P型阱區域422的側壁接觸以提供在N型阱區域421與P型阱區域422之間的PN結。

可以將第一結區段510、第二結區段520和第三結區段530設置在N型阱區域421中。第一結區段510、第二結區段520和第三結區段530可以設置為在諸如水平方向的第一方向上彼此間隔開。第一結區段510可以設置在第二結區段520與第三結區段530之間。第一結區段510、第二結區段520和第三結區段530中的每一個可以具有在諸如與第一方向垂直的垂直方向的第二方向上延伸的條帶形狀。第二結區段520的與第一結區段510相背的側壁可以與N型阱區域421和P型阱區域422的接觸側壁(即，PN結)交疊。因此，第二結區段520可以與P型阱區域422的側壁直接接觸。

可以將第四結區段540和第五結區段550設置在P型阱區域422中。第四結區段540和第五結區段550可以設置為在第一方向上彼此間隔開。第四結區段540可以設置在第二結區段520與第五結區段550之間。第四結區段540可以與N型阱區域421和P型阱區域422的接觸側壁(即，PN結)間隔開。第四結區段540和第五結區段550中的每一個可以具有在第二方向上延伸的條帶形狀。

第一結區段510可以包括在第二方向上交替排列的多個第一P型結區域431和多個第四N型結區域461。如在圖9中所示，如果該第一P型結區域431中的兩個分別設置在第一結區段510的兩端，則多個第四N型結區域461可以設置在多個第一P型結區域431之間。全部的第一P型結區域431和全部的第四N型結區域461可以通過第一信號線451連接至焊盤14。

第二結區段520也可以包括在第二方向上交替排列的多個第一N型結區域432和多個第三P型結區域462。構成第二結區段520的結區域432和462的數目可以等于構成第一結區段510的結區域431和461的數目。

在第二結區段520中的結區域432和462的陣列配置可以與在第一結區段510中的結區域431和461的陣列配置相反。即，第二結區段520的多個第一N型結區域432可以分別在第一方向上面對第一結區段510中的第一P型結區域431。相似地，第二結區段520的第三P型結區域462可以分別在第一方向上面對第一結區段510中的第四N型結區域461。因此，如圖9所示，如果第一P型結區域431中的兩個分別設置在第一結區段510的兩端，則第一N型結區域432中的兩個可以分別設置在第二結區段520的兩端，而多個第三P型結區域462可以設置在多個第一N型結區域432之間。

該多個第一N型結區域432和該多個第三P型結區域462可以被浮置。

第三結區段530也可以包括在第二方向上交替排列的多個第二N型結區域433和多個第四P型結區域463。構成第三結區段530的結區域433和463的數目可以等于構成第一結區段510的結區域431和461的數目或構成第二結區段520的結區域432和462的數目。

在第三結區段530中的結區域433和463中的陣列配置可以與在第二結區段520中的結區域432和462的陣列配置相同，并且可以與在第一結區段510中的結區域431和461的陣列配置相反。即，第三結區段530的第二N型結區域433可以分別在第一方向上面對第一結區段510的第一P型結區域431。相似地，第三結區段530的第四P型結區域463可以在第一方向上分別面對第一結區段510的第四N型結區域461。即，如圖9所示，如果第一P型結區域431中的兩個分別設置在第一結區段510的兩端，則第二N型結區域433中的兩個可以分別設置在第三結區段530中的兩端，并且，多個第四P型結區域463可以設置在多個第二N型結區域433之間。

該第二N型結區域433和該第四P型結區域463可以連接至連接線453。

第四結區段540也可以包括在第二方向上交替排列的多個第三N型結區域441和多個第五P型結區域471。構成第四結區段540的結區域441和471的數目可以等于構成第一結區段510、第二結區段520和第三結區段530中的每一個的結區域的數目。

構成第四結區段540的結區域441和471的陣列配置可以與構成第一結區段510的結區域431和461的陣列配置相反。因此，如圖9所示，如果第一P型結區域431中的兩個分別設置在第一結區段510的兩端，則第三N型結區域441中的兩個可以分別設置在第四結區段540的兩端，并且，多個第五P型結區域471可以設置在多個第三N型結區域441之間。

全部的第三N型結區域441和全部的第五P型結區域471可以通過第二信號線452連接至接地電壓VSS。

第五結區段550也可以包括在第二方向上交替排列的多個第二P型結區域442和多個第五N型結區域472。構成第五結區段550的結區域442和472的數目可以等于構成第一結區段510、第二結區段520、第三結區段530和第四結區段540中的每一個的結區域的數目。

構成第五結區段550的結區域442和472的陣列配置可以與構成第一結區段510的結區域431和461的陣列配置相同，并且可以與構成第四結區段540的結區域441和471的陣列配置相反。即，第五結區段550的第二P型結區域442可以分別在第一方向上面對第四結區段540中的第三N型結區域441。相似地，第五結區段550的第五N型結區域472可以分別在第一方向上面對第四結區段540的第五P型結區域471。因此，如在圖9中所示，如果第一P型結區域431中的兩個分別設置在第一結區段510的兩端，則第二P型結區域442中的兩個可以分別設置在第五結區段550的兩端，而多個第五N型結區域472可以分別設置在多個第二P型結區域442之間。

在第五結區段550中的結區域442和472可以連接至連接線453。因此，在第五結區段550中的結區域442和472可以通過連接線453電連接至在第三結區段530中的結區域433和463。

如參考圖7和圖8所述，圖7圖示了沿圖9中線III-III’截取的截面圖，圖8圖示了圖7的等效電路圖，如果當焊盤14具有高于接地電壓VSS的電壓電平時ESD事件發生，則第一ESD電流可以沿著由第一PN二極管D4、連接線453和第二PN二極管D5提供的第一放電電流路徑流動，其中，第一PN二極管D4包括第一P型結區域431和N型阱區域421/第二N型結區域433，第二PN二極管D5包括第二P型結區域442/P型阱區域422和第三N型結區域441。

此外，如果該第一ESD電流流過該第一放電電流路徑，則第二ESD電流也可以沿著由PNPN結構SCR提供的第二放電電流路徑來流動，該PNPN結構SCR包括第一P型結區域431、N型阱區域421/第二N型結區域433、P型阱區域422和第三N型結區域441。由于該PNPN結構SCR通過流過第一PN二極管D4和第二PN二極管D5的第一ESD電流來導通，所以ESD保護器件400的觸發電壓可以被設定為第一PN二極管D4和第二PN二極管D5的開啟電壓的總和。

如果焊盤14具有低于接地電壓VSS的電壓電平，則ESD操作可以通過與上述機制不同的另一機制來執行。下文將參考圖10描述當焊盤14具有負電壓電平時的ESD操作。

圖10是沿圖9中的線IV-IV’截取的截面圖。在圖10中，在圖7和圖9所用相同的附圖標記表示相同元件。

參見圖10，第四N型結區域461、第三P型結區域462和第四P型結區域463可以設置在N型阱區域421的上部部分中，彼此間隔開。第四N型結區域461可以通過第一信號線451連接至焊盤14。第三P型結區域462的與第四N型結區域461相背的側壁可以與N型阱區域421和P型阱區域422的接觸側壁直接接觸。第四P型結區域463可以連接至連接線453。第五P型結區域471和第五N型結區域472可以設置在P型阱區域422的上部部分中，彼此間隔開。第五P型結區域471可以通過第二信號線452連接至接地電壓VSS。第五N型結區域472可以通過連接線453連接至第四P型結區域463。

可以在焊盤14與接地電壓VSS之間寄生地提供第三PN二極管D6、第四PN二極管D7和第五PN二極管D8。第三PN二極管D6可以包括P型阱區域422/第五P型結區域471和N型阱區域421/第四N型結區域461。第三PN二極管D6的陽極可以對應于P型阱區域422/第五P型結區域471。第三PN二極管D6的陰極可以對應于N型阱區域421/第四N型結區域461。第四PN二極管D7可以包括第四P型結區域463和N型阱區域421。第五PN二極管D8可以包括P型阱區域422和第五N型結區域472。因此，如果低于接地電壓VSS的負電壓被施加給焊盤14，則ESD電流可以從接地電壓VSS通過第三PN二極管D6朝焊盤14流動。此外，如果負電壓被施加給焊盤14，則ESD電流也可以從接地電壓VSS，通過第五PN二極管D8、連接線453和第四PN二極管D7，朝焊盤14流動。

圖11是示出根據又一實施例的ESD保護器件600的截面圖。

參見圖11，ESD保護器件600可以包括在P型基板611的上部部分中設置的N型阱區域621和P型阱區域622。N型阱區域621的側壁可以接觸P型阱區域622的側壁以提供在N型阱區域621與P型阱區域622之間的寄生PN二極管。

第一P型結區域631和第一N型結區域632可以設置在N型阱區域621的上部部分中，彼此間隔開。第一P型結區域631可以通過第一信號線651連接至焊盤14。

第二N型結區域641、第二P型結區域642和第三P型結區域643可以設置在P型阱區域622的上部部分中，彼此間隔開。在一些實施例中，第二N型結區域641可以設置在第二P型結區域642與第三P型結區域643之間。第二N型結區域641可以通過第二信號線652連接至接地電壓VSS。第二P型結區域642的與第二N型結區域641相背的側壁可以與N型阱區域621和P型阱區域622的接觸側壁相對齊。因此，第二P型結區域642可以與N型阱區域621和P型阱區域622的接觸側壁直接接觸。第三P型結區域643可以通過連接線653電連接至第一N型結區域632。

第一P型結區域631、N型阱區域621/第一N型結區域632、第三P型結區域643/P型阱區域622，以及第二N型結區域641可以構成在第一信號線651與第二信號線652之間(即，在焊盤14與接地電壓VSS之間)耦接的具有PNPN結結構的SCR。

第一P型結區域631和N型阱區域621/第一N型結區域632可以構成第一PN二極管。第三P型結區域643/P型阱區域622和第二N型結區域641可以構成第二PN二極管。第一PN二極管的陰極(諸如，第一N型結區域632)可以通過連接線653連接至第二PN二極管的陽極(諸如，第三P型結區域643)。

圖12是在圖11中示出的ESD保護器件600的等效電路圖。

參見圖11和圖12，該PNPN結構SCR可以耦接在與焊盤14連接的第一信號線651和與接地電壓VSS連接的第二信號線652之間。該PNPN結構SCR可以包括NPN BJT Q5和PNP BJT Q6。NPN BJT Q5的集電極C5可以通過第一節點N1連接至PNP BJT Q6的基極B6。NPN BJT Q5的基極B5可以通過第二節點N2連接至PNP BJT Q6的集電極C6。NPN BJT Q5的發射極E5可以通過第二信號線652連接至接地電壓VSS。PNP BJT Q6的發射極E6可以通過第一信號線651連接至焊盤14。與連接線653對應的電阻元件R8可以耦接在第一節點N1與第二節點N2之間。

PNP BJT Q6的發射極E6、基極B6和集電極C6可以分別對應于第一P型結區域631、N型阱區域621以及第三P型結區域643/P型阱區域622。NPN BJT Q5的集電極C5、基極B5和發射極E5可以分別對應于N型阱區域621/第一N型結區域632、第三P型結區域643/P型阱區域622以及第二N型結區域641。

第一PN二極管D9和第二PN二極管D10可以串聯耦接在第一信號線651與第二信號線652之間。第一PN二極管D9的陽極可以連接至第一信號線651。第一PN二極管D9的陰極可以通過電阻元件R9連接至第一節點N1。第二PN二極管D10的陽極可以通過電阻元件R10連接至第一節點N1。第二PN二極管D10的陰極可以連接至第二信號線652。在第一PN二極管D9的陰極與第二PN二極管D10的陽極之間串聯耦接的電阻元件R9和R10的電阻值的總和可以對應于連接線653的電阻值。第一PN二極管D9的陽極可以對應于第一P型結區域631，且第一PN二極管D9的陰極可以對應于N型阱區域621/第一N型結區域632。第二PN二極管D10的陽極可以對應于第三P型結區域643/P型阱區域622，并且，第二PN二極管D10的陰極可以對應于第二N型結區域641。

ESD保護器件600的操作可以與參考圖4所論述的ESD保護器件200的操作基本上相同。即，如果在焊盤14處發生ESD事件，則第一ESD電流可以從焊盤14通過第一PN二極管D9和第二PN二極管D10朝接地電壓VSS流動。該第一ESD電流可以流過第一放電電流路徑，該第一放電電流路徑包括第一P型結區域631、N型阱區域621、第一N型結區域632、連接線653、第三P型結區域643、P型阱區域622和第二N型結區域641。如果施加給焊盤14的電壓高于觸發電壓(所述觸發電壓與在第一信號線651與第二信號線652之間串聯耦接的第一PN二極管D9和第二PN二極管D10的開啟電壓(即，閾值電壓)的總和相對應)，則可以執行產生流過第一放電電流路徑的第一ESD電流的ESD操作。

如果第一PN二極管D9和第二PN二極管D10導通以產生流過第一放電電流路徑的第一ESD電流，則N型阱區域621和P型阱區域622的電壓電平可以被提高到高于接地電壓VSS。即，第一節點N1和第二節點N2可以具有高于接地電壓VSS的電壓電平。在此情況中，包括NPN BJT Q5和PNP BJT Q6的PNPN結構SCR可以導通以提供在焊盤14與接地電壓VSS之間的短路。因此，第二ESD電流可以從焊盤14通過導通的PNPN結構SCR朝接地電壓VSS流動。

圖13是在圖11中示出的ESD保護器件600的布局圖。圖11中的截面圖與沿圖13中的線V-V’截取的截面圖相一致。

參見圖13，N型阱區域621和P型阱區域622可以設置為使得N型阱區域621的側壁接觸P型阱區域622的側壁，以提供在N型阱區域621與P型阱區域622之間的PN結。

第一結區段710和第二結區段720可以設置在N型阱區域621中。第一結區段710和第二結區段720可以在諸如水平方向的第一方向上彼此間隔開。第一結區段710可以在第一方向上設置在第二結區段720與P型阱區域622之間。第一結區段710可以設置為與P型阱區域622間隔開。第一結區段710和第二結區段720中的每一個可以具有在例如與第一方向垂直的垂直方向的第二方向上延伸的條帶形狀。

第三結區段730、第四結區段740和第五結區段750可以設置在P型阱區域622中。第三結區段730、第四結區段740和第五結區段750可以在第一方向上設置為彼此間隔開。第三結區段730可以設置在第四結區段740與第五結區段750之間。第三結區段730、第四結區段740和第五結區段750中的每一個可以具有在第二方向上延伸的條帶形狀。第四結區段740的與第三結區段730相背的側壁可以與N型阱區域621和P型阱區域622的接觸側壁(即，PN結)交疊。因此，第四結區段740可以與N型阱區域621和P型阱區域622的接觸側壁(即，PN結)直接接觸。

第一結區段710可以包括在第二方向上交替排列的多個第一P型結區域631和多個第三N型結區域661。如圖13所示，如果第一P型結區域631中的兩個分別設置在第一結區段710的兩端，則第三N型結區域661可以設置在第一P型結區域631之間。全部的第一P型結區域631和全部的第三N型結區域661可以通過第一信號線651連接至焊盤14。

第二結區段720也可以包括在第二方向上交替排列的多個第一N型結區域632和多個第四P型結區域662。構成第二結區段720的結區域632和662的數目可以等于構成第一結區段710的結區域631和661的數目。

在第二結區段720中的結區域632和662的陣列配置可以與在第一結區段710中的結區域631和661的陣列配置相反。即，第二結區段720的第一N型結區域632可以被設置為分別在第一方向上面對第一結區段710的第一P型結區域631。相似地，第二結區段720的第四P型結區域662可以被設置為在第一方向上分別面對第一結區段710的第三N型結區域661。因此，如在圖13中所示，如果第一P型結區域631中的兩個分別設置在第一結區段710的兩端，則該第一N型結區域632中的兩個可以分別設置在第二結區段720的兩端，并且，第四P型結區域662可以設置在該第一N型結區域632之間。

該多個第一N型結區域632和該多個第四P型結區域662可以電連接至連接線653。

第三結區段730還可以包括在第二方向上交替排列的多個第二N型結區域641和多個第五P型結區域671。構成第三結區段730的結區域641和671的數目可以等于構成第一結區段710的結區域631和661的數目或構成第二結區段720的結區域632和662的數目。

在第三結區段730中的結區域641和671的陣列配置可以與在第二結區段720中的結區域632和662的陣列配置相同，并且可以與在第一結區段710中的結區域631和661的陣列配置相反。因此，如圖13所示，如果第一P型結區域631中的兩個分別設置在第一結區段710的兩端，則第二N型結區域641中的兩個可以分別設置在第三結區段730的兩端，并且，多個第五P型結區域671可以設置在多個第二N型結區域641之間。

第二N型結區域641和第五P型結區域671可以通過第二信號線652連接至接地電壓VSS。

第四結區段740還可以包括在第二方向上交替排列的多個第二P型結區域642和多個第四N型結區域672。構成第四結區段740的結區域642和672的數目可以等于構成第一結區段710、第二結區段720和第三結區段730中的每一個的結區域的數目。

構成第四結區段740的結區域642和672的陣列配置可以與在第一結區段710中的結區域631和661的陣列配置相同，并且，可以與在第三結區段730中的結區域641和671的陣列配置相反。即，第四結區段740的第二P型結區域642可以分別在第一方向上面對第三結區段730的第二N型結區域641。相似地，第四結區段740的第四N型結區域672可以分別在第一方向上面對第三結區段730的第五P型結區域。因此，如圖13所示，如果第一P型結區域631中的兩個分別設置在第一結區段710的兩端，則第二P型結區域642中的兩個可以分別設置在第四結區段740的兩端，并且多個第四N型結區域672可以設置在多個第二P型結區域642之間。

全部的第二P型結區域642和全部的第四N型結區域672可以被浮置。

第五結區段750也可以包括在第二方向上交替排列的多個第三P型結區域643和多個第五N型結區域673。構成第五結區段750的結區域643和673的數目可以等于構成第一結區段710、第二結區段720、第三結區段730和第四結區段740中的每一個的結區域的數目。

構成第五結區段750的結區域643和673的陣列配置可以與構成第一結區段710的結區域631和661的陣列配置相同，并且可以與構成第三結區段730的結區域641和671的陣列配置相反。即，第五結區段750的第三P型結區域643可以分別在第一方向上面對第三結區段730的第二N型結區域641。相似地，第五結區段750的第五N型結區域673可以在第一方向上分別面對第三結區段730的第五P型結區域671。因此，如圖13所示，如果第一P型結區域631中的兩個分別設置在第一結區段710的兩端，則第三P型結區域643中的兩個可以分別設置在第五結區段750的兩端，并且多個第五N型結區域673可以設置在多個第三P型結區域643之間。

在第五結區段750中的結區域643和673可以連接至連接線653。因此，在第五結區段750中的結區域643和673可以通過連接線653電連接至在第二結區段720中的結區域632和662。

如參考圖11和圖12所描述，圖11圖示了沿圖13中的線V-V’截取的截面圖，圖12圖示了圖11的等效電路圖，如果當焊盤14具有高于接地電壓VSS的電壓電平時發生ESD事件，則第一ESD電流可以沿由第一PN二極管D9、連接線653和第二PN二極管D10提供的第一放電電流路徑流動，第一PN二極管D9包括第一P型結區域631和N型阱區域621/第一N型結區域632，第二PN二極管D10包括第三P型結區域643/P型阱區域622和第二N型結區域641。

此外，如果第一ESD電流流過第一放電電流路徑，則第二ESD電流也可以沿由PNPN結構SCR提供的第二放電電流路徑流動，該PNPN結構SCR包括第一P型結區域631、N型阱區域621、P型阱區域622/第三P型結區域643和第二N型結區域641。由于該PNPN結構SCR通過流過第一PN二極管D9和第二PN二極管D10的第一ESD電流來導通，所以ESD保護器件600的觸發電壓可以被設定為第一PN二極管D9和第二PN二極管D10的開啟電壓的總和。

如果焊盤14具有低于接地電壓VSS的電壓電平，則ESD操作可以通過與上述機制不同的另一機制來執行。下文將參考圖14來描述當焊盤14具有負電壓電平時的ESD操作。

圖14是沿圖13中的線VI-VI’截取的截面圖。在圖14中，在圖11和圖13中所用相同的附圖標記表示相同元件。

參見圖14，第三N型結區域661和第四P型結區域662可以設置在N型阱區域621的上部部分中，彼此間隔開。第三N型結區域661可以通過第一信號線651連接至焊盤14。第四P型結區域662可以連接至連接線653。第五P型結區域671、第四N型結區域672和第五N型結區域673可以設置在P型阱區域622的上部部分中，彼此間隔開。第五P型結區域671可以設置在第四N型結區域672與第五N型結區域673之間。第五P型結區域671可以通過第二信號線652連接至接地電壓VSS。第四N型結區域672的與第五P型結區域671相背的側壁可以與N型阱區域621和P型阱區域622的接觸側壁直接接觸。第五N型結區域673可以通過連接線653連接至第四P型結區域662。

可以在焊盤14與接地電壓VSS之間寄生地提供第三PN二極管D11、第四PN二極管D12和第五PN二極管D13。第三PN二極管D11可以包括P型阱區域622/第五P型結區域671和N型阱區域621/第三N型結區域661。第三PN二極管D11的陽極可以對應于P型阱區域622/第五P型結區域671。第三PN二極管D11的陰極可以對應于N型阱區域621/第三N型結區域661。第四PN二極管D12可以包括第四P型結區域662和N型阱區域621/第三N型結區域661。第五PN二極管D13可以包括P型阱區域622/第五P型結區域671和第五N型結區域673。因此，如果低于接地電壓VSS的負電壓被施加給焊盤14，則ESD電流可以從接地電壓VSS通過第三PN二極管D11朝焊盤14流動。此外，如果該負電壓被施加給焊盤14，則ESD電流還可以從接地電壓VSS通過第五PN二極管D13、連接線653和第四PN二極管D12朝焊盤14流動。

圖15是示出根據又一實施例的ESD保護器件800的截面圖。

參見圖15，ESD保護器件800可以包括在P型基板811的上部部分中設置的N型阱區域821和P型阱區域822。N型阱區域821的側壁可以接觸P型阱區域822的側壁以提供在N型阱區域821與P型阱區域822之間的寄生PN二極管。

第一P型結區域831、第一N型結區域832和第二N型結區域833可以設置在N型阱區域821的上部部分中，彼此間隔開。在一些實施例中，第一P型結區域831可以設置在第一N型結區域832與第二N型結區域833之間。第一P型結區域831可以通過第一信號線851連接至焊盤14。第一N型結區域832的與第一P型結區域831相背的側壁可以與N型阱區域821和P型阱區域822的接觸側壁相對齊。

第三N型結區域841、第二P型結區域842和第三P型結區域843可以設置在P型阱區域822的上部部分中，彼此間隔開。在一些實施例中，第三N型結區域841可以設置在第二P型結區域842與第三P型結區域843之間。第三N型結區域841可以通過第二信號線852連接至接地電壓VSS。第二P型結區域842的與第三N型結區域841相背的側壁可以與N型阱區域821和P型阱區域822的接觸側壁相對齊。因此，在N型阱區域821和P型阱區域822的接觸側壁處，第二P型結區域842可以與第一N型結區域832直接接觸。第二P型結區域842可以通過第一連接線853電連接至第一N型結區域832，并且，第三P型結區域843可以通過第二連接線854電連接至第二N型結區域833。

第一P型結區域831、N型阱區域821/第一N型結區域832、第二P型結區域842/P型阱區域822以及第三N型結區域841可以構成在第一信號線851與第二信號線852之間(即，在焊盤14與接地電壓VSS之間)耦接的具有PNPN結結構的SCR。

第一P型結區域831和N型阱區域821/第一N型結區域832可以構成第一PN二極管。第二P型結區域842/P型阱區域822和第三N型結區域841可以構成第二PN二極管。第一PN二極管的陰極(即，第一N型結區域832)可以通過第一連接線853連接至第二PN二極管的陽極(即，第二P型結區域842)。

第一P型結區域831和N型阱區域821/第二N型結區域833可以構成第三PN二極管。第三P型結區域843/P型阱區域822和第三N型結區域841可以構成第四PN二極管。第三PN二極管的陰極(即，第二N型結區域833)可以通過第二連接線854連接至第四PN二極管的陽極(即，第三P型結區域843)。

圖16是在圖15中示出的ESD保護器件800的等效電路圖。

參見圖15和圖16，PNPN結構SCR可以耦接在與焊盤14連接的第一信號線851和與接地電壓VSS連接的第二信號線852之間。該PNPN結構SCR可以包括NPN BJTQ7和PNP BJT Q8。NPN BJT Q7的集電極C7可以通過第一節點N1連接至PNP BJT Q8的基極B8。NPN BJT Q7的基極B7可以通過第二節點N2連接至PNP BJT Q8的集電極C8。NPN BJT Q7的發射極E7可以通過第二信號線852連接至接地電壓VSS。PNP BJTQ8的發射極E8可以通過第一信號線851連接至焊盤14。與第一連接線853對應的電阻元件R11可以耦接在第一節點N1與第二節點N2之間。

PNP BJT Q8的發射極E8、基極B8和集電極C8可以分別對應于第一P型結區域831、N型阱區域821/第一N型結區域832以及第二P型結區域842/P型阱區域822。NPN BJT Q7的集電極C7、基極B7和發射極E7可以分別對應于N型阱區域821/第一N型結區域832、第二P型結區域842/P型阱區域822，以及第三N型結區域841。

第一PN二極管D14和第二PN二極管D15可以串聯耦接在第一信號線851與第二信號線852之間。第一PN二極管D14的陽極可以連接至第一信號線851。第一PN二極管D14的陰極可以通過電阻元件R12連接至第一節點N1。第二PN二極管D15的陽極可以通過電阻元件R13連接至第一節點N1。第二PN二極管D15的陰極可以連接至第二信號線852。在第一PN二極管D14的陰極與第二PN二極管D15的陽極之間串聯耦接的電阻元件R12和R13的電阻值的總和可以對應于第一連接線853的電阻值。第一PN二極管D14的陽極可以對應于第一P型結區域831，而第一PN二極管D14的陰極可以對應于N型阱區域821/第一N型結區域832。第二PN二極管D15的陽極可以對應于第二P型結區域842/P型阱區域822，而第二PN二極管D15的陰極可以對應于第三N型結區域841。

第三PN二極管D16和第四PN二極管D17可以串聯耦接在第一信號線851與第二信號線852之間。第三PN二極管D16的陽極可以連接至第一信號線851。第三PN二極管D16的陰極可以通過電阻元件R14連接至第一節點N1。第四PN二極管D17的陽極可以通過電阻元件R15連接至第一節點N1。第四PN二極管D17的陰極可以連接至第二信號線852。在第三PN二極管D16的陰極與第四PN二極管D17的陽極之間串聯耦接的電阻元件R14和R15的電阻值的總和可以對應于第二連接線854的電阻值。第三PN二極管D16的陽極可以對應于第一P型結區域831，而第三PN二極管D16的陰極可以對應于N型阱區域821/第二N型結區域833。第四PN二極管D17的陽極可以對應于第三P型結區域843/P型阱區域822，而第四PN二極管D17的陰極可以對應于第三N型結區域841。

ESD保護器件800的操作可以與參考圖4論述的ESD保護器件200的操作基本上相同。即，如果在焊盤14處發生ESD事件，則第一ESD電流的一部分可以從焊盤14通過由第一PN二極管D14和第二PN二極管D15提供的第一放電電流路徑朝接地電壓VSS流動。此外，第一ESD電流的另一部分可以從焊盤14通過由第三PN二極管D16和第四PN二極管D17提供的第二ESD電流路徑朝接地電壓VSS流動。

流過第一放電電流路徑的第一ESD電流的一部分和流過第二ESD電流路徑的ESD電流的另一部分可以同時或分別產生。流過第一信號線851的第一ESD電流的一部分可以通過第一放電電流路徑朝接地電壓VSS流動，該第一放電電流路徑由第一PN二極管D14、第一連接線853和第二PN二極管D15提供，第一PN二極管D14包括第一P型結區域831和N型阱區域821/第一N型結區域832，第二PN二極管D15包括第二P型結區域842/P型阱區域822和第三N型結區域841。另外，流過第一信號線851的第一ESD電流的另一部分可以通過第二ESD電流路徑朝接地電壓VSS流動，第二ESD電流路徑由第三PN二極管D16、第二連接線854和第四PN二極管D17提供，第三PN二極管D16包括第一P型結區域831和N型阱區域821/第二N型結區域833，第四PN二極管D17包括第三P型結區域843/P型阱區域822和第三N型結區域841。

如果施加給焊盤14的電壓高于觸發電壓(所述觸發電壓與在第一信號線851和第二信號線852之間串聯耦接的第一PN二極管D14和第二PN二極管D15的開啟電壓(即，閾值電壓)的總和相對應)，則可以執行產生流過第一放電電流路徑的第一ESD電流的一部分的ESD操作。

此外，如果施加給焊盤14的電壓高于觸發電壓(所述觸發電壓與在第一信號線851與第二信號線852之間串聯耦接的第三PN二極管D16和第四PN二極管D17的開啟電壓(即，閾值電壓)的總和相對應)，則可以執行產生流過第二放電電流路徑的第一ESD電流的另一部分的ESD操作。

如果第一PN二極管至第四PN二極管D14、D15、D16和D17具有相同的開啟電壓并且第一連接線853和第二連接線854具有相同的電阻值，則產生流過第一放電電流路徑的第一ESD電流的一部分的ESD操作和產生流過第二放電電流路徑的第一ESD電流的另一部分的ESD操作可以同時發生。

如果第一PN二極管D14和第二PN二極管D15或第三PN二極管D16和第四PN二極管D17導通以產生流過第一放電電流路徑或第二放電電流路徑的第一ESD電流，則N型阱區域821和P型阱區域822的電壓電平可以提高到高于接地電壓VSS。即，第一節點N1和第二節點N2可以具有高于接地電壓VSS的電壓電平。在此情況中，包括NPN BJT Q7和PNP BJT Q8的PNPN結構SCR可以導通以提供在焊盤14與接地電壓VSS之間的短路。因此，第二ESD電流可以從焊盤14通過導通的PNPN結構SCR朝接地電壓VSS流動。

圖17是圖15中所示的ESD保護器件800的布局圖。圖15中的截面圖與沿圖17中的線VII-VII’截取的截面圖相一致。

參見圖17，N型阱區域821和P型阱區域822可以被設置為使得N型阱區域821的側壁與P型阱區域822的側壁接觸以提供在N型阱區域821與P型阱區域822之間的PN結。第一結區段910、第二結區段920和第三結區段930可以設置在N型阱區域821中。第一結區段910、第二結區段920和第三結區段930可以在諸如水平方向的第一方向上彼此間隔開。第一結區段910可以設置在第二結區段920與第三結區段930之間。第一結區段910、第二結區段920和第三結區段930中的每一個可以具有在諸如與第一方向垂直的垂直方向的第二方向上延伸的條帶形狀。第二結區段920的與第一結區段910相背的側壁可以與N型阱區域821和P型阱區域822的接觸側壁交疊。

第四結區段940、第五結區段950和第六結區段960可以設置在P型阱區域822中。第四結區段940、第五結區段950和第六結區段960可以在第一方向上彼此間隔開。第四結區段940可以設置在第五結區段950與第六結區段960之間。第四結區段940、第五結區段950和第六結區段960中的每一個可以具有在第二方向上延伸的條帶形狀。第五結區段950的與第四結區段940相背的側壁可以與N型阱區域821和P型阱區域822的接觸側壁(即，PN結)交疊。因此，在N型阱區域821和P型阱區域822的接觸側壁(即，PN結)處，第五結區段950可以與第二結區段920直接接觸。

第一結區段910可以包括在第二方向上交替排列的多個第一P型結區域831和多個第四N型結區域861。如在圖17中所示，如果第一P型結區域831中的兩個分別設置在第一結區段910的兩端，則多個第四N型結區域861可以設置在多個第一P型結區域831之間。全部的第一P型結區域831和全部的第四N型結區域861可以通過第一信號線851連接至焊盤14。

第二結區段920也可以包括在第二方向上交替排列的多個第一N型結區域832和多個第四P型結區域862。構成第二結區段920的結區域832和862的數目可以等于構成第一結區段910的結區域831和861的數目。

在第二結區段920中的結區域832和862中的陣列配置可以與在第一結區段910中的結區域831和861的陣列配置相反。即，第二結區段920的第一N型結區域832可以在第一方向上分別面對第一結區段910的第一P型結區域831。相似地，第二結區段920的第四P型結區域862可以在第一方向上分別面對第一結區段910的第四N型結區域861。因此，如圖17所示，如果第一P型結區域831中的兩個分別設置在第一結區段910的兩端，則第一N型結區域832中的兩個可以分別設置在第二結區段920的兩端，并且多個第四P型結區域862可以設置在多個第一N型結區域832之間。

該多個第一N型結區域832和該多個第四P型結區域862可以電連接至第一連接線853。

第三結區段930也可以包括在第二方向上交替排列的多個第二N型結區域833和多個第五P型結區域863。構成第三結區段930的結區域833和863的數目可以等于構成第一結區段910的結區域831和861的數目或構成第二結區段920的結區域832和862的數目。

在第三結區段930中的結區域833和863的陣列配置可以與在第二結區段920中的結區域832和862的陣列配置相同，并且可以與在第一結區段910中的結區域831和861的陣列配置相反。即，第三結區段930的第二N型結區域833可以在第一方向上分別面對第一結區段910的第一P型結區域831。相似地，第三結區段930的第五P型結區域863可以在第一方向上分別面對第一結區段910的第四N型結區域861。因此，如圖17所示，如果第一P型結區域831中的兩個分別設置在第一結區段910的兩端，則第二N型結區域833中的兩個可以分別設置在第三結區段930的兩端，并且多個第五P型結區域863可以設置在多個第二N型結區域833之間。

多個第二N型結區域833和多個第五P型結區域863可以連接至第二連接線854。

第四結區段940也可以包括在第二方向上交替排列的多個第三N型結區域841和多個第六P型結區域871。構成第四結區段940的結區域841和871的數目可以等于構成第一結區段910、第二結區段920和第三結區段930中的每一個的結區域的數目。

構成第四結區段940的結區域841和871的陣列配置可以與在第一結區段910中的結區域831和861的陣列配置相反。因此，如圖17所示，如果第一P型結區域831中的兩個分別設置在第一結區段910的兩端，則第三N型結區域841中的兩個可以分別設置在第四結區段940的兩端，并且，多個第六P型結區域871可以設置在多個第三N型結區域841之間。

全部的第三N型結區域841和全部的第六P型結區域871可以通過第二信號線852電連接至接地電壓VSS。

第五結區段950也可以包括在第二方向上交替排列的多個第二P型結區域842和多個第五N型結區域872。構成第五結區段950的結區域842和872的數目可以等于構成第一結區段910、第二結區段920、第三結區段930和第四結區段940中的每一個的結區域的數目。

構成第五結區段950的結區域842和872的陣列配置可以與構成第一結區段910的結區域831和861的陣列配置相同，并且可以與構成第二結區段920的結區域832和862的陣列配置相反以及與構成第四結區段940的結區域841和871的陣列配置相反。即，第五結區段950的第二P型結區域842可以設置為在第一方向上分別面對第四結區段940的第三N型結區域841。相似地，第五結區段950的第五N型結區域872可以在第一方向上分別面對第四結區段940的第六P型結區域871。另外，第五結區段950的第二P型結區域842可以設置為在第一方向上分別接觸第二結區段920的第一N型結區域832。相似地，第五結區段950的第五N型結區域872可以在第一方向上分別接觸第二結區段920的第四P型結區域862。因此，如圖17所示，如果第一P型結區域831中的兩個分別設置在第一結區段910的兩端，則第二P型結區域842中的兩個可以分別設置在第五結區段950的兩端，且多個第五N型結區域872可以設置在多個第二P型結區域842之間。

在第五結區段950中的結區域842和872可以連接至第一連接線853。

第六結區段960還可以包括在第二方向上交替排列的多個第三P型結區域843和多個第六N型結區域873。構成第六結區段960的結區域843和873的數目可以等于構成第一結區段至第五結區段910、920、930、940和950中的每一個的結區域的數目。

構成第六結區段960的結區域843和873的陣列配置可以與構成第一結區段910的結區域831和861的陣列配置相同，并且，可以與構成第四結區段940的結區域841和871的陣列配置相反。即，第六結區段960的第三P型結區域843可以設置為在第一方向上分別面對第四結區段940的第三N型結區域841。相似地，第六結區段960的第六N型結區域873可以在第一方向上分別面對第四結區段940的第六P型結區域871。因此，如圖17所示，如果第一P型結區域831中的兩個分別設置在第一結區段910的兩端，則第三P型結區域843中的兩個可以分別設置在第六結區段960的兩端，并且，多個第六N型結區域873可以設置在多個第三P型結區域843之間。

在第六結區段960中的結區域843和873可以通過第二連接線854連接至在第三結區段930中的結區域833和863。

如參考圖15和圖16所述，圖15圖示了沿圖17中的線VII-VII’截取的截面圖，圖16圖示了圖15中的等效電路圖，如果當焊盤14具有高于接地電壓VSS的電壓電平時發生ESD事件，則第一ESD電流的一部分可以沿著第一放電電流路徑流動，該第一放電電流路徑由第一PN二極管D14、第一連接線853和第二PN二極管D15提供，第一PN二極管D14包括第一P型結區域831和N型阱區域821/第一N型結區域832，第二PN二極管D15包括第二P型結區域842/P型阱區域822和第三N型結區域841。

另外，如果焊盤14具有高于接地電壓VSS的電壓電平，則第一ESD電流的另一部分可以沿第二放電電流路徑流動，該第二放電電流路徑由第三PN二極管D16、第二連接線854和第四PN二極管D17提供，第三PN二極管D16包括第一P型結區域831和N型阱區域821/第二N型結區域833，第四PN二極管D17包括第三P型結區域843/P型阱區域822和第三N型結區域841。

此外，如果第一ESD電流流過第一放電電流路徑和第二放電電流路徑中的至少一者，則第二ESD電流也可以沿著由PNPN結構SCR提供的第三放電電流路徑流動，該PNPN結構SCR包括第一P型結區域831、N型阱區域821/第一N型結區域832、P型阱區域822/第二P型結區域842以及第三N型結區域841。由于該PNPN結構SCR通過流過第一PN二極管D14和第二PN二極管D15或第三PN二極管D16和第四PN二極管D17的第一ESD電流導通，所以ESD保護器件800的觸發電壓可以被設定為第一PN二極管D14和第二PN二極管D15或第三PN二極管D16和第四PN二極管D17的開啟電壓的總和。

如果焊盤14具有低于接地電壓VSS的電壓電平，該ESD操作可以通過與上述機制不同的另一機制來執行。下文將參考圖18來描述當焊盤14具有負電壓電平時執行的ESD操作。

圖18是沿圖17中的線VIII-VIII’截取的截面圖。在圖18中，在圖15和圖17中所用的相同的附圖標記表示相同的元件

參見圖18，第四N型結區域861、第四P型結區域862和第五P型結區域863可以設置在N型阱區域821的上部部分中，彼此間隔開。第四N型結區域861可以設置在第四P型結區域862與第五P型結區域863之間。第四N型結區域861可以通過第一信號線851連接至焊盤14。第四P型結區域862的與第四N型結區域861相背的側壁可以與N型阱區域821和P型阱區域822的接觸側壁相對齊。第四P型結區域862可以連接至第一連接線853。第五P型結區域863可以連接至第二連接線854。第六P型結區域871、第五N型結區域872和第六N型結區域873可以設置在P型阱區域822的上部部分中，彼此間隔開。第六P型結區域871可以設置在第五N型結區域872與第六N型結區域873之間。第六P型結區域871可以通過第二信號線852連接至接地電壓VSS。第五N型結區域872的與第六P型結區域871相背的側壁可以與N型阱區域821和P型阱區域822的接觸側壁對齊。因此，在N型阱區域821和P型阱區域822的接觸側壁處，第五N型結區域872可以與第四P型結區域862直接接觸。此外，第五N型結區域872可以通過第一連接線853電連接至第四P型結區域862。第六N型結區域873可以通過第二連接線854電連接至第五P型結區域863。

可以在焊盤14與接地電壓VSS之間寄生地提供第五PN二極管D18、第六PN二極管D19、第七PN二極管D21、第八PN二極管D20以及第九PN二極管D22。第五PN二極管D18可以包括P型阱區域822/第六P型結區域871和N型阱區域821/第四N型結區域861。第六PN二極管D19可以包括第四P型結區域862和N型阱區域821/第四N型結區域861。第七PN二極管D21可以包括第六P型結區域871/P型阱區域822和第五N型結區域872。第八PN二極管D20可以包括第五P型結區域863和N型阱區域821/第四N型結區域861。第九PN二極管D22可以包括第六P型結區域871/P型阱區域822和第六N型結區域873。如果低于接地電壓VSS的負電壓被施加給焊盤14，則ESD電流可以從接地電壓VSS通過第五PN二極管D18朝焊盤14流動。此外，如果該負電壓被施加給該焊盤14，則ESD電流還可以從接地電壓VSS通過第九PN二極管D22、第二連接線854和第八PN二極管D20朝焊盤14流動。

上文已經出于說明性目的描述了本公開的實施例。本領域技術人員將了解，可以在不偏離由所附權利要求所公開的本公開的范圍和精神的前提下，各種修改、添加和替換是可能的。