半導體器件及其制造方法與流程

本發明涉及半導體器件和制造半導體器件的方法。

背景技術：

涉及半導體器件的電子設備是我們日常生活中不可缺少的。隨著電子技術的進步，電子設備變得更復雜并且包括用于執行期望的多功能的更多的集成電路。因此，電子設備的制造包括越來越多的裝配和加工的步驟以及用于生產電子設備中的半導體器件的材料。因此，不斷要求簡化生產步驟、提高生產效率以及降低每一電子設備的相關的制造成本。

在制造半導體器件的操作過程中，半導體器件裝配有大量的集成組件，集成組件包括具有不同熱性能的多種材料。于是，在半導體器件固化之后，集成組件具有不期望的配置。不期望的配置將會導致半導體器件的產量損失、組件之間的較差的接合能力、裂縫的發展、組件的分層等。此外，半導體器件的組件包括多種金屬材料，該金屬材料數量有限并且因此成本較高。組件的不期望的配置和半導體器件的產量損失將進一步加劇材料的浪費，并且因此制造成本增加。

由于涉及具有不同材料的更多不同的組件和半導體器件的制造操作的復雜度增加，所以在改進半導體器件的結構和提高制造操作方面具有更多的挑戰。從而，不斷需要改進制造半導體器件的方法并且解決上述缺陷。

技術實現要素：

本發明的實施例提供了一種半導體器件，包括：半導體管芯，所述半導體管芯包括設置在所述半導體管芯的周邊中的防護環；導電焊盤，所述導電焊盤位于所述防護環上方；鈍化件，所述鈍化件部分地覆蓋所述導電焊盤，并且所述鈍化件包括凹槽以暴露所述導電焊盤的一部分；鈍化后互連件(PPI)，所述鈍化后互連件位于所述鈍化件上方；以及導體，所述導體從所述凹槽向上延伸并且連接至所述鈍化后互連件的一部分。

本發明的實施例還提供了一種半導體器件，包括：半導體管芯，所述半導體管芯包括設置在所述半導體管芯的周邊中的防護環；導電焊盤，所述導電焊盤位于所述防護環上方；鈍化件，所述鈍化件部分地覆蓋所述導電焊盤，并且所述鈍化件包括凹槽以暴露所述導電焊盤的一部分；鈍化后互連件(PPI)，所述鈍化后互連件位于所述鈍化件上方；導體，所述導體從所述凹槽向上延伸并且連接至所述鈍化后互連件的一部分；以及電磁干擾(EMI)屏蔽罩，所述電磁干擾屏蔽罩圍繞所述半導體管芯并且通過所述鈍化后互連件與所述導體電耦合。

本發明的實施例還提供了一種半導體器件，包括：電磁干擾(EMI)屏蔽罩；以及模制半導體結構，所述模制半導體結構位于所述電磁干擾屏蔽罩中，其中，所述模制半導體結構包括：密封環，所述密封環鄰近所述模制半導體結構的邊緣并且電耦合至所述電磁干擾屏蔽罩；半導體管芯，所述半導體管芯通過導體電耦合至所述密封環，其中，所述半導體管芯包括防護環，所述防護環通過導電焊盤電耦合至所述導體。

附圖說明

當結合附圖進行閱讀時，根據下面詳細的描述可以最佳地理解本發明的實施例。應該注意，根據工業中的標準實踐，各種部件沒有被按比例繪制。實際上，為了清楚的討論，各種部件的尺寸可以被任意增加或減少。

圖1是根據一些實施例的抗EMI半導體器件。

圖1A是根據一些實施例的圖1中的半導體器件的一部分的放大的示圖。

圖2是根據一些實施例的抗EMI半導體器件。

圖3A至圖3P表示根據一些實施例的制造抗EMI半導體器件的方法的流程圖。

具體實施方式

以下公開內容提供了許多不同實施例或實例，用于實現所提供主題的不同特征。以下將描述組件和布置的具體實例以簡化本發明。當然，這些僅是實例并且不意欲限制本發明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接觸的實施例，也可以包括形成在第一部件和第二部件之間的附加部件使得第一部件和第二部件不直接接觸的實施例。另外，本發明可以在各個實例中重復參考標號和/或字符。這種重復是為了簡化和清楚的目的，并且其本身并不表示所討論的實施例和/或配置之間的關系。

此外，為了便于描述，本文中可以使用諸如“在…下方”、“在…下面”、“下部”、“在…上面”、“上部”等的空間關系術語，以描述如圖中所示的一個元件或部件與另一元件或部件的關系。除了圖中所示的方位外，空間關系術語旨在包括器件在使用或操作過程中的不同方位。裝置可以以其他方式定位(旋轉90度或在其他方位)，并且在本文中使用的空間關系描述符可以同樣地作相應地解釋。

在本發明中，提供了半導體器件以具有用于保護半導體組件免受外部EMI(電磁干擾)影響的屏蔽罩。通過利用多輸入或多輸出技術操作從晶圓級封裝件制造半導體組件。屏蔽罩通過導電通孔、或鈍化后互連件(PPI)電耦合至防護環(guard ring)。此外，屏蔽罩還耦合至半導體器件的接地端子。在一些實施例中，屏蔽罩通過防護環接地。

在圖1中，示出了抗EMI半導體器件100。在一些實施例中，半導體器件100包括半導體管芯101。半導體管芯101包括半導體襯底102和位于半導體襯底102上方的互連件103。在一些實施例中，半導體襯底102包括諸如硅的半導體材料，并且制造該半導體襯底以在半導體管芯101內具有預定功能電路。通過諸如光刻、蝕刻、沉積、電鍍等的各種操作制造半導體管芯101。在一些實施例中，通過機械或激光刀片從硅晶圓分割半導體管芯101。在一些實施例中，半導體管芯101是四邊形、矩形或正方形形狀。

在一些實施例中，半導體管芯101包括導電防護環103a，該防護環鄰近半導體管芯101的邊緣。防護環103a可以環繞半導體管芯101的邊緣。在一些實施例中，為了在裝配期間和操作中保護電路元件免受機械損傷，防護環103a配置為圍繞半導體管芯101的周邊的保持壁(retaining wall)。周邊定義為與半導體管芯101的類似側壁101a的邊緣鄰近的區域。在一些實施例中，防護環103a保護管芯邊緣101a免受水分和移動離子擴散進入管芯101。在一些實施例中，防護環103a可以進一步連接至器件100的接地端子。

防護環103a是互連件103的一部分，并且相比于互連件103中的其它導電跡線或通孔，該防護環通常設置為鄰近模塑料(molding)107。在一些實施例中，防護環103a不與互連件103中的任何輸入或輸出(I/O)電路連接。在一些實施例中，防護環103a是以每一層級的邊緣都對準的方式堆疊的多層級導電結構。

防護環103a延伸至互連件103的頂層級電介質1031并且從頂層級電介質1031暴露。在一些實施例中，頂層級電介質1031包括諸如氧化硅的氧化物或一些低k(介電常數)值電介質。在本發明中，低k值電介質代表具有3.3以下或更大的k值的電介質。在一些實施例中，該k值不大于2.8。

頂層級電介質1031的一部分在半導體管芯101的鈍化件104下方。鈍化件104也是介電材料并且通常至少包括含氮層以保護襯底102和互連件103免受水分或化學制品進入半導體管芯101。在一些實施例中，鈍化件104設置在頂層級電介質1031的頂面103b上方。鈍化件104也可以與頂面103b接觸。

半導體管芯101也包括在頂面103b上面(或在頂層級電介質1031上方)的導電焊盤。每個導電焊盤的邊緣都被鈍化件104圍繞。每個導電焊盤也都從鈍化件104部分地暴露。在一些實施例中，導電焊盤的頂面103d的一部分從鈍化件104暴露。導電焊盤中的一些配置為與半導體管芯101外部的導電跡線連接的端子。在一些實施例中，半導體管芯101至少包括連接至防護環103a的導電焊盤103c。導電焊盤103c設置為鄰近管芯邊緣101a。導電焊盤103c可以遵循防護環的布線圖案。在一些實施例中，導電焊盤103c是環繞管芯邊緣101a的圈(loop)。導電焊盤103c用作上層級防護環并且至少具有從鈍化件104暴露的表面以用于進一步連接。在一些實施例中，導電焊盤103c包括金、銀、銅、鎳、鎢、鋁、鈀和/或其合金。

圖1A是圖1中的半導體器件100的部分100a的放大的示圖。鈍化件104持續延伸至鄰近管芯邊緣101a。然而，鈍化件104中有若干凹槽部件并且每個凹槽都可以對應于導電焊盤。如圖1A所示，每個導電焊盤(類似于103c)都從對應的凹槽暴露。

在一些實施例中，鈍化件104部分覆蓋導電焊盤103c的頂面103d。鈍化件104配置為提供用于半導體管芯101的電絕緣和防潮，使得半導體管芯101與周圍環境隔離。在一些實施例中，鈍化件104由諸如旋涂玻璃(SOG)、氧化硅、氮氧化硅、氮化硅等的介電材料形成。在一些實施例中，用汽相沉積或旋涂工藝形成鈍化件104。

仍參考圖1A，導體105位于鈍化件104的凹槽中并且設置在導電焊盤103c的頂面103d的上方。導體105通過導電焊盤103c電耦合至防護環103a。在一些實施例中，導體105位于頂面103d的暴露部分上。導體105從頂面103d延伸并且穿過鈍化件104的厚度。在一些實施例中，導體105沿著互連件103的頂面103b的法線方向延伸。在一些實施例中，導體105基本直立于導電焊盤103c上并且由該導電焊盤支撐。導體105可以填充與導電焊盤103c對應的凹槽。

在一些實施例中，導體105可以遵循導電焊盤103c的布線并且設置為鄰近管芯邊緣101a。在一些實施例中，導體105是環繞管芯邊緣101a的圈。導電焊盤103c用作另一上層級防護環并且從鈍化件104的凹槽延伸。在一些實施例中，導體105包括金、銀、銅、鎳、鎢、鋁、鈀和/或其合金。

電介質106設置在鈍化件104上方并且圍繞導體105。為了隔離鄰近導體或避免水分侵襲，電介質106是在導體105周圍插入填充的電介質。在一些實施例中，電介質106包括諸如環氧樹脂、聚酰亞胺、聚苯并惡唑(PBO)、阻焊劑(SR)、ABF膜等的材料。在一些實施例中，電介質106包括感光材料并且當暴露于光下時感光材料可以經受化學反應。在一些實施例中，導體105從電介質106的表面暴露并且延伸。

模塑料107鄰近管芯邊緣101a。在一些實施例中，管芯邊緣101a是介于模塑料107和半導體管芯101之間的界面。在一些實施例中，模塑料107是介電材料并且配置為圍繞半導體管芯101的側壁以及也提供一些機械支撐。模塑料107配置為在第一表面處與圖1中EMI屏蔽罩125接觸并且在第二表面處與管芯邊緣101a接觸。在一些實施例中，第一表面與第二表面相對。模塑料材料是化合物并且由復合材料形成，復合材料包括環氧樹脂、酚醛硬化劑、二氧化硅、催化劑、顏料和脫模劑。用于形成模塑料化合物的材料具有高導熱性、低濕氣吸收率、在板安裝溫度下的高抗彎強度、或者全部的組合。在一些實施例中，導體105、電介質106和模塑料107的表面基本共面。導體105的表面105a與模塑料107的表面107a共面。表面105a是從電介質106暴露的表面。表面107a是與電介質109交界的表面。

電介質109設置在模塑料107、導體105、和電介質106上方。電介質109設置在模塑料107、導體105和電介質106的頂面上。在一些實施例中，電介質109包括聚合物材料，諸如環氧樹脂、聚酰亞胺、聚苯并惡唑(PBO)、阻焊劑(SR)、ABF膜等。在一些實施例中，電介質109包括感光材料并且當感光材料暴露于光下時可以經受化學反應。

介質109也設置在導電跡線111和電介質106之間。導電跡線111是再分布層(RDL)或鈍化后互連件(PPI)的一部分。導電跡線111是導電的并且配置為介于導體105和半導體管芯101外部的導電跡線之間中間路徑。在一些實施例中，導電跡線111包括通孔部分111a和橫向部分111b。通孔部分111a通過電介質109的凹槽109a與導體105連接。通孔部分111a也向上延伸以與橫向部分111b連接。在一些實施例中，通孔部分111a沿著電介質109的凹槽109a共形加襯。

在一些實施例中，通過電介質113部分地覆蓋導電跡線111，該電介質被設計為隔離導電跡線111以免于水分或反應物。然而，導電跡線111的至少一部分從電介質113暴露。電介質113被圖案化為具有凹槽113a以暴露導電跡線111的一部分，從而提供頂面111c以與其它導電部件接觸。在一些實施例中，暴露部分位于電介質117的邊緣處。在一些實施例中，該邊緣也是半導體器件100的側壁。在一些實施例中，電介質113包括聚合物材料，諸如環氧樹脂、聚酰亞胺、聚苯并惡唑(PBO)、阻焊劑(SR)、ABF膜等。在一些實施例中，電介質113包括感光材料并且當感光材料暴露于光下時可以經受化學反應。

通過凹槽113a，導電跡線111配置為與其它導電部件115連接。導電部件115也是RDL或PPI的一部分。導電部件115提供介于導電跡線111和半導體管芯111外部的其它導電部件之間的導電路徑。在一些實施例中，導電部件115類似于導電跡線111并且包括通孔部分115a和橫向部分115b。通孔部分115a通過凹槽113a與導電跡線111連接并且向上延伸至導電部件115的頂面115c。在一些實施例中，通孔部分115a堆疊在通孔部分111a上方。在一些實施例中，垂直部分115a沿著電介質113的凹槽113a共形加襯。

可選地，導電部件115可以被電介質117部分地覆蓋，該電介質被設計為隔離導電部件115以免于水分或反應物。然而，導電部件115的至少一部分從電介質117暴露。暴露部分位于電介質117的邊緣處。在一些實施例中，該邊緣也是半導體器件100的側壁。在一些實施例中，電介質117包括聚合物材料，諸如環氧樹脂、聚酰亞胺、聚苯并惡唑(PBO)、阻焊劑(SR)、ABF膜等。在一些實施例中，電介質113包括感光材料并且當感光材料暴露于光下時可以經受化學反應。

在一些實施例中，導電跡線111或導電部件115配置為封裝半導體器件100的密封環。作為密封環，導電跡線111或導電部件115設置在半導體器件100的周邊處。導電跡線111或導電部件115環繞在半導體器件100的側壁。從俯視視角看，導電跡線111或導電部件115的布局為圈狀配置。導電跡線111或導電部件115的橫向部分延伸為進一步橫向超過半導體管芯101的管芯邊緣101a。為了電耦合至EMI屏蔽罩，橫向部分至少具有從器件100的側壁暴露的導電面。在一些實施例中，導電跡線111或導電部件115設計為與器件100的任何輸入或輸出(I/O)電路或其它有源電路電隔離，因此也稱為偽導電RDL或PPI。雖然如此，導電跡線111或導電部件115配置為接地路徑以連接至EMI屏蔽罩。

EMI屏蔽罩的接地路徑包含建立在器件100內側的若干主導電結構。該主導電結構布置在器件100的若干不同層或不同層級中。一個接地路徑，導電跡線111或導電部件115，位于RDL和PPI層級中。其它接地路徑，防護環103a，位于管芯101層級中。

再次參考圖1，在管芯101上方堆疊諸如半導體管芯的電子元件150。電子元件150通過PPI和RDL的一部分與管芯101電連通(communicate)。該堆疊方向基本平行于導體105的延伸方向。電子組件150可以翻轉并且接合至PPI或RDL的有源導電跡線。模塑料143圍繞電子元件150并且隔離水分或電荷以防止其進入電子元件150。3D(三維)模制半導體結構形成在EMI屏蔽罩125的內側。

圖2中示出了抗EMI半導體器件100b。半導體器件100b包括與圖1中的半導體100類似的結構，從而在此不重復具有相同數字標號表示的元件的細節。在圖2中，PPI具有從電介質117暴露的導電部件119。導電部件119的表面119c被配置為與諸如焊料凸塊或焊膏的導體連接。

圖3A至圖3P包括制造圖1中的半導體器件100的方法的操作。該方法包括許多操作(201、202、203、204、205、206、207、208、209、210、211、212、213、214、215和216)。

在操作201中，如圖3A所示，提供半導體襯底102。在一些實施例中，半導體襯底102包括諸如硅的半導體材料。在一些實施例中，互連件103設置在半導體襯底102上方。在設置互連件103的工藝中，如圖3A所示，包括在互連件103的周邊中設置防護環103a并且防護環103a延伸至互連件103的頂面103b。

在操作202中，如圖3B所示，在防護環103a上形成導電焊盤103c。在一些實施例中，導電焊盤103c設置在互連件103的表面103b上。在操作203中，如圖3C所示，鈍化件104設置在互連件103和導電焊盤103c上方。

在操作204中，如圖3D所示，部分地去除鈍化件104以形成凹槽104a。通過蝕刻操作去除鈍化件104的位于導電焊盤103c的頂面103d上面的一些部分，以暴露導電焊盤103c的頂面103d并且形成凹槽104a。在一些實施例中，凹槽104a從鈍化件104的頂面104b延伸至導電焊盤103c的頂面103d。

在操作205中，如圖3E所示，導體105設置在導電焊盤103c上方并且部分地覆蓋鈍化件104。在一些實施例中，導體105填充凹槽104a。在一些實施例中，導體105從導電焊盤103c的頂面103d延伸至導體105的頂面105a。在一些實施例中，導體105基本直立于導電焊盤103c上并且由該導電焊盤支撐。在一些實施例中，通過諸如電鍍、濺射等的各種方法設置導體105。在一些實施例中，導體105包括諸如銅、銀、金、或其合金的金屬。

在操作206中，如圖3F所示，在導體105周圍設置電介質106。在一些實施例中，電介質106圍繞導體105。電介質106配置為使導體105與周圍環境絕緣。

在操作207中，將半導體襯底102分割成若干單獨的管芯101。在一些實施例中，通過機械或激光刀片分割半導體襯底102。將從半導體襯底102分割的管芯101放置在載體(未示出)上。在載體上形成模塑料107以圍繞管芯101。引入去除或平坦化操作以去除模塑料107的以部分來暴露導體105的頂面105a和電介質106的頂面106a，從而沒有模塑料107保留在導體105和電介質106上。圖3G是示出在去除操作之后的結構的實施例。在一些實施例中，通過諸如蝕刻或研磨的操作同時去除模塑料107、導體105和電介質106的頂部以使其共面。在一些實施例中，具有形成在模塑料107中并且鄰近管芯101的貫通孔(未顯示)。

在操作208中，如圖3H所示，電介質109設置在模塑料107、導體105和電介質106上方。在一些實施例中，電介質109包括聚合物材料，諸如環氧樹脂、聚酰亞胺、聚苯并惡唑(PBO)、阻焊劑(SR)、ABF膜等。在一些實施例中，如圖3H所示，在導體105的頂面105a上面形成凹槽109a。在一些實施例中，通過蝕刻去除位于頂面105a上面的一些電介質109。

在操作209中，如圖3I所示，設置導電跡線111。在一些實施例中，通過電鍍或濺射將導電跡線111設置在電介質109上。

在操作210中，如圖3J所示，設置電介質113并且形成凹槽113a。在一些實施例中，電介質113設置在導電跡線111上。電介質113覆蓋半導體器件100的頂部。在一些實施例中，電介質113包括聚合物材料，諸如環氧樹脂、聚酰亞胺、聚苯并惡唑(PBO)、阻焊劑(SR)、ABF膜等。在一些實施例中，通過部分地去除電介質113來形成凹槽113a。在一些實施例中，通過蝕刻去除電介質113的一部分以形成開口113a。在一些實施例中，凹槽113a是錐形(tapered)配置。在一些實施例中，凹槽113a從電介質113的頂面113b延伸至導電跡線111的頂面111c。在一些實施例中，開口113a在頂面111c上延伸。

在操作211中，如圖3K所示，設置導電部件115。在一些實施例中，通過電鍍或濺射將導電部件115設置在電介質113上。

在操作212中，如圖3L所示，設置電介質117并且形成凹槽117a。在一些實施例中，電介質117設置在導電部件115上。在一些實施例中，電介質117包括聚合物材料，諸如環氧樹脂、聚酰亞胺、聚苯并惡唑(PBO)、阻焊劑(SR)、ABF膜等。

在一些實施例中，通過去除電介質117的位于導電部件115上面的一些來形成凹槽117a。在一些實施例中，通過蝕刻去除電介質117中的一些以形成開口117a。在一些實施例中，開口117a是錐形配置。

在操作213中，如圖3M所示，設置導電部件119。在一些實施例中，通過電鍍或濺射將導電部件119設置在電介質117上。

在操作214中，如圖3N所示，在另一導電跡線上設置凸塊121。在一些實施例中，凸塊121是焊料凸塊、焊料球、焊料膏等。在一些實施例中，凸塊121配置為用于附接于另一管芯上的焊盤、另一襯底或另一半導體封裝件。在一些實施例中，凸塊121是導電凸塊或導電接合點(joint)。

在操作215中，從半導體器件100去除載體(未示出)。上下翻轉圖3N示出的結構并且附接至位于圖3O的底部處的另一電子組件150。電子組件150可以是封裝襯底、板(例如，印刷電路板(PCB))、晶圓、管芯、中間襯底或其它合適的襯底。通過各種導電附接點將凸塊結構耦合至電子組件150。例如，在電子組件150上形成并且圖案化導電區域122。導電區域122是接觸焊盤或者是導電跡線的一部分，導電跡線通過掩模層124體現。在一個實施例中，掩模層124是在電子組件150上形成并且圖案化的阻焊層，以暴露導電區域122。掩模層124具有掩模開口，其提供用于焊料接合點形成的窗口。例如，包括錫、鉛、銀、銅、鎳、鉍或其組合的合金的焊料層可以提供在導電區域122上。半導體器件100可以通過導電跡線111和導電區域122之間的接合焊料結構126耦合至電子組件150。示例性耦合工藝包括助焊劑應用、芯片放置、熔化焊點的回流和/或助焊劑殘留物清洗。半導體襯底102、接合焊料結構126和其他電子組件150可以被稱為封裝配件，或者在本是實例中，稱為倒裝芯片封裝配件。

在操作216中，模塑料143形成在半導體器件100上方以圍繞電子組件150。在一些實施例中，還可以應用屏蔽罩涂覆操作以在半導體器件100的外側形成EMI屏蔽罩125。

在一些實施例中，半導體器件包括半導體管芯，該半導體管芯具有設置在半導體管芯的周邊中的防護環。半導體器件還包括位于防護環上方的導電焊盤。半導體器件還具有部分地覆蓋導電焊盤的鈍化件和鈍化件上方的鈍化后互連件(PPI)，并且該鈍化件包括凹槽以暴露導電焊盤的一部分。在半導體器件中，導體從凹槽向上延伸并且連接至PPI的一部分。

在一些實施例中，半導體器件包括半導體管芯，該半導體管芯具有設置在半導體管芯的周邊中的防護環和防護環上方的導電焊盤。半導體器件還具有部分地覆蓋導電焊盤的鈍化件，并且該鈍化件包括凹槽以暴露導電焊盤的一部分。半導體器件還包括鈍化件上方的鈍化后互連件(PPI)和從凹槽向上延伸并且連接至PPI的一部分的導體。在半導體器件中，EMI(電磁干擾)屏蔽罩圍繞半導體管芯并且通過PPI與導體電耦合。

在一些實施例中，半導體器件包括EMI(電磁干擾)屏蔽罩和位于EMI屏蔽罩中的模制半導體結構。該模制半導體結構包括鄰近模制半導體結構的邊緣并且電耦合至EMI屏蔽罩的密封環。模制半導體結構還包括半導體管芯，該半導體管芯通過導體電耦合至密封環。在半導體器件中，半導體管芯具有通過導電焊盤電耦合至導體的防護環。

本發明的實施例提供了一種半導體器件，包括：半導體管芯，所述半導體管芯包括設置在所述半導體管芯的周邊中的防護環；導電焊盤，所述導電焊盤位于所述防護環上方；鈍化件，所述鈍化件部分地覆蓋所述導電焊盤，并且所述鈍化件包括凹槽以暴露所述導電焊盤的一部分；鈍化后互連件(PPI)，所述鈍化后互連件位于所述鈍化件上方；以及導體，所述導體從所述凹槽向上延伸并且連接至所述鈍化后互連件的一部分。

根據本發明的一個實施例，其中，所述周邊鄰近所述半導體管芯的邊緣。

根據本發明的一個實施例，半導體器件還包括鄰近所述半導體管芯的邊緣的模塑料。

根據本發明的一個實施例，其中，所述導體通過所述導電焊盤電耦合至所述防護環。

根據本發明的一個實施例，其中，所述半導體管芯包括互連件，所述防護環設置在所述互連件中。

根據本發明的一個實施例，半導體器件還包括模塑料，所述模塑料圍繞所述半導體管芯，其中，所述模塑料的表面與所述導體的表面共面。

根據本發明的一個實施例，半導體器件還包括另一半導體管芯，所述另一半導體管芯堆疊在所述半導體管芯上方，其中，所述半導體管芯和所述另一半導體管芯通過所述鈍化后互連件電連通。

根據本發明的一個實施例，其中，所述導體平行于所述半導體管芯和所述另一半導體管芯的堆疊方向延伸。

根據本發明的一個實施例，半導體器件還包括介于所述鈍化后互連件和所述鈍化件之間的電介質。

根據本發明的一個實施例，其中，所述電介質包括感光材料。

本發明的實施例還提供了一種半導體器件，包括：半導體管芯，所述半導體管芯包括設置在所述半導體管芯的周邊中的防護環；導電焊盤，所述導電焊盤位于所述防護環上方；鈍化件，所述鈍化件部分地覆蓋所述導電焊盤，并且所述鈍化件包括凹槽以暴露所述導電焊盤的一部分；鈍化后互連件(PPI)，所述鈍化后互連件位于所述鈍化件上方；導體，所述導體從所述凹槽向上延伸并且連接至所述鈍化后互連件的一部分；以及電磁干擾(EMI)屏蔽罩，所述電磁干擾屏蔽罩圍繞所述半導體管芯并且通過所述鈍化后互連件與所述導體電耦合。

根據本發明的一個實施例，其中，所述鈍化后互連件的一部分橫向延伸并且與所述電磁干擾屏蔽罩接觸。

根據本發明的一個實施例，半導體器件還包括模塑料，所述模塑料圍繞所述半導體管芯，其中，所述模塑料在第一表面處與所述半導體管芯的邊緣接觸并且在第二表面處與所述電磁干擾屏蔽罩接觸，所述第一表面和所述第二表面相對。

根據本發明的一個實施例，其中，所述半導體管芯包括互連件，并且從所述互連件的頂層級電介質部分地暴露所述防護環。

根據本發明的一個實施例，其中，所述防護環是多層級導電結構并且所有層級都邊緣對準。

根據本發明的一個實施例，其中，所述防護環電耦合至所述半導體器件的接地端子。

本發明的實施例還提供了一種半導體器件，包括：電磁干擾(EMI)屏蔽罩；以及模制半導體結構，所述模制半導體結構位于所述電磁干擾屏蔽罩中，其中，所述模制半導體結構包括：密封環，所述密封環鄰近所述模制半導體結構的邊緣并且電耦合至所述電磁干擾屏蔽罩；半導體管芯，所述半導體管芯通過導體電耦合至所述密封環，其中，所述半導體管芯包括防護環，所述防護環通過導電焊盤電耦合至所述導體。

根據本發明的一個實施例，半導體器件還包括部分地圍繞所述導體的鈍化件。

根據本發明的一個實施例，其中，所述鈍化件包括氮化物。

根據本發明的一個實施例，半導體器件還包括位于所述密封環和所述半導體管芯上方的模塑料。

以上論述了若干實施例的部件，使得本領域的技術人員可以更好地理解本發明的各個方面。本領域技術人員應該理解，可以很容易地使用本發明作為基礎來設計或更改其他的處理和結構以用于達到與本發明所介紹實施例相同的目的和/或實現相同優點。本領域技術人員也應該意識到，這些等效結構并不背離本發明的精神和范圍，并且在不背離本發明的精神和范圍的情況下，可以進行多種變化、替換以及改變。