1.一種半導體結構，包括：
第一器件，具有第一表面，所述第一器件包括：
由第一材料系統限定的第一有源區域；以及
第二器件，具有第二表面，所述第二表面與所述第一表面共平面，所述第二器件包括：
由第二材料系統限定的第二有源區域，其中，所述第二材料系統不同于所述第一材料系統。
2.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，所述第一材料系統包括Si，并且所述第二材料系統包括III-V族材料。
3.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，所述第一器件和所述第二器件還包括襯底，所述襯底包括與所述第一器件相關聯的第一器件區域和與所述第二器件相關聯的第二器件區域；所述第一有源區域設置在所述第一器件區域中。
4.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，所述第一器件和所述第二器件還包括所述第二材料系統的層，并且所述第一表面和所述第二表面是所述第二材料系統的所述層的頂面。
5.根據權利要求4所述的半導體結構，其中，所述第二有源區域位于所述層中。
6.根據權利要求4所述的半導體結構，其中，所述第一器件包括位于所述第二材料系統的所述層中并且位于所述第一有源區域上方的隔離區域。
7.根據權利要求6所述的半導體結構，其中，所述隔離區域具有第一側和與第一側相對的第二側，以及所述第一有源區域具有第一側和與第一側相對的第二側，其中，所述隔離區域的第一側和第二側之間的第一距離大于所述第一有源區域的第一側和第二側之間的第二距離。
8.根據權利要求7所述的半導體結構，其中，所述第一距離和所述第二距離的差小于10μm。
9.一種半導體結構，包括：
硅襯底，具有位于所述硅襯底中的有源區域；以及
III-V族層，位于所述硅襯底上并且位于所述硅襯底的所述有源區域上方。
10.一種用于制造半導體結構的方法，包括：
提供第一材料系統的襯底，所述襯底具有第一器件區域和第二器件區域；
在所述第一器件區域中限定有源區域；
在所述襯底上形成第二材料系統的層，所述第二材料系統不同于所述第一材料系統；以及
在所述第一器件區域上方的所述層的部分中限定隔離區域。