本發明涉及P型多晶雙面太陽能電池的生產制造領域，具體是一種提高多晶硅太陽能電池背面開壓的鍍膜工藝。
背景技術：
在普通單、多晶太陽能電池片工藝中，開路電壓Uoc是影響電池轉換效率的重要參數。Uoc主要由硅片本身品質和PN結工藝決定，而雙面電池的背面沒有PN結工藝，無法通過該工藝來提高背面Uoc。
技術實現要素：
本發明所要解決的技術問題是：如何通過鍍膜提高多晶硅雙面太陽能電池背面開壓。
本發明所采用的技術方案是：一種提高多晶硅太陽能電池背面開壓的鍍膜工藝，按照如下的步驟進行：
步驟一、將多晶硅片基材和純銀靶材置于等離子合金化爐內，抽真空至0.5Pa后，通入NH3，氣壓控制在35Pa，同時開啟工件電源和源極電源，使工件電壓高于源極電壓，壓差保持250V。緩慢升高電壓，溫度升至930℃后，保溫30min，對工件背面進行濺射2-4秒；
步驟二、將溫度冷到430℃-450℃進行PECVD鍍膜，背面層膜鍍膜時，SiH4氣體流量為3.6slm，NH3的氣體流量為1100sccm，鍍膜時間150s，射頻功率為5650W，正面層膜鍍膜時，SiH4氣體流量為6.8slm，NH3的氣體流量為680sccm，鍍膜時間150s，射頻功率為5650W。
本發明的有益效果是：本發明在PECVD鍍膜前，對多晶硅片背面進行銀硅摻雜，使SiN附在銀硅摻雜硅層上提高了多晶硅太陽能電池背面開壓。
具體實施方式
在進行PECVD鍍膜前，將多晶硅片基材和純銀靶材置于等離子合金化爐內，抽真空至0.5Pa后，通入NH3，氣壓控制在35Pa，同時開啟工件電源和源極電源，使工件電壓高于源極電壓，壓差保持250V。緩慢升高電壓，溫度升至930℃后，保溫30min，對工件兩面分別進行濺射2-4秒；使在多晶硅片背面表面形成一層銀硅摻雜層，控制銀硅摻雜層的銀硅原子比為1:100-1:50，提高了多晶硅太陽能電池背面開壓。將溫度冷到430℃-450℃進行PECVD鍍膜，背面層膜鍍膜時，SiH4氣體流量為3.6slm，NH3的氣體流量為1100sccm，鍍膜時間150s，射頻功率為5650W，折射率控制為2.31，正面層膜鍍膜時，SiH4氣體流量為6.8slm，NH3的氣體流量為680sccm，鍍膜時間150s，射頻功率為5650W，折射率控制為2.02。